JPH04282890A - 微細パターンの形成方法 - Google Patents
微細パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH04282890A JPH04282890A JP3044952A JP4495291A JPH04282890A JP H04282890 A JPH04282890 A JP H04282890A JP 3044952 A JP3044952 A JP 3044952A JP 4495291 A JP4495291 A JP 4495291A JP H04282890 A JPH04282890 A JP H04282890A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- pattern
- masking layer
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 42
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 4
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は微細パターンの形成方法
に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において
被加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成する
ことのできる微細パターンの形成方法に関する。
に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において
被加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成する
ことのできる微細パターンの形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオー
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。例えば、カラー液晶ディスプレー(LCD)
に用いられる薄膜トランジスタ(TFT)は、通常、レ
ジスト塗布、露光、現像、エッチングの各処理からなる
フォトリソグラフィー工程を4〜6回程度繰り返すこと
により製造されている。
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子等の加工工
程においては、被加工物に微細パターンを形成し、その
後、被加工物をエッチング処理して加工することが行わ
れていた。例えば、カラー液晶ディスプレー(LCD)
に用いられる薄膜トランジスタ(TFT)は、通常、レ
ジスト塗布、露光、現像、エッチングの各処理からなる
フォトリソグラフィー工程を4〜6回程度繰り返すこと
により製造されている。
【0003】また、上述のフォトリソグラフィー法とは
異なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるプリント配線、回路パターンの
形成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターン
の形成に際しては、スクリーン印刷法やオフセット印刷
法等が用いられている。
異なり、被加工物にレジストパターンを印刷により形成
し、エッチング処理を繰り返す印刷法も広く採用されて
いる。この印刷法によるプリント配線、回路パターンの
形成、あるいは金属板のエッチング用レジストパターン
の形成に際しては、スクリーン印刷法やオフセット印刷
法等が用いられている。
【0004】また、基板上に形成した有機レジスト膜を
所定の微細パターンを有するフォトマスクを介して露光
・現像してマスキング層とし、このマスキング層が形成
されていない部分(凹部)にメッキ層を形成し、次に、
このメッキ層を被加工物に転写してレジストパターンを
形成し、その後、エッチング処理を行う方法がある。
所定の微細パターンを有するフォトマスクを介して露光
・現像してマスキング層とし、このマスキング層が形成
されていない部分(凹部)にメッキ層を形成し、次に、
このメッキ層を被加工物に転写してレジストパターンを
形成し、その後、エッチング処理を行う方法がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
40インチあるいは70インチといった大型のLCDを
フォトリソグラフィー法により製造する場合、フォトリ
ソグラフィー工程で使用する大型露光装置を含む専用装
置が必要となり、装置に要する費用が莫大なものとなる
。
40インチあるいは70インチといった大型のLCDを
フォトリソグラフィー法により製造する場合、フォトリ
ソグラフィー工程で使用する大型露光装置を含む専用装
置が必要となり、装置に要する費用が莫大なものとなる
。
【0006】一方、上述の印刷法は、印刷によるレジス
トパターン形成とエッチング処理を繰り返すことにより
、上記のような大型のLCD製造にも比較的容易に対応
することができる。しかし、印刷法はインキの流動性、
版の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移しな
