JPH04223433A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04223433A JPH04223433A JP40636590A JP40636590A JPH04223433A JP H04223433 A JPH04223433 A JP H04223433A JP 40636590 A JP40636590 A JP 40636590A JP 40636590 A JP40636590 A JP 40636590A JP H04223433 A JPH04223433 A JP H04223433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal molecules
- substrate
- display element
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- NZGSNQJCTOMELT-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylorsellinic acid Chemical compound CC1=C(C)C(C(O)=O)=C(O)C(C)=C1O NZGSNQJCTOMELT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- WSFMFXQNYPNYGG-UHFFFAOYSA-M dimethyl-octadecyl-(3-trimethoxysilylpropyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCC[Si](OC)(OC)OC WSFMFXQNYPNYGG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶分子を均一かつ再
現性良く配向させる液晶表示素子およびその製造方法に
関するものである。
現性良く配向させる液晶表示素子およびその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示素子の大容量化、高速応
答化へ向けての開発が進められている。この場合、液晶
分子を大面積にわたって均一に配向させる技術、および
電極基板面に対して液晶分子を均一かつ再現性良く傾斜
させる技術が必須である。
答化へ向けての開発が進められている。この場合、液晶
分子を大面積にわたって均一に配向させる技術、および
電極基板面に対して液晶分子を均一かつ再現性良く傾斜
させる技術が必須である。
【０００３】負の誘電異方性を持つ液晶を用いた電界効
果複屈折モード（以下ｎ型ＥＣＢと称す）においては、
液晶分子を電極基板面の法線方向から僅かに同一方向に
傾斜させることが必要である。これを実現する方法とし
て従来より、電極基板面に塗布した垂直配向性を有する
配向膜を一方向にラビングする方法や電極基板面にＳｉ
Ｏなどの無機物を斜め方向から蒸着した上に垂直配向性
を有する配向膜を塗布する方法などが知られている。
果複屈折モード（以下ｎ型ＥＣＢと称す）においては、
液晶分子を電極基板面の法線方向から僅かに同一方向に
傾斜させることが必要である。これを実現する方法とし
て従来より、電極基板面に塗布した垂直配向性を有する
配向膜を一方向にラビングする方法や電極基板面にＳｉ
Ｏなどの無機物を斜め方向から蒸着した上に垂直配向性
を有する配向膜を塗布する方法などが知られている。
【０００４】ここで、電極基板面法線方向からの液晶分
子の傾斜角は表示品位に大きく影響を及ぼし、１度以下
、特に０．５ 度程度にするのが望ましいと報告されて
いる（たとえば、ジェ・エフ・クレール、エム・アイザ
ワ、エス・ヤマウチ、ジェ・デュシューネ：ジャパン
ディスプレイ’８９、１８８ ページ〜１９１ ペー
ジ（１９８９年）；Ｊ．Ｆ．Ｃｌｅｒｃ， Ｍ．Ａｉｚ
ａｗａ， Ｓ．Ｙａｍａｕｃｈｉ， Ｊ．Ｄｕｃｈｅｎ
ｅ： ＪＡＰＡＮ ＤＩＳＰＬＡＹ ’８９， ＰＰ
．１８８−１９１（１９８９） ）。
子の傾斜角は表示品位に大きく影響を及ぼし、１度以下
、特に０．５ 度程度にするのが望ましいと報告されて
いる（たとえば、ジェ・エフ・クレール、エム・アイザ
ワ、エス・ヤマウチ、ジェ・デュシューネ：ジャパン
ディスプレイ’８９、１８８ ページ〜１９１ ペー
ジ（１９８９年）；Ｊ．Ｆ．Ｃｌｅｒｃ， Ｍ．Ａｉｚ
ａｗａ， Ｓ．Ｙａｍａｕｃｈｉ， Ｊ．Ｄｕｃｈｅｎ
ｅ： ＪＡＰＡＮ ＤＩＳＰＬＡＹ ’８９， ＰＰ
．１８８−１９１（１９８９） ）。
【０００５】また、ｎ型ＥＣＢモードを用いたマトリク
ス状の交叉画素電極を有する液晶素子では、液晶分子を
傾斜させる方向は、通常画素電極に対して平行または垂
直な方向である。
ス状の交叉画素電極を有する液晶素子では、液晶分子を
傾斜させる方向は、通常画素電極に対して平行または垂
