JPH0980454A

JPH0980454A - 強誘電性液晶表示装置

Info

Publication number: JPH0980454A
Application number: JP23515695A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Kishimoto; 和之岸本
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1995-09-13
Filing date: 1995-09-13
Publication date: 1997-03-28

Abstract

(57)【要約】【課題】階調表示が可能な強誘電性液晶表示装置を提
供する。【解決手段】対向する２つの基板のそれぞれの対向面
に複数の平行帯状電極及び配向制御膜がこの順で形成さ
れ、該配向制御膜間に強誘電性液晶層が挟持されてな
り、前記平行帯状電極を互いに直交するように対向さ
せ、対向する平行帯状電極の対向部に存在する画素部か
らなり、画素部に存在する前記平行帯状電極のうちの少
なくとも一方が所望の形状にパターニングされ、画素部
内の両側基板共に平行帯状電極がある部分では、強誘電
性液晶層に含まれる強誘電性液晶分子が双安定状態のど
ちらか一方の配向状態を印加信号に応じてとり、片側基
板又は両側基板共に平行帯状電極がない部分では、反転
したドメインの存在比率が制御されることによって階調
表示を得ることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電性液晶表示
装置に関する。更に詳しくは、本発明は、階調表示が可
能な強誘電性液晶表示装置に関する。本発明の強誘電性
液晶表示装置は、例えば、パソコン、ワープロ、テレ
ビ、時計、ビデオカメラ等の表示装置として有用であ
る。

【０００２】

【従来の技術】強誘電性液晶は、従来のネマチック液晶
と比較して応答速度が非常に早く、メモリ性を有してい
るので、ＴＦＴ等を用いたアクティブマトリクス駆動を
必要としない等の大きな利点を有している。しかしなが
ら、強誘電性液晶は一般に双安定な２つの配向方向しか
取ることができないため、中間調を得るための階調表示
技術が困難であるという欠点を有している。

【０００３】そこで、強誘電性液晶を使用して階調表示
を得る手段の１つとして、画素電極をパターニングし
て、画素電極内に電界強度分布をつくり、強誘電性液晶
の２つの安定状態に対応する２つのドメインの存在比率
を制御してアナログ的に階調を作る方法が提案されてい
る。例えば、特開平第２−２０４７２１号公報には、画
素電極内に少なくとも１つ以上の間隙を形成することに
より電界強度分布を作り、２つのドメインの存在比率を
制御することが記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】特開平第２−２０４７
２１号公報において、画素部内での電界強度分布を詳細
に考慮すると、電極をパターニングによって取り除いた
部分の近傍では大きな電界強度差が得られ、アナログ階
調に利用することができる。しかし、上下電極共にパタ
ーニングされていない領域では電界強度の差が小さく、
アナログ階調には適さず、十分なアナログ階調特性が得
られるかどうかの疑問が残っていた。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明者は鋭意検討の結果、階調表示を行うために
必要な特性差のある複数の領域を有し、良好な配向状態
を示し、かつ困難な製造工程の必要のない新規な強誘電
性液晶表示装置を見出し本発明に至った。かくして本発
明によれば、対向する２つの基板のそれぞれの対向面に
複数の平行帯状電極及び配向制御膜がこの順で形成さ
れ、該配向制御膜間に強誘電性液晶層が挟持されてな
り、前記平行帯状電極を互いに直交するように対向さ
せ、対向する平行帯状電極の対向部に存在する画素部か
らなり、画素部に存在する前記平行帯状電極のうちの少
なくとも一方が所望の形状にパターニングされ、画素部
内の両側基板共に平行帯状電極がある部分では、強誘電
性液晶層に含まれる強誘電性液晶分子が双安定状態のど
ちらか一方の配向状態を印加信号に応じてとり、片側基
板又は両側基板共に平行帯状電極がない部分では、反転
したドメインの存在比率が制御されることによって階調
表示を得ることを特徴とする強誘電性液晶表示装置が提
供される。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明に使用できる基板は、当該
分野で公知の基板をいずれも使用することができる。例
えば、ガラス、石英、セラミック、樹脂等が挙げられ
る。また、基板は少なくとも一方が透明であることが必
要とされる。対向する２つの基板上には、例えば厚さ２
０〜２００ｎｍ、間隔０．５〜３μｍ及び幅１００〜数
１００μｍの平行帯状電極が互いに直交するように配置
される。ここで用語「直交」は、厳密な意味ではなく、
ほぼ９０°で交わることを意味する。

