JPH06222351A - 反射型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH06222351A JPH06222351A JP5012919A JP1291993A JPH06222351A JP H06222351 A JPH06222351 A JP H06222351A JP 5012919 A JP5012919 A JP 5012919A JP 1291993 A JP1291993 A JP 1291993A JP H06222351 A JPH06222351 A JP H06222351A
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射型液晶表示装置の表示品位を向上する。
【構成】 基板３２，３３間には、二色性色素３５を含
む液晶層３４が介在される。基板３２は透光性を有し、
液晶層３４側表面３２ａには透明電極３６と配向膜３７
とが形成される。基板３３の液晶層３４側表面３３ａに
は、反射膜３８、１／４波長板３９、透明電極４０、お
よび配向膜４１が形成される。したがって、影が観察さ
れることが低減されて、表示品位が向上する。
む液晶層３４が介在される。基板３２は透光性を有し、
液晶層３４側表面３２ａには透明電極３６と配向膜３７
とが形成される。基板３３の液晶層３４側表面３３ａに
は、反射膜３８、１／４波長板３９、透明電極４０、お
よび配向膜４１が形成される。したがって、影が観察さ
れることが低減されて、表示品位が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反射型液晶表示装置お
よびその製造方法に関し、特に１／４波長板を用いたゲ
ストホスト（ＧＨ）モードと称される反射型液晶表示装
置およびその製造方法に関する。
よびその製造方法に関し、特に１／４波長板を用いたゲ
ストホスト（ＧＨ）モードと称される反射型液晶表示装
置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来の１／４波長板を用いたゲ
ストホスト（ＧＨ）モードの反射型液晶表示装置１の構
成を示す断面図である。反射型液晶表示装置１は、透光
性基板２，３と、液晶層４と、透明電極７，９と、配向
膜８，１０と、１／４波長板１１と、反射板１２とを含
んで構成される。たとえば、ガラスで実現される透光性
基板２，３間には、二色性色素６を含む液晶層４が介在
される。前記透光性基板２，３の液晶層４側表面２ａ，
３ａには帯状の透明電極７，９がそれぞれ形成されてお
り、該透明電極７，９が直交するように前記透光性基板
２，３が配置されている。透光性基板２，３に形成され
た透明電極７，９上には、配向膜８，１０がそれぞれ形
成されている。この配向膜８，１０の表面は、液晶層４
の液晶分子５が配向するように、たとえばラビング処理
などの配向処理が施されている。また、配向膜８，１０
の配向処理方向が互いに平行となるように前記透光性基
板２，３が配置されている。さらに、前記透光性基板３
の液晶層４側表面３ａとは反対側表面３ｂには、１／４
波長板１１と反射板１２とがこの順に配置される。この
とき、１／４波長板１１の光学軸は、液晶分子５の配向
方向と４５°の角度をなすように配置される。
ストホスト（ＧＨ）モードの反射型液晶表示装置１の構
成を示す断面図である。反射型液晶表示装置１は、透光
性基板２，３と、液晶層４と、透明電極７，９と、配向
膜８，１０と、１／４波長板１１と、反射板１２とを含
んで構成される。たとえば、ガラスで実現される透光性
基板２，３間には、二色性色素６を含む液晶層４が介在
される。前記透光性基板２，３の液晶層４側表面２ａ，
３ａには帯状の透明電極７，９がそれぞれ形成されてお
り、該透明電極７，９が直交するように前記透光性基板
２，３が配置されている。透光性基板２，３に形成され
た透明電極７，９上には、配向膜８，１０がそれぞれ形
成されている。この配向膜８，１０の表面は、液晶層４
の液晶分子５が配向するように、たとえばラビング処理
などの配向処理が施されている。また、配向膜８，１０
の配向処理方向が互いに平行となるように前記透光性基
板２，３が配置されている。さらに、前記透光性基板３
の液晶層４側表面３ａとは反対側表面３ｂには、１／４
波長板１１と反射板１２とがこの順に配置される。この
とき、１／４波長板１１の光学軸は、液晶分子５の配向
方向と４５°の角度をなすように配置される。
【０００３】ＧＨモードの表示は、液晶層に添加した二
色性色素の吸収係数の異方性を利用して行うものであ
る。たとえば、棒状構造を有する二色性色素を用いる
と、色素分子は液晶分子に平行に配向する性質を有する
ので、電界を印加／無印加して液晶分子の配向状態を変
化させることによって色素分子の配向状態も変化させる
ことが可能となる。前記二色性色素は、その分子軸方向
によって光の吸収係数が異なるので、たとえば白黒表示
を実施することが可能となる。ｐ型色素は、分子の長軸
にほぼ平行な吸収軸、すなわち遷移双極子モーメントを
有するので、長軸に平行な偏光成分を強く吸収し、垂直
な偏光成分をほとんど吸収しない。一方、ｎ型色素は、
分子の長軸にほぼ垂直な遷移双極子モーメントを有する
ので、前記ｐ型色素とは反対方向の偏光成分を吸収す
る。 図９は、前記反射型液晶表示装置１の動作原理を説明す
るための図である。ここでは、二色性色素６として前記
ｐ型色素を用い、白黒表示を行う場合について説明す
る。図９（１）は電圧無印加状態を示し、図９（２）は
電圧印加状態を示す。電圧無印加状態において液晶分子
５は配向膜８，１０の配向処理方向に沿って配向する。
したがって、二色性色素６も配向膜８，１０の配向処理