いで版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷パタ
ーンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、画線
が200μm未満の微細パターンの形成には適していな
いという問題があった。
トパターン形成とエッチング処理を繰り返すことにより
、上記のような大型のLCD製造にも比較的容易に対応
することができる。しかし、印刷法はインキの流動性、
版の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移しな
いで版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷パタ
ーンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、画線
が200μm未満の微細パターンの形成には適していな
いという問題があった。
【0007】さらに、凹部内のメッキ層を被加工物に転
写してレジストパターンを形成する方法では、基板上に
形成されたマスキング層が有機レジストからなるため、
被加工物へのメッキ層の転写回数(耐刷回数)が低いと
いう問題があった。本発明は、上述のような事情に鑑み
てなされたものであり、線幅が微細であるとともに、膜
厚も適度な微細パターンを高い精度で効率よく形成する
ことのできる微細パターンの形成方法を提供することを
目的とする。
写してレジストパターンを形成する方法では、基板上に
形成されたマスキング層が有機レジストからなるため、
被加工物へのメッキ層の転写回数(耐刷回数)が低いと
いう問題があった。本発明は、上述のような事情に鑑み
てなされたものであり、線幅が微細であるとともに、膜
厚も適度な微細パターンを高い精度で効率よく形成する
ことのできる微細パターンの形成方法を提供することを
目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は少なくとも表面が導電性を示す基板
上に形成した無機レジスト膜上に有機レジスト膜を成膜
し、所望の微細パターンを有するフォトマスクを介して
該有機レジスト膜を露光・現像して前記無機レジスト膜
上に有機レジストパターンを形成し、該有機レジストパ
ターンを介して前記無機レジスト膜をエッチングして前
記基板上に無機レジストからなるマスキング層を形成し
、その後、前記基板のマスキング層非形成部にメッキ層
を形成し、該メッキ層を被加工物に転写させるような構
成とした。
るために、本発明は少なくとも表面が導電性を示す基板
上に形成した無機レジスト膜上に有機レジスト膜を成膜
し、所望の微細パターンを有するフォトマスクを介して
該有機レジスト膜を露光・現像して前記無機レジスト膜
上に有機レジストパターンを形成し、該有機レジストパ
ターンを介して前記無機レジスト膜をエッチングして前
記基板上に無機レジストからなるマスキング層を形成し
、その後、前記基板のマスキング層非形成部にメッキ層
を形成し、該メッキ層を被加工物に転写させるような構
成とした。
【0009】
【作用】基板表面に形成された無機レジスト膜上には有
機レジスト膜が形成され、この有機レジスト膜は所望の
微細パターンを有するフォトマスクを介して露光・現像
されて有機レジストパターンとされ、この有機レジスト
パターンを介して無機レジスト膜がエッチングされてマ
スキング層が形成され、その後、基板のマスキング層非
形成部に形成されたメッキ層は被加工物に転写される。 これにより、基板上には無機レジストからなるマスキン
グ層が形成され、基板のマスキング層非形成部にメッキ
層を形成し、このメッキ層を被加工物に転写する際のマ
スキング層の耐久性が高く、一つの基板の耐刷回数が大
幅に増大する。
機レジスト膜が形成され、この有機レジスト膜は所望の
微細パターンを有するフォトマスクを介して露光・現像
されて有機レジストパターンとされ、この有機レジスト
パターンを介して無機レジスト膜がエッチングされてマ
スキング層が形成され、その後、基板のマスキング層非
形成部に形成されたメッキ層は被加工物に転写される。 これにより、基板上には無機レジストからなるマスキン
グ層が形成され、基板のマスキング層非形成部にメッキ
層を形成し、このメッキ層を被加工物に転写する際のマ
スキング層の耐久性が高く、一つの基板の耐刷回数が大
幅に増大する。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の微細パターン形成に使用す
るマスキング層を備えた基板の形成方法を説明するため
の図である。図1において、導電性を有する基板1に無
機レジスト層2を形成し、この無機レジスト層2上にネ
ガレジストである有機レジスト層3を形成する(図1(
a))。次に、有機レジスト層3に所定の黒部パターン
4aを備えたフォトマスク4を重ね、このフォトマスク
4を介して有機レジスト層3に紫外線を照射する(図1
(b))。その後、現像して有機レジスト層3のうち黒
部パターン4aにより紫外線が照射されなかった部分の
有機レジスト層3を除去して凹部3aを有する有機レジ
ストパターン3′を形成する(図1(c))。そして、
有機レジストパターン3′の凹部3aを介して無機レジ
スト層2をエッチングし(図1(d))、その後、有機
レジストパターン3′を除去することにより無機レジス
