JP2770944B2 - 液晶素子 - Google Patents
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- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示素子や液晶一光シヤツター等で用
いる液晶素子、特に強誘導性液晶を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくはパルス電界印加時の動作特性を改善す
ることにより、表示特性を改善した強誘導性液晶素子に
関するものである。 〔背景技術〕 強誘導性液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光素子
との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子
がクラーク（Clark）及びラガーウオル（Lagerwall）に
より提案されている（特開昭56−107216号公報、米国特
許第4,367,924号明細書等）。この強誘導性液晶は、一
般に特定の温度域において、カイラルスメクチツクＣ相
（SmC＊）又はＨ相（SmH＊）を有し、この状態におい
て、加えられる電界に応答して第１の光学的安定状態と
第２の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印
加のないときはその状態を維持する性質、すなわち双安
定性を有し、また電界の変化に対する応答も速やかであ
り、高速ならびに記憶型の表示素子としての広い利用が
期待されている。 この双安定性を有する液晶を用いた光学変調素子が所
定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に
配置される液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記
２つの安定状態の間での変換が効果的に起ることが必要
である。 ところで、従来TN液晶のセル構成では、セルギヤツプ
約20μで透明電極上に配向膜に配した構成が用いられて
きた。ところが強誘電性液晶素子では、その特長である
パルス電界でスイツチングさせたときの双安定な配向状
態が得られる１〜４μのセルギヤツプが必要である。し
かしながら、上記の透明電極上に配向膜を配したのみの
セル構成では、１〜４μのセルギヤツプでは上下電極間
のシヨートが目立ち、特に2.5μ以下のセルギヤツプで
は上下電極間のシヨートのない液晶素子を作製すること
が困難であった。 そこで、シヨート防止層として、スパツタ製膜法によ
りSiO2膜を電極と配向制御層の間に配した構成のセルを
用いて強誘導性液晶素子を形成したが、本発明者らの実
験の結果、上記構成では、しきい値以上のパルス電界を
印加しても前述の“双安定性”は得にくいということが
判明した。 又、配向膜に関してUSP4639089に記載がある。 〔問題を解決するための手段及び作用〕 本発明の目的は、前述の問題を解決すること、すなわ
ち、パルス電界によるスイツチングにおいて、良好な双
安定性を示し、上下電極間シヨートがない、強誘導性液
晶素子を提供することにある。 そこで本発明は、夫々電極を備えた一対の基板間にカ
イラルスメクチック相を示す液晶を挟持したセル構造を
有する液晶素子であって、該セルにおけるセルギャップ
が0.5〜４μｍの範囲にあり、少なくとも一方の基板に
おける電極上に厚み方向の抵抗が1cm2あたり１〜10
5Ω、鉛筆硬度4H以上の膜となるような膜を設けたこと
を特徴とする液晶素子、を提供するものである。 尚、本発明において「鉛筆硬度4H以上」とは、鉛筆硬
度で4Hより硬い状態に相当する。 以下、本発明を図面に従って説明する。 第１図は、本発明の強誘導性液晶セルの例を模式的に
描いたものである。12aと12bは、In2O3やITO（Indium T
in Oxide）等の透明電極であり、その上に1cm2あたり１
〜105Ω、鉛筆硬度4H以上となるように膜が形成されシ
ョート防止膜13a,13bとされ、更にその上に膜厚400A以
上もしくは比抵抗1014〜105Ωcmの配向制御層14a,14bが
形成されている。本発明において、シヨート防止層およ
び配向制御層は、両基板に設けても、例えば第２図のよ
うに一方のみに設けてもよい。 シヨート防止層の機能は、セル内に混入した導電性の
異物によるシヨートを防止するものである。このシヨー
トは、導電性異物が上下のITOと接触することにより、
上下電極が導通してしまうために生ずる現象である。 そのためシヨート防止層は、異物がその膜を破らない
程度の硬度を有している必要がある。 そこで、本発明者らの実験の結果、1cm2あたり１〜10