方向に沿って配向する。透光性基板２側から入射した光
１３のうち二色性色素６の分子の長軸方向に対して平行
方向に振動面を持つ光１３ａは、二色性色素６によって
吸収される。また、二色性色素６の分子の長軸方向に対
して垂直方向に振動面を持つ光１３ｂは、液晶層４を通
過する。この光１３ｂは１／４波長板１１を通過するこ
とによって円偏光に変換され、反射板１２で反射される
ことによって逆回りの円偏光となる。続いて、再び１／
４波長板１１を通過することによって二色性色素６の分
子の長軸方向に対して平行方向に振動面を持つ光１３ａ
となり、二色性色素６によって吸収される。このため、
反射型液晶表示装置１の表示は黒色表示となる。
色性色素の吸収係数の異方性を利用して行うものであ
る。たとえば、棒状構造を有する二色性色素を用いる
と、色素分子は液晶分子に平行に配向する性質を有する
ので、電界を印加／無印加して液晶分子の配向状態を変
化させることによって色素分子の配向状態も変化させる
ことが可能となる。前記二色性色素は、その分子軸方向
によって光の吸収係数が異なるので、たとえば白黒表示
を実施することが可能となる。ｐ型色素は、分子の長軸
にほぼ平行な吸収軸、すなわち遷移双極子モーメントを
有するので、長軸に平行な偏光成分を強く吸収し、垂直
な偏光成分をほとんど吸収しない。一方、ｎ型色素は、
分子の長軸にほぼ垂直な遷移双極子モーメントを有する
ので、前記ｐ型色素とは反対方向の偏光成分を吸収す
る。 図９は、前記反射型液晶表示装置１の動作原理を説明す
るための図である。ここでは、二色性色素６として前記
ｐ型色素を用い、白黒表示を行う場合について説明す
る。図９（１）は電圧無印加状態を示し、図９（２）は
電圧印加状態を示す。電圧無印加状態において液晶分子
５は配向膜８，１０の配向処理方向に沿って配向する。
したがって、二色性色素６も配向膜８，１０の配向処理
方向に沿って配向する。透光性基板２側から入射した光
１３のうち二色性色素６の分子の長軸方向に対して平行
方向に振動面を持つ光１３ａは、二色性色素６によって
吸収される。また、二色性色素６の分子の長軸方向に対
して垂直方向に振動面を持つ光１３ｂは、液晶層４を通
過する。この光１３ｂは１／４波長板１１を通過するこ
とによって円偏光に変換され、反射板１２で反射される
ことによって逆回りの円偏光となる。続いて、再び１／
４波長板１１を通過することによって二色性色素６の分
子の長軸方向に対して平行方向に振動面を持つ光１３ａ
となり、二色性色素６によって吸収される。このため、
反射型液晶表示装置１の表示は黒色表示となる。
【０００４】一方、電圧印加状態において液晶分子５は
電界方向に沿って配向する。したがって、二色性色素６
も電界方向に沿って配向する。入射した光１３は、二色
性色素６によって吸収されずに液晶層４を通過し、１／
４波長板１１で偏光されずに反射板１２で反射し、再び
１／４波長板１１を通過して液晶層４に入射する。この
とき、光１３は二色性色素６によって吸収されないの
で、入射した光１３はそのまま出射する。このため、反
射型液晶表示装置１の表示は白色表示となる。
電界方向に沿って配向する。したがって、二色性色素６
も電界方向に沿って配向する。入射した光１３は、二色
性色素６によって吸収されずに液晶層４を通過し、１／
４波長板１１で偏光されずに反射板１２で反射し、再び
１／４波長板１１を通過して液晶層４に入射する。この
とき、光１３は二色性色素６によって吸収されないの
で、入射した光１３はそのまま出射する。このため、反
射型液晶表示装置１の表示は白色表示となる。
【０００５】上述したような反射型液晶表示装置１は、
たとえばApplid Physics Letters,Vol.30,No.12,(15 Ju
ne 1977) A new reflective dichroic liquid crystald
isplay deviceにH.S.ColeおよびR.A.Kashnowによって開
示されている。
たとえばApplid Physics Letters,Vol.30,No.12,(15 Ju
ne 1977) A new reflective dichroic liquid crystald
isplay deviceにH.S.ColeおよびR.A.Kashnowによって開
示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述した反射型液晶表
示装置１では、たとえば図１０に示すように観察者１４
が表示面に対して傾斜した方向から電圧無印加領域と電
圧印加領域と観察した場合、後述する原理によって生じ
る影が観察されるので、表示品位が低下するという問題
が生じる。
示装置１では、たとえば図１０に示すように観察者１４
が表示面に対して傾斜した方向から電圧無印加領域と電
圧印加領域と観察した場合、後述する原理によって生じ
る影が観察されるので、表示品位が低下するという問題
が生じる。
【０００７】図１１は、前記影が生じる原理を説明する
ための図である。液晶層４の電圧無印加領域１５ａに入
射した光１６は、該領域１５ａを通過して直線偏光とな
り、１／４波長板１１を通過して反射板１２で反射し、
再び１／４波長板１１を通過することによって、振動方
向が９０°回転した直線偏光となる。この光１６は、再
び液晶層４の領域１５ａを通過して二色性色素６に吸収
されるので、観察者１４には、たとえば黒色表示となっ
て観察される。
ための図である。液晶層４の電圧無印加領域１５ａに入
射した光１６は、該領域１５ａを通過して直線偏光とな
り、１／４波長板１１を通過して反射板１２で反射し、
再び１／４波長板１１を通過することによって、振動方
