JPH01161215A - 液晶表示器 - Google Patents
液晶表示器Info
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- JPH01161215A JPH01161215A JP32023687A JP32023687A JPH01161215A JP H01161215 A JPH01161215 A JP H01161215A JP 32023687 A JP32023687 A JP 32023687A JP 32023687 A JP32023687 A JP 32023687A JP H01161215 A JPH01161215 A JP H01161215A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 3
- -1 phenyl oxy Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical group O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は生産性のよい液晶表示器に関する。
口）従来の技術
従来より液晶表示器の基板には電極と配向膜を設けてい
るが、配向膜の絶縁耐圧が低い場合、配向膜と電極の間
に中間層が設けられる。この様な中間層として特開昭５
２−７７４９号公報にはポリオルガノシランを用いると
よいとされている。
るが、配向膜の絶縁耐圧が低い場合、配向膜と電極の間
に中間層が設けられる。この様な中間層として特開昭５
２−７７４９号公報にはポリオルガノシランを用いると
よいとされている。
しかしこの様な有機系シリコン等（シリコンやチタンの
アルコラード類）は、高温焼成でこそ絶縁耐圧が高くな
るが、６００℃以上の高温焼成で高分子が揮散し稠密な
膜が得られない。また５００℃以上の高温では電極が高
抵抗化する。
アルコラード類）は、高温焼成でこそ絶縁耐圧が高くな
るが、６００℃以上の高温焼成で高分子が揮散し稠密な
膜が得られない。また５００℃以上の高温では電極が高
抵抗化する。
一方、そのような中間層として酸化シリコン（Ｓ ｉ
Ｏ２）膜を用イルと、耐圧は５００ Ｖ ／ ｐ ｍと
充分であって硬度も高く好ましい。しかしこれは無機膜
なのでスパッタや蒸着等による煩雑な作業が必要であり
、さらに大面積表示用基板（二相いる（二は生産性が悪
く好ましくない。
Ｏ２）膜を用イルと、耐圧は５００ Ｖ ／ ｐ ｍと
充分であって硬度も高く好ましい。しかしこれは無機膜
なのでスパッタや蒸着等による煩雑な作業が必要であり
、さらに大面積表示用基板（二相いる（二は生産性が悪
く好ましくない。
そして近年液晶表示器は電極部分に二端子素子のような
能動素子を用いたシ、液晶の複屈折性が表示（二影響す
るような液晶分子の捩り角が大きく液晶層厚の薄い表示
モードを用いたり、また大容量表示を高時分割駆動法で
行うので、大面積において耐圧の良好な中間層が必要に
なってきた。
能動素子を用いたシ、液晶の複屈折性が表示（二影響す
るような液晶分子の捩り角が大きく液晶層厚の薄い表示
モードを用いたり、また大容量表示を高時分割駆動法で
行うので、大面積において耐圧の良好な中間層が必要に
なってきた。
ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の点を考慮してなされたもので、生産性が
よく、硬くて絶縁耐圧の充分な中間層を有する液晶表示
器を提供するものである。
よく、硬くて絶縁耐圧の充分な中間層を有する液晶表示
器を提供するものである。
二）問題点を解決するための手段
本発明は厚さ９０μｍ以下の特（二耐圧性を要求される
液晶表示器において、ラダー型（橋かけ構造）のオルガ
ノシルセスキオキサンオリゴマーとＳ ｉ 凶） ４と
を主成分として生成した膜を前述した中間層に用いるも
のである。
液晶表示器において、ラダー型（橋かけ構造）のオルガ
ノシルセスキオキサンオリゴマーとＳ ｉ 凶） ４と
を主成分として生成した膜を前述した中間層に用いるも
のである。
これにより印刷法を用い５００℃未満の低温焼成により
稠密な中間層が得られ、液晶層厚が薄くても高時分割駆
動で表示するに充分な絶縁耐圧が得られる。
稠密な中間層が得られ、液晶層厚が薄くても高時分割駆
動で表示するに充分な絶縁耐圧が得られる。
へ）実施例
第１図は本発明実施例の液晶表示器の断面図で、電界効
果型マトリクス液晶表示器を例示した。（１）（１）は
基板で、スペーサ（２）により平行に保たれ、カイラル
ネマティックの液晶（３）を挾持している。この基板（
１）（１）は、ガラス板ａｖａυの内面に必要に応じて
下地層（図示せず）を設け、パターン化された電極ａ２
１ａｇ・・・と、中間層ｆｉ３１（１３１と配向膜−ａ
４が設けである。また液晶（３）は正の誘電異方性をも
ち、例えば２２０度捩り角のらせん構造をもつ層厚６．
５μｍをなしている。そして基板（１１（１）の外側に
は必要に応じて偏光板（４）（４１等を設けてよい。
果型マトリクス液晶表示器を例示した。（１）（１）は
基板で、スペーサ（２）により平行に保たれ、カイラル
ネマティックの液晶（３）を挾持している。この基板（
１）（１）は、ガラス板ａｖａυの内面に必要に応じて
下地層（図示せず）を設け、パターン化された電極ａ２
１ａｇ・・・と、中間層ｆｉ３１（１３１と配向膜−ａ
