JPH10319382A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH10319382A JPH10319382A JP13005097A JP13005097A JPH10319382A JP H10319382 A JPH10319382 A JP H10319382A JP 13005097 A JP13005097 A JP 13005097A JP 13005097 A JP13005097 A JP 13005097A JP H10319382 A JPH10319382 A JP H10319382A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置における残像を防止する。
【解決手段】 透明な対をなす一方の基板２には、共通
電極９及び画素電極１０を形成し、その上に配向膜６を
塗布及び配向処理する。他方の基板２は、カラーフィル
ターの色層である赤の色層３、緑の色層４、青の色層５
を形成し、その上に無機物の保護膜７を形成し、その上
に配向膜６を塗布及び配向処理している。
電極９及び画素電極１０を形成し、その上に配向膜６を
塗布及び配向処理する。他方の基板２は、カラーフィル
ターの色層である赤の色層３、緑の色層４、青の色層５
を形成し、その上に無機物の保護膜７を形成し、その上
に配向膜６を塗布及び配向処理している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、残像の少ない高画
質の液晶表示装置に関する。
質の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置において、液晶層に電界を
印加する方式は２通りある。その第１の方式は、液晶層
を駆動する電極として、２枚の基板上に対向して形成さ
れた透明電極を用い、液晶に印加する電界の方向を基板
界面にほぼ垂直な方向とするものであり、ツイステッド
ネマティック表示方式に代表される表示方式である。
印加する方式は２通りある。その第１の方式は、液晶層
を駆動する電極として、２枚の基板上に対向して形成さ
れた透明電極を用い、液晶に印加する電界の方向を基板
界面にほぼ垂直な方向とするものであり、ツイステッド
ネマティック表示方式に代表される表示方式である。
【０００３】また第２の方式は、液晶に印加する電界の
方向を基板界面とほぼ平行な方向に設定した横電界印加
方式のものであり、櫛歯電極対を用いた方式が、例えば
特公昭６３−２１９０７号公報、ＷＯ９／１０９３６に
より提案されている。第２の方式では、電極は透明であ
る必要がなく、導電性が高く、不透明な金属電極が用い
られる。
方向を基板界面とほぼ平行な方向に設定した横電界印加
方式のものであり、櫛歯電極対を用いた方式が、例えば
特公昭６３−２１９０７号公報、ＷＯ９／１０９３６に
より提案されている。第２の方式では、電極は透明であ
る必要がなく、導電性が高く、不透明な金属電極が用い
られる。
【０００４】従来、この種の横電界印加方式の液晶表示
装置では、文字や図形等の画像を表示した後に画像を消
去しても、その画像が表示画面にしばらく残る、いわゆ
る「残像」による表示むらが発生するという問題点があ
った。そこで、例えば特開平７−１５９７８６号公報に
示されるように、横電界印加方式の液晶表示装置におい
て、残像の少ない高表示品質の液晶表示装置が提案され
ていた。
装置では、文字や図形等の画像を表示した後に画像を消
去しても、その画像が表示画面にしばらく残る、いわゆ
る「残像」による表示むらが発生するという問題点があ
った。そこで、例えば特開平７−１５９７８６号公報に
示されるように、横電界印加方式の液晶表示装置におい
て、残像の少ない高表示品質の液晶表示装置が提案され
ていた。
【０００５】図５（ａ）は、特開平７−１５９７８９号
公報に開示された液晶表示装置の表示画素を示す平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）は
（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。図５に示す横電界印
加方式の液晶表示装置における薄膜トランジスタ１５
は、画素電極１０，信号電極１１，走査電極１６及びア
モルファスシリコン膜１４から構成されている。共通電
極９は、走査電極１６と同層で、かつ同一の金属層を用
