JP3179524B2 - 微細パターンの形成方法 - Google Patents
微細パターンの形成方法Info
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細パターンの形成方法
に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において
被加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成する
ことのできる微細パターンの形成方法に関する。
に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において
被加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成する
ことのできる微細パターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオー
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。
【０００３】例えば、カラー液晶ディスプレー（ＬＣ
Ｄ）に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、通
常、薄膜成膜、レジスト塗布、露光、現像、エッチング
の各処理からなるフォトリソグラフィー工程を４〜６回
程度繰り返すことにより製造されている。
Ｄ）に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、通
常、薄膜成膜、レジスト塗布、露光、現像、エッチング
の各処理からなるフォトリソグラフィー工程を４〜６回
程度繰り返すことにより製造されている。
【０００４】また、プリント配線、回路パターンの形
成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターンの
形成に際しては、上述のフォトリソグラフィー法とは異
なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるパターン形成は、スクリーン印
刷法やオフセット印刷法等が用いられている。
成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターンの
形成に際しては、上述のフォトリソグラフィー法とは異
なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるパターン形成は、スクリーン印
刷法やオフセット印刷法等が用いられている。
【０００５】また、基板上に形成した有機レジスト膜を
所定の微細パターンを有するフォトマスクを介して露光
・現像してマスキング層とし、このマスキング層が形成
されていない部分（凹部）にメッキ層を形成し、次に、
このメッキ層を被加工物に転写してレジストパターンを
形成し、その後、エッチング処理を行う方法がある。
所定の微細パターンを有するフォトマスクを介して露光
・現像してマスキング層とし、このマスキング層が形成
されていない部分（凹部）にメッキ層を形成し、次に、
このメッキ層を被加工物に転写してレジストパターンを
形成し、その後、エッチング処理を行う方法がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
４０インチあるいは８０インチといった大型のＬＣＤを
フォトリソグラフィー法により製造する場合、フォトリ
ソグラフィー工程で使用する大型露光装置を含む専用装
置が必要となり、装置に要する費用が莫大なものとな
る。
４０インチあるいは８０インチといった大型のＬＣＤを
フォトリソグラフィー法により製造する場合、フォトリ
ソグラフィー工程で使用する大型露光装置を含む専用装
置が必要となり、装置に要する費用が莫大なものとな
る。
【０００７】一方、上述の印刷法は、印刷によるレジス
トパターン形成とエッチング処理を繰り返すことによ
り、上記のような大型のＬＣＤ製造にも比較的容易に対
応することができる。しかし、印刷法はインキの流動
性、版の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移
しないで版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷
パターンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、
画線が１００μｍ未満の微細パターンの形成には適して
いないという問題があった。
