JPH01292315A - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
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- JPH01292315A JPH01292315A JP12241188A JP12241188A JPH01292315A JP H01292315 A JPH01292315 A JP H01292315A JP 12241188 A JP12241188 A JP 12241188A JP 12241188 A JP12241188 A JP 12241188A JP H01292315 A JPH01292315 A JP H01292315A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
高品位画像の表示を可能にした液晶表示パネルに関し、
部分的に基板上に形成された透明電極の凹凸を平坦化す
ることにより、全面にわたって厚さが均一な配向膜を形
成して、表示ムラのない液晶表示パネルを堤供すること
を目的とし、 パターン形成された透明電極上を含む表面が配向膜で被
覆された一対の透明基板を、該配向膜面が内側になるよ
うに対向させ該対向間に液晶が封入された液晶表示パネ
ルにおいて、透明電極上を 。
ることにより、全面にわたって厚さが均一な配向膜を形
成して、表示ムラのない液晶表示パネルを堤供すること
を目的とし、 パターン形成された透明電極上を含む表面が配向膜で被
覆された一対の透明基板を、該配向膜面が内側になるよ
うに対向させ該対向間に液晶が封入された液晶表示パネ
ルにおいて、透明電極上を 。
含む透明基板の表面と配向膜との間にアマルファス窒化
シリコンよりなるバッファ膜が介設された構成である。
シリコンよりなるバッファ膜が介設された構成である。
本発明は高品位画像の表示を可能にした液晶表示パネル
に関する。
に関する。
液晶表示パネルは、薄型、軽量という特徴から各種の表
示装置に幅広く使用されており、特に最近は画面サイズ
の大きい大型表示装置に適するツイステンドネマチソク
型液晶表示パネルが実用化され表示品質の向上が要求さ
れている。
示装置に幅広く使用されており、特に最近は画面サイズ
の大きい大型表示装置に適するツイステンドネマチソク
型液晶表示パネルが実用化され表示品質の向上が要求さ
れている。
液晶表示パネルは、例えば反射型の場合、第２図の模式
断面図に示すように、内面に所定パターンの透明電極１
１が形成された２枚の透明基板１，１をギャップを隔て
て対向させ周縁をシール材４でシールして液晶５が封入
され、透明基板１．１の外側には偏光板２．２や反射板
３が設けられてなっている。
断面図に示すように、内面に所定パターンの透明電極１
１が形成された２枚の透明基板１，１をギャップを隔て
て対向させ周縁をシール材４でシールして液晶５が封入
され、透明基板１．１の外側には偏光板２．２や反射板
３が設けられてなっている。
そして内部に封入された液晶５を配向させて所定の捩り
角を与えかつそれを安定に保持するため透明電極１１の
表面を含む透明基板１，１の全内面に配向膜１２が設け
られており、配向膜１２に接する液晶分子の長軸を所定
の方向に配列させる構造となっている。
角を与えかつそれを安定に保持するため透明電極１１の
表面を含む透明基板１，１の全内面に配向膜１２が設け
られており、配向膜１２に接する液晶分子の長軸を所定
の方向に配列させる構造となっている。
第３図は一方の基板の透明電極部分の拡大断面図で、（
イ）は樹脂配向膜、（ロ）は斜め蒸着配向膜を示すもの
である。
イ）は樹脂配向膜、（ロ）は斜め蒸着配向膜を示すもの
である。
（イ）における配向膜１２は透明電極１１をパターン形
成した基板１の表面に、ポリイミド樹脂等を数１００人
の厚さにスピンコードなどで被着させ、その表面を液晶
の捩り角に合致する方向に綿布やラバー等で擦るいわゆ
るラビング処理を行って形成したものである。
成した基板１の表面に、ポリイミド樹脂等を数１００人
の厚さにスピンコードなどで被着させ、その表面を液晶
の捩り角に合致する方向に綿布やラバー等で擦るいわゆ
るラビング処理を行って形成したものである。
また（口）は、透明電極部を含む基板１上に矢印Ａの如
く表面斜め上方からＳｉＯを蒸着して形成したものであ
る。
く表面斜め上方からＳｉＯを蒸着して形成したものであ
る。
すなわちこの斜め蒸着は基板１の垂直軸に対して８０＠
以上の角度、換言すれば基板表面からの仰角が１０″以
下で、かつ方向が液晶層の液晶分子の配向方向に合致す
る方向に蒸着源を配置した通常の蒸着技術によって、５
ｉ０２を数１００人程度の厚さに透明電極表面上に蒸着
形成する。
以上の角度、換言すれば基板表面からの仰角が１０″以
下で、かつ方向が液晶層の液晶分子の配向方向に合致す
る方向に蒸着源を配置した通常の蒸着技術によって、５
ｉ０２を数１００人程度の厚さに透明電極表面上に蒸着
形成する。
配向膜に接する液晶分子への配向規制力はその下の配向
層の厚さに影響される。
層の厚さに影響される。
しかし上記従来の構成では、透明電極表面を含む基板表
面に直接、薄い配向膜を形成するので、パターン形成に
より部分的に設けられた透明電極と基板との間に生じた
段差により、電極の端部で配向膜が−様な厚さに形成さ
れない。すなわちポリイミド樹脂による配向膜の場合は
、基板が大型の場合スピンコード時に基板を高速度で回
転できないため電極の凹凸により膜厚が不均一になり、
またＳｉＯの斜め蒸着の場合は、殆ど水平方向から入射
する被蒸着分子は、電極の影の部分に被着しない。
面に直接、薄い配向膜を形成するので、パターン形成に
より部分的に設けられた透明電極と基板との間に生じた