向が９０°回転した直線偏光となる。この光１６は、再
び液晶層４の領域１５ａを通過して二色性色素６に吸収
されるので、観察者１４には、たとえば黒色表示となっ
て観察される。
【０００８】一方、液晶層４の電圧印加領域１５ｂに入
射した光１７は、該領域１５ｂを通過して反射板１２で
反射される。このとき、液晶層４の厚さに比べて基板３
の厚さの方が圧倒的に厚いので、反射光の幾らかは前記
電圧無印加領域１５ａを通過する。したがって、たとえ
ば本来白色表示となって観察される光１７が黒色表示で
ある領域１５ａを通過するので、灰色の、いわゆる影と
なって観察される。また、反対に電圧無印加領域１５ａ
を通過した光１６が反射した後、電圧印加領域１５ｂを
通過することによって影が生じることも考えられる。
射した光１７は、該領域１５ｂを通過して反射板１２で
反射される。このとき、液晶層４の厚さに比べて基板３
の厚さの方が圧倒的に厚いので、反射光の幾らかは前記
電圧無印加領域１５ａを通過する。したがって、たとえ
ば本来白色表示となって観察される光１７が黒色表示で
ある領域１５ａを通過するので、灰色の、いわゆる影と
なって観察される。また、反対に電圧無印加領域１５ａ
を通過した光１６が反射した後、電圧印加領域１５ｂを
通過することによって影が生じることも考えられる。
【０００９】このように、従来の反射型液晶表示装置１
に入射した光１６，１７は液晶層４を通過した後、基板
３を通過して反射され、再び基板３を通過して出射する
ので、表示面に対して傾斜した方向から観察する観察者
１４は影を観察することとなり、反射型液晶表示装置１
の表示品位が低下する。前記影は、基板３の厚さを薄く
することによって観察されにくくすることは可能である
が、通常約１ｍｍとされる基板３をさらに薄くすると、
強度が低下するという新たな問題が生じる。
に入射した光１６，１７は液晶層４を通過した後、基板
３を通過して反射され、再び基板３を通過して出射する
ので、表示面に対して傾斜した方向から観察する観察者
１４は影を観察することとなり、反射型液晶表示装置１
の表示品位が低下する。前記影は、基板３の厚さを薄く
することによって観察されにくくすることは可能である
が、通常約１ｍｍとされる基板３をさらに薄くすると、
強度が低下するという新たな問題が生じる。
【００１０】本発明の目的は、表示品位が向上した反射
型液晶表示装置およびその製造方法を提供することであ
る。
型液晶表示装置およびその製造方法を提供することであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも一
方基板が透光性を有する一対の絶縁性基板と、前記基板
間に介在される少なくともその分子の長軸方向に遷移双
極子モーメントを有する二色性色素を含む液晶層とを含
み、前記一対の絶縁性基板の透光性を有する一方基板で
あって、前記液晶層側表面に透明電極および配向膜がこ
の順に形成され、前記一対の絶縁性基板の他方基板であ
って、前記液晶層側表面に反射板、１／４波長板、透明
電極および、配向膜がこの順に形成されていることを特
徴とする反射型液晶表示装置である。
方基板が透光性を有する一対の絶縁性基板と、前記基板
間に介在される少なくともその分子の長軸方向に遷移双
極子モーメントを有する二色性色素を含む液晶層とを含
み、前記一対の絶縁性基板の透光性を有する一方基板で
あって、前記液晶層側表面に透明電極および配向膜がこ
の順に形成され、前記一対の絶縁性基板の他方基板であ
って、前記液晶層側表面に反射板、１／４波長板、透明
電極および、配向膜がこの順に形成されていることを特
徴とする反射型液晶表示装置である。
【００１２】また、本発明は、透光性を有する第１絶縁
性基板の一方表面に透明電極および配向膜をこの順に形
成し、第２絶縁性基板の一方表面に反射板、１／４波長
板、透明電極および配向膜をこの順に形成し、前記第１
絶縁性基板の一方表面と第２絶縁性基板の一方表面とが
対向するように配置し、前記基板間に少なくともその分
子の長軸方向に遷移双極子モーメントを有する二色性色
素を含む液晶層を注入して封止することを特徴とする反
射型液晶表示装置の製造方法である。
性基板の一方表面に透明電極および配向膜をこの順に形
成し、第２絶縁性基板の一方表面に反射板、１／４波長
板、透明電極および配向膜をこの順に形成し、前記第１
絶縁性基板の一方表面と第２絶縁性基板の一方表面とが
対向するように配置し、前記基板間に少なくともその分
子の長軸方向に遷移双極子モーメントを有する二色性色
素を含む液晶層を注入して封止することを特徴とする反
射型液晶表示装置の製造方法である。
【００１３】また、本発明は、前記１／４波長板が高分
子フィルムから成り、前記反射板上に接着剤によって貼
付されることを特徴とする。
子フィルムから成り、前記反射板上に接着剤によって貼
付されることを特徴とする。
【００１４】また、本発明は、前記１／４反射板が液晶
高分子から成り、前記液晶高分子を加熱し、加熱または
冷却した前記反射板上に付着させることを特徴とする。
高分子から成り、前記液晶高分子を加熱し、加熱または
冷却した前記反射板上に付着させることを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明に従えば、一対の絶縁性基板間には二色
性色素を含む液晶層が介在され、前記一対の絶縁性基板
のうち透光性を有する一方基板の液晶層側表面には、透
明電極と配向膜とがこの順に形成され、他方基板の液晶
層側表面には、反射板と１／４波長板と透明電極と配向
膜とがこの順に形成される。したがって、一方基板側か
ら入射した光は液晶層を通過した後、他方基板の液晶層
側表面に形成された反射板によって反射されるので、影