いてパターン形成されている。また、画素電極１０と信
号電極１１も同一の金属層を用いてパターン形成されて
いる。また、画素電極１０は、２本の共通電極１１，１
１間に配置されており、また高開口率化のため共通電極
９と信号電極１１をゲート絶縁膜１３を介して重ね、走
査電極方向のみ遮光板１７で遮光していた。６は配向
膜、１２は絶縁膜である。
公報に開示された液晶表示装置の表示画素を示す平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）は
（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。図５に示す横電界印
加方式の液晶表示装置における薄膜トランジスタ１５
は、画素電極１０，信号電極１１，走査電極１６及びア
モルファスシリコン膜１４から構成されている。共通電
極９は、走査電極１６と同層で、かつ同一の金属層を用
いてパターン形成されている。また、画素電極１０と信
号電極１１も同一の金属層を用いてパターン形成されて
いる。また、画素電極１０は、２本の共通電極１１，１
１間に配置されており、また高開口率化のため共通電極
９と信号電極１１をゲート絶縁膜１３を介して重ね、走
査電極方向のみ遮光板１７で遮光していた。６は配向
膜、１２は絶縁膜である。
【０００６】また図６は、特開平７−１５９７８６号公
報に開示された横電界方式の液晶表示装置の全体を示す
断面図である。図６に示すように、透明な対をなす一方
の基板２には、線状の信号電極１１、画素電極１０、及
び共通電極９が形成され、その上に絶縁膜１２が形成さ
れ、さらに配向膜６が塗布及び配向処理されている。ま
た他方の基板２には、窒化シリコン（ＳｉＮ）１７が形
成され、その上に表面の平坦化のためエポキシ樹脂１９
が形成され、その上に配向膜の印刷性を高めるため、窒
化シリコン（ＳｉＮ）２０が形成され、その上に配向膜
６が塗布及び配向処理されている。そして、２枚の基板
２、２間には、液晶組成物８が挟持されており、各基板
２の表面には、偏光板１が添着されている。
報に開示された横電界方式の液晶表示装置の全体を示す
断面図である。図６に示すように、透明な対をなす一方
の基板２には、線状の信号電極１１、画素電極１０、及
び共通電極９が形成され、その上に絶縁膜１２が形成さ
れ、さらに配向膜６が塗布及び配向処理されている。ま
た他方の基板２には、窒化シリコン（ＳｉＮ）１７が形
成され、その上に表面の平坦化のためエポキシ樹脂１９
が形成され、その上に配向膜の印刷性を高めるため、窒
化シリコン（ＳｉＮ）２０が形成され、その上に配向膜
６が塗布及び配向処理されている。そして、２枚の基板
２、２間には、液晶組成物８が挟持されており、各基板
２の表面には、偏光板１が添着されている。
【０００７】液晶表示装置において、残像は、液晶組成
物８を含んで２枚の基板２、２間に注入された液晶層、
配向膜６又は絶縁膜１９、２０内に何らかの原因で分極
が生じた場合に誘発される。図５及び図６に示す技術で
は、液晶層、配向膜、絶縁膜の比誘電率εrと比抵抗ρ
の積（（εrρ）LC、（εrρ）AF、（εrρ）PAS）を、
８×１０15Ω・ｃｍ以下にすることによって、蓄積され
た電荷を速く緩和させ、残像を軽減しようとしていた。
物８を含んで２枚の基板２、２間に注入された液晶層、
配向膜６又は絶縁膜１９、２０内に何らかの原因で分極
が生じた場合に誘発される。図５及び図６に示す技術で
は、液晶層、配向膜、絶縁膜の比誘電率εrと比抵抗ρ
の積（（εrρ）LC、（εrρ）AF、（εrρ）PAS）を、
８×１０15Ω・ｃｍ以下にすることによって、蓄積され
た電荷を速く緩和させ、残像を軽減しようとしていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５及
び図６に示す技術では、カラーフィルター１８にエポキ
シ樹脂１９が形成されているため、このエポキシ樹脂１
９に分極が生じ、残像が誘発されるという問題があっ
た。
び図６に示す技術では、カラーフィルター１８にエポキ
シ樹脂１９が形成されているため、このエポキシ樹脂１
９に分極が生じ、残像が誘発されるという問題があっ
た。
【０００９】本発明の目的は、残像の少ない高表示品質
の液晶表示装置を提供することにある。
の液晶表示装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る液晶表示装置は、対をなす基板と、保