段差により、電極の端部で配向膜が−様な厚さに形成さ
れない。すなわちポリイミド樹脂による配向膜の場合は
、基板が大型の場合スピンコード時に基板を高速度で回
転できないため電極の凹凸により膜厚が不均一になり、
またＳｉＯの斜め蒸着の場合は、殆ど水平方向から入射
する被蒸着分子は、電極の影の部分に被着しない。
このため電極の端の部分は液晶分子の配向が他の部分と
異なり、従って捩り角にも差が生じて、表示画面上で色
や明るさの異なる表示ムラとなって表れ、表示品質を劣
化させるという問題点があった。
異なり、従って捩り角にも差が生じて、表示画面上で色
や明るさの異なる表示ムラとなって表れ、表示品質を劣
化させるという問題点があった。
本発明は上記問題点に鑑み創出されたもので、部分的に
基板上に形成された透明電極の凹凸を平坦化することに
より、全面にわたって厚さが均一な配向膜を形成でき、
表示ムラのない液晶表示パネルを提供することを目的と
する。
基板上に形成された透明電極の凹凸を平坦化することに
より、全面にわたって厚さが均一な配向膜を形成でき、
表示ムラのない液晶表示パネルを提供することを目的と
する。
上記問題点は、
パターン形成された透明電極上を含む表面が配向膜で被
覆された一対の透明基板を、該配向膜面が内側になるよ
うに対向させ該対向間に液晶が封入された液晶表示パネ
ルにおいて、 透明電極」二を含む透明基板の表面と配向膜との間にア
マルファス窒化シリコンよりなるバッファ膜が介設され
てなることを特徴とする本発明の液晶表示パネルにより
解決される。
覆された一対の透明基板を、該配向膜面が内側になるよ
うに対向させ該対向間に液晶が封入された液晶表示パネ
ルにおいて、 透明電極」二を含む透明基板の表面と配向膜との間にア
マルファス窒化シリコンよりなるバッファ膜が介設され
てなることを特徴とする本発明の液晶表示パネルにより
解決される。
アマルファス窒化シリコンは透明電極の厚さより十分厚
く被着することが容易で、基板表面の凹凸を平坦化する
作用を有するので、配向膜の下地は平坦となり、厚さが
均一な配向膜を得ることができる。
く被着することが容易で、基板表面の凹凸を平坦化する
作用を有するので、配向膜の下地は平坦となり、厚さが
均一な配向膜を得ることができる。
以下添付図により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の液晶表示パネルを示す模式断面図であ
る。
る。
図において、６は平板状ガラスなどからなる透明基板で
、その片面（相手透明基板との対向面）には約１０００
人程度の厚さのＩＴＯを蒸着してフォトエツチングでパ
ターン形成してなる透明電極６１が局部的に設けられて
いる。
、その片面（相手透明基板との対向面）には約１０００
人程度の厚さのＩＴＯを蒸着してフォトエツチングでパ
ターン形成してなる透明電極６１が局部的に設けられて
いる。
そして透明電極６１上を含む透明基板１の内側全表面に
は厚さが１μｍ程度のバッファ膜６３が設けられている
。このバッファ膜６３はアマルファス窒化シリコンより
なり、例えばシランガスとアンモニアガスの混合ガスに
よるプラズマＣＶＤ法により形成する。アマルファス窒
化シリコンは厚付けが可能で、かつ付きまわりがよく、
良好なステ・ノブカバレッジ作用を有するので、バッフ
ァ膜６３の表面は、透明電極１１の凹凸の影響が緩和さ
れて平１ｕ面となっている。そしてバッファ膜６３の表
面には数１００ 人のポリ・イミド樹脂がスピンコード
で被着されて所定にラビング処理が施されるか、または
ＳｉＯの斜め蒸着してなる配向膜６２が従来例と同様に
設けられている。この配向膜６２は、下地のバッファ膜
６３の表面が平坦なため、透明電極６１の端部を含む全
面に均一の厚さで被着されている。
は厚さが１μｍ程度のバッファ膜６３が設けられている
。このバッファ膜６３はアマルファス窒化シリコンより
なり、例えばシランガスとアンモニアガスの混合ガスに
よるプラズマＣＶＤ法により形成する。アマルファス窒
化シリコンは厚付けが可能で、かつ付きまわりがよく、
良好なステ・ノブカバレッジ作用を有するので、バッフ
ァ膜６３の表面は、透明電極１１の凹凸の影響が緩和さ
れて平１ｕ面となっている。そしてバッファ膜６３の表
面には数１００ 人のポリ・イミド樹脂がスピンコード
で被着されて所定にラビング処理が施されるか、または
ＳｉＯの斜め蒸着してなる配向膜６２が従来例と同様に
設けられている。この配向膜６２は、下地のバッファ膜
６３の表面が平坦なため、透明電極６１の端部を含む全
面に均一の厚さで被着されている。
そして同様に構成された他方の透明基板６′を１０μｍ
程度の空隙で対向させて周縁部をシールしてシェルを構
成し、所定のツィステッドネマチック型液晶５が封入さ
れる。なお必要に応じて両透明基板６，６゛の外側に偏
光板２や、反射板３等が設けられて液晶表示パネルは完
成する。
程度の空隙で対向させて周縁部をシールしてシェルを構
成し、所定のツィステッドネマチック型液晶５が封入さ
れる。なお必要に応じて両透明基板６，６゛の外側に偏
光板２や、反射板３等が設けられて液晶表示パネルは完
成する。
このように構成された液晶表示パネルは、配向膜の厚さ
が均一なので封入された液晶分子の配向が揃っており、
表示画面の全面にわたって表示ムラがなく、コンＩ・ラ
ストの高い良好な表示が得られる。
が均一なので封入された液晶分子の配向が揃っており、
表示画面の全面にわたって表示ムラがなく、コンＩ・ラ
ストの高い良好な表示が得られる。
以上説明した如く、配向膜と透明基板間にアマルファス
窒化シリコンよりなるバッファ膜が介設された本発明の
液晶表示パネルによれば、表示ムラのない表示品質が良
好な表示装置を実現することが可能となり、その効果は
顕著である。
窒化シリコンよりなるバッファ膜が介設された本発明の
