JPH0675249A - アクティブ素子基板及びそれを用いた表示装置 - Google Patents
アクティブ素子基板及びそれを用いた表示装置Info
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- JPH0675249A JPH0675249A JP22746892A JP22746892A JPH0675249A JP H0675249 A JPH0675249 A JP H0675249A JP 22746892 A JP22746892 A JP 22746892A JP 22746892 A JP22746892 A JP 22746892A JP H0675249 A JPH0675249 A JP H0675249A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 構造が簡単で、軽く割れ難く、容量の大きい
表示装置を構成することのできるアクティブ素子基板及
びそれを用いた表示装置を提供する。 【構成】 可撓性樹脂基板上に強誘電体膜が配設され、
その上又は下に第１と第２の電極が配設されてなるアク
ティブ素子基板、及びそのアクティブ素子基板と対向電
極が形成された基板とが所定間隔をおいて対向して配置
され、この間に電気光学特性を有する物質が挟持されて
なる表示装置。
表示装置を構成することのできるアクティブ素子基板及
びそれを用いた表示装置を提供する。 【構成】 可撓性樹脂基板上に強誘電体膜が配設され、
その上又は下に第１と第２の電極が配設されてなるアク
ティブ素子基板、及びそのアクティブ素子基板と対向電
極が形成された基板とが所定間隔をおいて対向して配置
され、この間に電気光学特性を有する物質が挟持されて
なる表示装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、アクティブ素子基板
及びそれを用いた表示装置に関する。
及びそれを用いた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置用のアクティブ素子は、図９に示すようにガラス基
板５１上に、ゲート電極５２、絶縁膜５３及びアモルフ
ァスシリコン膜５６が順に積層され、この上にチャネル
領域に相当する間隔をおいてｎ + アモルファスシリコン
層５７が並設され、このｎ+ アモルファスシリコン層の
上にそれぞれソース電極５４とドレイン電極５５が積層
され、更にドレイン電極５５上に絵素電極５８が積層さ
れた構成が知られている。また、可撓性基板を用いた液
晶表示装置としては、図１０に示すように、電極６２と
配向膜６０が形成された可撓性樹脂基板５９と電極６６
と配向膜６５が形成された可撓性樹脂基板６７とが、シ
ール材６３とスペーサ６４を挟持して対向配置され、こ
の間に液晶６１が配置された構成が知られている。この
ような液晶表示装置では一般にツイステッドネマティッ
クモードが用いられ、通常装置の両面に直交又は平行に
配置された偏光板が設置され光の遮断、透過によって表
示が行なわれている。
装置用のアクティブ素子は、図９に示すようにガラス基
板５１上に、ゲート電極５２、絶縁膜５３及びアモルフ
ァスシリコン膜５６が順に積層され、この上にチャネル
領域に相当する間隔をおいてｎ + アモルファスシリコン
層５７が並設され、このｎ+ アモルファスシリコン層の
上にそれぞれソース電極５４とドレイン電極５５が積層
され、更にドレイン電極５５上に絵素電極５８が積層さ
れた構成が知られている。また、可撓性基板を用いた液
晶表示装置としては、図１０に示すように、電極６２と
配向膜６０が形成された可撓性樹脂基板５９と電極６６
と配向膜６５が形成された可撓性樹脂基板６７とが、シ
ール材６３とスペーサ６４を挟持して対向配置され、こ
の間に液晶６１が配置された構成が知られている。この
ような液晶表示装置では一般にツイステッドネマティッ
クモードが用いられ、通常装置の両面に直交又は平行に
配置された偏光板が設置され光の遮断、透過によって表
示が行なわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のアクティブ素子