【０００７】本発明では、基板上に存在する平行帯状電
極の内、少なくとも一方（両方でもよい）が所望の形状
にパターニングされる。パターニングは、平行帯状電極
の交点にあたる画素部の全面に渡って施される。パター
ニング形状は、特に限定されないが、例えば、図２
（ａ）〜（ｃ）に示すような形状が挙げられる。これら
の形状の内、図２（ａ）のストライプ状が好ましい。

【０００８】ストライプ状にパターニングする場合、ピ
ッチは２〜２０μｍであることが好ましい。ピッチがこ
の範囲であれば、場所による電界強度差が適当に得ら
れ、アナログ階調に適し、最も電界強度が弱くなる部分
でも駆動ができるので好ましい。また、ストライプ状パ
ターンの開口部の幅は、１〜１０μｍが好ましい。平行
帯状電極に使用できる材料は、基板が透明な場合は、透
明な材料が用いられ、そのような材料として例えばイン
ジウム酸化錫（ＩＴＯ）、酸化錫、酸化インジウム等が
挙げられる。不透明な基板の場合は、特に限定されず、
インジウム酸化錫、酸化錫、酸化インジウム等の他、ア
ルミニウム、タンタル、モリブデン、ニッケル、金、
銅、クロム等からなる不透明な材料を使用することがで
きる。平行帯状電極の形成方法及び平行帯状電極にパタ
ーンを形成する方法は、例えばＭＯＣＶＤ法、蒸着法、
スパッタリング法等で形成された金属層を、レジスト等
をマスクとして所望の形状にエッチングする方法が挙げ
られる。

【０００９】次に、上記平行帯状電極が形成された基板
上には、例えば厚さ０．０２〜０．１μｍの配向制御膜
が形成される。本発明に使用できる配向制御膜は、公知
のものをいずれも使用することができ、例えば、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＮｘ等の無機系配向制御膜、ナイロン、ポリビ
ニルアルコール、ポリイミド、高分子液晶等の有機系配
向制御膜が挙げられる。配向制御膜の形成方法として
は、無機系配向制御膜の場合、例えば蒸着法、スパッタ
リング法等が挙げられ、有機系配向制御膜の場合、ポリ
マーを溶かした溶液をスピンナー塗布法、浸漬塗布法、
スクリーン印刷法、ロール印刷法等で塗布し、所定の硬
化条件（加熱、光照射等）で硬化させて形成する方法が
挙げられる。また、ラングミュア−ブロジェット法で形
成することもできる。

【００１０】前記配向制御膜の少なくとも一方には、配
向処理が施されていてもよい。配向処理法としては、ラ
ビング法、イオンビーム照射法等の公知の方法をいずれ
も使用することができる。ここで、大画面の液晶表示装
置を量産する場合は、ラビング法を使用することが好ま
しい。ラビング法としては、パラレルラビング法（一対
の基板の両方にラビング処理を施し、ラビング方向が同
一になるように貼り合わせる方法）、アンチパラレルラ
ビング法（一対の基板の両方にラビング処理を施し、ラ
ビング方向が逆になるように貼り合わせる方法）、片ラ
ビング法（一対の基板の片方にのみラビング処理を施す
方法）が挙げられる。

【００１１】また、配向制御膜のラビング処理の方向
は、ストライプ状のパターンの場合はそのパターンの長
手方向と平行になるように行うことが特に好ましい。前
記のように平行帯状電極及び配向制御膜がそれぞれ形成
された一対の基板を貼り合わせ、強誘電性液晶層を挟持
させる。挟持方法としては、例えば、強誘電性液晶層の
厚さを制御するためのスペーサーを予め一方の基板に散
布し、他方の基板の表示領域外にシール樹脂を塗布し、
次いで基板を貼り合わせることにより生じた間隙に強誘
電性液晶を注入する方法が挙げられる。スペーサーは、
特に限定されず、直径１〜３０μｍ、好ましくは１〜１
５μｍのガラスビーズ、シリカビーズ、プラスチックビ
ーズ等を使用することができる。更に、表面を樹脂で被
覆したもの、薬品処理したものも使用でき、用途に応じ
て、有色のスペーサーを使用することができる。

