JP3140574B2 - 電着基板および電着転写方法 - Google Patents
電着基板および電着転写方法Info
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- JP3140574B2 JP3140574B2 JP23102792A JP23102792A JP3140574B2 JP 3140574 B2 JP3140574 B2 JP 3140574B2 JP 23102792 A JP23102792 A JP 23102792A JP 23102792 A JP23102792 A JP 23102792A JP 3140574 B2 JP3140574 B2 JP 3140574B2
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電着基板および電着転写
方法に係り、特に高い精度で効率よく微細パターンを形
成することができ優れた耐久性をもつ電着基板と、この
電着基板を用いた電着転写方法に関する。
方法に係り、特に高い精度で効率よく微細パターンを形
成することができ優れた耐久性をもつ電着基板と、この
電着基板を用いた電着転写方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオー
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子、プリント
基板等の加工工程においては、被加工物に微細パターン
を形成し、その後、被加工物をエッチング処理して加工
することが行われている。
ド、太陽電池、薄膜センサ、各種半導体素子、プリント
基板等の加工工程においては、被加工物に微細パターン
を形成し、その後、被加工物をエッチング処理して加工
することが行われている。
【０００３】被加工物に微細パターンを形成する方法と
しては、レジスト塗布、露光、現像、エッチングの各処
理からなる工程を数回繰り返すフォトリソグラフィー
法、被加工物にレジストパターンを直接形成する印刷法
等がある。
しては、レジスト塗布、露光、現像、エッチングの各処
理からなる工程を数回繰り返すフォトリソグラフィー
法、被加工物にレジストパターンを直接形成する印刷法
等がある。
【０００４】しかし、フォトリソグラフィー法は工程が
煩雑であり、また被加工物の大型化に伴って大型露光装
置を含む専用装置が必要となり、装置に要する費用が莫
大なものとなる。
煩雑であり、また被加工物の大型化に伴って大型露光装
置を含む専用装置が必要となり、装置に要する費用が莫
大なものとなる。
【０００５】また、印刷法にはオフセット印刷法、スク
リーン印刷法等があるが、いずれの方法においてもイン
キの流動性、版の圧力等の影響やインキの一部が被加工
物に転移しないで版上に残留してしまうこと等に起因し
て、印刷パターンが変形し易く、寸法精度および再現性
に劣り、画線幅が５０μｍ未満の微細パターンの形成に
は適していないという問題があった。さらに、インキに
は、例えば半導体膜等のエッチング用パターンに応用す
るのに適さない金属イオン等の汚染成分が多く含まれて
おり、印刷により汚染が発生するという問題があった。
そして、上記のような印刷に用いられるインキは粘度が
高いため、インキを精製して不純物を除去することは不
可能であった。
リーン印刷法等があるが、いずれの方法においてもイン
キの流動性、版の圧力等の影響やインキの一部が被加工
物に転移しないで版上に残留してしまうこと等に起因し
て、印刷パターンが変形し易く、寸法精度および再現性
に劣り、画線幅が５０μｍ未満の微細パターンの形成に
は適していないという問題があった。さらに、インキに
は、例えば半導体膜等のエッチング用パターンに応用す
るのに適さない金属イオン等の汚染成分が多く含まれて
おり、印刷により汚染が発生するという問題があった。
そして、上記のような印刷に用いられるインキは粘度が
高いため、インキを精製して不純物を除去することは不
可能であった。
【０００６】このため、高精密な微細パターンを被加工
物に形成する方法として電着転写法が開発されている。
従来の電着転写法では、導電性基板上に所定パターンで
形成された絶縁性部を備える電着基板が用いられる。こ
の電着基板は、絶縁性部により導電性基板上に凸部が形
成され、導電性基板が露出している凹部に金属や有機物
質等の電着物質が析出される。そして、電着基板上に析
出形成された電着物質からなるパターンを、粘着剤層を
