JPS6199121A - ツイステツド・ネマテイツク電界効果型液晶表示素子 - Google Patents
ツイステツド・ネマテイツク電界効果型液晶表示素子Info
- Publication number
- JPS6199121A JPS6199121A JP59223580A JP22358084A JPS6199121A JP S6199121 A JPS6199121 A JP S6199121A JP 59223580 A JP59223580 A JP 59223580A JP 22358084 A JP22358084 A JP 22358084A JP S6199121 A JPS6199121 A JP S6199121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- transparent electrode
- field effect
- twisted nematic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、ツィステッド・ネマティック電界効果型液晶
表示素子に係るものであり、特に、その電極基板の構造
に関するものである。
表示素子に係るものであり、特に、その電極基板の構造
に関するものである。
〈従来技術〉
従来のツィステッド・ネマティック電界効果型液晶表示
素子に於ける電極基板は、素基板ま友はバスシペーシッ
ン暎で被ダし定基板上に、透明導電膜を形成し、その上
にポリイミド系などの有機 。
素子に於ける電極基板は、素基板ま友はバスシペーシッ
ン暎で被ダし定基板上に、透明導電膜を形成し、その上
にポリイミド系などの有機 。
配向＠全形成した構造を有する。しかしながら。
このような構造の電極基板を用いｔ従来の液晶表示素子
には、セ化厚差のわずかな分布によりポジ表示の背景部
分に色づきを生じ、これが表示品位全損うという問題点
力あった。また、有機配向膜が柔らかいために、セル内
に導電性異物が混入した場合、上下電極基板間リークを
起こし易いという問題点があった。
には、セ化厚差のわずかな分布によりポジ表示の背景部
分に色づきを生じ、これが表示品位全損うという問題点
力あった。また、有機配向膜が柔らかいために、セル内
に導電性異物が混入した場合、上下電極基板間リークを
起こし易いという問題点があった。
〈発明の目的〉
それ故に１本発明の目的は、上記従来の問題点を解決し
たツィステッド・ネマティック電界効果型液晶表示素子
を提供することにある。
たツィステッド・ネマティック電界効果型液晶表示素子
を提供することにある。
〈開明の構成〉
゛本発明のツィステッド・ネマティック電界効果型液晶
表示素子は、基板上に、ＩＴＯ膜から成る透明電極、窒
化シリコン絶縁膜及びポリイミド系配向膜を、この順に
形成した構造を有する透明電極基板を、電極基板として
用いたこと？特徴とするものである。
表示素子は、基板上に、ＩＴＯ膜から成る透明電極、窒
化シリコン絶縁膜及びポリイミド系配向膜を、この順に
形成した構造を有する透明電極基板を、電極基板として
用いたこと？特徴とするものである。
〈実施例〉
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する０
図は、本発明に係るツィステッド・ネマティック電界効
果型液晶表示素子の構成を示す一部断面図でおる。
果型液晶表示素子の構成を示す一部断面図でおる。
図に於いて、■は前面透明電極基板であり、基板１１（
ソーダガラス、石英ガラス又はパッシベーション膜で被
覆したソーダガラス）上に、透明電極（ＩＴＯ暎）１２
．窒化シリコン膜１３及びポリイミド配向膜１４を、こ
の順に形成した構造を有する。一方、２は背面透明電極
基板であり、上記前面透明電極基板と同様に、基板２１
（ソーダガラス、石英ガラス又はパッシベーション膜で
被覆したソーダガラス）上に、透明電極（ＩＴＯ’
膜）２２．窒化７す・ン膜２３及びポリイミ
ド配向膜２４を、この順に形成した構造を有する。３は
上記両透明電極基板間に封入さｎた液晶である。
ソーダガラス、石英ガラス又はパッシベーション膜で被
覆したソーダガラス）上に、透明電極（ＩＴＯ暎）１２
．窒化シリコン膜１３及びポリイミド配向膜１４を、こ
の順に形成した構造を有する。一方、２は背面透明電極
基板であり、上記前面透明電極基板と同様に、基板２１
（ソーダガラス、石英ガラス又はパッシベーション膜で
被覆したソーダガラス）上に、透明電極（ＩＴＯ’
膜）２２．窒化７す・ン膜２３及びポリイミ
ド配向膜２４を、この順に形成した構造を有する。３は
上記両透明電極基板間に封入さｎた液晶である。
さらに、４は前面偏光板であり、５は反射板付きの背面
偏光板である。
偏光板である。
上記の構成を有する本発明に係る液晶表示素子に於ける
コントラスト比、上下リーク率及び電極の反射防止の程
度を下記の表に示す。
コントラスト比、上下リーク率及び電極の反射防止の程
度を下記の表に示す。
註）基板上の膜構成
０突流例１
一ポリイミド配向膜（７００Ａ）
Ｏ実施例２
一ポリイミド配向嘆（７００Ａ）
Ｏ実施例３
一ポリイミド配向膜（７００λ）
０従来例
ＩＴＯ暎（２００λ）−ポリイミド配向膜（５００λ）
０比較例 ＩＴＯ嘆（２００人） ５１０２膜（５００λ）−ポ
リイミド配向膜（７００Ａ） 上記の表から明らかなように、本発明の構成とス することにより、コントラスト比を増成させることがで
きるものである。すなわち、透明電極基板の透明電極Ｃ
ＩＴＯ膜）・ポリイミド配向膜間に窒化シリコン模を設
けることにより、透明電極基板での反射光を減少させる
ことができ、こ詐により、オン−オフのコントラスト比
を増大させることができるものである。また、透明電極
−ポリイミド配向膜間に硬い窒化シリコン膜を介在させ
ることで、上下リーク率を著しく減少させることができ
るものである。さらに、ＩＴＯＩＩＱと窒化シリコン暎
の膜厚和、及びポリイミド配向膜の膜厚を適度の値に設
定することで、電極の反射防止を行うことができるもの
である。ＩＴＯｄと窒化シリコン膜の膜厚和は５００−
１０００Ａ程度、ポリイミド配向膜の膜厚は５００〜ｌ
１００Ａ程度が適当である。ま友１本発明の構成とする
ことにより。
０比較例 ＩＴＯ嘆（２００人） ５１０２膜（５００λ）−ポ
リイミド配向膜（７００Ａ） 上記の表から明らかなように、本発明の構成とス することにより、コントラスト比を増成させることがで