は、構造が複雑な上にアモルファスシリコン層を有して
いるため、これを形成するのに高い温度を必要とするケ
ミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）法を経る必要が
あり、基板は耐熱性、寸法安定性の点から樹脂では困難
であり、石英又はフュージョンガラスが用いられてい
る。しかし、これらは高価で厚く、重く、割れ易いため
得られる表示装置が高価なものとなり、その上重く、破
損しやすいため大容量表示装置に用いることが困難であ
る。
は、構造が複雑な上にアモルファスシリコン層を有して
いるため、これを形成するのに高い温度を必要とするケ
ミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）法を経る必要が
あり、基板は耐熱性、寸法安定性の点から樹脂では困難
であり、石英又はフュージョンガラスが用いられてい
る。しかし、これらは高価で厚く、重く、割れ易いため
得られる表示装置が高価なものとなり、その上重く、破
損しやすいため大容量表示装置に用いることが困難であ
る。
【０００４】一方、可撓性樹脂基板を用いた液晶表示装
置は、基板の耐熱性の問題から配向膜を高温で焼成する
ことが困難であり液晶分子に大きなプレティルト角を与
えることができないため、スーパーツイテッドネマティ
ックモードを用いることができず、マトリクス駆動を行
う場合の走査線数が限られ、表示容量の大きなものを作
成することができなかった。
置は、基板の耐熱性の問題から配向膜を高温で焼成する
ことが困難であり液晶分子に大きなプレティルト角を与
えることができないため、スーパーツイテッドネマティ
ックモードを用いることができず、マトリクス駆動を行
う場合の走査線数が限られ、表示容量の大きなものを作
成することができなかった。
【０００５】一方、偏光板を用いない事から、明るい表
示が可能になるということで近年注目を集めている高分
子分散型液晶は、セル厚制御の容易さと配向処理が不要
であることからこのような可撓性樹脂基板によく適合す
るものと考えられるが、印加電圧と光透過率特性におけ
る急峻性が十分でないためツイステッドネマティックモ
ードを用いた単純マトリクス型表示装置に適用した場合
には十分な表示容量が得られていない。
示が可能になるということで近年注目を集めている高分
子分散型液晶は、セル厚制御の容易さと配向処理が不要
であることからこのような可撓性樹脂基板によく適合す
るものと考えられるが、印加電圧と光透過率特性におけ
る急峻性が十分でないためツイステッドネマティックモ
ードを用いた単純マトリクス型表示装置に適用した場合
には十分な表示容量が得られていない。
【０００６】この発明は、上記問題を解決するためにな
されたものであって、構造が簡単で、軽く割れ難く、容
量の大きい表示装置を構成することのできるアクティブ
素子基板及びそれを用いた表示装置を提供しようとする
ものである。
されたものであって、構造が簡単で、軽く割れ難く、容
量の大きい表示装置を構成することのできるアクティブ
素子基板及びそれを用いた表示装置を提供しようとする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、可撓
性樹脂基板上に強誘電体膜が配設され、その上又は下に
第１と第２の電極が配設されてなるアクティブ素子基板
が提供される。
性樹脂基板上に強誘電体膜が配設され、その上又は下に
第１と第２の電極が配設されてなるアクティブ素子基板
が提供される。
【０００８】上記可撓性樹脂基板は、この上に表示装置
を構成しうるアクティブ素子を形成するためのものであ
って、所定の剛性と可撓性と耐熱性と耐溶剤性を有する
フィルムがよく、例えばポリエチレンテレフタレートフ
ィルム、ポリスチレンフィルム、ポリメタクリル酸メチ
ルフィルム等を用いることができる。この厚さは、通常
１００〜５００μｍである。この基板は、透明でも不透
明でもよいが、透明の方が光透過率と反射型のいずれの
表示装置も構成できるので好ましい。また、この基板の