トパターン形成とエッチング処理を繰り返すことによ
り、上記のような大型のＬＣＤ製造にも比較的容易に対
応することができる。しかし、印刷法はインキの流動
性、版の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移
しないで版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷
パターンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、
画線が１００μｍ未満の微細パターンの形成には適して
いないという問題があった。
【０００８】さらに、凹部内のメッキ層を被加工物に転
写してレジストパターンを形成する方法では、通常、基
板としてステンレス基板が使用されるが、基板の表面粗
さが大きいために形成されたマスキング層のエッヂ形状
がシャープなものとはならず、微細パターンの形成には
適していないという問題があった。
写してレジストパターンを形成する方法では、通常、基
板としてステンレス基板が使用されるが、基板の表面粗
さが大きいために形成されたマスキング層のエッヂ形状
がシャープなものとはならず、微細パターンの形成には
適していないという問題があった。
【０００９】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、線幅が微細である微細パターンを高い
精度で効率よく形成することのできる微細パターンの形
成方法を提供することを目的とする。
れたものであり、線幅が微細である微細パターンを高い
精度で効率よく形成することのできる微細パターンの形
成方法を提供することを目的とする。
【００１０】このような目的を達成するために、本発明
は表面粗度の最大高さ（Ｒｍａｘ）が０．１μｍ以下と
なるようにステンレス基板表面を研磨し、次いで研磨さ
れたステンレス基板表面に有機レジスト膜を成膜し、所
望の微細パターンを有するフォトマスクを介して該有機
レジスト膜を露光・現像して前記ステンレス基板に有機
レジストパターンを形成し、その後、前記ステンレス基
板の有機レジストパターン非形成部にメッキ層を形成
し、該メッキ層を被加工物に転写させるような構成とし
た。
は表面粗度の最大高さ（Ｒｍａｘ）が０．１μｍ以下と
なるようにステンレス基板表面を研磨し、次いで研磨さ
れたステンレス基板表面に有機レジスト膜を成膜し、所
望の微細パターンを有するフォトマスクを介して該有機
レジスト膜を露光・現像して前記ステンレス基板に有機
レジストパターンを形成し、その後、前記ステンレス基
板の有機レジストパターン非形成部にメッキ層を形成
し、該メッキ層を被加工物に転写させるような構成とし
た。
【００１１】
【作用】ステンレス基板上には有機レジスト膜が形成さ
れ、この有機レジスト膜は所望の微細パターンを有する
フォトマスクを介して露光・現像されて有機レジストパ
ターンとされ、その後、基板の有機レジストパターン非
形成部に形成されたメッキ層は被加工物に転写される。
そして、上記ステンレス基板は表面粗度の最大高さ（Ｒ
ｍａｘ）が０．１μｍ以下であるため、形成された有機
レジストパターンはエッヂ形状がシャープであり、これ
により、被加工物に転写されたメッキ層の解像度は大幅
に向上する。
れ、この有機レジスト膜は所望の微細パターンを有する
フォトマスクを介して露光・現像されて有機レジストパ
ターンとされ、その後、基板の有機レジストパターン非
形成部に形成されたメッキ層は被加工物に転写される。
そして、上記ステンレス基板は表面粗度の最大高さ（Ｒ
ｍａｘ）が０．１μｍ以下であるため、形成された有機
レジストパターンはエッヂ形状がシャープであり、これ
により、被加工物に転写されたメッキ層の解像度は大幅
に向上する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の微細パターンの形成方法を
説明するための図である。。図１において、ステンレス
基板１上にネガレジストである有機レジスト層２を形成
する（図１（ａ））。次に、有機レジスト層２に所定の
黒部パターン３ａを備えたフォトマスク３を重ね、この
フォトマスク３を介して有機レジスト層２に紫外線を照
射する（図１（ｂ））。その後、現像して有機レジスト
層２のうち黒部パターン３ａにより紫外線が照射されな
かった部分の有機レジスト層２を除去して溝部２ａを有
する有機レジストパターン２′を形成する（図１
（ｃ））。次に、有機レジストパターン２′非形成部
（溝部２ａ）にメッキ層４を形成する（図１（ｄ））。
このメッキ層４は、図示のように有機レジストパターン