【００１２】本発明に使用できる強誘電性液晶は、特に
限定されず、例えば、側鎖にシアノ基、フッ素基等の極
性の強い官能基を有する液晶、フェニルピリミジン系液
晶等が挙げられる。また、強誘電性液晶層に含まれる強
誘電性液晶分子は、両方の基板の界面におけるプレティ
ルトの方向が同一であり、かつ強誘電性液晶層がシェブ
ロン層構造を有し、シェブロン層構造の折れ曲がり方向
と同一のプレティルトの方向を有することが好ましい。
強誘電性液晶層は、通常層構造が“く”の字形に折れ曲
がるシェブロン層構造をとり、Ｃ１配向とＣ２配向の２
種類の配向状態が存在する。ここで、Ｃ２配向とは、一
対の基板の界面において強誘電性液晶分子のプレティル
トの方向と、シェブロン層構造の折れ曲がり方向とが同
一である配向状態をいう。また、Ｃ１配向とは、シェブ
ロン層構造の折れ曲がり方向とプレティルトの方向とが
逆である配向状態をいう。更に、Ｃ１配向とＣ２配向
は、それぞれユニフォーム（Ｕ）配向とツイスト（Ｔ）
配向に分けられるが、実用上は図４（ａ）及び（ｂ）に
示すようなＣ１Ｕ配向とＣ２Ｕ配向が使用される。な
お、Ｃ２Ｕ配向は、Ｃ１Ｕ配向に比べて温度変化に対し
て安定であり、応答速度が速く、良好なメモリ性を有す
るので、Ｃ２Ｕ配向を示す強誘電性液晶を使用すること
が好ましい。

【００１３】また、上記平行帯状電極と配向制御膜の間
には、平行帯状電極の段差を緩和するために絶縁膜を形
成してもよい。絶縁膜としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮｘ、
Ａｌ ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の無機系絶縁膜、ポリイミド
樹脂、フォトレジスト樹脂、高分子液晶などの有機系絶
縁膜が挙げられる。絶縁膜の厚さは、使用する材料によ
り相違するが、０．１〜０．２μｍ程度である。無機系
絶縁膜は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、溶液塗布法
等により形成することができる。一方、有機系絶縁膜
は、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷
法、ロール印刷法等で塗布し、乾燥させて形成する方
法、ポリマーの前駆体溶液を上記と同様の方法により塗
布し、所定の硬化条件（加熱、光照射等）で硬化させて
形成する方法、ラングミュア−ブロジェット法により形
成する方法が挙げられる。

【００１４】更に、本発明の強誘電性液晶表示装置に
は、基板の外側に一対の偏光子を設置することも可能で
ある。以下に、本発明の好ましい例を説明する。図１
は、本発明の強誘電性液晶表示装置の一例の概略平面図
である。図１中、１は平行帯状電極、２はストライプ状
のパターン、Ｘは画素部を示している。なお、図１で
は、上側の平行帯状電極１にストライプ状のパターン２
が形成されており、配向制御膜（図示せず）は紙面の下
から上に向かって配向処理が施されている。次に、図１
のａ−ａ断面を図３に示す。図中、３及び４は基板、５
はストライプ状パターンを有する平行帯状電極（以下、
ストライプ状電極と称する）、６はパターニングしてい
ない平行帯状電極、７は絶縁膜、８は配向制御膜、９は
強誘電性液晶層、１０はシール材である。

【００１５】更に図３を拡大した概略断面図が図５であ
る。図５では分かりやすくするために絶縁膜７、配向制
御膜８を省略している。図５で対向する基板共に電極が
ある部分を領域Ａ、片側基板に電極がない部分を領域Ｂ
と区分する。領域Ａは両側基板共に電極が存在するた
め、領域Ａ内での電界強度差は小さく、本来アナログ階
調には不適であるが、駆動させるのに十分な電界強度を
与えるためには必要な領域である。これに対して領域Ｂ
は、領域内の電界強度差が大きく、アナログ階調に適し
ている。本発明はこれら２つの領域の特性の違いを併用
して、より表示特性のよいアナログ階調を提供するもの
である。

【００１６】すなわち、領域Ａでは、強誘電性液晶が双
安定状態のどちらか一方の配向状態を印加信号に応じて
とり、領域Ｂでは反転したドメインの存在比率が制御さ
れることによって階調表示が得られる。ここで、図５の
基板の外側に、一対の偏光子をクロスニコルになるよう
に配置し、どちらか一方の偏光子の偏光方向が強誘電性
液晶分子の双安定な配向状態のうちのどちらか一方と一
致させると、偏光子の偏光方向と一致する配向状態の時
は暗状態、もう一方の配向状態で明状態となる。