直な方向である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ｎ型ＥＣＢモードでは
、電極基板面法線方向からの液晶分子の傾斜角が１度以
下と微小であるため、たとえば画素電極とスペースとの
境界部のような、傾斜垂直配向層の平坦度が悪くなると
ころでは、液晶分子の傾斜方向が画素内領域の液晶分子
の傾斜方向からずれてしまい、そのため散乱現象が生じ
てコントラストを低下させてしまう。したがって、液晶
分子の傾斜方向がずれている領域をできるだけ少なくす
ることが必要となる。
、電極基板面法線方向からの液晶分子の傾斜角が１度以
下と微小であるため、たとえば画素電極とスペースとの
境界部のような、傾斜垂直配向層の平坦度が悪くなると
ころでは、液晶分子の傾斜方向が画素内領域の液晶分子
の傾斜方向からずれてしまい、そのため散乱現象が生じ
てコントラストを低下させてしまう。したがって、液晶
分子の傾斜方向がずれている領域をできるだけ少なくす
ることが必要となる。
【０００７】しかしながら、前述のような液晶分子の傾
斜方向が画素電極に対して平行または垂直な方向である
場合、液晶分子の傾斜方向に対して、画素電極とスペー
スとの境界部が対称となるため画素の中央部まで散乱領
域が現れるという課題を有していた。
斜方向が画素電極に対して平行または垂直な方向である
場合、液晶分子の傾斜方向に対して、画素電極とスペー
スとの境界部が対称となるため画素の中央部まで散乱領
域が現れるという課題を有していた。
【０００８】本発明はこのような課題を解決するもので
、液晶分子の傾斜方向が画素内で均一となるような液晶
表示素子およびその製造方法を提供することを目的とす
るものである。
、液晶分子の傾斜方向が画素内で均一となるような液晶
表示素子およびその製造方法を提供することを目的とす
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、第１の基板の界面では液晶分子が基板の法
線方向から数度傾斜した傾斜垂直配向状態をとり、かつ
この液晶分子の傾斜方向が矩形状の画素電極の各辺に対
して斜め方向であり、第２の基板の界面では液晶分子が
第１の基板の界面の液晶分子と反対方向に向き平行な配
向状態、または基板の法線方向の配向状態をとるという
構成を備えているものである。また本発明は、第１の基
板上に、液晶分子を基板の法線方向から数度傾斜させる
作用を有し、かつこの液晶分子の傾斜方向を矩形状の画
素電極の各辺に対して斜め方向とする作用を有する傾斜
垂直配向層を形成し、第２の基板上に、液晶分子を第１
の基板の界面の液晶分子と反対方向に向いて平行に配向
させる作用を有する傾斜垂直配向層、または基板の法線
方向に配向させる作用を有する垂直配向層を形成するも
のである。
に本発明は、第１の基板の界面では液晶分子が基板の法
線方向から数度傾斜した傾斜垂直配向状態をとり、かつ
この液晶分子の傾斜方向が矩形状の画素電極の各辺に対
して斜め方向であり、第２の基板の界面では液晶分子が
第１の基板の界面の液晶分子と反対方向に向き平行な配
向状態、または基板の法線方向の配向状態をとるという
構成を備えているものである。また本発明は、第１の基
板上に、液晶分子を基板の法線方向から数度傾斜させる
作用を有し、かつこの液晶分子の傾斜方向を矩形状の画
素電極の各辺に対して斜め方向とする作用を有する傾斜
垂直配向層を形成し、第２の基板上に、液晶分子を第１
の基板の界面の液晶分子と反対方向に向いて平行に配向
させる作用を有する傾斜垂直配向層、または基板の法線
方向に配向させる作用を有する垂直配向層を形成するも
のである。
【００１０】
【作用】本発明は前記の構成により、液晶分子の傾斜方
向に対して、画素電極とスペースとの境界部分が非対称
となるため、画素電極とスペースとの境界近傍において
も液晶分子の傾斜方向が一様となる。したがって、画素
内で散乱領域が現れないようにすることが可能となり、
コントラストの低下を防ぐことができるようになる。
向に対して、画素電極とスペースとの境界部分が非対称
となるため、画素電極とスペースとの境界近傍において
も液晶分子の傾斜方向が一様となる。したがって、画素
内で散乱領域が現れないようにすることが可能となり、
コントラストの低下を防ぐことができるようになる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面（図１
〜図３）に基づいて説明する。図１は本発明の第１実施
例および第２実施例における液晶表示素子の液晶分子の
傾斜方向を示す概念図であり、図２は本発明の第１実施
例における液晶表示素子の製造装置の構成図である。
〜図３）に基づいて説明する。図１は本発明の第１実施
例および第２実施例における液晶表示素子の液晶分子の
傾斜方向を示す概念図であり、図２は本発明の第１実施
例における液晶表示素子の製造装置の構成図である。