きるものである。すなわち、透明電極基板の透明電極Ｃ
ＩＴＯ膜）・ポリイミド配向膜間に窒化シリコン模を設
けることにより、透明電極基板での反射光を減少させる
ことができ、こ詐により、オン−オフのコントラスト比
を増大させることができるものである。また、透明電極
−ポリイミド配向膜間に硬い窒化シリコン膜を介在させ
ることで、上下リーク率を著しく減少させることができ
るものである。さらに、ＩＴＯＩＩＱと窒化シリコン暎
の膜厚和、及びポリイミド配向膜の膜厚を適度の値に設
定することで、電極の反射防止を行うことができるもの
である。ＩＴＯｄと窒化シリコン膜の膜厚和は５００−
１０００Ａ程度、ポリイミド配向膜の膜厚は５００〜ｌ
１００Ａ程度が適当である。ま友１本発明の構成とする
ことにより。
ポジ表示の背景の色づきを防止することができ、表示品
位を著しく向上させることができるものである。
位を著しく向上させることができるものである。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によｎば、ツィステッド・
ネマティック電界効果型液晶表示素子の表示品位を著し
く向上させることができるとともに、上下リーク率も著
しく減少させることができるという効果を奏するもので
ある。
ネマティック電界効果型液晶表示素子の表示品位を著し
く向上させることができるとともに、上下リーク率も著
しく減少させることができるという効果を奏するもので
ある。
図は、本発明に係るツィステッド・ネマティック電界効
果型液晶表示素子の構成を示す一部断面図である。 符号の説明 ｌ：前面透明電極基板、ｌｌ：基板、１２：透明電極、
１３二窒化シリコン＋１％％、１４：ボリイミド配向膜
、２：背面透明電極基板、２１：基板、２２：透明電極
、２３二窒化シリコン膜、２４：ポリイミド配向膜、３
：液晶、４：前面偏光板、５：反射板付き背面偏光板。
果型液晶表示素子の構成を示す一部断面図である。 符号の説明 ｌ：前面透明電極基板、ｌｌ：基板、１２：透明電極、
１３二窒化シリコン＋１％％、１４：ボリイミド配向膜
、２：背面透明電極基板、２１：基板、２２：透明電極
、２３二窒化シリコン膜、２４：ポリイミド配向膜、３
：液晶、４：前面偏光板、５：反射板付き背面偏光板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ツィステッド・ネマティック電界効果型液晶表示素
子に於いて、 電極基板として、基板上に、ＩＴＯ膜から成る透明電極
、窒化シリコン絶縁膜及びポリイミド系配向膜を、この
順に形成した構造を有する透明電極基板を用いて成るこ
とを特徴とするツィステッド・ネマティック電界効果型
液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223580A JPS6199121A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | ツイステツド・ネマテイツク電界効果型液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223580A JPS6199121A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | ツイステツド・ネマテイツク電界効果型液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199121A true JPS6199121A (ja) | 1986-05-17 |
Family
ID=16800391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223580A Pending JPS6199121A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | ツイステツド・ネマテイツク電界効果型液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199121A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06242311A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-09-02 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶ディスプレイ用カラーフィルタ |
| JPH08334750A (ja) * | 1996-05-24 | 1996-12-17 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| US5714790A (en) * | 1992-02-28 | 1998-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with an indium-tin-oxide in contact with a semiconductor or metal |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP59223580A patent/JPS6199121A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714790A (en) * | 1992-02-28 | 1998-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with an indium-tin-oxide in contact with a semiconductor or metal |
| JPH06242311A (ja) * | 1993-02-02 | 1994-09-02 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶ディスプレイ用カラーフィルタ |
| JPH08334750A (ja) * | 1996-05-24 | 1996-12-17 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
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