２′よりも若干突出するように、すなわち、メッキ層４
の層厚が有機レジストパターン２′の厚さよりも大とな
るように形成される。通常、メッキ層４の有機レジスト
パターン２′からの突出量は０．１〜０．５μｍ程度が
好ましい。その後、メッキ層４と被加工物６とを密着さ
せ（図１（ｅ））、メッキ層４を被加工物６に転写させ
て微細パターンを形成する（図１（ｆ））。
て説明する。図１は本発明の微細パターンの形成方法を
説明するための図である。。図１において、ステンレス
基板１上にネガレジストである有機レジスト層２を形成
する（図１（ａ））。次に、有機レジスト層２に所定の
黒部パターン３ａを備えたフォトマスク３を重ね、この
フォトマスク３を介して有機レジスト層２に紫外線を照
射する（図１（ｂ））。その後、現像して有機レジスト
層２のうち黒部パターン３ａにより紫外線が照射されな
かった部分の有機レジスト層２を除去して溝部２ａを有
する有機レジストパターン２′を形成する（図１
（ｃ））。次に、有機レジストパターン２′非形成部
（溝部２ａ）にメッキ層４を形成する（図１（ｄ））。
このメッキ層４は、図示のように有機レジストパターン
２′よりも若干突出するように、すなわち、メッキ層４
の層厚が有機レジストパターン２′の厚さよりも大とな
るように形成される。通常、メッキ層４の有機レジスト
パターン２′からの突出量は０．１〜０．５μｍ程度が
好ましい。その後、メッキ層４と被加工物６とを密着さ
せ（図１（ｅ））、メッキ層４を被加工物６に転写させ
て微細パターンを形成する（図１（ｆ））。
【００１３】本発明においてはステンレス基板として表
面粗度の最大高さ（Ｒｍａｘ）が０．１μｍ以下である
ステンレス基板を使用する。このように表面平滑性の優
れたステンレス基板を使用することにより、有機レジス
トパターン２′のエッヂ形状は極めてシャープなものと
なる。表面粗度の最大高さ（Ｒｍａｘ）が０．１μｍ以
下であるようなステンレス基板としては、ＳＵＳ３０４
−ＢＡステンレス鋼からなるもの、ＳＵＳ３０４−ＴＡ
ステンレス鋼を研磨したもの等を使用することができ
る。
面粗度の最大高さ（Ｒｍａｘ）が０．１μｍ以下である
ステンレス基板を使用する。このように表面平滑性の優
れたステンレス基板を使用することにより、有機レジス
トパターン２′のエッヂ形状は極めてシャープなものと
なる。表面粗度の最大高さ（Ｒｍａｘ）が０．１μｍ以
下であるようなステンレス基板としては、ＳＵＳ３０４
−ＢＡステンレス鋼からなるもの、ＳＵＳ３０４−ＴＡ
ステンレス鋼を研磨したもの等を使用することができ
る。
【００１４】ここで、表面粗度のＲｍａｘは触針式表面
あらさ測定機を用いて測定される。また、ＳＵＳ３０４
−ＴＡステンレス鋼の研磨方法としては、例えば、研磨
機の定磐上にＳＵＳ３０４−ＴＡステンレス板を押し付
け、油性の研磨液、ダイアモンド研磨剤を用いて徐々に
番手を高めて研磨する方法と採ることができる。
あらさ測定機を用いて測定される。また、ＳＵＳ３０４
−ＴＡステンレス鋼の研磨方法としては、例えば、研磨
機の定磐上にＳＵＳ３０４−ＴＡステンレス板を押し付
け、油性の研磨液、ダイアモンド研磨剤を用いて徐々に
番手を高めて研磨する方法と採ることができる。
【００１５】尚、ＳＵＳ３０４−ＢＡステンレス鋼は、
薄板状態では折れ等により凹凸が生じ易いが、ＳＵＳ３
０４−ＴＡステンレス鋼はこのようなことはなく、取扱
いが容易である。
薄板状態では折れ等により凹凸が生じ易いが、ＳＵＳ３
０４−ＴＡステンレス鋼はこのようなことはなく、取扱
いが容易である。
【００１６】そして、図２に示されるようにメッキ層４
からなる微細パターンが形成された被加工物６（図２
（ａ））は、メッキ層４をレジストとしてエッチング処
理がなされ（図２（ｂ））、その後、メッキ層４が被加
工物６から剥離される（図２（ｃ））。
からなる微細パターンが形成された被加工物６（図２
（ａ））は、メッキ層４をレジストとしてエッチング処
理がなされ（図２（ｂ））、その後、メッキ層４が被加
工物６から剥離される（図２（ｃ））。
【００１７】また、図３に示されるように、被加工物６
として表面にフォトレジスト７を塗布したものを用いる
ことができる。この場合、例えばポジ型フォトレジスト
では図２のようにして被加工物６のフォトレジスト７上
にメッキ層４からなる微細パターンを形成し（図３
（ａ））、メッキ層４をフォトマスクとしてフォトレジ
スト７の露光・現像を行う（図３（ｂ））。その後、メ
ッキ層４がフォトレジスト７から剥離され（図３
（ｃ））、フォトレジスト７を介して被加工物６のエッ
チング処理がなされ（図３（ｄ））、その後、フォトレ