介して被加工物上に転写することにより微細パターンが
形成される。このような、電着転写方法は上記のような
問題がなく、線幅が５μｍ以下の微細パターンを高い精
度で効率よく形成することが可能である。
物に形成する方法として電着転写法が開発されている。
従来の電着転写法では、導電性基板上に所定パターンで
形成された絶縁性部を備える電着基板が用いられる。こ
の電着基板は、絶縁性部により導電性基板上に凸部が形
成され、導電性基板が露出している凹部に金属や有機物
質等の電着物質が析出される。そして、電着基板上に析
出形成された電着物質からなるパターンを、粘着剤層を
介して被加工物上に転写することにより微細パターンが
形成される。このような、電着転写方法は上記のような
問題がなく、線幅が５μｍ以下の微細パターンを高い精
度で効率よく形成することが可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電着基板では、電着基板上の電着物質を粘着剤層を介し
て被加工物上に転写する際に、絶縁性部と電着物質との
摩擦、および粘着剤層から絶縁性部へ加わる粘着剥離力
により、電着基板の耐久性が低下するという問題があっ
た。すなわち、電着物質が析出された凹部に露出してい
る絶縁性部側面と、凹部から被加工物上に転写される電
着物質の側面との摩擦が生じ、さらに、電着物質を粘着
剤層上に転写して電着基板と被加工物とを剥離する際
に、絶縁性部を導電性基板から剥離するような粘着剥離
力が粘着剤層から絶縁性部へ加わり、この粘着剥離力に
より特に絶縁性部の側面において絶縁性部と導電性基板
との剥離が発生し易くなる。このため、転写回数の増大
とともに前記の摩擦力および粘着剥離力による絶縁性部
側面の構造破壊が進行し、電着基板の耐久性が大幅に低
下するという問題があった。
電着基板では、電着基板上の電着物質を粘着剤層を介し
て被加工物上に転写する際に、絶縁性部と電着物質との
摩擦、および粘着剤層から絶縁性部へ加わる粘着剥離力
により、電着基板の耐久性が低下するという問題があっ
た。すなわち、電着物質が析出された凹部に露出してい
る絶縁性部側面と、凹部から被加工物上に転写される電
着物質の側面との摩擦が生じ、さらに、電着物質を粘着
剤層上に転写して電着基板と被加工物とを剥離する際
に、絶縁性部を導電性基板から剥離するような粘着剥離
力が粘着剤層から絶縁性部へ加わり、この粘着剥離力に
より特に絶縁性部の側面において絶縁性部と導電性基板
との剥離が発生し易くなる。このため、転写回数の増大
とともに前記の摩擦力および粘着剥離力による絶縁性部
側面の構造破壊が進行し、電着基板の耐久性が大幅に低
下するという問題があった。
【０００８】本発明は、上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、微細パターンを高い精度で効率よく形
成することができ、かつ優れた耐久性をもつ電着基板
と、この電着基板を用いた電着転写方法を提供すること
を目的とする。
れたものであり、微細パターンを高い精度で効率よく形
成することができ、かつ優れた耐久性をもつ電着基板
と、この電着基板を用いた電着転写方法を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の電着基板は少なくとも表面が導電性
を有する基板と、該基板上に所定パターンで形成された
絶縁性部と、前記基板の絶縁性部非形成部分に形成され
電着物質が析出されるための導電性部とを備え、該導電
性部は前記基板の表面との接着性が大きく、かつ電着物
質との剥離性が大きい導電物質で形成され、前記絶縁性
部と略同一平面をなすような構成とした。
るために、本発明の電着基板は少なくとも表面が導電性
を有する基板と、該基板上に所定パターンで形成された
絶縁性部と、前記基板の絶縁性部非形成部分に形成され
電着物質が析出されるための導電性部とを備え、該導電
性部は前記基板の表面との接着性が大きく、かつ電着物
質との剥離性が大きい導電物質で形成され、前記絶縁性
部と略同一平面をなすような構成とした。
【００１０】また、本発明の電着転写方法は上述のよう
な電着基板の導電性部に形成した電着物質からなるパタ
ーンを、粘着剤層を介して被転写体に転写するような構
成とした。
な電着基板の導電性部に形成した電着物質からなるパタ
ーンを、粘着剤層を介して被転写体に転写するような構
成とした。
【００１１】
【作用】少なくとも表面が導電性を有する基板上に絶縁
性部と導電性部とが略同一平面をなすように形成され、