護膜とを有する液晶表示装置であって、対をなす基板
は、共通電極及び画素電極と、カラーフィルタを対向し
て有し、その間に液晶層を挟持したものであり、保護膜
は、カラーフィルタの表面を覆って分極の発生を防止す
るものである。
め、本発明に係る液晶表示装置は、対をなす基板と、保
護膜とを有する液晶表示装置であって、対をなす基板
は、共通電極及び画素電極と、カラーフィルタを対向し
て有し、その間に液晶層を挟持したものであり、保護膜
は、カラーフィルタの表面を覆って分極の発生を防止す
るものである。
【００１１】また前記保護膜は、無機物からなるもので
ある。
ある。
【００１２】また前記共通電極と画素電極とは、基板に
沿う電界を発生させるものである。
沿う電界を発生させるものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１４】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係る液晶表示装置を示す断面図である。
１に係る液晶表示装置を示す断面図である。
【００１５】図１に示す本発明の実施形態１に係る液晶
表示装置は、透明な対をなす一方の基板２に、共通電極
９及び画素電極１０を交互に配置して形成し、共通電極
９及び画素電極１０上に配向膜６を塗布及び配向処理し
ている。ここに、共通電極９及び画素電極１０は、基板
２と平行な電界を発生するように基板２の平面に沿う方
向に設けている。また他方の基板２には、カラーフィル
ターの色層である赤の色層３、緑の色層４、青の色層５
を共通電極９及び画素電極１０に対向させて形成し、赤
の色層３、緑の色層４及び青の色層５上に無機物の保護
膜７を形成し、無機物の保護膜７上に配向膜６を塗布及
び配向処理している。
表示装置は、透明な対をなす一方の基板２に、共通電極
９及び画素電極１０を交互に配置して形成し、共通電極
９及び画素電極１０上に配向膜６を塗布及び配向処理し
ている。ここに、共通電極９及び画素電極１０は、基板
２と平行な電界を発生するように基板２の平面に沿う方
向に設けている。また他方の基板２には、カラーフィル
ターの色層である赤の色層３、緑の色層４、青の色層５
を共通電極９及び画素電極１０に対向させて形成し、赤
の色層３、緑の色層４及び青の色層５上に無機物の保護
膜７を形成し、無機物の保護膜７上に配向膜６を塗布及
び配向処理している。
【００１６】また対をなす基板２、２間には、液晶組成
物８を含む液晶層を挟持している。また、１は偏光板で
ある。
物８を含む液晶層を挟持している。また、１は偏光板で
ある。
【００１７】上述したように液晶表示装置では、残像
は、液晶層，配向膜又は絶縁膜内に何らかの原因で分極
が生じた場合に誘発されるものである。本発明の実施形
態１では、カラーフィルタの色層３、４、５を無機物の
保護膜７で被覆している。無機物の保護膜７は、分極を
引き起こすことがなく、したがって、本発明の実施形態
１によれば、表示面に残像を生じさせることがない。
は、液晶層，配向膜又は絶縁膜内に何らかの原因で分極
が生じた場合に誘発されるものである。本発明の実施形
態１では、カラーフィルタの色層３、４、５を無機物の
保護膜７で被覆している。無機物の保護膜７は、分極を
引き起こすことがなく、したがって、本発明の実施形態
１によれば、表示面に残像を生じさせることがない。
【００１８】（実施形態２）図２は、本発明の実施形態
２を示す断面図である。
２を示す断面図である。
【００１９】図２に示す本発明の実施形態２では、透明
な対をなす一方の基板２に、共通電極９及び画素電極１
０を形成し、両電極９、１０上に配向膜６を塗布及び配
向処理している。さらに他方の基板２には、カラーフィ
ルターの色層である赤の色層３、緑の色層４、青の色層
５を形成し、各色層３、４、５上に無機物の保護膜７を
膜面が平坦化するように形成し、保護膜７に配向膜６を
塗布及び配向処理している。また基板２、２間には、液
晶組成物８を含む液晶層を挟持している。１，１は偏光
板である。
な対をなす一方の基板２に、共通電極９及び画素電極１
０を形成し、両電極９、１０上に配向膜６を塗布及び配
向処理している。さらに他方の基板２には、カラーフィ
ルターの色層である赤の色層３、緑の色層４、青の色層
５を形成し、各色層３、４、５上に無機物の保護膜７を
膜面が平坦化するように形成し、保護膜７に配向膜６を