ジスト７が被加工物６から剥離される（図３（ｅ））。
また、ネガ型フォトレジストを用いる場合は、露光した
後にフォトレジスト７を現像して剥離が行われる。
として表面にフォトレジスト７を塗布したものを用いる
ことができる。この場合、例えばポジ型フォトレジスト
では図２のようにして被加工物６のフォトレジスト７上
にメッキ層４からなる微細パターンを形成し（図３
（ａ））、メッキ層４をフォトマスクとしてフォトレジ
スト７の露光・現像を行う（図３（ｂ））。その後、メ
ッキ層４がフォトレジスト７から剥離され（図３
（ｃ））、フォトレジスト７を介して被加工物６のエッ
チング処理がなされ（図３（ｄ））、その後、フォトレ
ジスト７が被加工物６から剥離される（図３（ｅ））。
また、ネガ型フォトレジストを用いる場合は、露光した
後にフォトレジスト７を現像して剥離が行われる。
【００１８】また、図４に示されるように、基板として
表面粗度のＲｍａｘが０．１μｍ以下であるステンレス
鋼からなるブランケット１１を使用することができる。
この場合、ブランケット１１の周面に、図１に示される
のと同様にして所定パターンで有機レジストパターン１
２′を形成し、有機レジストパターン非形成部（溝部）
１２ａにメッキ層１４を形成する。そして、ブランケッ
ト１１を被加工物１６上で回転動させてメッキ層１４を
被加工物１６に転写して微細パターンを形成することが
できる。
表面粗度のＲｍａｘが０．１μｍ以下であるステンレス
鋼からなるブランケット１１を使用することができる。
この場合、ブランケット１１の周面に、図１に示される
のと同様にして所定パターンで有機レジストパターン１
２′を形成し、有機レジストパターン非形成部（溝部）
１２ａにメッキ層１４を形成する。そして、ブランケッ
ト１１を被加工物１６上で回転動させてメッキ層１４を
被加工物１６に転写して微細パターンを形成することが
できる。
【００１９】さらに、本発明では被加工物のメッキ層が
転写される面に予め粘着層を形成しておいてもよい。ま
た、本発明においては、使用するステンレス基板の表面
平滑性が高いため、上述のようにメッキ層を被加工物に
転写するに際して、メッキ層が基板から容易に剥離され
る。
転写される面に予め粘着層を形成しておいてもよい。ま
た、本発明においては、使用するステンレス基板の表面
平滑性が高いため、上述のようにメッキ層を被加工物に
転写するに際して、メッキ層が基板から容易に剥離され
る。
【００２０】本発明において使用する有機レジストは公
知の有機フォトレジストを使用することができ、例えば
ゼラチン、カゼイン、ポリビニルアルコール等に重クロ
ム酸塩等の感光剤を添加したものを挙げることができ
る。
知の有機フォトレジストを使用することができ、例えば
ゼラチン、カゼイン、ポリビニルアルコール等に重クロ
ム酸塩等の感光剤を添加したものを挙げることができ
る。
【００２１】メッキ層の形成材料としては、電気メッキ
材料に一般に用いられる金属、あるいは有機材料（高分
子材料）等の導電性材料を使用することができる。金属
材料としては、特にメッキ層の成膜性に優れることより
Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｎまた
はこれらの化合物、合金類等を好適に使用することがで
きる。
材料に一般に用いられる金属、あるいは有機材料（高分
子材料）等の導電性材料を使用することができる。金属
材料としては、特にメッキ層の成膜性に優れることより
Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｉ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｎまた
はこれらの化合物、合金類等を好適に使用することがで
きる。
【００２２】また、有機材料（高分子材料）としては、
例えばピロールやチオフェンを用いて電極上に形成され
るポリピロール、ポリチエニレンの導電性高分子被膜を
用いることができる。
例えばピロールやチオフェンを用いて電極上に形成され
るポリピロール、ポリチエニレンの導電性高分子被膜を
用いることができる。
【００２３】このようなメッキ層は、上述のように有機
レジストパターンよりも若干突出するように形成され
る。これにより、メッキ層が被加工物と確実に接触して
転写が確実に行われることになる。
レジストパターンよりも若干突出するように形成され
る。これにより、メッキ層が被加工物と確実に接触して
転写が確実に行われることになる。
【００２４】次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 （実験例１）ステンレス製の基板（ＳＵＳ３０４−Ｂ