トからなり凹部2aを有するマスキング層2′を形成す
る(図1(e))。
て説明する。図1は本発明の微細パターン形成に使用す
るマスキング層を備えた基板の形成方法を説明するため
の図である。図1において、導電性を有する基板1に無
機レジスト層2を形成し、この無機レジスト層2上にネ
ガレジストである有機レジスト層3を形成する(図1(
a))。次に、有機レジスト層3に所定の黒部パターン
4aを備えたフォトマスク4を重ね、このフォトマスク
4を介して有機レジスト層3に紫外線を照射する(図1
(b))。その後、現像して有機レジスト層3のうち黒
部パターン4aにより紫外線が照射されなかった部分の
有機レジスト層3を除去して凹部3aを有する有機レジ
ストパターン3′を形成する(図1(c))。そして、
有機レジストパターン3′の凹部3aを介して無機レジ
スト層2をエッチングし(図1(d))、その後、有機
レジストパターン3′を除去することにより無機レジス
トからなり凹部2aを有するマスキング層2′を形成す
る(図1(e))。
【0011】図2は上述のようにして形成されたマスキ
ング層を備える基板を用いての微細パターンの形成方法
を説明するための図である。図2において、まず、導電
性を有する基板1のマスキング層2′非形成部(凹部2
a)にメッキ層5を形成する(図1(a))。このメッ
キ層5は、図示のようにマスキング層2′よりも若干突
出するように、すなわち、メッキ層5の層厚がマスキン
グ層2′の層厚よりも大となるように形成される。通常
、メッキ層5のマスキング層2′からの突出量は0.1
〜0.5μm程度が好ましい。その後、メッキ層5と被
加工物6とを密着させ(図1(b))、メッキ層5を被
加工物6に転写させて微細パターンを形成する(図1(
c))。
ング層を備える基板を用いての微細パターンの形成方法
を説明するための図である。図2において、まず、導電
性を有する基板1のマスキング層2′非形成部(凹部2
a)にメッキ層5を形成する(図1(a))。このメッ
キ層5は、図示のようにマスキング層2′よりも若干突
出するように、すなわち、メッキ層5の層厚がマスキン
グ層2′の層厚よりも大となるように形成される。通常
、メッキ層5のマスキング層2′からの突出量は0.1
〜0.5μm程度が好ましい。その後、メッキ層5と被
加工物6とを密着させ(図1(b))、メッキ層5を被
加工物6に転写させて微細パターンを形成する(図1(
c))。
【0012】このように、本発明ではマスキング層が無
機レジストからなっているため、マスキング層の凹部に
メッキ層を形成し、このメッキ層を被加工物に転写する
際にマスキング層が基板から剥離することがなく、上記
の転写操作を繰り返し行うことができる。そして、図3
に示されるようにメッキ層5からなる微細パターンが形
成された被加工物6(図3(a))は、メッキ層5をレ
ジストとしてエッチング処理がなされ(図3(b))、
その後、メッキ層5が被加工物6から剥離される(図3
(c))。
機レジストからなっているため、マスキング層の凹部に
メッキ層を形成し、このメッキ層を被加工物に転写する
際にマスキング層が基板から剥離することがなく、上記
の転写操作を繰り返し行うことができる。そして、図3
に示されるようにメッキ層5からなる微細パターンが形
成された被加工物6(図3(a))は、メッキ層5をレ
ジストとしてエッチング処理がなされ(図3(b))、
その後、メッキ層5が被加工物6から剥離される(図3
(c))。
【0013】また、図4に示されるように、被加工物6
として表面にフォトレジスト7を塗布したものを用いる
ことができる。この場合、図2のようにして被加工物6
のフォトレジスト7上にメッキ層5からなる微細パター
ンを形成し(図4(a))、メッキ層5をフォトマスク
としてフォトレジスト7の露光・現像を行う(図4(b
))。その後、メッキ層5がフォトレジスト7から剥離
され(図4(c))、フォトレジスト7を介して被加工
物6のエッチング処理がなされ(図4(d))、その後
、フォトレジスト7が被加工物6から剥離される(図4
(e))。
として表面にフォトレジスト7を塗布したものを用いる
ことができる。この場合、図2のようにして被加工物6
のフォトレジスト7上にメッキ層5からなる微細パター
ンを形成し(図4(a))、メッキ層5をフォトマスク
としてフォトレジスト7の露光・現像を行う(図4(b
))。その後、メッキ層5がフォトレジスト7から剥離
され(図4(c))、フォトレジスト7を介して被加工
物6のエッチング処理がなされ(図4(d))、その後
、フォトレジスト7が被加工物6から剥離される(図4
(e))。
【0014】また、基板として導電性のない基板に導電
膜を形成したものを用いて図1に示されるのと同様の操
作により、基板の導電膜上述にマスキング層を形成する
ことができる。また、図5に示されるように、基板とし
て導電性を有するブランケット11を使用することがで
きる。この場合、ブランケット11の周面に、図1に示
されるのと同様にして所定パターンでマスキング層12
′を形成し、マスキング層非形成部(凹部)12aにメ
ッキ層15を形成する。そして、ブランケット11を被
加工物16上で回転動させてメッキ層15を被加工物1
6に転写して微細パターンを形成することができる。 また、導電性のないブランケットの周面に導電膜を形成