5Ω、鉛筆硬度4H以上となるよう形成した膜によればシ
ヨート防止層として有効であることがわかった。 本発明で用いることができるシヨート防止層として
は、ドライ製膜（蒸着，スパツタetc）によるSnO2膜,Ti
O2膜、又は、アセトナート錫溶液を塗布後焼成して得ら
れる酸化物層である。 膜厚は好ましくは100〜3000Åである。 又、本発明では前記シヨート防止層の上に設ける配向
制御層は、膜厚400Å以下、より好ましくは100Å以下
で、さらに比抵抗105〜1014Ωcmであることがよいこと
がわかった。 しかし、膜厚が例えば500Åになってしまっても比抵
抗が105Ωcm以下であったり、比抵抗が高ければ膜厚を
薄くする等の若干の調整をすれば、本発明の特徴とする
シヨート防止層に影響しない限り、本発明の求める良好
な強誘導性液晶素子を得ることができる。 具体的には配向制御層としては、ポリビニルアルコー
ル，ポリアミド，セルロース，ポリアミドイミド，ポリ
イミド，ポリエーテル，エポキシ樹脂などが用いられ
る。 本発明の液晶素子で用いることができる強誘電性液晶
としては、例えばｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−メチルブチルシンナメート（DOBAMBC）、
ｐ−ヘキシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−ク
ロルプロピルシンナメート（HOBACPC）、ｐ−デシロキ
シベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチル−α
−シアノシンナメート（DOBAMBCC）、ｐ−テトラデシロ
キシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチル−
α−シアノシンナメート（TDOBAMBCC）、ｐ−オクチル
オキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチル
−α−クロロシンナメート（OOBAMBCC）、ｐ−オクチル
オキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチル
−α−メチルシンナメート、4,4′−アゾキシシンナミ
ツクアシツド−ビス（２−メチルブチル）エステル、４
−ｏ−（２−メチル）ブチルレゾルシリデン−４′−オ
クチルアニリン、４−（２′−メチルブチル）フエニル
−４′−オクチルオキシビフエニル−４−カルボキシレ
ート、４−ヘキシルオキシフエニル−４−（２″−メチ
ルブチル）ビフエニル−４′−カルボキシレート、４−
オクチルオキシフエニル−４（２″−メチルブチル）ビ
フエニル−４′−カルボキシレート、４−ヘプチルフエ
ニル−４−（４″−メチルヘキシル）ビフエニル−４′
−カルボキシレート、４−（２″−メチルブチル）フエ
ニル−４−（４″−メチルヘキシル）ビフエニル−４′
−カルボキシレートなどを挙げることができ、これらは
単独又は２種以上組合せて用いることができ、又強誘電
性を示す範囲で他のコレステリツク液晶やスメクチツク
液晶を含有させることができる。 上記、液晶の他本発明ではUSP4622165,4614609,45966
67,4592858,4556727あるいは4576732に記載の液晶が用
いられる。又、本発明では強誘電性液晶としてカイラル
スメクチツク相を用いることができ、具体的には、カイ
ラルスメクチツクＣ相（SmC＊）、Ｈ相（SmH＊）Ｉ相
（SmI＊）、Ｋ相（SmK＊）やＧ相（SmG＊）を用いるこ
とができる。又、本発明の強誘導性液晶素子のセル厚は
0.5〜４μ、好ましくは１〜2.5μが適用できる。さら
に、本発明の強誘電性素子において、第１図及び第２図
における電極の配置を矢印16よりみた時の図を第３図に
示す。本発明では第３図に示すようなマトリクス状に電
極を配置してセルを構成した。 以下、実施例により更に詳しく説明する。 実施例１ ２枚の1.1mm厚のガラス板を用意し、それぞれのガラ
ス板上にITO膜を形成した。このITO膜付きのガラス板上
に２価錫アセチルアセトンを５重量％の割合で溶解した
ブタノール溶液を回転数3000rpmのスピンナーで30秒間
塗布した。成膜後、約１時間,300℃加熱焼成処理を施
し、スズ酸化物膜を形成した。この時の塗膜の膜厚は約
1000Åであった。又このSnO2の焼成膜の鉛筆硬度は5Hで
ある。 なお、鉛筆硬度は日本工業規格（JIS）Ｋ−5401−196
9に基づいて測定を行った。 その後、ポリビニルアルコールの0.8％水溶液を回転
数3000r.p.mのスピンナーで30秒間塗布した。成膜後、
約１時間の180℃加熱焼成処理を施した。この時の塗膜