複屈折率異方性は、偏光子を用いない表示モードでは制
限されないが、特に偏光子を用いる表示モードでは小さ
いのが好ましい。この基板の剛性は、アクティブ素子の
寸法精度を十分に維持しうるのがよい。可撓性は、アク
ティブ素子が衝撃によって割れない程度がよい。この基
板の耐熱性は、基板の上に、例えばＡｌ膜、ＩＴＯ膜等
をスパッタリング法によって形成する工程で基板が溶融
しない程度がよい。この温度は、通常５０〜１５０℃で
ある。この基板の耐溶剤性は、基板の上に強誘電体の塗
布液を塗布する工程で、塗布液を構成する溶剤に溶解し
ないのがよい。この溶剤は、用いる強誘電体によって異
なるが、例えばフッ化ビニリデントリフルオロエチレン
共重合体を用いる場合は、例えばメチルエチルケトン、
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等が用い
られる。
を構成しうるアクティブ素子を形成するためのものであ
って、所定の剛性と可撓性と耐熱性と耐溶剤性を有する
フィルムがよく、例えばポリエチレンテレフタレートフ
ィルム、ポリスチレンフィルム、ポリメタクリル酸メチ
ルフィルム等を用いることができる。この厚さは、通常
１００〜５００μｍである。この基板は、透明でも不透
明でもよいが、透明の方が光透過率と反射型のいずれの
表示装置も構成できるので好ましい。また、この基板の
複屈折率異方性は、偏光子を用いない表示モードでは制
限されないが、特に偏光子を用いる表示モードでは小さ
いのが好ましい。この基板の剛性は、アクティブ素子の
寸法精度を十分に維持しうるのがよい。可撓性は、アク
ティブ素子が衝撃によって割れない程度がよい。この基
板の耐熱性は、基板の上に、例えばＡｌ膜、ＩＴＯ膜等
をスパッタリング法によって形成する工程で基板が溶融
しない程度がよい。この温度は、通常５０〜１５０℃で
ある。この基板の耐溶剤性は、基板の上に強誘電体の塗
布液を塗布する工程で、塗布液を構成する溶剤に溶解し
ないのがよい。この溶剤は、用いる強誘電体によって異
なるが、例えばフッ化ビニリデントリフルオロエチレン
共重合体を用いる場合は、例えばメチルエチルケトン、
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等が用い
られる。
【０００９】上記強誘電体膜は、非線形素子として用い
られるものであって、基板を溶解しない程度に低い温度
で薄膜形成の可能な有機系又は無機系の強誘電体を用い
ることができる。この中でも溶剤に可溶の有機系強誘電
体膜が好ましく、例えばフッ化ビニリデンテトラフルオ
ロエチレン共重合体、シアン化ビニリデン酢酸エチル共
重合体等の原料から構成することができる。膜厚は、通
常０.１〜０.３μｍである。強誘電体膜の形成は、上記
原料を溶剤に溶解して塗布液を作製し、これを基板上に
塗布して行なわれる。この基板は、表面に電極が形成さ
れていてもいなくてもよい。電極が形成されている場合
は、第１と第２の電極が形成されていてもよく、第１又
は第２の電極のいずれか１つが形成されていてもよい。
られるものであって、基板を溶解しない程度に低い温度
で薄膜形成の可能な有機系又は無機系の強誘電体を用い
ることができる。この中でも溶剤に可溶の有機系強誘電
体膜が好ましく、例えばフッ化ビニリデンテトラフルオ
ロエチレン共重合体、シアン化ビニリデン酢酸エチル共
重合体等の原料から構成することができる。膜厚は、通
常０.１〜０.３μｍである。強誘電体膜の形成は、上記
原料を溶剤に溶解して塗布液を作製し、これを基板上に
塗布して行なわれる。この基板は、表面に電極が形成さ
れていてもいなくてもよい。電極が形成されている場合
は、第１と第２の電極が形成されていてもよく、第１又
は第２の電極のいずれか１つが形成されていてもよい。
【００１０】上記第１の電極は、強誘電体膜に電気信号
を入力するためのものであって、第２の電極のマトリッ
クスにおける同じ行又は列毎に、配置された複数の第２
電極のそれぞれの端部付近に強誘電体膜を介在させて、
線状の導電膜を形成して用いることができる。この導電
膜は、例えばＡｌ膜、Ｔａ膜等を用いることができる。