【００１７】ここで、暗状態の時の透過率を０％、明状
態の時の透過率を１００％とすると、領域Ａは全体で明
状態か暗状態をとるので、領域Ａでの透過率は０％か１
００％のどちらかになる。一方領域Ｂでは、この領域内
での電界強度差が大きく、信号波形を印加することによ
りスイッチする部分とスイッチしない部分ができ、明暗
２つのドメインの存在比率を制御することができる。こ
のため、領域Ｂでの透過率は０％から１００％まで連続
的に変化させることができる。

【００１８】いま、仮に領域Ａと領域Ｂの面積比を１：
１とすると、画素部全体でみた透過率に対して領域Ａと
領域Ｂでの透過率の寄与分はそれぞれ半分ずつになるた
め、領域Ａは０％か５０％のどちらかの透過率を与え、
領域Ｂは０％から５０％の透過率を連続的に与える。従
って表１の組合せで、画素部全体でみて０％から１００
％の透過率をアナログ的に与えることができる。

【００１９】

【表１】

【００２０】なお、領域Ａと領域Ｂの面積比は１：１に
限られることはなく、任意に変えることが可能である。
ただし、領域Ａ内ではアナログ階調がほとんどとれない
ため、領域Ｂよりも小さくすることが好ましい。例えば
領域Ａと領域Ｂの面積比が４：６であるとすると、表２
の透過率の組合せとなる。この場合画素部全体で４０〜
６０％の透過率を得るためには２つの組合せのどちらを
用いてもよく、その時の駆動条件に応じて都合のよい方
を選択することができる。

【００２１】

【表２】

【００２２】本発明で使用する強誘電性液晶は負の誘電
異方性をもち、図６に示すように電圧−メモリパルス幅
曲線（τ−Ｖ特性）において極小値を示すものが好まし
い。電圧−メモリパルス幅曲線が極小を持つ強誘電性液
晶を駆動する場合、極小値よりも左側の駆動条件を使う
場合と右側の駆動条件を使う場合で、電界強度に対する
スイッチングの傾向が異なる。

【００２３】例えば、領域Ａに図６のａ₁の位置にある
条件（極小値よりも左側の条件）の信号を印加した時、
領域Ｂは一般に領域Ａよりも電界強度が小さくなり、更
に、領域Ｂ内では電界強度の分布ができる。従って、領
域Ｂにはｂ₁の範囲に当たる条件の信号が場所に応じて
印加されることになる。この時、領域Ａはスイッチング
するが、領域Ｂは一部がスイッチングし、残りはスイッ
チングしない。

【００２４】逆に、極小値よりも右側の条件で、領域Ａ
にａ₂の条件の信号を印加した時、領域Ｂ内にはｂ₂の
範囲の条件の信号が印加される。この時、領域Ａはスイ
ッチングせず、領域Ｂはやはり一部がスイッチングし、
残りはスイッチングしない。領域Ｂのスイッチングする
領域とスイッチングしない領域の比率（反転ドメインの
存在比率）は、信号パルス幅または信号電圧値を変調す
ることにより、任意に制御できる。

【００２５】従って電圧−メモリパルス幅曲線の極小値
の左右どちらの駆動条件を使うかによって領域Ａをスイ
ッチングさせるかさせないか（すなわち透過率０％にす
るか１００％にするか）が制御でき、極小値の左右どち
らの駆動条件を用いた場合でも領域Ｂの反転ドメインの
存在比率を制御できるため、上記表１及び表２のような
透過率の制御ができる。

【００２６】また、本発明の強誘電性液晶表示装置は、
他の階調法も組合わせることができ、例えば、画素分割
法や時間分割法等と組合わせて更に多階調表示を行うこ
とができる。

【００２７】

【実施例】

実施例図１及び３に示す電極構造を有するセルを作製した。そ
の作製方法は以下の通りである。一方のガラス基板４上
に厚さ１００ｎｍのＩＴＯを蒸着し、これをフォトリソ
グラフィーによって平行帯状電極１と画素部Ｘに６μｍ
ピッチ（電極幅３μｍ、抜きの幅（電極の間隔）３μ
ｍ）のストライプ状電極５を形成した。他方のガラス基
板３上にも厚さ１００ｎｍのＩＴＯからなる平行帯状電
極６を形成したが、パターニングを行わなかった。