が観察されることが低減されて反射型液晶表示装置の表
示品位が向上する。
性色素を含む液晶層が介在され、前記一対の絶縁性基板
のうち透光性を有する一方基板の液晶層側表面には、透
明電極と配向膜とがこの順に形成され、他方基板の液晶
層側表面には、反射板と１／４波長板と透明電極と配向
膜とがこの順に形成される。したがって、一方基板側か
ら入射した光は液晶層を通過した後、他方基板の液晶層
側表面に形成された反射板によって反射されるので、影
が観察されることが低減されて反射型液晶表示装置の表
示品位が向上する。
【００１６】また、本発明に従えば、第１絶縁性基板の
一方表面には、透明電極と配向膜とがこの順に形成さ
れ、第２絶縁性基板の一方表面には、反射板と１／４波
長板と透明電極と配向膜とがこの順に形成された後、第
１および第２絶縁性基板の互いの一方表面が対向するよ
うに配置され、両者間に二色性色素を含む液晶層が注入
されて封止される。このため、上述した効果を有する反
射型液晶表示装置が得られる。
一方表面には、透明電極と配向膜とがこの順に形成さ
れ、第２絶縁性基板の一方表面には、反射板と１／４波
長板と透明電極と配向膜とがこの順に形成された後、第
１および第２絶縁性基板の互いの一方表面が対向するよ
うに配置され、両者間に二色性色素を含む液晶層が注入
されて封止される。このため、上述した効果を有する反
射型液晶表示装置が得られる。
【００１７】さらに、前記１／４波長板は高分子フィル
ムから成り、前記反射板上に接着剤によって貼付されて
形成される。またさらに、前記１／４波長板は液晶高分
子から成り、該液晶高分子を加熱し、別途加熱または冷
却した前記反射板上に付着させて形成される。このた
め、上述した効果を有する反射型液晶表示装置が得られ
る。
ムから成り、前記反射板上に接着剤によって貼付されて
形成される。またさらに、前記１／４波長板は液晶高分
子から成り、該液晶高分子を加熱し、別途加熱または冷
却した前記反射板上に付着させて形成される。このた
め、上述した効果を有する反射型液晶表示装置が得られ
る。
【００１８】
【実施例】図１は、本発明の第１の実施例である１／４
波長板３９を用いたゲストホスト（ＧＨ）モードの反射
型液晶表示装置３１の構成を示す断面図である。反射型
液晶表示装置３１は、基板３２，３３、液晶層３４、二
色性色素３５、透明電極３６，４０、配向膜３７，４
１、反射膜３８、および１／４波長板３９を含んで構成
される。
波長板３９を用いたゲストホスト（ＧＨ）モードの反射
型液晶表示装置３１の構成を示す断面図である。反射型
液晶表示装置３１は、基板３２，３３、液晶層３４、二
色性色素３５、透明電極３６，４０、配向膜３７，４
１、反射膜３８、および１／４波長板３９を含んで構成
される。
【００１９】基板３２，３３は、たとえばガラス、石
英、プラスチックなどの絶縁性を有するもので実現さ
れ、また少なくとも基板３２は透光性を有するもので実
現される。基板３２，３３間には二色性色素３５を含む
液晶層３４が介在される。前記液晶層３４はネマティッ
ク液晶で実現され、前記二色性色素３５はその分子の長
軸にほぼ平行な遷移双極子モーメントを有する、いわゆ
るｐ型色素で実現される。
英、プラスチックなどの絶縁性を有するもので実現さ
れ、また少なくとも基板３２は透光性を有するもので実
現される。基板３２，３３間には二色性色素３５を含む
液晶層３４が介在される。前記液晶層３４はネマティッ
ク液晶で実現され、前記二色性色素３５はその分子の長
軸にほぼ平行な遷移双極子モーメントを有する、いわゆ
るｐ型色素で実現される。
【００２０】前記基板３２の液晶３４側表面３２ａに
は、図示しない、たとえばＺｎＯを用いたバリスタや、
たとえばＴａ2Ｏ5を用いたＭＩＭ(Metal-Insulator-Met
al）素子などの二端子素子で実現されるスイッチング素
子と、たとえばＩＴＯ（IndiumTin Oxide）で実現される
液晶駆動用の透明電極３６とが形成される。透明電極３
６は図２に示されるようなマトリクス状に形成される。
スイッチング素子と透明電極３６とが形成された基板３
２の表面３２ａには、さらに、たとえばポリイミド樹脂
で実現される配向膜３７が形成される。この配向膜３７
の表面は、液晶分子３４ａを配向させるために、たとえ
ばラビング処理で実現される配向処理が施されている。
は、図示しない、たとえばＺｎＯを用いたバリスタや、
たとえばＴａ2Ｏ5を用いたＭＩＭ(Metal-Insulator-Met
al）素子などの二端子素子で実現されるスイッチング素
子と、たとえばＩＴＯ（IndiumTin Oxide）で実現される
液晶駆動用の透明電極３６とが形成される。透明電極３
６は図２に示されるようなマトリクス状に形成される。
スイッチング素子と透明電極３６とが形成された基板３
２の表面３２ａには、さらに、たとえばポリイミド樹脂
で実現される配向膜３７が形成される。この配向膜３７
の表面は、液晶分子３４ａを配向させるために、たとえ
ばラビング処理で実現される配向処理が施されている。
【００２１】一方、前記基板３３の液晶層３４側表面３
３ａには、たとえばアルミニウムで実現される反射膜３
８と、たとえばポリスチレン、ポロプロピレン、ポリカ
ーボネート、ポリエチレンテレフタレートなどの高分子
フィルムで実現される１／４波長板３９とがこの順に形
成される。前記高分子フィルムは、そのリタデーション
値が５５０ｎｍの１／４、すなわち約１３７．５ｎｍと
なるように膜厚および延伸度が調整されている。また、
１／４波長板３９の表面には、透明電極４０と配向膜４
１とがこの順に形成される。透明電極４０は前記透明電
極３６と同様に、たとえばＩＴＯで実現され、図３に示
されるような帯状に形成される。配向膜４１は前記配向