し、図5に示されるのと同様にして導電膜上にマスキン
グ層を形成し、マスキング層非形成部(凹部)にメッキ
層を形成することもできる。
膜を形成したものを用いて図1に示されるのと同様の操
作により、基板の導電膜上述にマスキング層を形成する
ことができる。また、図5に示されるように、基板とし
て導電性を有するブランケット11を使用することがで
きる。この場合、ブランケット11の周面に、図1に示
されるのと同様にして所定パターンでマスキング層12
′を形成し、マスキング層非形成部(凹部)12aにメ
ッキ層15を形成する。そして、ブランケット11を被
加工物16上で回転動させてメッキ層15を被加工物1
6に転写して微細パターンを形成することができる。 また、導電性のないブランケットの周面に導電膜を形成
し、図5に示されるのと同様にして導電膜上にマスキン
グ層を形成し、マスキング層非形成部(凹部)にメッキ
層を形成することもできる。
【0015】さらに、本発明では被加工物のメッキ層が
転写される面に予め粘着層を形成しておいてもよい。本
発明においては、導電性を有する基板としてステンレス
等の金属板、鉄鋼、亜鉛およびその合金、銅およびその
合金、マグネシウムおよびその合金等を使用することが
できる。また、非導電性の基板としては、ガラス板、プ
ラスチック、樹脂フィルム等を使用することがでる。そ
して、このような非導電性の基板に設けられる導電膜は
、酸化スズ、酸化インジウムスズ(ITO)、カーボン
等により形成することができる。また、マスキング層が
形成される基板面、あるいはマスキング層が形成される
非導電性基板上の導電膜面は、ある程度の鏡面処理が施
されていることが好ましい。これは、上述のようにメッ
キ層を被加工物に転写するに際して、メッキ層を基板か
ら容易に剥離させるためである。
転写される面に予め粘着層を形成しておいてもよい。本
発明においては、導電性を有する基板としてステンレス
等の金属板、鉄鋼、亜鉛およびその合金、銅およびその
合金、マグネシウムおよびその合金等を使用することが
できる。また、非導電性の基板としては、ガラス板、プ
ラスチック、樹脂フィルム等を使用することがでる。そ
して、このような非導電性の基板に設けられる導電膜は
、酸化スズ、酸化インジウムスズ(ITO)、カーボン
等により形成することができる。また、マスキング層が
形成される基板面、あるいはマスキング層が形成される
非導電性基板上の導電膜面は、ある程度の鏡面処理が施
されていることが好ましい。これは、上述のようにメッ
キ層を被加工物に転写するに際して、メッキ層を基板か
ら容易に剥離させるためである。
【0016】マスキング層を構成する無機レジスト膜は
、シリカ(SiO2)薄膜、チッ化シリコン(SiNx
)薄膜、酸化タンタル(Ta2 O5 )、96%アル
ミナ薄膜、ベリリヤ薄膜、フォルステライト薄膜等の電
気絶縁性の高い薄膜であってよい。このような無機レジ
スト膜は、例えばイオンプレーティング法、真空蒸着法
、スパッタリング法、化学的気相蒸着法(CVD法)等
の各種の薄膜形成法により基板1上に形成することがで
きる。このように形成される無機レジスト膜(マスキン
グ層)の厚さは、0.10〜1.0μm程度が好ましい
。
、シリカ(SiO2)薄膜、チッ化シリコン(SiNx
)薄膜、酸化タンタル(Ta2 O5 )、96%アル
ミナ薄膜、ベリリヤ薄膜、フォルステライト薄膜等の電
気絶縁性の高い薄膜であってよい。このような無機レジ
スト膜は、例えばイオンプレーティング法、真空蒸着法
、スパッタリング法、化学的気相蒸着法(CVD法)等
の各種の薄膜形成法により基板1上に形成することがで
きる。このように形成される無機レジスト膜(マスキン
グ層)の厚さは、0.10〜1.0μm程度が好ましい
。
【0017】無機レジスト膜上に形成される有機レジス
ト膜は公知の有機フォトレジストを使用することができ
、例えばゼラチン、カゼイン、ポリビニルアルコール等
に重クロム酸塩等の感光剤を添加したものを挙げること
ができる。メッキ層の形成材料としては、電気メッキ材
料に一般に用いられる金属、あるいは有機材料(高分子
材料)等の導電性材料を使用することができる。
ト膜は公知の有機フォトレジストを使用することができ
、例えばゼラチン、カゼイン、ポリビニルアルコール等
に重クロム酸塩等の感光剤を添加したものを挙げること
ができる。メッキ層の形成材料としては、電気メッキ材
料に一般に用いられる金属、あるいは有機材料(高分子
材料)等の導電性材料を使用することができる。
【0018】金属材料としては、特にメッキ層の成膜性
に優れることよりNi,Cr,Fi,Au,Ag,Cu
,Zn,Snまたはこれらの化合物、合金類等を好適に
使用することができる。また、有機材料(高分子材料)
としては、例えばピロールやチオフェンを用いて電極上
に形成されるポリピロール、ポリチエニレンの導電性高
分子被膜を用いることができる。
に優れることよりNi,Cr,Fi,Au,Ag,Cu
,Zn,Snまたはこれらの化合物、合金類等を好適に
使用することができる。また、有機材料(高分子材料)
としては、例えばピロールやチオフェンを用いて電極上
に形成されるポリピロール、ポリチエニレンの導電性高
分子被膜を用いることができる。
【0019】このようなメッキ層は、上述のようにマス
キング層よりも若干突出するように形成される。これに