Ａ、厚さ０．１ｍｍ、大きさ１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、
表面粗度の最大高さＲｍａｘ＝０．０５μｍ）の表面
に、スピンコート法（回転数２０００r.p.m.）により有
機ネガレジストＯＭＲ８５（東京応化工業（株）製、粘
度３５ｃｐ）を塗布し、８０〜９０℃にて２５分間の熱
処理（プリベーク）を行って有機ネガレジスト膜（厚さ
１．０μｍ）を形成した。
説明する。 （実験例１）ステンレス製の基板（ＳＵＳ３０４−Ｂ
Ａ、厚さ０．１ｍｍ、大きさ１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、
表面粗度の最大高さＲｍａｘ＝０．０５μｍ）の表面
に、スピンコート法（回転数２０００r.p.m.）により有
機ネガレジストＯＭＲ８５（東京応化工業（株）製、粘
度３５ｃｐ）を塗布し、８０〜９０℃にて２５分間の熱
処理（プリベーク）を行って有機ネガレジスト膜（厚さ
１．０μｍ）を形成した。
【００２５】次に、この有機ネガレジスト膜に最小線幅
２μｍのラインアンドスペースを有するフォトマスクを
介して紫外線を照射して露光を行い、その後、常温で現
像した。そして、乾燥した後、さらに１５０℃にて３０
分間の熱処理（ポストベーク）を行って有機レジストパ
ターンを形成した。この有機レジストパターンは、２μ
ｍのラインアンドスペースを再現していた。
２μｍのラインアンドスペースを有するフォトマスクを
介して紫外線を照射して露光を行い、その後、常温で現
像した。そして、乾燥した後、さらに１５０℃にて３０
分間の熱処理（ポストベーク）を行って有機レジストパ
ターンを形成した。この有機レジストパターンは、２μ
ｍのラインアンドスペースを再現していた。
【００２６】次に、Ｎｉ板を陽極、ステンレス基板を陰
極とし、下記の条件で基板の有機レジストパターン非形
成部にＮｉメッキ層（厚さ１μｍ）を形成し、水洗後、
乾燥した。 ・メッキ浴組成 … 硫酸ニッケル：２４０〜３４０ｇ
／ｌ 塩化ニッケル：４５ｇ／ｌ 硼 酸 ：３０〜３８ｇ／ｌ ・メッキ浴ｐＨ … ３〜４ ・メッキ浴温度 … ４０〜６０℃ ・電流密度 … ２．５〜５Ａ／cm2 一方、ガラス基板上に厚さ０．１５μｍのポリシリコン
層（Ｐ−Ｓｉ層）をプラズマＣＶＤ法により形成し、こ
のＰ−Ｓｉ層上に有機ネガレジストＯＭＲ８５を上述の
有機ネガレジスト膜形成条件と同じ条件で塗布して有機
ネガレジスト膜（厚さ１．０μｍ）を形成し、さらに、
この有機ネガレジスト膜上にアクリル系の粘着剤溶液ニ
ッセツＰＥ−１１８（日本カーバイト社製）を約１μｍ
厚に塗布して接着層を形成して被加工物とした。
極とし、下記の条件で基板の有機レジストパターン非形
成部にＮｉメッキ層（厚さ１μｍ）を形成し、水洗後、
乾燥した。 ・メッキ浴組成 … 硫酸ニッケル：２４０〜３４０ｇ
／ｌ 塩化ニッケル：４５ｇ／ｌ 硼 酸 ：３０〜３８ｇ／ｌ ・メッキ浴ｐＨ … ３〜４ ・メッキ浴温度 … ４０〜６０℃ ・電流密度 … ２．５〜５Ａ／cm2 一方、ガラス基板上に厚さ０．１５μｍのポリシリコン
層（Ｐ−Ｓｉ層）をプラズマＣＶＤ法により形成し、こ
のＰ−Ｓｉ層上に有機ネガレジストＯＭＲ８５を上述の
有機ネガレジスト膜形成条件と同じ条件で塗布して有機
ネガレジスト膜（厚さ１．０μｍ）を形成し、さらに、
この有機ネガレジスト膜上にアクリル系の粘着剤溶液ニ
ッセツＰＥ−１１８（日本カーバイト社製）を約１μｍ
厚に塗布して接着層を形成して被加工物とした。
【００２７】次に、被加工物の接着層と、ステンレス基
板に形成されたＮｉメッキ層とを圧着させ、その後、被
加工物とステンレス基板とを引き離したところ、Ｎｉメ
ッキ層は完全に被加工物の接着層に転写付着してＮｉメ
ッキ画像が形成された。
板に形成されたＮｉメッキ層とを圧着させ、その後、被
加工物とステンレス基板とを引き離したところ、Ｎｉメ
ッキ層は完全に被加工物の接着層に転写付着してＮｉメ
ッキ画像が形成された。
【００２８】次に、このＮｉメッキ画像をマスクとして
有機ネガレジスト膜を紫外線で露光し、その後、イソプ
ロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いて接着層を剥離除去
した。次いで、この有機ネガレジスト膜を常温で現像し
て有機レジストの画像を形成した。そして、この有機レ
ジストの画像をマスクとしてＰ−Ｓｉ層をＣＦ4 とＯ 2
との混合ガスによりドライエッチングし、その後、有機
レジストを剥離してＰ−Ｓｉ薄膜の画像を形成した。こ
のＰ−Ｓｉ薄膜画像の画線の解像度は、ラインアンドス