この第１の電極は、通常幅が狭く、広い間隔で並設され
る。このため第１の電極が不透明であっても、アクティ
ブ素子基板は必要な透光性を維持することができる。
を入力するためのものであって、第２の電極のマトリッ
クスにおける同じ行又は列毎に、配置された複数の第２
電極のそれぞれの端部付近に強誘電体膜を介在させて、
線状の導電膜を形成して用いることができる。この導電
膜は、例えばＡｌ膜、Ｔａ膜等を用いることができる。
この第１の電極は、通常幅が狭く、広い間隔で並設され
る。このため第１の電極が不透明であっても、アクティ
ブ素子基板は必要な透光性を維持することができる。
【００１１】上記第２の電極は、強誘電体膜からの信号
を受けて絵素を形成するためのものであって、通常基板
上にマトリックス状に多数の独立した透明導電膜を形成
して用いられる。透明導電膜は、例えばＩＴＯ、ＳｎＯ
2等を用いて形成される。
を受けて絵素を形成するためのものであって、通常基板
上にマトリックス状に多数の独立した透明導電膜を形成
して用いられる。透明導電膜は、例えばＩＴＯ、ＳｎＯ
2等を用いて形成される。
【００１２】この発明によれば、請求項１のアクティブ
素子基板と対向電極が形成された基板とが所定間隔をお
いて対向して配置され、この間に電気光学特性を有する
物質が挟持されてなる表示装置が提供される。
素子基板と対向電極が形成された基板とが所定間隔をお
いて対向して配置され、この間に電気光学特性を有する
物質が挟持されてなる表示装置が提供される。
【００１３】上記対向電極が形成された基板は、上述の
アクティブ素子基板の第２の電極に対向する対向電極を
所定間隔を置いて対向させると共にその間に電気光学特
性を有する物質を挟持するためのものであって、可撓性
樹脂基板の上に、導電膜を積層しパターン化して対向電
極を形成して用いることができる。可撓性樹脂基板は、
上述のアクティブ素子基板と同様のものを用いることが
でき、更に不透明のものも用いることができる。この導
電膜は、透明でも不透明でもよく、例えばＩＴＯ、Ａｌ
等を用いて形成することができる。
アクティブ素子基板の第２の電極に対向する対向電極を
所定間隔を置いて対向させると共にその間に電気光学特
性を有する物質を挟持するためのものであって、可撓性
樹脂基板の上に、導電膜を積層しパターン化して対向電
極を形成して用いることができる。可撓性樹脂基板は、
上述のアクティブ素子基板と同様のものを用いることが
でき、更に不透明のものも用いることができる。この導
電膜は、透明でも不透明でもよく、例えばＩＴＯ、Ａｌ
等を用いて形成することができる。
【００１４】上記所定間隔は、通常３〜１０μｍであ
る。この間隔の形成は、アクティブ素子基板の周縁にス
ペーサを設けて行うことができるが、更にアクティブ素
子基板面上にこの間隔に相当する直径のビーズを散布
し、この上に対向電極が形成された基板を配設して行っ
てもよい。スペーサは、上記間隔を形成すると共にアク
ティブ素子基板に対向電極が形成された基板を接着させ
うるものがよく、例えば、ビーズを混合した紫外線硬化
性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線と熱とで硬化する樹脂等
を用いて形成することができる。上記樹脂は、２液混合
タイプ又は１液タイプを用いることができる。ビーズ
は、例えばプラスチック、シリカ、セラミック、ガラス
等を用いて形成することができる。また、このビーズ
は、着色していてもよく、接着性を有していてもよい。
る。この間隔の形成は、アクティブ素子基板の周縁にス
ペーサを設けて行うことができるが、更にアクティブ素
子基板面上にこの間隔に相当する直径のビーズを散布
し、この上に対向電極が形成された基板を配設して行っ
てもよい。スペーサは、上記間隔を形成すると共にアク
ティブ素子基板に対向電極が形成された基板を接着させ
うるものがよく、例えば、ビーズを混合した紫外線硬化
性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線と熱とで硬化する樹脂等
を用いて形成することができる。上記樹脂は、２液混合
タイプ又は１液タイプを用いることができる。ビーズ