【００２８】これらの電極（１、５及び６）を蒸着した
ガラス基板３、４上に厚さ１００ｎｍのＳｉＯ₂からな
る絶縁膜７を形成し、更に絶縁膜７上に２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンと
１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物を
主原料とし、少量の４−トリメトキシシリルアニリンを
添加して縮合させたポリイミド配向制御膜８を厚さ１０
０ｎｍになるようにスピンコート法で塗布した。

【００２９】その後、ストライプ状電極５の長手方向と
平行にラビング処理を行い、更に直径１．４μｍのスペ
ーサービーズを散布し、シール材１０を印刷して貼り合
わせた。次いで基板の間隙に強誘電性液晶（負の誘電異
方性をもつＳＣＥ８（メルク社製））を注入し、強誘電
性液晶層９とした。このようにして作製したセルを、以
下に述べる方法によって評価した。

【００３０】まず、セルを３０℃に設定したホットステ
ージ（メトラー社製）にセットし、一旦画素部全体をス
イッチさせるのに十分なパルスを印加して、クロスニコ
ル下の偏光顕微鏡で全面暗状態となるようにステージの
回転角を調節した。その後、ステージを固定して図７
（ａ）及び（ｂ）で示される駆動波形（Malvern ３駆動
法）の電圧を印加し、受光系とデジタルオシロスコープ
を用いてオン状態（画素部内の液晶分子が波形に対応し
た割合でスイッチングした明状態）での透過光量を測定
した。また、同時にドメインの分布の様子も観察した。

【００３１】図８及び９にそれぞれ図７（ａ）及び
（ｂ）の駆動波形の電圧を印加した時のメモリパルス幅
τと透過光量との関係を示す。また、図１０（１）〜
（３）に図８中（１）〜（３）の条件で観察されたドメ
イン分布の様子を、図１０（４）〜（６）に図９中
（４）〜（６）の条件で観察されたドメイン分布の様子
をそれぞれ示す。

【００３２】図７（ａ）の波形を印加した場合には、図
８のメモリパルス幅−透過光量曲線が得られた。ここ
で、図８中、条件（１）の波形を印加した時には図１０
（１）のようにスイッチングは全く起こらず、画素部全
体が暗状態のままであった。メモリパルス幅を少し長く
すると領域Ｂの中央部からスイッチングし始め、条件
（２）で図１０（２）のように領域Ｂの中央部半分くら
いがスイッチングした。更にメモリパルス幅を長くして
いくと、領域Ｂ内でスイッチングする部分が増えてい
き、条件（３）のメモリパルス幅で図１０（３）のよう
に領域Ｂ全体がスイッチングした。この間領域Ａでは全
くスイッチングが見られなかった。

【００３３】更にメモリパルス幅を長くしていくと、今
度は領域Ａがバイアス電圧に応答してスイッチングをす
るようになるのでオン状態での透過光量は更に増える
が、全面暗状態であるべきオフ状態もバイアス応答のた
め暗くなくなり、実際には利用できない。次に図７
（ｂ）の波形を印加した場合には、図９のメモリパルス
幅−透過光量曲線が得られた。ここで、図９中、条件
（４）の波形を印加した時には図１０（４）のように領
域Ａは全てスイッチングしていたが、領域Ｂは全くスイ
ッチングしていなかった。メモリパルス幅を徐々に長く
していくと、領域Ｂの両端の部分からスイッチングし始
め、条件（５）で図１０（５）のようになり、更に条件
（６）で図１０（６）のように画素部全面がスイッチン
グするようになった。

【００３４】従って、図７（ａ）の波形を印加し、メモ
リパルス幅を変調することによって０〜５０％の透過率
が得られ、図７（ｂ）の波形を印加し、同様にメモリパ
ルス幅を変調することによって５０〜１００％の透過率
が得られることがわかった。

【００３５】

【発明の効果】本発明の強誘電性液晶表示装置によれ
ば、対向する２つの基板のそれぞれの対向面に複数の平
行帯状電極及び配向制御膜がこの順で形成され、該配向
制御膜間に強誘電性液晶層が挟持されてなり、前記平行
帯状電極を互いに直交するように対向させ、対向する平
行帯状電極の対向部に存在する画素部からなり、画素部
に存在する前記平行帯状電極のうちの少なくとも一方が
所望の形状にパターニングされ、画素部内の両側基板共
に平行帯状電極がある部分（領域Ａ）では、強誘電性液
晶層に含まれる強誘電性液晶分子が双安定状態のどちら
か一方の配向状態を印加信号に応じてとり、片側基板又
は両側基板共に平行帯状電極がない部分（領域Ｂ）で
は、反転したドメインの存在比率が制御されるので、階
調表示を簡便に得ることができる。

