JPS63293527A

JPS63293527A - 電気光学装置

Info

Publication number: JPS63293527A
Application number: JP12872487A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Kobayashi; 英和小林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1987-05-26
Filing date: 1987-05-26
Publication date: 1988-11-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は電気光学装置に関する。更に詳しくは強誘電性
液晶を用いた高コントラスト高透過率の電気光学装置に
関する。

〔従来の技術〕

従来、表示コントラストが高く、光透過性もすぐれた強
誘電性液晶を用いた電気光学装置の液晶配向法としてＳ
ｉＯの斜方蒸着法が用いられてきた。（第１２回液晶討
論会予稿集１連Ｆ１２（１）３２）あるいはＪａｐａｎ
Ｄｉｓｐｌａｙ’　８Ｇ予稿集１２．３　（９４６４）
）。この方法を用いると、ポリイミド、ポリアミド、ポ
リビニルアルコール、ポリエステル、ポリアクリロニト
リル、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレン、ポリ
フッ化ビニリデン、テフロン、などの樹ＩＩＩ　ｔ−布
テこする配向法の場合に得られる光学特性よりも、数１
０倍のコントラスト、数倍の透過率が得られる。しかも
、この方法を用いれば液晶を配向させる際の徐冷処理も
必要ない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし前述の従来技術では、液晶を、液晶挟持体に封入
した際配向はよいが、その後記向が乱れる、電気光学装
置として抵抗が低く、消費電力が大きいという問題点を
有する。詳しくは、ｓｉＯを基板表面から０〜１０°の
方位で斜方蒸着を行うと、柱状突起物（カラム）が生長
する。とのカラムは基板表面から３０〜６０°の角度を
もっている。液晶は、このカラムの方位を向くのである
が、とのカラムは、非常に脆（、折れやすい。このため
配向に安定性が無く、カラムが折れてしまった場所では
、上下シ冒−トが生じ、電気抵抗が低くなると考えられ
る。そこで本発明は、このような問題点を解決するもの
で、その目的とするところは、とのカラムを補強し、配
向の安定性を増し、電気抵抗を高くする方法を提供する
ところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の電気光学装置は強誘電性液晶を用いた電気光学
装置において液晶の配向処理法として斜方蒸着法を行い
、その表面を表面改質剤で処理したことを特徴とする。

〔作用〕

本発明の上記の構成によれば、表面改質剤をカラム上に
塗布することにより、カラムを補強し、またそのカラム
表面をコーティングしたことにより、電気抵抗が高くな
るという効果を存する。この際、表面改質層の厚さはカ
ラムの凹凸を埋めるほど厚いものではいけない。

〔実施例１〕第１図は本発明の実施例における基本構成を示す電気光
学装置の断面図である。ここでは、表面改質剤としてポ
リイミドを用いた実施例を示す。

Ｉ　Ｔｏ、及びＳ　ｉ　Ｏｊ絶縁層を設けた基板に対し
、基板表面から５°傾いた方位よりＳｉＯを斜方蒸着し
、第１図に示すＳｉＯ配向層（４）を形成した。層の厚
さは１０００人である。の表面に、ポリイミド（東し社
製セミコファイン５Ｐ−７４０を４０＝１にＮ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミドで希釈したもの）をスピンコードし
、乾燥した。表面改質層（６）は、この場合で５０人で
あった。この状態を電子顕微鏡にて観察してみると、改
質処理する前よりも２〜３倍強度は増している。ここで
、第１図における絶縁層（３，８）はどちらか一方のみ
でもよい、また、斜方蒸着における蒸着物質は絶縁体で
あればＳｉＯでなくともよい。さて、こうして得られた
基板を＠１図に示したように、上下基板で蒸着方位が１
８０°を成すように組み立てる。セル厚は、２．６μｍ
であった。（液晶物質によりセル厚は、１〜３μｍの範
囲で設定する。）ここで液晶を封入するが、ここで用い
た液晶は、メルク社製ＺＬＩ−３８５４である。