【００１２】まず、図１において、１１および１２はた
とえば透明ガラスからなる上側電極基板および下側電極
基板、１３および１４は上側電極基板１１と下側電極基
板１２の対向面にそれぞれ形成されたたとえばインディ
ウム・錫・オキサイド（ＩＴＯ）膜からなる矩形状の透
明電極で、透明電極１３と透明電極１４は互いに直交す
る方向に向いている。１５は上側電極基板１１の透明電
極１３上に形成された傾斜垂直配向層が液晶分子を傾斜
させる方向の矢印部、１６は下側電極基板１２の透明電
極１４上に形成された傾斜垂直配向層が液晶分子を傾斜
させる方向の矢印部である。
とえば透明ガラスからなる上側電極基板および下側電極
基板、１３および１４は上側電極基板１１と下側電極基
板１２の対向面にそれぞれ形成されたたとえばインディ
ウム・錫・オキサイド（ＩＴＯ）膜からなる矩形状の透
明電極で、透明電極１３と透明電極１４は互いに直交す
る方向に向いている。１５は上側電極基板１１の透明電
極１３上に形成された傾斜垂直配向層が液晶分子を傾斜
させる方向の矢印部、１６は下側電極基板１２の透明電
極１４上に形成された傾斜垂直配向層が液晶分子を傾斜
させる方向の矢印部である。
【００１３】次に図２において、２１はラビング材を備
えた回転ドラム、２２は基板保持テーブル、２３は基板
保持テーブル２２上の電極基板配設位置、２４は回転ド
ラム２１の回転方向、２５は基板保持テーブル２２の移
動方向である。
えた回転ドラム、２２は基板保持テーブル、２３は基板
保持テーブル２２上の電極基板配設位置、２４は回転ド
ラム２１の回転方向、２５は基板保持テーブル２２の移
動方向である。
【００１４】次に上記構成に基づき液晶表示素子の製造
方法について説明する。まず、電極基板１１，１２の矩
形状の透明電極１３，１４の上に垂直配向膜（たとえば
、ＯＤＳ−Ｅ；チッソ（株）製、ＤＭＯＡＰ；東レシリ
コン（株）製）を塗布し、約１５０ ℃で焼成する。次
に、この垂直配向膜を回転ラビングを行なうことによっ
て、傾斜垂直配向膜を以下に示すようにして形成する。 まず、液晶分子を傾斜させる方向（矢印部１５，１６で
示す）が回転ドラム２１の回転方向２４と一致するよう
に回転ドラム２１と基板保持テーブル２２の移動方向２
５のなす角を５度から４０度の範囲でそれぞれ定める。 本実施例では３０度とした。 その後、両電極基板１１，１２を基板保持テーブル２２
上の配設位置２３にそれぞれ置いて回転ラビングをそれ
ぞれ行なう。ここでは、通常の水平配向膜のラビングの
場合の２分の１以下の強度で回転ラビングを行なった。 以上のようにして形成した傾斜垂直配向層を持つ電極基
板１３，１４を６μｍのスペーサを介して矢印部１５，
１６が互いに反対方向に向いて平行になるように貼り合
わせ、負の誘電異方性を持つ液晶（たとえば、ＥＮ−３
５；チッソ（株）製）を注入した。
方法について説明する。まず、電極基板１１，１２の矩
形状の透明電極１３，１４の上に垂直配向膜（たとえば
、ＯＤＳ−Ｅ；チッソ（株）製、ＤＭＯＡＰ；東レシリ
コン（株）製）を塗布し、約１５０ ℃で焼成する。次
に、この垂直配向膜を回転ラビングを行なうことによっ
て、傾斜垂直配向膜を以下に示すようにして形成する。 まず、液晶分子を傾斜させる方向（矢印部１５，１６で
示す）が回転ドラム２１の回転方向２４と一致するよう
に回転ドラム２１と基板保持テーブル２２の移動方向２
５のなす角を５度から４０度の範囲でそれぞれ定める。 本実施例では３０度とした。 その後、両電極基板１１，１２を基板保持テーブル２２
上の配設位置２３にそれぞれ置いて回転ラビングをそれ
ぞれ行なう。ここでは、通常の水平配向膜のラビングの
場合の２分の１以下の強度で回転ラビングを行なった。 以上のようにして形成した傾斜垂直配向層を持つ電極基
板１３，１４を６μｍのスペーサを介して矢印部１５，
１６が互いに反対方向に向いて平行になるように貼り合
わせ、負の誘電異方性を持つ液晶（たとえば、ＥＮ−３
５；チッソ（株）製）を注入した。
【００１５】このような方法を用いて製造された液晶表
示素子は、液晶分子を傾斜させる方向（矢印部１５，１
６で示す）が透明電極１３，１４に平行または垂直であ
る液晶表示素子に比べて、電圧印加時の画素内での散乱
領域が少なく、高いコントラストと均一な表示特性を示
した。
示素子は、液晶分子を傾斜させる方向（矢印部１５，１
６で示す）が透明電極１３，１４に平行または垂直であ
る液晶表示素子に比べて、電圧印加時の画素内での散乱
領域が少なく、高いコントラストと均一な表示特性を示
した。
【００１６】なお、電極基板１３，１４のどちらか一方
の基板のみ回転ラビングを行なって傾斜垂直配向層とし
、他方の基板は垂直配向層とした場合でも、同様の効果
を確認できた。
の基板のみ回転ラビングを行なって傾斜垂直配向層とし
、他方の基板は垂直配向層とした場合でも、同様の効果
を確認できた。