は、例えばプラスチック、シリカ、セラミック、ガラス
等を用いて形成することができる。また、このビーズ
は、着色していてもよく、接着性を有していてもよい。
【００１５】上記電気光学特性を有する物質は、例えば
液晶、液晶と担体用樹脂との混合物、エレクトロルミネ
ッセンス材料、エレクトロクロミック材料等を用いるこ
とができる。上記液晶と担体用樹脂との混合物は、液
晶、樹脂の構造、組成比などは特に限定されず、樹脂の
高分子中に液晶のドロップレットを分散したものでも高
分子によって形成された網目状構造の中に液晶を担持し
たものでよい。これらは作成条件によって作り分けるこ
とが可能である。さらに２つの基板の貼り合わせを行う
前に樹脂中に液晶を分散させたシートを形成し、それを
２枚の基板間に挟んでも良い。また担体として用いられ
る樹脂もエポキシ系、アクリル系、フッ素を含むもので
も良く、さらにモノマーやオリゴマー又はそれらの混合
物でも良い。液晶もネマティック、コレステリック、ス
メクティックやこれらの混合物などでも良い。
液晶、液晶と担体用樹脂との混合物、エレクトロルミネ
ッセンス材料、エレクトロクロミック材料等を用いるこ
とができる。上記液晶と担体用樹脂との混合物は、液
晶、樹脂の構造、組成比などは特に限定されず、樹脂の
高分子中に液晶のドロップレットを分散したものでも高
分子によって形成された網目状構造の中に液晶を担持し
たものでよい。これらは作成条件によって作り分けるこ
とが可能である。さらに２つの基板の貼り合わせを行う
前に樹脂中に液晶を分散させたシートを形成し、それを
２枚の基板間に挟んでも良い。また担体として用いられ
る樹脂もエポキシ系、アクリル系、フッ素を含むもので
も良く、さらにモノマーやオリゴマー又はそれらの混合
物でも良い。液晶もネマティック、コレステリック、ス
メクティックやこれらの混合物などでも良い。
【００１６】また高分子分散型液晶表示装置と同様の２
枚の基板上にポリイミドによる配向膜を形成し、適切な
方向にラビング処理などの配向処理を行い、ネマティッ
ク、コレステリック、スメクティックなどの液晶を封入
することにより、ツイステッドネマティックモードや、
表面安定化強誘電液晶モードなど他の液晶表示モードの
装置から得られる、このとき配向膜はポリイミドを蒸着
重合法で形成することが望ましいが、ポリイミドをスピ
ンコートやオフセット印刷で形成してもよく、また酸化
シリコンなどの斜方蒸着膜でもよい、また酸化シリコン
などの層を挿入してもよい。
枚の基板上にポリイミドによる配向膜を形成し、適切な
方向にラビング処理などの配向処理を行い、ネマティッ
ク、コレステリック、スメクティックなどの液晶を封入
することにより、ツイステッドネマティックモードや、
表面安定化強誘電液晶モードなど他の液晶表示モードの
装置から得られる、このとき配向膜はポリイミドを蒸着
重合法で形成することが望ましいが、ポリイミドをスピ
ンコートやオフセット印刷で形成してもよく、また酸化
シリコンなどの斜方蒸着膜でもよい、また酸化シリコン
などの層を挿入してもよい。
【００１７】
【作用】可撓性樹脂基板が、大容量表示装置を軽量で割
れにくく構成でき、強誘電体膜が構造の簡単なアクティ
ブ素子を構成し、表示装置の印加電圧の変化に対する光
透過率変化を急峻にする。
れにくく構成でき、強誘電体膜が構造の簡単なアクティ
ブ素子を構成し、表示装置の印加電圧の変化に対する光
透過率変化を急峻にする。
【００１８】
【実施例】この発明の実施例を図面を用いて説明する。 実施例１ 図１及びそのＡ−Ｂ断面の図２に示すように、１×１０
-5torrの真空中で、膜厚１００μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルム１上にアルミニウムを１５００Åの
厚さに蒸着した後、フォトリソグラフィーを用いて所定
の形状にパターニングしアルミニウム電極２を形成し
た。次に、フッ化ビニリデントリフルオロエチレン（７
８：２２）共重合体をメチルエチルケトンに溶解し、こ
れをスピンコート法によって塗布し、１４５℃で１時間
焼成して強誘電体膜３を形成した。この強誘電体膜３の