の膜厚は約90Åであった。 この塗膜にアセテート触毛布によるラビング処理がな
され、その後イソプロピルアルコールで洗浄し、120℃,
20分乾燥した。 その後、平均粒径約１μｍのアルミナビーズを一方の
ガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が
互いに平行となる様に２枚のガラス板を重ね合せてセル
を作成した。 このセルのセル厚をベレツク位相板（位相差による測
定）によって測定したところ、約１μｍであった。この
セル内にチツソ（株）社製の「CS−1018」（商品名）を
等方相下で真空注入してから、等方相から0.5℃/hで60
℃まで徐冷することにより配向させることができた。以
後の実験は25℃で行った。 尚、前述した「CS−1018」Ｒの相変化は、下記のとお
りであった。 （SmA:スメクチツクＡ相、Ch:コレステリツク相、Iso:
等方相を示す） 直交ニコル下でこのセルを観察すると、一様で欠陥の
ない非らせん構造のスイラルスメクチツクＣ相を形成し
たモノドメインが得られていた。 次いで、上述した液晶セルに電圧25Vパルス幅50μsec
のパルス電界を印加することにより、一方の安定状態に
液晶分子方向をそろえ、次に前のパルスと逆極性のパル
ス電界（−25V,50μsec）を印加し、もう一方の安定分
子配列状態に転移させ、双安定であることを確認した。 又、上下電極間シヨートを調べたところ、1mm2の画素
100画素中、100画素すべてについて、2MΩ以上の抵抗値
を示しシヨートはなかった。 実施例２〜５ 表１に示した配向制御膜及びシヨート防止膜を積層し
た基板を用いて実施例１と全く同様の操作で双安定性、
上下電極間の抵抗値を測定し、シヨートの有無をしらべ
た。 条件はすべて実施例１と同様である。〈比較例１〉 シヨート防止層として電極と配向制御膜の間にSiO2を
スパツタ法により製膜して（膜厚2500Å，抵抗５×105
Ω）、実施例１と全く同様の方法で液晶素子を作製し、
同様の操作で素子の動作特性（双安定性）をしらべた。
上下電極間の抵抗値は、1mm2の画素で100画素中すべて2
MΩ以上であったが、パルス幅50μsec,電圧50Vまで印加
してもスイツチングしなかった。 〈比較例２〉 シヨート防止層なしで、透明電極上に直接配向制御膜
をもうけた以外は実施例１と全く同様の方法で液晶素子
を作製し、同様の操作で上下電極間の抵抗値をしらべ
た。1mm2の画素、100画素中、約２割の画素の抵抗が2k
Ω以下であったり、シヨートしていた。 〈比較例３〉 配向制御膜としてポリイミド（比抵抗1016Ωcm,膜厚6
00Å）を用いた以外は、実施例１と全く同様の方法で液
晶素子を作製し、同様の操作で素子の動作特性をしらべ
た。上下電極間の抵抗値は1mm2の画素で100画素中すべ
て2MΩ以上であったが、パルス幅50μsec,電圧50Vまで
印加してもスイツチングしなかった。 〔発明の効果〕 本発明の構成を有する強誘電性液晶素子を得ることに
より、パルス電界によるスイツチングにおいて、良好な
双安定性を示し、上下電極間シヨートがない強誘電性液
晶素子を得ることができた。
いる液晶素子、特に強誘導性液晶を用いた液晶素子に関
し、更に詳しくはパルス電界印加時の動作特性を改善す
ることにより、表示特性を改善した強誘導性液晶素子に
関するものである。 〔背景技術〕 強誘導性液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光素子
との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子
がクラーク（Clark）及びラガーウオル（Lagerwall）に
より提案されている（特開昭56−107216号公報、米国特
許第4,367,924号明細書等）。この強誘導性液晶は、一
般に特定の温度域において、カイラルスメクチツクＣ相
（SmC＊）又はＨ相（SmH＊）を有し、この状態におい
て、加えられる電界に応答して第１の光学的安定状態と
第２の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印
加のないときはその状態を維持する性質、すなわち双安
定性を有し、また電界の変化に対する応答も速やかであ
り、高速ならびに記憶型の表示素子としての広い利用が
期待されている。 この双安定性を有する液晶を用いた光学変調素子が所
定の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に
配置される液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記
２つの安定状態の間での変換が効果的に起ることが必要