【００１７】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。液晶表示素子の液晶分子の傾斜方向を示す概念図と
しては、第１実施例と同様に図１を用いる。図３は本発
明の第２実施例における液晶表示素子の製造装置の構成
図である。図３において、３１は真空蒸着機内の基板保
持板、３２は抵抗加熱蒸着源、３３は基板保持板３１上
の電極基板の配設位置、３４は蒸着方向、３５は蒸着方
向の基板上に落とした射影である。
る。液晶表示素子の液晶分子の傾斜方向を示す概念図と
しては、第１実施例と同様に図１を用いる。図３は本発
明の第２実施例における液晶表示素子の製造装置の構成
図である。図３において、３１は真空蒸着機内の基板保
持板、３２は抵抗加熱蒸着源、３３は基板保持板３１上
の電極基板の配設位置、３４は蒸着方向、３５は蒸着方
向の基板上に落とした射影である。
【００１８】次に上記構成に基づき液晶表示素子の製造
方法について説明する。抵抗加熱真空蒸着法により電極
基板１１，１２上に無機酸化物（たとえば、ＳｉＯ、Ｚ
ｒＯ２ など）を斜め方向からそれぞれ蒸着する。その
際、液晶分子を傾斜させる方向（図１矢印部１５，１６
で示す）が蒸着方向の基板上に落とした射影３５と一致
するように、矩形状の透明電極１３，１４を有する電極
基板１１，１２を配設位置３５に設置する。また、蒸着
方向３４と基板法線方向とのなす角を８５度から８８度
にし、無機酸化物の膜厚をおよそ０．００５ 〜０．０
１５ μｍとする。その後、無機酸化物の上に垂直配向
膜（たとえば、ＯＤＳ−Ｅ；チッソ（株）製、ＤＭＯＡ
Ｐ；東レシリコン（株）製）を塗布し１５０ ℃で焼成
して傾斜垂直配向膜を形成する。以下、第１実施例と同
様にして液晶表示素子を製造したところ、液晶分子を傾
斜させる方向（矢印部１５，１６で示す）が透明電極１
３，１４に平行または垂直である液晶表示素子に比べて
、電圧印加時の画素内での散乱領域が少なく、高いコン
トラストと均一な表示特性を示した。
方法について説明する。抵抗加熱真空蒸着法により電極
基板１１，１２上に無機酸化物（たとえば、ＳｉＯ、Ｚ
ｒＯ２ など）を斜め方向からそれぞれ蒸着する。その
際、液晶分子を傾斜させる方向（図１矢印部１５，１６
で示す）が蒸着方向の基板上に落とした射影３５と一致
するように、矩形状の透明電極１３，１４を有する電極
基板１１，１２を配設位置３５に設置する。また、蒸着
方向３４と基板法線方向とのなす角を８５度から８８度
にし、無機酸化物の膜厚をおよそ０．００５ 〜０．０
１５ μｍとする。その後、無機酸化物の上に垂直配向
膜（たとえば、ＯＤＳ−Ｅ；チッソ（株）製、ＤＭＯＡ
Ｐ；東レシリコン（株）製）を塗布し１５０ ℃で焼成
して傾斜垂直配向膜を形成する。以下、第１実施例と同
様にして液晶表示素子を製造したところ、液晶分子を傾
斜させる方向（矢印部１５，１６で示す）が透明電極１
３，１４に平行または垂直である液晶表示素子に比べて
、電圧印加時の画素内での散乱領域が少なく、高いコン
トラストと均一な表示特性を示した。
【００１９】なお、電極基板１３，１４のどちらか一方
の基板のみ斜め方向から抵抗加熱真空蒸着を行なって無
機酸化物を形成した上に垂直配向膜を塗布して傾斜垂直
配向層とし、他方の基板は垂直配向膜のみを塗布して垂
直配向層とした場合でも、同様の効果を確認できた。
の基板のみ斜め方向から抵抗加熱真空蒸着を行なって無
機酸化物を形成した上に垂直配向膜を塗布して傾斜垂直
配向層とし、他方の基板は垂直配向膜のみを塗布して垂
直配向層とした場合でも、同様の効果を確認できた。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１の基
板上に、液晶分子を基板の法線方向から数度傾斜させる
作用を有し、かつこの液晶分子の傾斜方向を矩形状の画
素電極の各辺に対して斜め方向とする作用を有する傾斜
垂直配向層を形成し、第２の基板上に、液晶分子を第１
の基板の界面の液晶分子と反対方向に向いて平行に配向
させる作用を有する傾斜垂直配向層、または基板の法線
方向に配向させる作用を有する垂直配向層を形成するこ
とにより、画素内での散乱領域が少なく、均一かつ高い
コントラスト表示ができる液晶表示素子を得ることがで
き、非常に効果がある。
板上に、液晶分子を基板の法線方向から数度傾斜させる
作用を有し、かつこの液晶分子の傾斜方向を矩形状の画
素電極の各辺に対して斜め方向とする作用を有する傾斜
垂直配向層を形成し、第２の基板上に、液晶分子を第１
の基板の界面の液晶分子と反対方向に向いて平行に配向
させる作用を有する傾斜垂直配向層、または基板の法線
方向に配向させる作用を有する垂直配向層を形成するこ
とにより、画素内での散乱領域が少なく、均一かつ高い
コントラスト表示ができる液晶表示素子を得ることがで
き、非常に効果がある。
【図１】本発明の第１実施例および第２実施例における
液晶表示素子の液晶分子の傾斜方向を示す概念図である
。