塗布及び配向処理している。また基板２、２間には、液
晶組成物８を含む液晶層を挟持している。１，１は偏光
板である。
【００２０】本発明の実施形態２においても、実施形態
１と同様にカラーフィルター上の無機物の保護膜７は、
分極しないものであるため、残像の発生を抑えることが
できる。
１と同様にカラーフィルター上の無機物の保護膜７は、
分極しないものであるため、残像の発生を抑えることが
できる。
【００２１】（実施形態３）図３（ａ）は、本発明の実
施形態３を示す断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断
面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
施形態３を示す断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断
面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
【００２２】図３に示す本発明の実施形態３では、一方
の基板２に絶縁保護膜１３を介して共通電極９，画素電
極１０，信号電極１１を形成し、その表面上に配向膜６
を塗布及び配向処理している。また薄膜トランジスタ１
５は、画素電極１０，信号電極１１，走査電極１６及び
アモルファスシリコン膜１４から構成されている。
の基板２に絶縁保護膜１３を介して共通電極９，画素電
極１０，信号電極１１を形成し、その表面上に配向膜６
を塗布及び配向処理している。また薄膜トランジスタ１
５は、画素電極１０，信号電極１１，走査電極１６及び
アモルファスシリコン膜１４から構成されている。
【００２３】また他方の基板２上には、カラーフィルタ
の色層である赤の色層３、緑の色層４、青の色層５を形
成し、カラーフィルタの遮光膜２０上に、カラーフィル
タ形成材料で円柱状の突起物を形成し、これをスペーサ
として用いている。カラーフィルタ、及び突起物上に
は、無機物の保護膜７を形成している。
の色層である赤の色層３、緑の色層４、青の色層５を形
成し、カラーフィルタの遮光膜２０上に、カラーフィル
タ形成材料で円柱状の突起物を形成し、これをスペーサ
として用いている。カラーフィルタ、及び突起物上に
は、無機物の保護膜７を形成している。
【００２４】薄膜トランジスタ１５が形成されたアクテ
ィブマトリクス基板２と、カラーフィルタ及びスペーサ
が形成された対向基板２とにそれぞれ配向処理を行い、
この基板２，２を組み合わせ、両基板２，２間に液晶層
（液晶組成物８を含む）を封入して液晶パネルを形成し
たものである。スペーサは、走査電極１６上に対応する
対向基板２上の遮光膜２０に形成され、スペーサの高さ
とアクティブマトリクス基板のゲート絶縁膜１３及び走
査電極１６の高さとを合わせた高さに基板２，２の間隔
が規定される。
ィブマトリクス基板２と、カラーフィルタ及びスペーサ
が形成された対向基板２とにそれぞれ配向処理を行い、
この基板２，２を組み合わせ、両基板２，２間に液晶層
（液晶組成物８を含む）を封入して液晶パネルを形成し
たものである。スペーサは、走査電極１６上に対応する
対向基板２上の遮光膜２０に形成され、スペーサの高さ
とアクティブマトリクス基板のゲート絶縁膜１３及び走
査電極１６の高さとを合わせた高さに基板２，２の間隔
が規定される。
【００２５】なお、スペーサとしての突起部は、色層を
重ねて形成してもよく、さらには新たに感光性ポリマー
を用いたフォトリソグラフィ技術で形成してもよい。あ
るいは、スペーサとしての突起部は、色層を重ねた突起
上に新たに設けた同様のパタンにより形成してもよい。
重ねて形成してもよく、さらには新たに感光性ポリマー
を用いたフォトリソグラフィ技術で形成してもよい。あ
るいは、スペーサとしての突起部は、色層を重ねた突起
上に新たに設けた同様のパタンにより形成してもよい。
【００２６】本発明の実施形態３では、カラーフィルタ
ー３，４，５上の無機物の保護膜７は、分極しないた
め、残像は生じない。
ー３，４，５上の無機物の保護膜７は、分極しないた
め、残像は生じない。
【００２７】（実施例１）次に、本発明の実施形態１の
具体例を実施例１として図面を参照して詳細に説明す
る。
具体例を実施例１として図面を参照して詳細に説明す
る。
【００２８】図１を参照すると、本発明の実施例１は、
透明な対をなす一方の基板２には、厚さ１０００ÅのＣ
ｒからなる共通電極９及び画素電極１０を形成し、その