さらに導電性部は前記基板の表面との接着性が大きく、
かつ電着物質との剥離性が大きい導電物質で形成され、
この導電性部上に電着物質が析出されるので、電着物質
を粘着剤層を介して被加工物上に転写する際に、絶縁性
部と電着物質との摩擦が生じることが防止され、また粘
着剤層と絶縁性部との接触がないので、粘着剥離力が粘
着剤層から絶縁性部へ加わることも防止される。
性部と導電性部とが略同一平面をなすように形成され、
さらに導電性部は前記基板の表面との接着性が大きく、
かつ電着物質との剥離性が大きい導電物質で形成され、
この導電性部上に電着物質が析出されるので、電着物質
を粘着剤層を介して被加工物上に転写する際に、絶縁性
部と電着物質との摩擦が生じることが防止され、また粘
着剤層と絶縁性部との接触がないので、粘着剥離力が粘
着剤層から絶縁性部へ加わることも防止される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の電着基板の一例を示す概略
構成図である。図１において電着基板１は、少なくとも
表面が導電性を有する基板２と、この基板２上に所定パ
ターンで形成された絶縁性部３と、基板２上の絶縁性部
３非形成部分に形成された導電性部４とを備えている。
て説明する。図１は本発明の電着基板の一例を示す概略
構成図である。図１において電着基板１は、少なくとも
表面が導電性を有する基板２と、この基板２上に所定パ
ターンで形成された絶縁性部３と、基板２上の絶縁性部
３非形成部分に形成された導電性部４とを備えている。
【００１３】電着基板１に用いる基板２は、ステンレ
ス、銅等の金属からなる導電性基板を用いてもよく、ま
た非導電性基板の表面に金属、酸化スズ、酸化インジウ
ムスズ（ＩＴＯ）、カーボン等の導電性材料からなる層
を形成したものであってもよい。
ス、銅等の金属からなる導電性基板を用いてもよく、ま
た非導電性基板の表面に金属、酸化スズ、酸化インジウ
ムスズ（ＩＴＯ）、カーボン等の導電性材料からなる層
を形成したものであってもよい。
【００１４】また、絶縁性部３は、ブタジエンゴム系、
ポリイソプレンゴム系、ポリイミド系等の有機材料から
なる絶縁性のフォトレジストを用いて形成することがで
きる。また、絶縁性部３として、電気絶縁性材料である
ＳｉＮx 、ＳｉＯ2 等の無機材料からなる層、あるいは
Ｔｉ、Ｔａ等を陽極酸化して電気絶縁性を付与した層と
してもよい。このような絶縁性部３の厚さは、０．５〜
５μｍ程度が好ましい。
ポリイソプレンゴム系、ポリイミド系等の有機材料から
なる絶縁性のフォトレジストを用いて形成することがで
きる。また、絶縁性部３として、電気絶縁性材料である
ＳｉＮx 、ＳｉＯ2 等の無機材料からなる層、あるいは
Ｔｉ、Ｔａ等を陽極酸化して電気絶縁性を付与した層と
してもよい。このような絶縁性部３の厚さは、０．５〜
５μｍ程度が好ましい。
【００１５】電着基板１の導電性部４は、後述するよう
に電着物質が析出され、その後、電着物質を被転写体へ
転写するためのものであり、基板２の表面との接着性が
大きく、かつ電着物質との剥離性が大きい導電物質、例
えば表面酸化性が比較的高いニッケルやクロム等の金属
メッキを施すことにより形成され、絶縁性部３と同一平
面をなしている。
に電着物質が析出され、その後、電着物質を被転写体へ
転写するためのものであり、基板２の表面との接着性が
大きく、かつ電着物質との剥離性が大きい導電物質、例
えば表面酸化性が比較的高いニッケルやクロム等の金属
メッキを施すことにより形成され、絶縁性部３と同一平
面をなしている。
【００１６】尚、基板２の表面が上記の金属メッキ（導
電性部４）に対して密着性が低い場合、金属メッキに対
する密着性の高い金属の層、例えばニッケルメッキを行
う場合は、銅の薄層を予め基板２上の絶縁性部３非形成
部分に形成しておき、この銅薄層上にニッケルやクロム
等の金属メッキを施すことができる。
電性部４）に対して密着性が低い場合、金属メッキに対
する密着性の高い金属の層、例えばニッケルメッキを行
う場合は、銅の薄層を予め基板２上の絶縁性部３非形成
部分に形成しておき、この銅薄層上にニッケルやクロム
等の金属メッキを施すことができる。
【００１７】本発明の電着基板１は、上述のように基板
２上に形成された絶縁性部３と導電性部４とが同一平面
をなし平版化されている。このため、後述する電着転写
の際に、絶縁性部３と電着物質との摩擦が生じることが
防止され、また粘着剤層と絶縁性部３との接触がないの