である。 ところで、従来TN液晶のセル構成では、セルギヤツプ
約20μで透明電極上に配向膜に配した構成が用いられて
きた。ところが強誘電性液晶素子では、その特長である
パルス電界でスイツチングさせたときの双安定な配向状
態が得られる１〜４μのセルギヤツプが必要である。し
かしながら、上記の透明電極上に配向膜を配したのみの
セル構成では、１〜４μのセルギヤツプでは上下電極間
のシヨートが目立ち、特に2.5μ以下のセルギヤツプで
は上下電極間のシヨートのない液晶素子を作製すること
が困難であった。 そこで、シヨート防止層として、スパツタ製膜法によ
りSiO2膜を電極と配向制御層の間に配した構成のセルを
用いて強誘導性液晶素子を形成したが、本発明者らの実
験の結果、上記構成では、しきい値以上のパルス電界を
印加しても前述の“双安定性”は得にくいということが
判明した。 又、配向膜に関してUSP4639089に記載がある。 〔問題を解決するための手段及び作用〕 本発明の目的は、前述の問題を解決すること、すなわ
ち、パルス電界によるスイツチングにおいて、良好な双
安定性を示し、上下電極間シヨートがない、強誘導性液
晶素子を提供することにある。 そこで本発明は、夫々電極を備えた一対の基板間にカ
イラルスメクチック相を示す液晶を挟持したセル構造を
有する液晶素子であって、該セルにおけるセルギャップ
が0.5〜４μｍの範囲にあり、少なくとも一方の基板に
おける電極上に厚み方向の抵抗が1cm2あたり１〜10
5Ω、鉛筆硬度4H以上の膜となるような膜を設けたこと
を特徴とする液晶素子、を提供するものである。 尚、本発明において「鉛筆硬度4H以上」とは、鉛筆硬
度で4Hより硬い状態に相当する。 以下、本発明を図面に従って説明する。 第１図は、本発明の強誘導性液晶セルの例を模式的に
描いたものである。12aと12bは、In2O3やITO（Indium T
in Oxide）等の透明電極であり、その上に1cm2あたり１
〜105Ω、鉛筆硬度4H以上となるように膜が形成されシ
ョート防止膜13a,13bとされ、更にその上に膜厚400A以
上もしくは比抵抗1014〜105Ωcmの配向制御層14a,14bが
形成されている。本発明において、シヨート防止層およ
び配向制御層は、両基板に設けても、例えば第２図のよ
うに一方のみに設けてもよい。 シヨート防止層の機能は、セル内に混入した導電性の
異物によるシヨートを防止するものである。このシヨー
トは、導電性異物が上下のITOと接触することにより、
上下電極が導通してしまうために生ずる現象である。 そのためシヨート防止層は、異物がその膜を破らない
程度の硬度を有している必要がある。 そこで、本発明者らの実験の結果、1cm2あたり１〜10
5Ω、鉛筆硬度4H以上となるよう形成した膜によればシ
ヨート防止層として有効であることがわかった。 本発明で用いることができるシヨート防止層として
は、ドライ製膜（蒸着，スパツタetc）によるSnO2膜,Ti
O2膜、又は、アセトナート錫溶液を塗布後焼成して得ら
れる酸化物層である。 膜厚は好ましくは100〜3000Åである。 又、本発明では前記シヨート防止層の上に設ける配向
制御層は、膜厚400Å以下、より好ましくは100Å以下
で、さらに比抵抗105〜1014Ωcmであることがよいこと
がわかった。 しかし、膜厚が例えば500Åになってしまっても比抵
抗が105Ωcm以下であったり、比抵抗が高ければ膜厚を
薄くする等の若干の調整をすれば、本発明の特徴とする
シヨート防止層に影響しない限り、本発明の求める良好
な強誘導性液晶素子を得ることができる。 具体的には配向制御層としては、ポリビニルアルコー
ル，ポリアミド，セルロース，ポリアミドイミド，ポリ
イミド，ポリエーテル，エポキシ樹脂などが用いられ
る。 本発明の液晶素子で用いることができる強誘電性液晶
としては、例えばｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−メチルブチルシンナメート（DOBAMBC）、
ｐ−ヘキシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−ク
ロルプロピルシンナメート（HOBACPC）、ｐ−デシロキ
シベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチル−α
−シアノシンナメート（DOBAMBCC）、ｐ−テトラデシロ
キシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチル−
α−シアノシンナメート（TDOBAMBCC）、ｐ−オクチル
オキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチル
−α−クロロシンナメート（OOBAMBCC）、ｐ−オクチル
オキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチル
−α−メチルシンナメート、4,4′−アゾキシシンナミ
ツクアシツド−ビス（２−メチルブチル）エステル、４
−ｏ−（２−メチル）ブチルレゾルシリデン−４′−オ
クチルアニリン、４−（２′−メチルブチル）フエニル
−４′−オクチルオキシビフエニル−４−カルボキシレ
ート、４−ヘキシルオキシフエニル−４−（２″−メチ
ルブチル）ビフエニル−４′−カルボキシレート、４−
オクチルオキシフエニル−４（２″−メチルブチル）ビ
フエニル−４′−カルボキシレート、４−ヘプチルフエ
ニル−４−（４″−メチルヘキシル）ビフエニル−４′
−カルボキシレート、４−（２″−メチルブチル）フエ
ニル−４−（４″−メチルヘキシル）ビフエニル−４′
−カルボキシレートなどを挙げることができ、これらは
単独又は２種以上組合せて用いることができ、又強誘電
性を示す範囲で他のコレステリツク液晶やスメクチツク
液晶を含有させることができる。 上記、液晶の他本発明ではUSP4622165,4614609,45966
67,4592858,4556727あるいは4576732に記載の液晶が用
いられる。又、本発明では強誘電性液晶としてカイラル
スメクチツク相を用いることができ、具体的には、カイ
ラルスメクチツクＣ相（SmC＊）、Ｈ相（SmH＊）Ｉ相
（SmI＊）、Ｋ相（SmK＊）やＧ相（SmG＊）を用いるこ
とができる。又、本発明の強誘導性液晶素子のセル厚は
0.5〜４μ、好ましくは１〜2.5μが適用できる。さら
に、本発明の強誘電性素子において、第１図及び第２図
における電極の配置を矢印16よりみた時の図を第３図に
示す。本発明では第３図に示すようなマトリクス状に電
極を配置してセルを構成した。 以下、実施例により更に詳しく説明する。 実施例１ ２枚の1.1mm厚のガラス板を用意し、それぞれのガラ
ス板上にITO膜を形成した。このITO膜付きのガラス板上
に２価錫アセチルアセトンを５重量％の割合で溶解した
ブタノール溶液を回転数3000rpmのスピンナーで30秒間
塗布した。成膜後、約１時間,300℃加熱焼成処理を施
し、スズ酸化物膜を形成した。この時の塗膜の膜厚は約
1000Åであった。又このSnO2の焼成膜の鉛筆硬度は5Hで
ある。 なお、鉛筆硬度は日本工業規格（JIS）Ｋ−5401−196
9に基づいて測定を行った。 その後、ポリビニルアルコールの0.8％水溶液を回転
数3000r.p.mのスピンナーで30秒間塗布した。成膜後、
約１時間の180℃加熱焼成処理を施した。この時の塗膜
の膜厚は約90Åであった。 この塗膜にアセテート触毛布によるラビング処理がな
され、その後イソプロピルアルコールで洗浄し、120℃,
20分乾燥した。 その後、平均粒径約１μｍのアルミナビーズを一方の
ガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が
互いに平行となる様に２枚のガラス板を重ね合せてセル
を作成した。 このセルのセル厚をベレツク位相板（位相差による測
定）によって測定したところ、約１μｍであった。この
セル内にチツソ（株）社製の「CS−1018」（商品名）を
等方相下で真空注入してから、等方相から0.5℃/hで60
℃まで徐冷することにより配向させることができた。以
後の実験は25℃で行った。 尚、前述した「CS−1018」Ｒの相変化は、下記のとお
りであった。 （SmA:スメクチツクＡ相、Ch:コレステリツク相、Iso:
等方相を示す） 直交ニコル下でこのセルを観察すると、一様で欠陥の
ない非らせん構造のスイラルスメクチツクＣ相を形成し
たモノドメインが得られていた。 次いで、上述した液晶セルに電圧25Vパルス幅50μsec
のパルス電界を印加することにより、一方の安定状態に
液晶分子方向をそろえ、次に前のパルスと逆極性のパル
ス電界（−25V,50μsec）を印加し、もう一方の安定分
子配列状態に転移させ、双安定であることを確認した。 又、上下電極間シヨートを調べたところ、1mm2の画素
100画素中、100画素すべてについて、2MΩ以上の抵抗値
を示しシヨートはなかった。 実施例２〜５ 表１に示した配向制御膜及びシヨート防止膜を積層し
た基板を用いて実施例１と全く同様の操作で双安定性、
上下電極間の抵抗値を測定し、シヨートの有無をしらべ
た。 条件はすべて実施例１と同様である。〈比較例１〉 シヨート防止層として電極と配向制御膜の間にSiO2を
スパツタ法により製膜して（膜厚2500Å，抵抗５×105
Ω）、実施例１と全く同様の方法で液晶素子を作製し、