上にポリイミド配向膜６を厚さ１００Å塗布及び配向処
理している。
透明な対をなす一方の基板２には、厚さ１０００ÅのＣ
ｒからなる共通電極９及び画素電極１０を形成し、その
上にポリイミド配向膜６を厚さ１００Å塗布及び配向処
理している。
【００２９】他方の基板２には、樹脂からなるカラーフ
ィルターの色層である赤の色層３、緑の色層４、青の色
層５を厚さ１μｍ形成し、その上にＳｉＯ2の保護膜７
を３００Å形成し、その上に配向膜６を厚さ１００Å塗
布及び配向処理している。また５μｍ程度離された基板
２、２間には、液晶組成物８を挟持している。
ィルターの色層である赤の色層３、緑の色層４、青の色
層５を厚さ１μｍ形成し、その上にＳｉＯ2の保護膜７
を３００Å形成し、その上に配向膜６を厚さ１００Å塗
布及び配向処理している。また５μｍ程度離された基板
２、２間には、液晶組成物８を挟持している。
【００３０】図１において、共通電極９及び画素電極１
０間に電界を与え、２４時間一定の表示を行った結果を
図４に示す。図４は、横軸にＳｉＯ2の保護膜７の厚さ
を、縦軸に残像の見え方を示したものである。残像の見
え方としては、５段階の設定をしており、残像無しを
、斜め視野で見えるを、正面で薄く見えるを、正
面で見えるを、正面ではっきり見えるをとした。こ
こで、実施例１では、ＳｉＯ2の保護膜７が３００Åで
あるため、残像無しという結果を得た。
０間に電界を与え、２４時間一定の表示を行った結果を
図４に示す。図４は、横軸にＳｉＯ2の保護膜７の厚さ
を、縦軸に残像の見え方を示したものである。残像の見
え方としては、５段階の設定をしており、残像無しを
、斜め視野で見えるを、正面で薄く見えるを、正
面で見えるを、正面ではっきり見えるをとした。こ
こで、実施例１では、ＳｉＯ2の保護膜７が３００Åで
あるため、残像無しという結果を得た。
【００３１】（実施例２）次に本発明の実施形態２の具
体例を実施例２として図２に基いて説明する。本発明の
実施例２では、カラーフィルター３，４，５上のＳｉＯ
2の保護膜７を膜面が平坦化するように厚さ１μｍ程度
形成されている点を除けば、実施例１と同様である。
体例を実施例２として図２に基いて説明する。本発明の
実施例２では、カラーフィルター３，４，５上のＳｉＯ
2の保護膜７を膜面が平坦化するように厚さ１μｍ程度
形成されている点を除けば、実施例１と同様である。
【００３２】図２において、共通電極９及び画素電極１
０間に電界を与え、２４時間一定の表示を行った結果を
図４に示す。図４は、横軸にＳｉＯ2の保護膜７の厚さ
を、縦軸に残像の見え方を示したものである。残像の見
え方としては、５段階の設定をしており、残像無しを
、斜め視野で見えるを、正面で薄く見えるを、正
面で見えるを、正面ではっきり見えるをとした。こ
こで、実施例２では、ＳｉＯ2の保護膜７が１μｍであ
るため、残像無しという結果を得た。
０間に電界を与え、２４時間一定の表示を行った結果を
図４に示す。図４は、横軸にＳｉＯ2の保護膜７の厚さ
を、縦軸に残像の見え方を示したものである。残像の見
え方としては、５段階の設定をしており、残像無しを
、斜め視野で見えるを、正面で薄く見えるを、正
面で見えるを、正面ではっきり見えるをとした。こ
こで、実施例２では、ＳｉＯ2の保護膜７が１μｍであ
るため、残像無しという結果を得た。
【００３３】（実施例３）次に本発明の実施形態３の具
体例を実施例３として図３に基いて説明する。本発明の
実施例３は、遮光膜２０上にカラーフィルタ３，４，５
の材料で形成された円柱状の突起物を有し、その上に５
００ÅのＳｉＯ2の保護膜７を形成されているカラーフ
ィルター３，４，５を用いた例である。
体例を実施例３として図３に基いて説明する。本発明の
実施例３は、遮光膜２０上にカラーフィルタ３，４，５
の材料で形成された円柱状の突起物を有し、その上に５
００ÅのＳｉＯ2の保護膜７を形成されているカラーフ
ィルター３，４，５を用いた例である。
【００３４】カラーフィルタ３，４，５の突起部分は、
透明基板上に各色フィルタを形成する際に、遮光膜の一
部に第１色目の赤色フィルタ、第２色目の緑色フィル
タ、第３色目の青色フィルタを重ねて形成する。各色層
膜厚は１．２μｍ、遮光膜厚は１．２μｍ、ＳｉＯ2の
保護膜７は５００Åであり、この場合、３．６μｍの突
起部分を有する。スペーサは走査電極１６上に対応する
対向基板上の遮光膜２０に形成されている。
透明基板上に各色フィルタを形成する際に、遮光膜の一