【００３６】また、前記領域Ａの面積が、領域Ｂの面積
以下であるので、画素全体の透過率を駆動条件に応じて
選択することができる。パターニングされた領域が、ス
トライプ状に形成されてなり、該ストライプのピッチ
が、２〜２０μｍであるので、アナログ階調に適し、か
つ弱い電界強度での駆動が可能な強誘電性液晶表示装置
を得ることができる。

【００３７】更に、強誘電性液晶層に含まれる強誘電性
液晶分子が、両方の基板の界面におけるプレティルトの
方向が同一であり、強誘電性液晶層がシェブロン層構造
を有し、シェブロン層構造の折れ曲がり方向とプレティ
ルトの方向が同一であることにより、温度変化に対して
安定であり、応答速度が高く、メモリ性が良い強誘電性
液晶表示装置を得ることができる。

【００３８】また、強誘電性液晶分子が、負の誘電異方
性を有し、電圧−メモリパルス幅曲線において極小値を
有することにより、負の誘電異方性でない強誘電性液晶
分子に比べて、より多い階調表示が可能な強誘電性液晶
表示装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の強誘電性液晶表示装置の概略平面図で
ある。

【図２】本発明の強誘電性液晶表示装置の画素部の概略
平面図である。

【図３】本発明の強誘電性液晶表示装置の概略断面図で
ある。

【図４】Ｃ１Ｕ配向とＣ２Ｕ配向の状態を示す概略図で
ある。

【図５】図３を拡大した概略断面図である。

【図６】負の誘電異方性を有する強誘電性液晶が示す電
圧−メモリパルス幅曲線である。

【図７】本実施例で用いた駆動波形を示す図である。

【図８】本実施例で用いた画素部のメモリパルス幅と透
過光量との関係を示すグラフである。

【図９】本実施例で用いた画素部のメモリパルス幅と透
過光量との関係を示すグラフである。

【図１０】本実施例で得られたドメイン分布を示す図で
ある。

【符号の説明】

１平行帯状電極２ストライプ状のパターン３、４基板５ストライプ状電極６パターニングしていない平行帯状電極７絶縁膜８配向制御膜９強誘電性液晶層１０シール材Ａ対向する基板共に電極がある部分Ｂ片側基板に電極がない部分Ｘ画素部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向する２つの基板のそれぞれの対向面
に複数の平行帯状電極及び配向制御膜がこの順で形成さ
れ、該配向制御膜間に強誘電性液晶層が挟持されてな
り、前記平行帯状電極を互いに直交するように対向さ
せ、対向する平行帯状電極の対向部に存在する画素部か
らなり、画素部に存在する前記平行帯状電極のうちの少
なくとも一方が所望の形状にパターニングされ、画素部
内の両側基板共に平行帯状電極がある部分では、強誘電
性液晶層に含まれる強誘電性液晶分子が双安定状態のど
ちらか一方の配向状態を印加信号に応じてとり、片側基
板又は両側基板共に平行帯状電極がない部分では、反転
したドメインの存在比率が制御されることによって階調
表示を得ることを特徴とする強誘電性液晶表示装置。
【請求項２】画素部において、両側基板共に平行帯状
電極がある部分の面積が、片側基板又は両側基板共に平
行帯状電極がない部分の面積以下である請求項１に記載
の強誘電性液晶表示装置。
【請求項３】パターニングにより形成される所望の形
状が、ストライプ状である請求項１または２に記載の強
誘電性液晶表示装置。
【請求項４】ストライプ状の形状が、２〜２０μｍの
ピッチを有する請求項１〜３いずれか１つに記載の強誘
電性液晶表示装置。
【請求項５】強誘電性液晶層に含まれる強誘電性液晶
分子が、両方の基板の界面におけるプレティルトの方向
が同一であり、強誘電性液晶層がシェブロン層構造を有
し、シェブロン層構造の折れ曲がり方向とプレティルト
の方向が同一である請求項１〜４いずれか１つに記載の
強誘電性液晶表示装置。
【請求項６】強誘電性液晶分子が、負の誘電異方性を
有し、電圧−メモリパルス幅曲線において極小値を有す
る請求項１〜５いずれか１つに記載の強誘電性液晶表示
装置。