より、メッキ層が被加工物と確実に接触して転写が確実
に行われることになる。次に、実験例を示して本発明を
更に詳細に説明する。 (実験例)ステンレス製の基板(SUS304、厚さ0
.1mm、大きさ150mm×150mm)の表面に、
EB蒸着法により膜厚1500ÅのSiO2薄膜を形成
した。次に、このSiO2 薄膜上にスピンコート法(
回転数2000rpm)によりネガレジストOMR85
(東京応化工業(株)製、粘度35cp)を塗布し、8
0〜90℃にて25分間の熱処理(プリベーク)を行っ
てネガレジスト膜(厚さ1.0μm)を形成した。
キング層よりも若干突出するように形成される。これに
より、メッキ層が被加工物と確実に接触して転写が確実
に行われることになる。次に、実験例を示して本発明を
更に詳細に説明する。 (実験例)ステンレス製の基板(SUS304、厚さ0
.1mm、大きさ150mm×150mm)の表面に、
EB蒸着法により膜厚1500ÅのSiO2薄膜を形成
した。次に、このSiO2 薄膜上にスピンコート法(
回転数2000rpm)によりネガレジストOMR85
(東京応化工業(株)製、粘度35cp)を塗布し、8
0〜90℃にて25分間の熱処理(プリベーク)を行っ
てネガレジスト膜(厚さ1.0μm)を形成した。
【0020】次に、このネガレジスト膜に線幅5μmの
所定形状の微細パターンを有するフォトマスクを介して
常温で紫外線を照射して露光を行い、その後、現像、乾
燥し、さらに150℃にて30分間の熱処理(ポストベ
ーク)を行ってレジストパターンを形成した。そして、
このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング
装置を用いてSiO2 薄膜のエッチングを行い、OM
R剥離液(120℃)に約2分間浸漬してレジストパタ
ーンを剥離し、SiO2 薄膜からなるマスキング層を
形成した。
所定形状の微細パターンを有するフォトマスクを介して
常温で紫外線を照射して露光を行い、その後、現像、乾
燥し、さらに150℃にて30分間の熱処理(ポストベ
ーク)を行ってレジストパターンを形成した。そして、
このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング
装置を用いてSiO2 薄膜のエッチングを行い、OM
R剥離液(120℃)に約2分間浸漬してレジストパタ
ーンを剥離し、SiO2 薄膜からなるマスキング層を
形成した。
【0021】次に、Ni板を陽極、基板を陰極とし、下
記の条件で基板のマスキング層非形成部にNiメッキ層
(厚さ1μm)を形成し、水洗後、乾燥した。 ・メッキ浴組成 … 硫酸ニッケル:240〜34
0g/l 塩化ニッケル:45g/l 硼 酸 :30〜38g/l・メッキ浴p
H … 3〜4 ・メッキ浴温度 … 40〜60℃・電流密度
… 2.5〜5A/cm2 そして、この基
板上にセロテープを貼り付け、その後、このセロテープ
を剥離してNiメッキ層をセロテープに転写した。この
転写において、SiO2 薄膜からなるマスキング層は
セロテープに取られることなくステンレス基板上に在っ
た。このようなメッキ・転写操作を反復したところ、反
復回数が100回となるまでマスキング層の剥離はみら
れず、優れた耐刷性が確認された。 (比較例)実験例と同様の基板上にかけ流し法により有
機レジスト・カゼイン感光液R−15(富士薬品工業(
株)製、粘度20cp)を塗布し、赤外線を照射して乾
燥させて有機レジスト・カゼイン膜(厚さ1.0μm)
を形成した。
記の条件で基板のマスキング層非形成部にNiメッキ層
(厚さ1μm)を形成し、水洗後、乾燥した。 ・メッキ浴組成 … 硫酸ニッケル:240〜34
0g/l 塩化ニッケル:45g/l 硼 酸 :30〜38g/l・メッキ浴p
H … 3〜4 ・メッキ浴温度 … 40〜60℃・電流密度
… 2.5〜5A/cm2 そして、この基
板上にセロテープを貼り付け、その後、このセロテープ
を剥離してNiメッキ層をセロテープに転写した。この
転写において、SiO2 薄膜からなるマスキング層は
セロテープに取られることなくステンレス基板上に在っ
た。このようなメッキ・転写操作を反復したところ、反
復回数が100回となるまでマスキング層の剥離はみら
れず、優れた耐刷性が確認された。 (比較例)実験例と同様の基板上にかけ流し法により有
機レジスト・カゼイン感光液R−15(富士薬品工業(
株)製、粘度20cp)を塗布し、赤外線を照射して乾
燥させて有機レジスト・カゼイン膜(厚さ1.0μm)
を形成した。
【0022】次に、実験例で使用したフォトマスクを介
して常温で紫外線を照射して有機レジスト・カゼイン膜
の露光を行い、その後、60〜65℃の水で現像を行い
、400℃にて2分間の熱処理(ポストベーク)を行っ
てレジストパターン(マスキング層)を形成した。そし
て、実験例と同様にして基板のマスキング層非形成部に
Niメッキ層を形成した。そして、実験例と同様にして
Niメッキ層をセロテープに転写したところ、2回目の
メッキ・転写操作においてマスキング層が剥離してセロ
テープに取られてしまい、反復性のないことが確認され
た。
して常温で紫外線を照射して有機レジスト・カゼイン膜
の露光を行い、その後、60〜65℃の水で現像を行い
、400℃にて2分間の熱処理(ポストベーク)を行っ
てレジストパターン(マスキング層)を形成した。そし