次に、こうしてできた装置をクロスニコルではさみ、第
２図に示した駆動波形を用い特性を評価した。第２図の
上図は駆動波形であり、下図はそれに対応した電気光学
製置の光学応答である。

コントラスト及び透過率を第１表に示した。表面改質処
理をしたものとしないものでは、光学特性は、大差ない
、しかも１週間放ｗ後再度光学特性を評価すると、表面
改質処理したものでは明らかに未処理のものより劣化が
小さい、しかも液晶を封入した時点でのインピーダンス
も未処理のものよりも太き（消費電力は小さくなってい
る。

第　　１　　表注）１）液晶封入直後のコントラスト２）液晶封入直後の透過率３）液晶封入１週間後のコントラスト４）液晶封入１週間後の透過率測定温度は５０℃である。

（実施例２〕次に表面改質剤として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ
）　、　ポリフッ化ビニリゾｙ　　（ＰＶＤＦ）、ポリ
メチルメタクリレ−）　（ＰＭＭＡ）、ポリエステル（
ＰＥＴ）、ポリアミド、ポリエステルを用いた場合につ
いて実施例を示す。ポリビニルアルコールは０．５ｗｔ
％水溶液、ポリフッ化ビニリデン（トリフロロエチレン
を含むＫｙｎａｒ＃７２０１）は０．５ｗｔ％ＭＥＫ溶
液、ポリメチルメタクリレートは０．２ｗｔ％キシレン
溶液、ポリエステルはポリエチレンテレフタレートを用
い０．２ｗｔ％ｍ−クレゾール溶液、ポリアミドは、ナ
イロン６．６を用い０．２ｗｔ％ｍ−クレゾール溶液、
ポリエチレンは０．５ｗｔＬＡキシレ、ン溶液（８０℃
）とし、スピンコードを行なった。膜厚は５０人となっ
た。実施例１と同様の方法により、光学特性を評価した
。第１表にそのコントラスト、透過率を示す、ポリアミ
ド、ポリビニルアルコールについては、ポリイミドと同
様によい特性を示しており、１週間の放置後もポリイミ
ドと同様に経時変化が小さい、ポリフッ化ビニリデン、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレ／については、
光学特性はかなり落ちているが、やはり経時変化は小さ
い、上下基板で用いるポリマーを変えても同様の効果が
得られる。

〔実施例３〕次に表面改質剤としてシランカップリング剤を用いた場
合について示す、実施例１と同様にＳｉＯを斜方蒸着し
た基板上に信越シリコン社製のＫＤＭ−４０３、ＫＢＭ
−８０２、ＫＢＥ−！ＪＯ３各０．５ｗｔ％エタノール
溶液をスピンコードして１２０℃にて焼成した。

実施例１と同様に２枚の基板を貼り合わせ、液晶を封入
した。そのフントラスト、透過率を第１表に示す。特性
は、未処理のものに較べそれほど劣っていない。また比
抵抗も落ちていない、他のシランカップリング剤を用い
ても同様の効果が得られる。また上下基板で改質剤を変
えてもよい。

〔発明の効果〕

以上述べたように発明によれば斜方蒸着処理した表面上
に表面改質剤を塗布するという単純な方法により、その
配向の信頼性を大幅に向上できるという効果を存する。

【図面の簡単な説明】

ｔＪ１図は本発明の電気光学装置の一実施例を示す主要
断面図。１・・・基板２・・・電極３・・・絶Ｒ層４・・・斜方蒸着層５・・・表面改質層６・・・表面改質層７・・・斜方蒸着層８・・・絶縁層９・・・電極１０・・・基板第２図は本発明の電気光学装置を評価する際に用いた駆
動波形と光学応答を示す図。第３図は従来の斜方蒸着を用いた電気光学装置の主要断
面図で、区内の番号は第１図に対応している。第１図禮聞第２区

Claims

【特許請求の範囲】

強誘電性液晶を用いた電気光学装置において、液晶の配
向処理法として斜方蒸着法を行い、その表面を表面改質
剤で処理したことを特徴とする電気光学装置。