で、粘着剥離力が粘着剤層から絶縁性部３へ加わること
も防止され、電着基板１は優れた耐久性を有する。
２上に形成された絶縁性部３と導電性部４とが同一平面
をなし平版化されている。このため、後述する電着転写
の際に、絶縁性部３と電着物質との摩擦が生じることが
防止され、また粘着剤層と絶縁性部３との接触がないの
で、粘着剥離力が粘着剤層から絶縁性部３へ加わること
も防止され、電着基板１は優れた耐久性を有する。
【００１８】次に、図１に示される本発明の電着基板の
製造例を図２を参照して説明する。図２において、先
ず、少なくとも表面が導電性を有する基板２上に電気絶
縁性を有するフォトレジストを塗布してレジスト層３′
を形成する（図２（Ａ））。次に、レジスト層３′に所
定のパターンを備えたフォトマスク５を重ね、このフォ
トマスク５を介してレジスト層３′を露光する（図２
（Ｂ））。その後、現像・乾燥して電気絶縁性のレジス
トパターンである絶縁性部３を形成する（図２
（Ｃ））。尚、絶縁性部３に加熱処理を施して耐水性、
電気絶縁性をより高いものとしてもよい。
製造例を図２を参照して説明する。図２において、先
ず、少なくとも表面が導電性を有する基板２上に電気絶
縁性を有するフォトレジストを塗布してレジスト層３′
を形成する（図２（Ａ））。次に、レジスト層３′に所
定のパターンを備えたフォトマスク５を重ね、このフォ
トマスク５を介してレジスト層３′を露光する（図２
（Ｂ））。その後、現像・乾燥して電気絶縁性のレジス
トパターンである絶縁性部３を形成する（図２
（Ｃ））。尚、絶縁性部３に加熱処理を施して耐水性、
電気絶縁性をより高いものとしてもよい。
【００１９】次に、絶縁性部３が形成されていない基板
２上に、すなわち基板２が露出した凹部に、ニッケルメ
ッキあるいはクロムメッキを施して導電性部４を形成し
て電着基板１とすることができる（図２（Ｄ））。
２上に、すなわち基板２が露出した凹部に、ニッケルメ
ッキあるいはクロムメッキを施して導電性部４を形成し
て電着基板１とすることができる（図２（Ｄ））。
【００２０】また、本発明の導電性基板は、導電性部を
絶縁性部よりも高くしたものであってもよい。図３は、
このような本発明の電着基板の例を示す概略構成図であ
る。図３において電着基板１１は、少なくとも表面が導
電性を有する基板１２と、この基板１２上に所定パター
ンで形成された絶縁性部１３と、基板１２上の絶縁性部
１３非形成部分に形成された導電性部１４とを備えてい
る。そして、導電性部１４は、絶縁性部１３間の凹部に
位置する基部１４ａと、絶縁性部１３の表面よりも高
く、かつ隣接する絶縁性部３上方へ若干突き出した突出
部１４ｂとから構成されている。
絶縁性部よりも高くしたものであってもよい。図３は、
このような本発明の電着基板の例を示す概略構成図であ
る。図３において電着基板１１は、少なくとも表面が導
電性を有する基板１２と、この基板１２上に所定パター
ンで形成された絶縁性部１３と、基板１２上の絶縁性部
１３非形成部分に形成された導電性部１４とを備えてい
る。そして、導電性部１４は、絶縁性部１３間の凹部に
位置する基部１４ａと、絶縁性部１３の表面よりも高
く、かつ隣接する絶縁性部３上方へ若干突き出した突出
部１４ｂとから構成されている。
【００２１】このように導電性部１４を絶縁性部１３の
表面よりも高く形成し、かつ隣接する絶縁性部３上方へ
若干突き出した、いわゆるオーバーハング部をもたせた
ことにより、後述する電着転写の際の絶縁性部１３と電
着物質との摩擦防止が更に高められ、絶縁性部３の構造
破壊が大幅に減少することになる。
表面よりも高く形成し、かつ隣接する絶縁性部３上方へ
若干突き出した、いわゆるオーバーハング部をもたせた
ことにより、後述する電着転写の際の絶縁性部１３と電
着物質との摩擦防止が更に高められ、絶縁性部３の構造
破壊が大幅に減少することになる。
【００２２】尚、上記の電着基板１１は、電着基板１と
同様に図２に示されるようにして製造することができ
る。次に、図４を参照して図３に示されるような本発明
の電着基板１１を用いた電着転写方法を説明する。
同様に図２に示されるようにして製造することができ
る。次に、図４を参照して図３に示されるような本発明
の電着基板１１を用いた電着転写方法を説明する。
【００２３】まず、電着成分を含有する電着浴中に対向
電極とともに電着基板１１を浸漬し、電着基板１１を一
方の電極として通電して導電性部１４上に電着物質２１
を析出させ、電着物質からなる所定のパターンを備えた