て、実験例と同様にして基板のマスキング層非形成部に
Niメッキ層を形成した。そして、実験例と同様にして
Niメッキ層をセロテープに転写したところ、2回目の
メッキ・転写操作においてマスキング層が剥離してセロ
テープに取られてしまい、反復性のないことが確認され
た。
【0023】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば基
板表面に形成された無機レジスト膜上には有機レジスト
膜が形成され、この有機レジスト膜は所望の微細パター
ンを有するフォトマスクを介して露光・現像されて有機
レジストパターンとされ、この有機レジストパターンを
介して無機レジスト膜がエッチングされて基板上には無
機レジストからなるマスキング層が形成され、基板のマ
スキング層非形成部にメッキ層を形成し、このメッキ層
を被加工物に転写する際のマスキング層の耐久性が高く
、一つの基板の耐刷回数が大幅に増大する。
板表面に形成された無機レジスト膜上には有機レジスト
膜が形成され、この有機レジスト膜は所望の微細パター
ンを有するフォトマスクを介して露光・現像されて有機
レジストパターンとされ、この有機レジストパターンを
介して無機レジスト膜がエッチングされて基板上には無
機レジストからなるマスキング層が形成され、基板のマ
スキング層非形成部にメッキ層を形成し、このメッキ層
を被加工物に転写する際のマスキング層の耐久性が高く
、一つの基板の耐刷回数が大幅に増大する。
【図1】図1は本発明の微細パターン形成に使用するマ
スキング層を備えた基板の形成方法を説明するための図
である。
スキング層を備えた基板の形成方法を説明するための図
である。
【図2】図2は本発明の微細パターンの形成方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図3】図3は微細パターンが形成された被加工物のエ
ッチング処理を説明するための図である。
ッチング処理を説明するための図である。
【図4】図4は微細パターンが形成された被加工物のエ
ッチング処理を説明するための図である。
ッチング処理を説明するための図である。
【図5】図5は本発明の微細パターン形成方法の他の例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
1 基板
2 無機レジスト膜
2′ マスキング層
2a 凹部(マスキング層非形成部)3 有機レジ
スト膜 3′ 有機レジストパターン 4 フォトマスク 5 メッキ層 6 被加工物
スト膜 3′ 有機レジストパターン 4 フォトマスク 5 メッキ層 6 被加工物
Claims (1)
- 【請求項1】 少なくとも表面が導電性を示す基板上
に形成した無機レジスト膜上に有機レジスト膜を成膜し
、所望の微細パターンを有するフォトマスクを介して該
有機レジスト膜を露光・現像して前記無機レジスト膜上
に有機レジストパターンを形成し、該有機レジストパタ
ーンを介して前記無機レジスト膜をエッチングして前記
基板上に無機レジストからなるマスキング層を形成し、
その後、前記基板のマスキング層非形成部にメッキ層を
形成し、該メッキ層を被加工物に転写させることを特徴
とする微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4495291A JP3244181B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4495291A JP3244181B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 微細パターンの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04282890A true JPH04282890A (ja) | 1992-10-07 |
JP3244181B2 JP3244181B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=12705827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4495291A Expired - Fee Related JP3244181B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | 微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3244181B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001217245A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Sharp Corp | 電子部品およびその製造方法 |
JP2006253439A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | National Institute For Materials Science | ステンシルマスク及びその製造方法 |