４が設けである。また液晶（３）は正の誘電異方性をも
ち、例えば２２０度捩り角のらせん構造をもつ層厚６．
５μｍをなしている。そして基板（１１（１）の外側に
は必要に応じて偏光板（４）（４１等を設けてよい。
以下に製造方法を含めて、より具体的Ｃ二説明するＯ
パターン化した電極ａ加’ａ・・・を有するガラス板旧
）（１１）上に、オウエンスイリノイス社（Ｑｗθｎθ
−Ｉ／Ｉ！１ｎｏｉｏ製ラダーシリコンオリゴマー（）
Ｒ−１００に対し、８１ （００２Ｈ５）４を添加し、
ブチルセロソルブ（二溶解してロールコータにて塗布し
、３００℃で１０分間焼成した０そして、成膜の出来た
基板の硬度を調べたところ７Ｈであった。
）（１１）上に、オウエンスイリノイス社（Ｑｗθｎθ
−Ｉ／Ｉ！１ｎｏｉｏ製ラダーシリコンオリゴマー（）
Ｒ−１００に対し、８１ （００２Ｈ５）４を添加し、
ブチルセロソルブ（二溶解してロールコータにて塗布し
、３００℃で１０分間焼成した０そして、成膜の出来た
基板の硬度を調べたところ７Ｈであった。
その基板の半数にアルミニウムを蒸着して絶縁耐圧試験
用基板とした。Ｓｉ （００２Ｈ５）４の添加量をパラ
メータとしてその結果を第２図三角形の棒グラフで示す
。８１ （００２Ｈ２）４は添加しない時よシも２０〜
３Ｑｗｔ％添加した方（より好ましくは４０〜６（１ｗ
ｔ％添加）が絶縁耐圧が高くなった。
用基板とした。Ｓｉ （００２Ｈ５）４の添加量をパラ
メータとしてその結果を第２図三角形の棒グラフで示す
。８１ （００２Ｈ２）４は添加しない時よシも２０〜
３Ｑｗｔ％添加した方（より好ましくは４０〜６（１ｗ
ｔ％添加）が絶縁耐圧が高くなった。
また残シ半数の基板（二は配向膜を印刷法で形成しラビ
ングした後シール材とスペーサを用いて液晶容器を形成
、液晶を注入し封止して１／４００デユーテイで時分割
駆動をした。
ングした後シール材とスペーサを用いて液晶容器を形成
、液晶を注入し封止して１／４００デユーテイで時分割
駆動をした。
別のロフトとして、オウエンスイリノイス社製ラダーシ
リコンオリゴマーＧＲ−６５０に５ｉ（００Ｈ３）４を
添加し、以下同様の事を行なった。
リコンオリゴマーＧＲ−６５０に５ｉ（００Ｈ３）４を
添加し、以下同様の事を行なった。
成膜の硬度は７Ｈ以上であり、その絶縁耐圧は第２図に
丸印で示す様に好ましくは２０〜６Ｑｗｔチ添加すると
絶縁耐圧が高い〇 一方液晶表示器に点灯時の２倍の電圧をかけて３０℃１
６８時間時分割駆動してマトリクス電極間（同−平面内
及び上下電極間）の洩れ電流の増大及び液晶の劣化を調
べたところ第３図の様になったｏＮ品層厚が９μｍを超
えるもの、とりわけ１０．０μｍ以上においては中間層
がないものですら不良パネルは少なかったが、９０μｍ
以下では中間層がないもの（曲線Ａ）や有機シリコン（
−層−０−８１−０−高分子を用いたもので従来例（：
相当、曲線Ｂ）（：おいて破壊事故等を生じたパネルが
続出した。８１０Ｑ４を含まないラダー型もしくはラダ
ー間？二橋かけ構造をもつ中間層をもつもの（曲線Ｃ）
やラダー型に８１（Ｘ）４を添加して成膜した中間層を
もつもの（曲線Ｄ）においては著しく不良パネル数が減
少した。
丸印で示す様に好ましくは２０〜６Ｑｗｔチ添加すると
絶縁耐圧が高い〇 一方液晶表示器に点灯時の２倍の電圧をかけて３０℃１
６８時間時分割駆動してマトリクス電極間（同−平面内
及び上下電極間）の洩れ電流の増大及び液晶の劣化を調
べたところ第３図の様になったｏＮ品層厚が９μｍを超
えるもの、とりわけ１０．０μｍ以上においては中間層
がないものですら不良パネルは少なかったが、９０μｍ
以下では中間層がないもの（曲線Ａ）や有機シリコン（
−層−０−８１−０−高分子を用いたもので従来例（：
相当、曲線Ｂ）（：おいて破壊事故等を生じたパネルが
続出した。８１０Ｑ４を含まないラダー型もしくはラダ
ー間？二橋かけ構造をもつ中間層をもつもの（曲線Ｃ）
やラダー型に８１（Ｘ）４を添加して成膜した中間層を
もつもの（曲線Ｄ）においては著しく不良パネル数が減
少した。
これらの現象について、一般式
ＲＲ
Ｃ但Ｌ Ｒハアルキル、フェニル、アルコキシ、水酸基
） であられされるオルガノシルセスキオキサンオリコマ−
は焼成時に揮発が極めて少なく稠密な中間層が成膜でき
、３１（１＋’０４ （但しＸはアルキル、アルコキシ
、フェニルオキシ、ハロゲン又は水Ｍ基）を添加するこ
とによって５ｉ（Ｘ）４はラダー型シリコンの架橋反応
の補助剤として機能していることなどが考えられる。即
ち５ｉＱＱ４を添加することによ！ｌｌ膜材料自身の絶
縁耐圧が変化するのではなく、成膜性がよく、稠密でム
ラのない膜が得られるものと考えられる。
） であられされるオルガノシルセスキオキサンオリコマ−
は焼成時に揮発が極めて少なく稠密な中間層が成膜でき
、３１（１＋’０４ （但しＸはアルキル、アルコキシ
、フェニルオキシ、ハロゲン又は水Ｍ基）を添加するこ
とによって５ｉ（Ｘ）４はラダー型シリコンの架橋反応
の補助剤として機能していることなどが考えられる。即
ち５ｉＱＱ４を添加することによ！ｌｌ膜材料自身の絶
縁耐圧が変化するのではなく、成膜性がよく、稠密でム
ラのない膜が得られるものと考えられる。
尚上述の実施例は中間層の厚み０．０５〜ｏ、２５μｍ
１配向膜として０．１〜０．２μｍのポリイミド系配向
膜を用いた時結果に類似性があられれたので、中間層０
．１０μｍ１配向膜０．１０μｍのものを中心に説明し