ペースで２μｍであった。 （実験例２）ステンレス板（ＳＵＳ３０４−ＴＡ、厚さ
０．１ｍｍ、大きさ１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、表面粗度
の最大高さＲｍａｘ＝０．１５μｍ）を研磨機の定盤上
に載置して所定の圧力で押圧しながら回転させて表面研
磨を行った。表面研磨の条件は下記の通りであった。
有機ネガレジスト膜を紫外線で露光し、その後、イソプ
ロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いて接着層を剥離除去
した。次いで、この有機ネガレジスト膜を常温で現像し
て有機レジストの画像を形成した。そして、この有機レ
ジストの画像をマスクとしてＰ−Ｓｉ層をＣＦ4 とＯ 2
との混合ガスによりドライエッチングし、その後、有機
レジストを剥離してＰ−Ｓｉ薄膜の画像を形成した。こ
のＰ−Ｓｉ薄膜画像の画線の解像度は、ラインアンドス
ペースで２μｍであった。 （実験例２）ステンレス板（ＳＵＳ３０４−ＴＡ、厚さ
０．１ｍｍ、大きさ１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、表面粗度
の最大高さＲｍａｘ＝０．１５μｍ）を研磨機の定盤上
に載置して所定の圧力で押圧しながら回転させて表面研
磨を行った。表面研磨の条件は下記の通りであった。
【００２９】 ・回転数 ： ２００〜１０００r.p.m. ・研磨液、研磨剤の使用順序と研磨時間 ： カーボランダム（ＳｉＣ）１２００番 … １〜２時間 ↓ カーボランダム（ＳｉＣ）１５００番 … ０．５〜１時間 ↓ ダイヤモンド３０００番 … ０．５〜１時間 ↓ ダイヤモンド８０００番 … ０．５〜１時間 ↓ ダイヤモンド１４０００番 … １〜２時間 上記のような表面研磨によりステンレス板ＳＵＳ３０４
−ＴＡの表面粗度のＲｍａｘは０．０８μｍとなった。
そして、この表面研磨により表面平滑性の向上したステ
ンレス板を基板として実験例１と同様にして有機レジス
トパターンを形成したところ、線幅３μｍのラインアン
ドスペースの有機レジストパターンが得られた。 （比較例）基板としてステンレス製基板（ＳＵＳ３０４
−ＴＡ、厚さ０．１ｍｍ、大きさ１５０ｍｍ×１５０ｍ
ｍ、表面粗度の最大高さＲｍａｘ＝０．１５μｍ）を使
用した他は実験例１と同様にして有機レジストパターン
を形成したところ、ステンレス製基板の表面粗度の影響
を受けて有機レジストパターンのラインエッヂ形状が悪
く、線幅５μｍのラインアンドスペースまでしか解像で
きなかった。また、この有機レジストパターンが形成さ
れた基板を用いて実験例１と同様にしてＮｉメッキ、被
加工物への転写、Ｐ−Ｓｉ層のドライエッチングの各工
程を行い、Ｐ−Ｓｉ薄膜の画像を形成した。このＰ−Ｓ
ｉ薄膜画像の画線の解像度は、ラインアンドスペースで
５μｍが限度であった。
−ＴＡの表面粗度のＲｍａｘは０．０８μｍとなった。
そして、この表面研磨により表面平滑性の向上したステ
ンレス板を基板として実験例１と同様にして有機レジス
トパターンを形成したところ、線幅３μｍのラインアン
ドスペースの有機レジストパターンが得られた。 （比較例）基板としてステンレス製基板（ＳＵＳ３０４
−ＴＡ、厚さ０．１ｍｍ、大きさ１５０ｍｍ×１５０ｍ
ｍ、表面粗度の最大高さＲｍａｘ＝０．１５μｍ）を使
用した他は実験例１と同様にして有機レジストパターン
を形成したところ、ステンレス製基板の表面粗度の影響
を受けて有機レジストパターンのラインエッヂ形状が悪
く、線幅５μｍのラインアンドスペースまでしか解像で
きなかった。また、この有機レジストパターンが形成さ
れた基板を用いて実験例１と同様にしてＮｉメッキ、被
加工物への転写、Ｐ−Ｓｉ層のドライエッチングの各工
程を行い、Ｐ−Ｓｉ薄膜の画像を形成した。このＰ−Ｓ
ｉ薄膜画像の画線の解像度は、ラインアンドスペースで
５μｍが限度であった。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればス
テンレス基板は表面粗度の最大高さ（Ｒｍａｘ）が０．
１μｍ以下であるため、形成された有機レジストパター
ンはエッヂ形状がシャープであり、これにより、被加工
物に転写されたメッキ層の解像度は大幅に向上する。
テンレス基板は表面粗度の最大高さ（Ｒｍａｘ）が０．
１μｍ以下であるため、形成された有機レジストパター
ンはエッヂ形状がシャープであり、これにより、被加工
物に転写されたメッキ層の解像度は大幅に向上する。