CN102540565A (zh) * | 2012-03-20 | 2012-07-04 | 友达光电(苏州)有限公司 | 具有太阳能电池功能的彩色滤光基板及显示面板 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999060831A1 (en) | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board and method of production thereof |
-
1991
- 1991-03-11 JP JP4495291A patent/JP3244181B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001217245A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Sharp Corp | 電子部品およびその製造方法 |
JP2006253439A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | National Institute For Materials Science | ステンシルマスク及びその製造方法 |
JP4654383B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-03-16 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ステンシルマスク及びその製造方法 |
CN102540565A (zh) * | 2012-03-20 | 2012-07-04 | 友达光电(苏州)有限公司 | 具有太阳能电池功能的彩色滤光基板及显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3244181B2 (ja) | 2002-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4508863B2 (ja) | パターン形成された薄膜導体を基材上に形成する方法 | |
US7913382B2 (en) | Patterned printing plates and processes for printing electrical elements | |
US5458715A (en) | Alignment transfer method | |
JPH04282890A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
JP2009122633A (ja) | フォトレジスト・マスキング方法 | |
JP3209528B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
KR0125013B1 (ko) | 미세패턴의 형성방법 | |
KR100735659B1 (ko) | 요판 옵셋용 마스터 판, 그 마스터 판의 제조방법 및 그마스터 판을 이용한 막(膜)회로의 형성방법 | |
JP3179524B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
JP2664128B2 (ja) | 金属メッキマスクパターン | |
KR101250411B1 (ko) | 액정표시장치용 고정밀 인쇄판 및 그의 제조 방법 | |
JP3140574B2 (ja) | 電着基板および電着転写方法 | |
JP2878395B2 (ja) | 微細パターンの加工方法 | |
JPS6146520Y2 (ja) | ||
KR101250422B1 (ko) | 액정표시장치용 고정밀 인쇄판 및 그의 제조 방법 | |
JPH0682825A (ja) | 微細パターンの転写方法 | |
KR20110048605A (ko) | 액정표시장치용 클리체 및 그 제조방법 | |
US4223088A (en) | Method of forming defined conductive patterns in a thin gold film | |
US5578186A (en) | Method for forming an acrylic resist on a substrate and a fabrication process of an electronic apparatus | |
JP2907318B2 (ja) | 電極埋設基板及びその製造方法 | |
KR101211721B1 (ko) | 액정표시장치용 고정밀 인쇄판 및 그의 제조 방법 | |
JPH04142517A (ja) | 透明電極の製造方法 | |
JPH11194358A (ja) | 液晶パネルの配線パターン形成方法 | |
JPH06175340A (ja) | 微細パターン形成用の原版 | |
JPH04147987A (ja) | 微細パターンの形成方法および微細パターンの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071026 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081026 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |