JP5901980B2 - 液晶素子、液晶表示装置 - Google Patents
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本発明に係る具体的態様は、2つの配向状態間の遷移を利用する液晶素子を用いる液晶表示装置における正面方向のコントラスト比を向上することが可能な技術を提供することを目的の1つとする。
図5(A)は実施例1の液晶素子の構造を模式的に示す平面図である。実施例1の液晶素子は、上記した図2に示した断面構造を有する液晶素子であり、第1基板(上側基板)および第2基板(下側基板)にはそれぞれラビング処理が施された。第1基板へのラビング方向RUは図中において下向き方向であり、第2基板へのラビング方向RLは図中において右向きであり、両者は互いに直交している(ツイスト角φ=90°)。図5(B)は、各ラビング方向と液晶層の配向状態との関係を示す図である。また、各偏光板は、互いの透過軸A,Pが直交し、かつ各透過軸がラビング方向と±45°ずれるように配置された(図5(A)参照)。
実施例2の液晶素子の構造は上記した実施例1と同様であり、ツイスト角φはリバースツイスト状態(シンメトリック配向)の90°とした(図5参照)。実施例2では、第1基板および第2基板のそれぞれには、極角方向の配向規制力が弱い垂直配向膜材料を用いて配向膜が形成された。各配向膜の膜厚は500Å〜800Åとした。ラビング処理については、ラビング時の押し込み量を0.3mm、ローラー回転数を1000rpm、ステージ移動速度を7.56mm/secとした。液晶材料としては、負の誘電率異方性を有する液晶材料を用い、カイラル材をカイラルピッチpが12.12μmとなるように添加した。図7は、実施例2の液晶素子に用いた配向膜材料の焼成温度とプレティルト角の関係を示す図である。ここでいうプレティルト角は基板面を基準(0°)として規定した。実施例2では、基板面に対して垂直に近いプレティルト角に制御するために、配向膜材料の焼成温度を190℃、210℃、230℃、250℃のそれぞれに設定し、焼成時間はすべて60分間とした。その結果として、88°、79°、73°、26°のプレティルト角が得られた。また、実施例2では、第1基板と第2基板の相互間隔(セル厚)は0μmより大きく12μm以下の間で調整し、いくつかのセル厚の液晶素子を作製した。しかしながら、第1基板と第2基板のプレティルト角をそれぞれ88°と同じにした場合、一方を88°で他方を79°にした場合などの各条件で作製した液晶素子のいずれについても電界印加による表示状態の変化がみられず、メモリー状態も見られなかった。
図8(A)は実施例3の液晶素子の構造を模式的に示す平面図である。実施例3の液晶素子は、上記した図2に示した断面構造を有する液晶素子であり、第1基板(上側基板)および第2基板(下側基板)にはそれぞれラビング処理が施された。第1基板へのラビング方向RUは図中において上向き方向であり、第2基板へのラビング方向RLは図中において右向きであり、両者は互いに直交している。ツイスト角φはスプレイツイスト状態(アンチシンメトリック配向)の90°とした。図8(B)は各ラビング方向と液晶層の配向状態との関係を示す図である。また、各偏光板は、互いの透過軸A,Pが直交し、かつ各透過軸がラビング方向と±45°ずれるように配置された(図8(A)参照)。実施例3では、上記の実施例2と同様に極角方向の配向規制力が弱い垂直配向膜材料を用いて配向膜が形成された(図7参照)。各配向膜の膜厚は500Å〜800Åとした。ラビング処理については、ラビング時の押し込み量を0.3mm、ローラー回転数を1000rpm、ステージ移動速度を7.56mm/secとした。液晶材料としては、負の誘電率異方性を有する液晶材料を用い、カイラル材をカイラルピッチpが12.12μmとなるように添加した。実施例3では、第1基板と第2基板の相互間隔(セル厚)は0μmより大きく12μm以下の間で調整し、いくつかのセル厚の液晶素子を作製した。また、プレティルト角についても、上記したいくつかの値を適宜に選択した。以下に、いくつかの条件で作製した液晶素子について説明する。
2:下側基板
3:液晶層
51:第1基板
52:第1電極
53、57:配向膜
54:第2基板
55:第2電極
56:絶縁膜
58:第3電極
59:第4電極
60:液晶層
61:第1偏光板
62:第2偏光板
71、72、73:ドライバー
74:画素部
A1〜An、B1〜Bm、C1〜Cn、D1〜Dn:制御線
Claims (5)
- 各々の一面に配向処理が施されており、対向配置された第1基板及び第2基板と、
誘電率異方性が負の液晶材料を用いて前記第1基板の一面と前記第2基板の一面との間に設けられた液晶層、
を含み、
前記第1基板及び前記第2基板は、前記液晶層の液晶分子が第1方向に略90°のツイスト角で捻れた第1配向状態を生じるように前記配向処理の方向を設定され、
前記液晶層は、前記液晶分子が前記第1方向とは逆の第2方向に略90°のツイスト角で捻れた第2配向状態を生じさせる性質のカイラル材を含有し、
前記液晶層に対して、前記第1基板及び前記第2基板の各一面にほぼ垂直な方向の電界と前記第1基板及び前記第2基板の各一面にほぼ平行な方向に電界のいずれかを選択的に印加する電界印加手段を更に含む、
液晶素子。 - 前記カイラル材は、前記液晶層の層厚dに対するカイラルピッチの比d/pが0.3以上0.9以下となるように添加されている、請求項1に記載の液晶素子。
- 前記第1基板と前記第2基板のそれぞれと前記液晶層との界面における各プレティルト角が70°以上90°未満である、請求項1又は2に記載の液晶素子。
- 前記第1基板と前記液晶層との界面におけるプレティルト角と前記第2基板と前記液晶層との界面におけるプレティルト角とが異なる、請求項3に記載の液晶素子。
- 複数の画素部を備え、当該複数の画素部の各々が請求項1〜4の何れか1項に記載の液晶素子を用いて構成された、液晶表示装置。
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