膜３７と同様に、たとえばポリイミド樹脂で実現され、
その表面にはラビング処理などの配向処理が施されてい
る。
３ａには、たとえばアルミニウムで実現される反射膜３
８と、たとえばポリスチレン、ポロプロピレン、ポリカ
ーボネート、ポリエチレンテレフタレートなどの高分子
フィルムで実現される１／４波長板３９とがこの順に形
成される。前記高分子フィルムは、そのリタデーション
値が５５０ｎｍの１／４、すなわち約１３７．５ｎｍと
なるように膜厚および延伸度が調整されている。また、
１／４波長板３９の表面には、透明電極４０と配向膜４
１とがこの順に形成される。透明電極４０は前記透明電
極３６と同様に、たとえばＩＴＯで実現され、図３に示
されるような帯状に形成される。配向膜４１は前記配向
膜３７と同様に、たとえばポリイミド樹脂で実現され、
その表面にはラビング処理などの配向処理が施されてい
る。
【００２２】図４は、反射型液晶表示装置３１を作成す
る手順を示す工程図である。工程ａ１では基板３３の表
面３３ａ上に反射膜３８が形成される。アルミニウムで
実現される反射膜３８は、該アルミニウムをスパッタリ
ング法を用いて成膜することによって形成される。工程
ａ２では、前記反射膜３８上に１／４波長板３９が形成
される。該１／４波長板３９は、前述した高分子フィル
ムを接着剤によって貼合わせることによって形成され
る。工程ａ３では、前記１／４波長板３９上に透明電極
４０が形成される。ＩＴＯで実現される透明電極４０
は、該ＩＴＯをスパッタリング法によって全面に成膜し
た後、フォトリソグラフィ法によって、図３に示すよう
な帯状にパターン形成される。工程ａ４では、前記透明
電極４０上に配向膜４１が形成される。ポリイミド樹脂
で実現される配向膜４１は、該ポリイミド樹脂を全面に
成膜した後、その表面にラビング処理を施すことによっ
て形成される。この際、ラビング処理方向は、前記１／
４波長板３９の光学軸方向と４５°の角度となるように
形成される。
る手順を示す工程図である。工程ａ１では基板３３の表
面３３ａ上に反射膜３８が形成される。アルミニウムで
実現される反射膜３８は、該アルミニウムをスパッタリ
ング法を用いて成膜することによって形成される。工程
ａ２では、前記反射膜３８上に１／４波長板３９が形成
される。該１／４波長板３９は、前述した高分子フィル
ムを接着剤によって貼合わせることによって形成され
る。工程ａ３では、前記１／４波長板３９上に透明電極
４０が形成される。ＩＴＯで実現される透明電極４０
は、該ＩＴＯをスパッタリング法によって全面に成膜し
た後、フォトリソグラフィ法によって、図３に示すよう
な帯状にパターン形成される。工程ａ４では、前記透明
電極４０上に配向膜４１が形成される。ポリイミド樹脂
で実現される配向膜４１は、該ポリイミド樹脂を全面に
成膜した後、その表面にラビング処理を施すことによっ
て形成される。この際、ラビング処理方向は、前記１／
４波長板３９の光学軸方向と４５°の角度となるように
形成される。
【００２３】工程ａ５では、基板３２の表面３２ａに前
述したスイッチング素子が形成される。工程ａ６ではス
イッチング素子を形成した基板３２の表面３２ａ上に透
明電極３６が形成される。該透明電極３６は、前記工程
ａ３と同様にして、図２に示すようなマトリクス状にパ
ターン形成される。工程ａ７では、前記透明電極３６上
に配向膜３７が形成される。配向膜３７は、前記工程ａ
４と同様にして形成される。
述したスイッチング素子が形成される。工程ａ６ではス
イッチング素子を形成した基板３２の表面３２ａ上に透
明電極３６が形成される。該透明電極３６は、前記工程
ａ３と同様にして、図２に示すようなマトリクス状にパ
ターン形成される。工程ａ７では、前記透明電極３６上
に配向膜３７が形成される。配向膜３７は、前記工程ａ
４と同様にして形成される。
【００２４】工程ａ８では、基板３２と基板３３とが貼
合わせられる。基板３２，３３の表面３２ａ，３３ａが
対向するように配置されるとともに、配向膜３７，４１
の配向処理方向が平行となるように配置される。また、
両者間には、たとえば直径が８μｍのプラスチックスペ
ーサが介在される。このため、基板３２，３３の間隔が
一定に保持される。工程ａ９では、前記基板３２，３３
の間に二色性色素３５を含む液晶が注入され、液晶層３
４が形成される。工程ａ１０では、前記工程ａ８で液晶
を注入した注入口が封止される。
合わせられる。基板３２，３３の表面３２ａ，３３ａが
対向するように配置されるとともに、配向膜３７，４１
の配向処理方向が平行となるように配置される。また、
両者間には、たとえば直径が８μｍのプラスチックスペ
ーサが介在される。このため、基板３２，３３の間隔が
一定に保持される。工程ａ９では、前記基板３２，３３
の間に二色性色素３５を含む液晶が注入され、液晶層３
４が形成される。工程ａ１０では、前記工程ａ８で液晶
を注入した注入口が封止される。
【００２５】続いて、反射型液晶表示装置３１を用いて
白黒表示を行う場合の動作について説明する。電圧無印
加状態には、液晶分子３４ａは配向膜３７，４１の配向
処理方向に沿って、すなわち基板３２，３３に対して平
行方向に配向し、二色性色素３５も同様に配向する。基
板３２側から入射した光が液晶層３４に入射すると、該
光のうち二色性色素３５の分子の長軸方向に対して平行
方向に振動面を持つ光が二色性色素３５によって吸収さ
れる。また、二色性色素３５の分子の長軸方向に対して
垂直方向に振動面を持つ光は液晶層３４を通過し、基板
３３の表面３３ａに形成された１／４波長板３９で円偏
光とされ、反射膜３８で反射する。このとき、前記光の
偏光が逆回りとなり、再び１／４波長板３９を通過し、