液晶表示素子の液晶分子の傾斜方向を示す概念図である
。
【図２】本発明の第１実施例における液晶表示素子の製
造装置の斜視図である。
造装置の斜視図である。
【図３】本発明の第２実施例における液晶表示素子の製
造装置の斜視図である。
造装置の斜視図である。
１１ 上側電極基板
１２ 下側電極基板
１３ 透明電極
１４ 透明電極
１５ 矢印部
１６ 矢印部
２１ 回転ドラム
２２ 基板保持テーブル
２３ 配設位置
３１ 基板保持板
３２ 抵抗加熱蒸着源
３３ 配設位置
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の基板間に負の誘電異方性を有す
る液晶を挟持してなるマトリクス状の交叉画素電極を有
する液晶表示素子において、第１の基板の界面では液晶
分子が基板の法線方向から数度傾斜した傾斜垂直配向状
態をとり、かつこの液晶分子の傾斜方向が矩形状の画素
電極の各辺に対して斜め方向であり、第２の基板の界面
では液晶分子が第１の基板の界面の液晶分子と反対方向
に向き平行な配向状態、または基板の法線方向の配向状
態をとることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 一対の基板間に負の誘電異方性を有す
る液晶を挟持してなるマトリクス状の交叉画素電極を有
する液晶表示素子の製造方法において、第１の基板上に
、液晶分子を基板の法線方向から数度傾斜させる作用を
有し、かつこの液晶分子の傾斜方向を矩形状の画素電極
の各辺に対して斜め方向とする作用を有する傾斜垂直配
向層を形成し、第２の基板上に、液晶分子を第１の基板
の界面の液晶分子と反対方向に向いて平行に配向させる
作用を有する傾斜垂直配向層、または基板の法線方向に
配向させる作用を有する垂直配向層を形成することを特
徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40636590A JP2944226B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40636590A JP2944226B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04223433A true JPH04223433A (ja) | 1992-08-13 |
| JP2944226B2 JP2944226B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=18515976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40636590A Expired - Lifetime JP2944226B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2944226B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011028143A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
| EP2447770A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-02 | Stanley Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display element |
| JP2013076918A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Japan Display East Co Ltd | 画像表示装置 |
| JP2014149547A (ja) * | 2014-04-17 | 2014-08-21 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2014232148A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP40636590A patent/JP2944226B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011028143A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
| EP2447770A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-02 | Stanley Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display element |