同様の操作で素子の動作特性（双安定性）をしらべた。
上下電極間の抵抗値は、1mm2の画素で100画素中すべて2
MΩ以上であったが、パルス幅50μsec,電圧50Vまで印加
してもスイツチングしなかった。 〈比較例２〉 シヨート防止層なしで、透明電極上に直接配向制御膜
をもうけた以外は実施例１と全く同様の方法で液晶素子
を作製し、同様の操作で上下電極間の抵抗値をしらべ
た。1mm2の画素、100画素中、約２割の画素の抵抗が2k
Ω以下であったり、シヨートしていた。 〈比較例３〉 配向制御膜としてポリイミド（比抵抗1016Ωcm,膜厚6
00Å）を用いた以外は、実施例１と全く同様の方法で液
晶素子を作製し、同様の操作で素子の動作特性をしらべ
た。上下電極間の抵抗値は1mm2の画素で100画素中すべ
て2MΩ以上であったが、パルス幅50μsec,電圧50Vまで
印加してもスイツチングしなかった。 〔発明の効果〕 本発明の構成を有する強誘電性液晶素子を得ることに
より、パルス電界によるスイツチングにおいて、良好な
双安定性を示し、上下電極間シヨートがない強誘電性液
晶素子を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の強誘電性液晶素子を説明するための一
実施例断面図、 第２図は本発明の他の強誘電性液晶素子の一実施例断面
図、 第３図は本発明における電極の配置図を示す。 図中、11a,bは基板、12a,bは電極、13a,bはシヨート防
止層、14a,bは配向制御膜、15は強誘電性液晶層を示
す。
実施例断面図、 第２図は本発明の他の強誘電性液晶素子の一実施例断面
図、 第３図は本発明における電極の配置図を示す。 図中、11a,bは基板、12a,bは電極、13a,bはシヨート防
止層、14a,bは配向制御膜、15は強誘電性液晶層を示
す。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 坪山 明
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ
ヤノン株式会社内
(72)発明者 吉田 明雄
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ
ヤノン株式会社内
(56)参考文献 特開 昭62−87938（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−111237（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−112714（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．夫々電極を有する一対の基板間にカイラルスメクチ
ック相を示す液晶を挟持したセル構造を有する液晶素子
であって、該セルにおけるセルギャップが0.5〜４μｍ
の範囲にあり、少なくとも一方の基板における電極上に
厚み方向の抵抗が1cm2あたり１〜105Ω、鉛筆硬度4H以
上となるような膜を設けたことを特徴とする液晶素子。 ２．前記厚み方向の抵抗が1cm2あたり１〜105Ω、鉛筆
硬度4H以上の膜の厚みが100オングストローム〜3000オ
ングストロームの範囲にある特許請求の範囲第１項記載
の液晶素子。 ３．前記厚み方向の抵抗が1cm2あたり１〜105Ω、鉛筆
硬度4H以上の膜上に厚みが400オングストローム以下の
範囲にある配向制御層を有する特許請求の範囲第１項記
載の液晶素子。 ４．前記厚み方向の抵抗が1cm2あたり１〜105Ω、鉛筆
硬度4H以上の膜上に厚みが100オングストローム以下の
範囲にある配向制御層を有する特許請求の範囲第１項記
載の液晶素子。 ５．前記厚み方向の抵抗が1cm2あたり１〜105Ω、鉛筆
硬度4H以上の膜上に比抵抗が105Ωcm〜1014Ωcmの範囲
にある配向制御層を有する特許請求の範囲第１項記載の
液晶素子。 ６．前記セル構造におけるセルギャップが１μｍ〜2.5
μｍの範囲にある特許請求の範囲第１項記載の液晶素
子。 ７．前記厚み方向の抵抗が1cm2あたり１〜105Ω、鉛筆
硬度4H以上の膜が無機酸化物を含有する膜である特許請
求の範囲第１項記載の液晶素子。 ８．前記無機酸化物が、SnO2、又はTiO2である特許請求
の範囲第７項記載の液晶素子。
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- 1988-08-16 US US07/232,765 patent/US4932757A/en not_active Expired - Lifetime
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