二色性色素３５の分子の長軸方向に対して平行方向に振
動面を持つ光となる。この光は、二色性色素３５によっ
て吸収されるので、黒色表示となる。
白黒表示を行う場合の動作について説明する。電圧無印
加状態には、液晶分子３４ａは配向膜３７，４１の配向
処理方向に沿って、すなわち基板３２，３３に対して平
行方向に配向し、二色性色素３５も同様に配向する。基
板３２側から入射した光が液晶層３４に入射すると、該
光のうち二色性色素３５の分子の長軸方向に対して平行
方向に振動面を持つ光が二色性色素３５によって吸収さ
れる。また、二色性色素３５の分子の長軸方向に対して
垂直方向に振動面を持つ光は液晶層３４を通過し、基板
３３の表面３３ａに形成された１／４波長板３９で円偏
光とされ、反射膜３８で反射する。このとき、前記光の
偏光が逆回りとなり、再び１／４波長板３９を通過し、
二色性色素３５の分子の長軸方向に対して平行方向に振
動面を持つ光となる。この光は、二色性色素３５によっ
て吸収されるので、黒色表示となる。
【００２６】一方、電圧印加時には、液晶分子３４ａは
電界方向に沿って、すなわち基板３２，３３に対して垂
直方向に配向し、二色性色素３５も同様に配向する。基
板３２側から入射した光は、二色性色素３５によって吸
収されずに液晶層３４を通過し、１／４波長板３９で偏
光されずに反射膜３８で反射する。反射した光は、再び
１／４波長板３９を通過し、液晶層３４で吸収されずに
出射する。したがって、白色表示となる。
電界方向に沿って、すなわち基板３２，３３に対して垂
直方向に配向し、二色性色素３５も同様に配向する。基
板３２側から入射した光は、二色性色素３５によって吸
収されずに液晶層３４を通過し、１／４波長板３９で偏
光されずに反射膜３８で反射する。反射した光は、再び
１／４波長板３９を通過し、液晶層３４で吸収されずに
出射する。したがって、白色表示となる。
【００２７】このように、第１の実施例の反射型液晶表
示装置３１に入射した光は、基板３３を通過することな
く反射するので、観察者が表示面に対して傾斜した方向
から観察した場合、従来のような影が観察されることは
低減され、反射型液晶表示装置３１の表示品位が向上す
る。
示装置３１に入射した光は、基板３３を通過することな
く反射するので、観察者が表示面に対して傾斜した方向
から観察した場合、従来のような影が観察されることは
低減され、反射型液晶表示装置３１の表示品位が向上す
る。
【００２８】図５は、本発明の第２の実施例である反射
型液晶表示装置４２の構成を示す断面図である。反射型
液晶表示装置４２は、第１の実施例である反射型液晶表
示装置３１とほぼ同じように構成されるが、基板３２に
形成されるスイッチング素子の形状と、基板３３に形成
される透明電極４０の形状とが異なることを特徴とす
る。
型液晶表示装置４２の構成を示す断面図である。反射型
液晶表示装置４２は、第１の実施例である反射型液晶表
示装置３１とほぼ同じように構成されるが、基板３２に
形成されるスイッチング素子の形状と、基板３３に形成
される透明電極４０の形状とが異なることを特徴とす
る。
【００２９】基板３２の液晶層３４側表面３２ａには、
図示しないａ−Ｓｉ ＴＦＴ(ThinFilm Transistor)素
子などの三端子素子で実現されるスイッチング素子と、
透明電極３６とが形成される。透明電極３６は、第１の
実施例と同様に、図２に示されるようなマトリクス状に
形成される。スイッチング素子と透明電極３６とが形成
された基板３２の表面３２ａには、さらに配向膜３７が
形成される。
図示しないａ−Ｓｉ ＴＦＴ(ThinFilm Transistor)素
子などの三端子素子で実現されるスイッチング素子と、
透明電極３６とが形成される。透明電極３６は、第１の
実施例と同様に、図２に示されるようなマトリクス状に
形成される。スイッチング素子と透明電極３６とが形成
された基板３２の表面３２ａには、さらに配向膜３７が
形成される。
【００３０】一方、基板３３の液晶層３４側表面３３ａ
には、反射膜３８と１／４波長板３９とがこの順に形成
され、さらに透明電極４０が形成される。ＩＴＯで実現
される透明電極４０は、基板３３の周辺領域にマスクが
配置されてスパッタリング法によって形成され、図６に
示されるように基板３３の周辺領域以外の領域全面に形
成される。透明電極４０が形成された基板３３の表面３
３ａには、さらに配向膜４１が形成される。
には、反射膜３８と１／４波長板３９とがこの順に形成
され、さらに透明電極４０が形成される。ＩＴＯで実現
される透明電極４０は、基板３３の周辺領域にマスクが
配置されてスパッタリング法によって形成され、図６に
示されるように基板３３の周辺領域以外の領域全面に形
成される。透明電極４０が形成された基板３３の表面３
３ａには、さらに配向膜４１が形成される。
【００３１】このような構成の反射型液晶表示装置４２
に入射した光は、第１の実施例と同様に基板３３を通過
することなく反射するので、観察者が表示面に対して傾
斜した方向から観察した場合、従来のような影が観察さ
れることは低減され、反射型液晶表示装置４２の表示品
位が向上する。
に入射した光は、第１の実施例と同様に基板３３を通過
することなく反射するので、観察者が表示面に対して傾
斜した方向から観察した場合、従来のような影が観察さ
れることは低減され、反射型液晶表示装置４２の表示品
位が向上する。
【００３２】次に、本発明の第３の実施例である反射型
液晶表示装置の構成について説明する。第３の実施例で
ある反射型液晶表示装置は、第１の実施例あるいは第２
の実施例とほぼ同じように構成されるが、基板３３上に
形成される１／４波長板３９が液晶高分子から成り、押
出方法によって形成されることを特徴とする。