部に第１色目の赤色フィルタ、第２色目の緑色フィル
タ、第３色目の青色フィルタを重ねて形成する。各色層
膜厚は１．２μｍ、遮光膜厚は１．２μｍ、ＳｉＯ2の
保護膜７は５００Åであり、この場合、３．６μｍの突
起部分を有する。スペーサは走査電極１６上に対応する
対向基板上の遮光膜２０に形成されている。
【００３５】アクティブマトリクス基板は、クロムから
なる走査電極１６、共通電極９を形成し、その上にＣＶ
Ｄ法により窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１３を形
成している。さらに、クロムからなる信号電極１１及び
画素電極１０を形成している。これらの基板は配向処理
され、基板間には液晶層（液晶組成物８を含む）が挟持
されている。
なる走査電極１６、共通電極９を形成し、その上にＣＶ
Ｄ法により窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１３を形
成している。さらに、クロムからなる信号電極１１及び
画素電極１０を形成している。これらの基板は配向処理
され、基板間には液晶層（液晶組成物８を含む）が挟持
されている。
【００３６】図３において、共通電極９及び画素電極１
０間に電界を与え、２４時間一定の表示を行った結果を
図４に示す。図４は、横軸にＳｉＯ2の保護膜の厚さ
を、縦軸に残像の見え方を示したものである。残像の見
え方としては、５段階の設定をしており、残像無しを
、斜め視野で見えるを、正面で薄く見えるを、正
面で見えるを、正面ではっきり見えるをとした。こ
こで、実施例３では、ＳｉＯ2の保護膜７が５００Åで
あるため、残像無しという結果を得た。また、スペーサ
が画素内に存在しないため、表示画面のざらつきや光り
もれがなく、優れた表示が得られた。
０間に電界を与え、２４時間一定の表示を行った結果を
図４に示す。図４は、横軸にＳｉＯ2の保護膜の厚さ
を、縦軸に残像の見え方を示したものである。残像の見
え方としては、５段階の設定をしており、残像無しを
、斜め視野で見えるを、正面で薄く見えるを、正
面で見えるを、正面ではっきり見えるをとした。こ
こで、実施例３では、ＳｉＯ2の保護膜７が５００Åで
あるため、残像無しという結果を得た。また、スペーサ
が画素内に存在しないため、表示画面のざらつきや光り
もれがなく、優れた表示が得られた。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、カラーフ
ィルター上を無機物の保護膜で被覆し、分極を抑えたた
め、残像の発生をなくすことができる。
ィルター上を無機物の保護膜で被覆し、分極を抑えたた
め、残像の発生をなくすことができる。
【図１】本発明の実施形態１に係る液晶表示装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の実施形態２に係る液晶表示装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の実施形態３に係る液晶表示装
置を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線断面
図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
置を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線断面
図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図４】本発明のカラーフィルター上のＳｉＯ2層の膜
厚と長期残像との関係を示す図である。
厚と長期残像との関係を示す図である。
【図５】（ａ）は従来例に係る横電界方式の液晶表示装
置を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線断面
図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
置を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線断面
図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図６】従来例に係る横電界方式の液晶表示装置を示す
断面図である。
断面図である。