た。
１配向膜として０．１〜０．２μｍのポリイミド系配向
膜を用いた時結果に類似性があられれたので、中間層０
．１０μｍ１配向膜０．１０μｍのものを中心に説明し
た。
ト）発明の効果
以上の如くラダー状シリコンは充分な硬度と安定した電
気化学特性を示し、液晶層厚が薄くとも絶縁耐圧が充分
得られ、また液晶劣化を導かない。
気化学特性を示し、液晶層厚が薄くとも絶縁耐圧が充分
得られ、また液晶劣化を導かない。
さらにこのような有機系シリコン剤は印刷法により設け
ることができ、６００℃程度で焼成できるから、有機系
配向剤と組合せ、極めて生産性が向上した。
ることができ、６００℃程度で焼成できるから、有機系
配向剤と組合せ、極めて生産性が向上した。
第１図は本発明実施例の液晶表示器の断面図、第２図と
第５図は本発明に係る特性図である。 （１）（１）・・・基板、（２）・・・スペーサ、（３
）・・・液晶、ａυａ１１・・・ガラス板、詣ａ’ａ・
・・電極、ｔ１３１（１３・・・中間層、Ｑ４１１１４
１・・・配向膜〇 出願人 三洋電機株式会社外１名
第５図は本発明に係る特性図である。 （１）（１）・・・基板、（２）・・・スペーサ、（３
）・・・液晶、ａυａ１１・・・ガラス板、詣ａ’ａ・
・・電極、ｔ１３１（１３・・・中間層、Ｑ４１１１４
１・・・配向膜〇 出願人 三洋電機株式会社外１名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）電極と配向膜を有して平行に保持された基板と、基
板の間に挾持された液晶とを具備した液晶表示器におい
て 前記液晶は９．０μｍより薄い層をなし、前記基板の少
なくとも一方は電極膜と配向膜の間に一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但しＲはアルキル、フェニル、アルコキシ、水酸基） であらわされるオルガノシルセスキオキサンオリゴマー
とＳｉ（Ｘ）＿４（但しＸはアルキル、アルコキシ、フ
ェニルオキシ、ハロゲン又は水酸基）とを主成分として
生成した膜を有している事を特徴とする液晶表示器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32023687A JPH01161215A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 液晶表示器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32023687A JPH01161215A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 液晶表示器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161215A true JPH01161215A (ja) | 1989-06-23 |
Family
ID=18119244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32023687A Pending JPH01161215A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 液晶表示器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01161215A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5245457A (en) * | 1991-04-04 | 1993-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Forming a topcoat for liquid crystal display devices having plastic substrates using UV light and temperatures less than 200° C. |
| KR100443443B1 (ko) * | 2001-03-29 | 2004-08-11 | 칫소가부시키가이샤 | 액정 배향제 니스 및 액정 표시소자 |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP32023687A patent/JPH01161215A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5245457A (en) * | 1991-04-04 | 1993-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Forming a topcoat for liquid crystal display devices having plastic substrates using UV light and temperatures less than 200° C. |
| KR100443443B1 (ko) * | 2001-03-29 | 2004-08-11 | 칫소가부시키가이샤 | 액정 배향제 니스 및 액정 표시소자 |
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