液晶表示装置の構成について説明する。第３の実施例で
ある反射型液晶表示装置は、第１の実施例あるいは第２
の実施例とほぼ同じように構成されるが、基板３３上に
形成される１／４波長板３９が液晶高分子から成り、押
出方法によって形成されることを特徴とする。
【００３３】基板３３の液晶層３４側表面３３ａには、
反射膜３８が形成され、さらにその表面には液晶高分子
から成る１／４波長板３９が形成される。この液晶高分
子は、たとえばポリエステル系樹脂などの溶融状態で液
晶相を示し、常温でガラス相を示す材料、またはガラス
転移温度が室温以上の材料、すなわちサーモトロピック
液晶高分子で実現される。このような液晶高分子から成
る１／４波長板３９は、後述する押出方法によって形成
される。１／４波長板３９の表面には、第１の実施例あ
るいは第２の実施例と同様にして透明電極４０と配向膜
４１とが形成される。
反射膜３８が形成され、さらにその表面には液晶高分子
から成る１／４波長板３９が形成される。この液晶高分
子は、たとえばポリエステル系樹脂などの溶融状態で液
晶相を示し、常温でガラス相を示す材料、またはガラス
転移温度が室温以上の材料、すなわちサーモトロピック
液晶高分子で実現される。このような液晶高分子から成
る１／４波長板３９は、後述する押出方法によって形成
される。１／４波長板３９の表面には、第１の実施例あ
るいは第２の実施例と同様にして透明電極４０と配向膜
４１とが形成される。
【００３４】図７は、液晶高分子４４の押出方法を説明
するための斜視図である。反射膜３８が形成された基板
３３は、加熱および冷却機能を備えた保持部材４３上に
真空吸着法で固定される。また、液晶高分子４４は高温
槽４５内で加熱されて溶融状態、すなわち液晶相とされ
る。溶融状態とされた液晶高分子４４は、高温槽４５に
形成されたスリット４６から適当な押出速度で押出され
て、基板３３の反射膜３８上に付着される。１／４波長
板である液晶高分子４４のリタデーション値は、成膜時
の温度、押出速度、冷却速度などによって５５０ｎｍの
１／４、すなわち約１３７．５ｎｍとなるように調整さ
れる。また、リタデーション値の最適化は、前記方法の
他に溶融状態で電場あるいは磁場を印加した後、徐冷す
る方法であってもかまわない。
するための斜視図である。反射膜３８が形成された基板
３３は、加熱および冷却機能を備えた保持部材４３上に
真空吸着法で固定される。また、液晶高分子４４は高温
槽４５内で加熱されて溶融状態、すなわち液晶相とされ
る。溶融状態とされた液晶高分子４４は、高温槽４５に
形成されたスリット４６から適当な押出速度で押出され
て、基板３３の反射膜３８上に付着される。１／４波長
板である液晶高分子４４のリタデーション値は、成膜時
の温度、押出速度、冷却速度などによって５５０ｎｍの
１／４、すなわち約１３７．５ｎｍとなるように調整さ
れる。また、リタデーション値の最適化は、前記方法の
他に溶融状態で電場あるいは磁場を印加した後、徐冷す
る方法であってもかまわない。
【００３５】このようにして形成される反射型液晶表示
装置に入射した光は、第１および第２の実施例と同様に
基板３３を通過することなく反射するので、観察者が表
示面に対して傾斜した方向から観察した場合、従来のよ
うな影が観察されることは低減され、第３の実施例によ
る反射型液晶表示装置の表示品位が向上する。
装置に入射した光は、第１および第２の実施例と同様に
基板３３を通過することなく反射するので、観察者が表
示面に対して傾斜した方向から観察した場合、従来のよ
うな影が観察されることは低減され、第３の実施例によ
る反射型液晶表示装置の表示品位が向上する。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、一方基板
側から入射した光は、他方基板を通過することなく反射
して出射するので、観察者が表示面に対して傾斜した方
向から観察した場合、影が観察されることは低減され、
反射型液晶表示装置の表示品位が向上する。また、本発
明によれば上述した効果を有する反射型液晶表示装置が
得られる。
側から入射した光は、他方基板を通過することなく反射
して出射するので、観察者が表示面に対して傾斜した方
向から観察した場合、影が観察されることは低減され、
反射型液晶表示装置の表示品位が向上する。また、本発
明によれば上述した効果を有する反射型液晶表示装置が
得られる。
【図１】本発明の第１の実施例である反射型液晶表示装
置３１の構成を示す断面図である。
置３１の構成を示す断面図である。
【図２】反射型液晶表示装置３１における基板３２の平
面図である。
面図である。
【図３】反射型液晶表示装置３１における基板３３の平
面図である。
面図である。
【図４】反射型液晶表示装置３１を作成する手順を示す
工程図である。
工程図である。
【図５】本発明の第２の実施例である反射型液晶表示装
置４２の構成を示す断面図である。
置４２の構成を示す断面図である。
【図６】反射型液晶表示装置４２における基板３３の平
面図である。
面図である。
【図７】本発明の第３の実施例における液晶高分子４４
の押出方法を説明するための斜視図である。
の押出方法を説明するための斜視図である。
【図８】従来の反射型液晶表示装置１の構成を示す断面
図である。
図である。
【図９】反射型液晶表示装置１の動作原理を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図１０】反射型液晶表示装置１の観察状態を示す断面
図である。
図である。
【図１１】影が生じる原理を説明するための図である。
３１，４２ 反射型液晶表示装置 ３２，３３ 基板 ３４ 液晶層 ３５ 二色性色素 ３６，４０ 透明電極 ３７，４１ 配向膜 ３８ 反射膜 ３９ １／４波長板 ４４ 液晶高分子