膜厚は２０００Å程度である。また端子部の強誘電体膜
はメチルエチルケトン溶液によって除去した。
-5torrの真空中で、膜厚１００μｍのポリエチレンテレ
フタレートフィルム１上にアルミニウムを１５００Åの
厚さに蒸着した後、フォトリソグラフィーを用いて所定
の形状にパターニングしアルミニウム電極２を形成し
た。次に、フッ化ビニリデントリフルオロエチレン（７
８：２２）共重合体をメチルエチルケトンに溶解し、こ
れをスピンコート法によって塗布し、１４５℃で１時間
焼成して強誘電体膜３を形成した。この強誘電体膜３の
膜厚は２０００Å程度である。また端子部の強誘電体膜
はメチルエチルケトン溶液によって除去した。
【００１９】次にこのようにして形成された強誘電体膜
上にＩＴＯによる透明導電膜をスパッタリングによって
８００Åの厚さで形成し、フォトリソグラフィーを用い
て所定の形状にパターニングし第１ＩＴＯ電極４を形成
し、アクティブ素子基板を作製した。このとき基板の温
度が１４５℃を越えないようにする。
上にＩＴＯによる透明導電膜をスパッタリングによって
８００Åの厚さで形成し、フォトリソグラフィーを用い
て所定の形状にパターニングし第１ＩＴＯ電極４を形成
し、アクティブ素子基板を作製した。このとき基板の温
度が１４５℃を越えないようにする。
【００２０】次にこの基板上に、図６及びそのＡ−Ｂ断
面の図７に示すように、直径１２μｍのポリスチレン製
プラスティックビーズを混入した紫外線硬化性樹脂をス
クリーン印刷法によって塗布してシール２７を形成し、
更に直径１２μｍのポリスチレン製プラスティックビー
ズ３０を散布した。
面の図７に示すように、直径１２μｍのポリスチレン製
プラスティックビーズを混入した紫外線硬化性樹脂をス
クリーン印刷法によって塗布してシール２７を形成し、
更に直径１２μｍのポリスチレン製プラスティックビー
ズ３０を散布した。
【００２１】この上に、予め表面に第２ＩＴＯ電極４’
が形成された第２ポリエチレンテレフタレートフィルム
を、重ね合せ圧力をかけながら紫外線を照射して紫外線
硬化性樹脂を硬化させて貼合せる。
が形成された第２ポリエチレンテレフタレートフィルム
を、重ね合せ圧力をかけながら紫外線を照射して紫外線
硬化性樹脂を硬化させて貼合せる。
【００２２】こうして形成されたセル内にネマティック
液晶と紫外線硬化性樹脂を適当な割合で混ぜ合わせたも
のを、真空下で注入口から注入し、注入口を紫外線硬化
性樹脂２９によって封止した後、適当な温度下で、紫外
線を照射し紫外線硬化性樹脂を硬化させて高分子分散型
液晶２８を形成し表示装置を得た。この時に基板の上下
に均一な圧力をかけながら紫外線を照射してセル厚の均
一性を向上させる。このちようにして良好な表示品位を
持つ高分子分散型液晶表示装置が得られた。
液晶と紫外線硬化性樹脂を適当な割合で混ぜ合わせたも
のを、真空下で注入口から注入し、注入口を紫外線硬化
性樹脂２９によって封止した後、適当な温度下で、紫外
線を照射し紫外線硬化性樹脂を硬化させて高分子分散型
液晶２８を形成し表示装置を得た。この時に基板の上下
に均一な圧力をかけながら紫外線を照射してセル厚の均
一性を向上させる。このちようにして良好な表示品位を
持つ高分子分散型液晶表示装置が得られた。
【００２３】実施例２ 図３に示すように、実施例１において、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム１上にアルミニウム電極２を形成
する代りに第１ＩＴＯ電極１０を形成し、強誘電体膜３
の上に第１ＩＴＯ電極を形成する代りにアルミニウム電
極１２を形成し、この他は実施例１と同様にしてアクテ
ィブ素子基板を作製し、それを用いて液晶表示装置を作
製する。
レフタレートフィルム１上にアルミニウム電極２を形成
する代りに第１ＩＴＯ電極１０を形成し、強誘電体膜３
の上に第１ＩＴＯ電極を形成する代りにアルミニウム電
極１２を形成し、この他は実施例１と同様にしてアクテ
ィブ素子基板を作製し、それを用いて液晶表示装置を作
製する。
【００２４】実施例３ 図４に示すように、実施例１において、第１ＩＴＯ電極
を強誘電体膜３の上に形成する代りに下（ポリエチレン
テレフタレートフィルム１上）に形成し、この他は実施
例１と同様にしてアクティブ素子基板を作製し、それを
用いて液晶表示装置を作製する。
を強誘電体膜３の上に形成する代りに下（ポリエチレン
テレフタレートフィルム１上）に形成し、この他は実施
例１と同様にしてアクティブ素子基板を作製し、それを
用いて液晶表示装置を作製する。
【００２５】実施例４ 図５に示すように、実施例１においてポリエチレンテレ
フタレートフィルム１上にアルミニウム電極２を形成す
る代りに強誘電体膜３の上にアルミニウム電極１９を形
成し、この他は実施例１と同様にしてアクティブ素子基
板を作製し、それを用いて液晶表示装置を作製する。
フタレートフィルム１上にアルミニウム電極２を形成す
る代りに強誘電体膜３の上にアルミニウム電極１９を形
成し、この他は実施例１と同様にしてアクティブ素子基
板を作製し、それを用いて液晶表示装置を作製する。
【００２６】実施例５ 実施例１において、強誘電体膜上に第１ＩＴＯ電極を形
成する代りに第２アルミニウム電極を同じパターンで形
成し、この他は実施例１と同様にしてアクティブ素子基
板を作製し、それを用いて液晶表示装置を作製する。
成する代りに第２アルミニウム電極を同じパターンで形
成し、この他は実施例１と同様にしてアクティブ素子基
板を作製し、それを用いて液晶表示装置を作製する。
【００２７】実施例６ 図８に示すように、実施例１において、得られたアクテ
ィブ素子基板上及び予め表面に第２ＩＴＯ電極４’が形
成された第２ポリエチレンテレフタレートフィルム１’
上に更に配向膜４４及び４５を形成し、ツイステッドネ
マティックで約５μｍ、表面安定化強誘電液晶モードで
約２μｍのスペーサを用いることにより良好な表示品位
の表示装置を得る。ただし上記配向膜は、無水ピロメリ
ット酸とジアミノジフェニルエーテルを蒸着重合法によ
って形成し、１５０℃で２時間焼成したものを用いた。
ィブ素子基板上及び予め表面に第２ＩＴＯ電極４’が形
成された第２ポリエチレンテレフタレートフィルム１’
上に更に配向膜４４及び４５を形成し、ツイステッドネ
マティックで約５μｍ、表面安定化強誘電液晶モードで
約２μｍのスペーサを用いることにより良好な表示品位
の表示装置を得る。ただし上記配向膜は、無水ピロメリ
ット酸とジアミノジフェニルエーテルを蒸着重合法によ
って形成し、１５０℃で２時間焼成したものを用いた。
【００２８】
【発明の効果】この発明によれば、構造が簡単で、軽く
割れ難く、容量の大きい表示装置を構成することのでき
るアクティブ素子基板及びそれを用いた表示装置を提供
することができる。
割れ難く、容量の大きい表示装置を構成することのでき
るアクティブ素子基板及びそれを用いた表示装置を提供
することができる。
【図１】この発明の実施例で作製したアクティブ素子基
板の説明図である。
板の説明図である。
【図２】この発明の実施例で作製したアクティブ素子基
板の説明図である。
板の説明図である。
【図３】この発明の実施例で作製したアクティブ素子基
板の説明図である。
板の説明図である。
【図４】この発明の実施例で作製したアクティブ素子基
板の説明図である。
板の説明図である。
【図５】この発明の実施例で作製したアクティブ素子基
板の説明図である。
板の説明図である。
【図６】同じくそれを用いた表示装置の説明図である。
【図７】同じくそれを用いた表示装置の説明図である。
【図８】同じくそれを用いた表示装置の説明図である。
【図９】従来のアクティブ素子基板の説明図である。
【図１０】従来の表示装置の説明図である。
１ ポリエチレンテレフタレートフィルム ２ アルミニウム電極 ３ 強誘電体膜 ４ 第１ＩＴＯ電極 ４’ 第２ＩＴＯ電極 ２８ 高分子分散型液晶 ３０ ビーズ
Claims (5)
- 【請求項１】 可撓性樹脂基板上に強誘電体膜が配設さ
れ、その上又は下に第１と第２の電極が配設されてなる
アクティブ素子基板。 - 【請求項２】 強誘電体膜が、フッ化ビニリデン重合
体、フッ化ビニリデントリフルオロエチレン共重合体又
はフッ化ビニリデンテトラフルオロエチレン共重合体か