液晶表示パネルによれば、表示ムラのない表示品質が良
好な表示装置を実現することが可能となり、その効果は
顕著である。
第１図は、本発明の液晶表示パネルを示す模式第２図は
、従来の液晶表示パネルの断面図、第３図は、第２図の
電極部分の拡大断面図、である。 図において、 １−透明基板、 ２−・・偏光板、３−反射板
、 ５一液晶、 ６．６’−−一透明基＋反、 ６１−透明電極、
６２・−配向膜、 ６３−バッファ膜、であ
る。
、従来の液晶表示パネルの断面図、第３図は、第２図の
電極部分の拡大断面図、である。 図において、 １−透明基板、 ２−・・偏光板、３−反射板
、 ５一液晶、 ６．６’−−一透明基＋反、 ６１−透明電極、
６２・−配向膜、 ６３−バッファ膜、であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 パターン形成された透明電極（６１）上を含む表面が配
向膜（６２）で被覆された一対の透明基板（６、６’）
を、該配向膜（６２）面が内側になるように対向させ、
該対向間に液晶（５）が封入されてなる液晶表示パネル
において、 前記透明電極（６１）上を含む透明基板（１、１’）の
表面と配向膜（６２）との間にアマルファス窒化シリコ
ンよりなるバッファ膜（６３）が介設されてなることを
特徴とする液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12241188A JPH01292315A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12241188A JPH01292315A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 液晶表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292315A true JPH01292315A (ja) | 1989-11-24 |
Family
ID=14835143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12241188A Pending JPH01292315A (ja) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01292315A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521234U (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-19 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2004029164A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Japan Science & Technology Corp | 液晶表示素子 |
| JP2006119402A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法及び製造装置、電気光学装置並びに電子機器 |
| JP2006235091A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Seiko Instruments Inc | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR100687318B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2007-05-17 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Ips 모드 액정 표시 소자의 제조방법 |
| US7479939B1 (en) | 1991-02-16 | 2009-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5490998A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-19 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display unit |
| JPS63104026A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-09 | Nec Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-19 JP JP12241188A patent/JPH01292315A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5490998A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-19 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display unit |
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| JP2006235091A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Seiko Instruments Inc | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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