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも一方基板が透光性を有する一
対の絶縁性基板と、前記基板間に介在される少なくとも
その分子の長軸方向に遷移双極子モーメントを有する二
色性色素を含む液晶層とを含み、 前記一対の絶縁性基板の透光性を有する一方基板であっ
て、前記液晶層側表面に透明電極および配向膜がこの順
に形成され、 前記一対の絶縁性基板の他方基板であって、前記液晶層
側表面に反射板、１／４波長板、透明電極および配向膜
がこの順に形成されていることを特徴とする反射型液晶
表示装置。 - 【請求項２】 透光性を有する第１絶縁性基板の一方表
面に透明電極および配向膜をこの順に形成し、 第２絶縁性基板の一方表面に反射板、１／４波長板、透
明電極および、配向膜をこの順に形成し、 前記第１絶縁性基板の一方表面と第２絶縁性基板の一方
表面とが対向するように配置し、前記基板間に少なくと
もその分子の長軸方向に遷移双極子モーメントを有する
二色性色素を含む液晶層を注入して封止することを特徴
とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記１／４波長板が高分子フィルムから
成り、前記反射板上に接着剤によって貼付されることを
特徴とする請求項２記載の反射型液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項４】 前記１／４反射板が液晶高分子から成
り、前記液晶高分子を加熱し、加熱または冷却した前記
反射板上に付着させることを特徴とする請求項２記載の
反射型液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5012919A JPH06222351A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5012919A JPH06222351A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06222351A true JPH06222351A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11818749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5012919A Pending JPH06222351A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06222351A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960038448A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-11-21 | ||
| EP0754962A2 (en) * | 1995-07-19 | 1997-01-22 | Sony Corporation | Reflective guest-host liquid-crystal display device |
| EP0699938A3 (en) * | 1994-09-01 | 1997-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US6016178A (en) * | 1996-09-13 | 2000-01-18 | Sony Corporation | Reflective guest-host liquid-crystal display device |
| US6473140B1 (en) * | 1994-09-28 | 2002-10-29 | Nec Corporation | Active matrix liquid crystal display |
-
1993
- 1993-01-28 JP JP5012919A patent/JPH06222351A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0699938A3 (en) * | 1994-09-01 | 1997-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| EP0864907A2 (en) * | 1994-09-01 | 1998-09-16 | SHARP Corporation | Liquid crystal display |
| EP0864907A3 (en) * | 1994-09-01 | 1999-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US6473140B1 (en) * | 1994-09-28 | 2002-10-29 | Nec Corporation | Active matrix liquid crystal display |
| KR960038448A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-11-21 | ||
| EP0754962A2 (en) * | 1995-07-19 | 1997-01-22 | Sony Corporation | Reflective guest-host liquid-crystal display device |
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