１ 偏光板 ２ 基板 ３ 赤の色層 ４ 緑の色層 ５ 青の色層 ６ 配向膜 ７ 無機物の保護膜 ８ 液晶層 ９ 共通電極 １０ 画素電極 １１ 信号電極 １２ 絶縁膜 １３ ゲート絶縁膜 １４ アモルファスシリコン膜 １５ 薄膜トランジスタ １６ 走査電極 １７ 窒化シリコン １８ カラーフィルター １９ エポキシ樹脂 ２０ 遮光膜 ２１ スペーサ接触部
Claims (3)
- 【請求項１】 対をなす基板と、保護膜とを有する液晶
表示装置であって、 前記対をなす基板は、共通電極及び画素電極と、カラー
フィルタを対向して有し、その間に液晶層を挟持したも
のであり、 前記保護膜は、前記カラーフィルタの表面を覆って分極
の発生を防止するものであることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項２】 前記保護膜は、無機物からなるものであ
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記共通電極と画素電極とは、基板に沿
う電界を発生させるものであることを特徴とする請求項
１に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13005097A JPH10319382A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13005097A JPH10319382A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10319382A true JPH10319382A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15024873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13005097A Pending JPH10319382A (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10319382A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000043833A1 (fr) * | 1999-01-22 | 2000-07-27 | Hitachi, Ltd. | Element d'afficheur a cristaux liquides |
| JP2002040400A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| CN100403120C (zh) * | 2006-09-05 | 2008-07-16 | 友达光电股份有限公司 | 彩色滤光装置及其制作方法 |
| US7453541B2 (en) | 1999-02-05 | 2008-11-18 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display having particular electrodes and a spacer |
-
1997
- 1997-05-20 JP JP13005097A patent/JPH10319382A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000043833A1 (fr) * | 1999-01-22 | 2000-07-27 | Hitachi, Ltd. | Element d'afficheur a cristaux liquides |
| US7453541B2 (en) | 1999-02-05 | 2008-11-18 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display having particular electrodes and a spacer |
| JP2002040400A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| CN100403120C (zh) * | 2006-09-05 | 2008-07-16 | 友达光电股份有限公司 | 彩色滤光装置及其制作方法 |
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