【図１】図１は本発明の微細パターンの形成方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図２】図２は微細パターンが形成された被加工物のエ
ッチング処理を説明するための図である。
ッチング処理を説明するための図である。
【図３】図３は微細パターンが形成された被加工物のエ
ッチング処理を説明するための図である。
ッチング処理を説明するための図である。
【図４】図４は本発明の微細パターン形成方法の他の例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
１…基板 ２…有機レジスト膜 ２′…有機レジストパターン ２ａ…溝部（有機レジストパターン非形成部） ３…フォトマスク ４…メッキ層 ６…被加工物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｊ 29/40 31/04 Ｈ 31/04 21/88 Ｂ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 C25D 5/26 G02F 1/1343 G03F 7/26 H01L 21/3065 H01L 21/3205 H01L 29/40 H01L 31/04
Claims (3)
- 【請求項１】 表面粗度の最大高さ（Ｒｍａｘ）が０．
１μｍ以下となるようにステンレス基板表面を研磨し、
次いで研磨されたステンレス基板表面に有機レジスト膜
を成膜し、所望の微細パターンを有するフォトマスクを
介して該有機レジスト膜を露光・現像して前記ステンレ
ス基板に有機レジストパターンを形成し、その後、前記
ステンレス基板の有機レジストパターン非形成部にメッ
キ層を形成し、該メッキ層を被加工物に転写させること
を特徴とする微細パターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記ステンレス基板はＳＵＳ３０４−Ｂ
Ａステンレス鋼からなることを特徴とする請求項１記載
の微細パターンの形成方法。 - 【請求項３】 前記ステンレス基板はＳＵＳ３０４−Ｔ
Ａステンレス鋼からなることを特徴とする請求項１記載
の微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20293591A JP3179524B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20293591A JP3179524B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 微細パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547701A JPH0547701A (ja) | 1993-02-26 |
| JP3179524B2 true JP3179524B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
ID=16465600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20293591A Expired - Fee Related JP3179524B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3179524B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5084399B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2012-11-28 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| WO2016204207A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 株式会社ニコン | 配線パターンの製造方法、トランジスタの製造方法、及び転写用部材 |
| KR102178158B1 (ko) * | 2018-11-26 | 2020-11-12 | 동아대학교 산학협력단 | 관통공이 매립된 Si 기판의 제조방법 |
-
1991
- 1991-08-13 JP JP20293591A patent/JP3179524B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0547701A (ja) | 1993-02-26 |
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