| CN102466927A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-23 | 斯坦雷电气株式会社 | 液晶显示元件 |
| JP2012098333A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
| US8659731B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-02-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display element |
| CN102466927B (zh) * | 2010-10-29 | 2016-12-07 | 斯坦雷电气株式会社 | 液晶显示元件 |
| JP2013076918A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Japan Display East Co Ltd | 画像表示装置 |
| JP2014232148A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2014149547A (ja) * | 2014-04-17 | 2014-08-21 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2944226B2 (ja) | 1999-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2877601B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造法 | |
| US5912717A (en) | Homeotropic liquid crystal display and its manufacture | |
| JPH11142863A (ja) | 液晶表示パネルおよびその製造方法 | |
| JPH06294959A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| WO2013170494A1 (zh) | 液晶面板的制造方法以及液晶玻璃 | |
| JPH06273735A (ja) | 液晶セル | |
| JPH04223433A (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
| JP4546586B2 (ja) | 液晶表示素子とその製造方法 | |
| JPH0968721A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS6336224A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH06289358A (ja) | 液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置 | |
| JP2565061B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3252294B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3207374B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH11249141A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2000039615A (ja) | 液晶電気光学装置およびその製造方法 | |
| JPH05303099A (ja) | 液晶表示パネルおよび液晶表示装置 | |
| JPH03259116A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH0695120A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2799022B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH04199028A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0229624A (ja) | 強誘電性液晶素子の配向膜の製造方法 | |
| JPH07301803A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| KR100244025B1 (ko) | 액정표시소자의 액정셀 제조방법 | |
| JP3529847B2 (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625 Year of fee payment: 11 |