らなる請求項１のアクティブ素子基板。 - 【請求項３】 請求項１のアクティブ素子基板と対向電
極が形成された基板とが所定間隔をおいて対向して配置
され、この間に電気光学特性を有する物質が挟持されて
なる表示装置。 - 【請求項４】 電気光学特性を有する物質が、液晶であ
る請求項３の表示装置。 - 【請求項５】 電気光学特性を有する物質が、硬化した
樹脂中に担持された液晶である請求項３の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22746892A JPH0675249A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | アクティブ素子基板及びそれを用いた表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22746892A JPH0675249A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | アクティブ素子基板及びそれを用いた表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0675249A true JPH0675249A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16861355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22746892A Pending JPH0675249A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | アクティブ素子基板及びそれを用いた表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675249A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620342B1 (en) * | 2000-10-23 | 2003-09-16 | Atofina Chemicals, Inc. | Narrow composition distribution polyvinylidene fluoride RECLT films, processes, articles of manufacture and compositions |
| US7920245B2 (en) * | 2004-03-04 | 2011-04-05 | Nissan Motor Co., Ltd. | Light-modulating material with transmissivity changing in electrified state and vehicle using the same |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP22746892A patent/JPH0675249A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620342B1 (en) * | 2000-10-23 | 2003-09-16 | Atofina Chemicals, Inc. | Narrow composition distribution polyvinylidene fluoride RECLT films, processes, articles of manufacture and compositions |
| US7920245B2 (en) * | 2004-03-04 | 2011-04-05 | Nissan Motor Co., Ltd. | Light-modulating material with transmissivity changing in electrified state and vehicle using the same |
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