微細パターンを形成する（図４（Ａ））。
電極とともに電着基板１１を浸漬し、電着基板１１を一
方の電極として通電して導電性部１４上に電着物質２１
を析出させ、電着物質からなる所定のパターンを備えた
微細パターンを形成する（図４（Ａ））。
【００２４】一方、被転写体３１の表面に粘着剤層３２
を形成し、この被転写体３１を粘着剤層３２を介して電
着基板１１上の電着物質２１と接触させる（図４
（Ｂ））。このとき、粘着剤層３２は微細パターンを構
成する電着物質２１とのみ接触し、電着基板１１の絶縁
性部１３との接触は生じていない。これは、図１に示さ
れる本発明の電着基板１を用いた場合であっても同様で
ある。
を形成し、この被転写体３１を粘着剤層３２を介して電
着基板１１上の電着物質２１と接触させる（図４
（Ｂ））。このとき、粘着剤層３２は微細パターンを構
成する電着物質２１とのみ接触し、電着基板１１の絶縁
性部１３との接触は生じていない。これは、図１に示さ
れる本発明の電着基板１を用いた場合であっても同様で
ある。
【００２５】その後、電着基板１１と被転写体３１とを
剥離することにより、電着物質からなる微細パターンを
被転写体３１上に転写する（図４（Ｃ））。この転写に
際し、絶縁性部１３と電着物質２１との摩擦が生じるこ
とはなく、また粘着剤層３２と絶縁性部１３との接触が
ないので、粘着剥離力が粘着剤層３２から絶縁性部１３
へ加わることも防止される。したがって、絶縁性部１３
の構造破壊は極端に少なく、電着基板１１を繰り返し用
いて電着転写を行うことができる。
剥離することにより、電着物質からなる微細パターンを
被転写体３１上に転写する（図４（Ｃ））。この転写に
際し、絶縁性部１３と電着物質２１との摩擦が生じるこ
とはなく、また粘着剤層３２と絶縁性部１３との接触が
ないので、粘着剥離力が粘着剤層３２から絶縁性部１３
へ加わることも防止される。したがって、絶縁性部１３
の構造破壊は極端に少なく、電着基板１１を繰り返し用
いて電着転写を行うことができる。
【００２６】本発明の電着転写方法に用いる電着物質と
しては、金属あるいは有機材料（高分子材料）等の導電
性材料を挙げることができる。金属材料としては、特に
メッキ層の成膜性に優れることよりＦｅ，Ａｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｎまたはこれらの化合物、合金類等を好
適に使用することができる。
しては、金属あるいは有機材料（高分子材料）等の導電
性材料を挙げることができる。金属材料としては、特に
メッキ層の成膜性に優れることよりＦｅ，Ａｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｎまたはこれらの化合物、合金類等を好
適に使用することができる。
【００２７】また、有機材料（高分子材料）としては、
天然油脂系、合成油系、アルキド樹脂系、ポリエステル
樹脂系、アクリル樹脂系、エポキシ樹脂系等の種々の有
機高分子物質が挙げられる。また、例えばピロールやチ
オフェンを用いて電極上に形成されるポリピロール、ポ
リチエニレンの導電性高分子被膜を用いることができ
る。
天然油脂系、合成油系、アルキド樹脂系、ポリエステル
樹脂系、アクリル樹脂系、エポキシ樹脂系等の種々の有
機高分子物質が挙げられる。また、例えばピロールやチ
オフェンを用いて電極上に形成されるポリピロール、ポ
リチエニレンの導電性高分子被膜を用いることができ
る。
【００２８】また、上記の粘着剤層３２は、塩化ビニル
／酢酸ビニル共重合体系、天然または合成ゴム系、各種
アクリレート系、エポキシ系、その他の汎用粘着剤、あ
るいは熱可塑性の感熱接着剤、光硬化接着剤等により形
成することができる。
／酢酸ビニル共重合体系、天然または合成ゴム系、各種
アクリレート系、エポキシ系、その他の汎用粘着剤、あ
るいは熱可塑性の感熱接着剤、光硬化接着剤等により形
成することができる。
【００２９】次に、実験例を示して本発明を更に詳細に
説明する。 （実験例１）表面が十分に研磨されたインバー材を６０
℃に維持した３０％硫酸水溶液に１分間浸漬してインバ
ー材の表面酸化膜を除去した後、このインバー材の全面
に銅メッキ（厚さ２．０μｍ）を施して基板とした。次
に、この基板上にポジ型フォトレジスト（東京応化工業
（株）製 ＯＦＰＲ）をスピンコート法（回転数１５０
０r.p.m.）により塗布し、所定形状のマスクを用いて露
光処理、現像処理を行い、膜厚２μｍのレジストパター
ン（絶縁性部）を形成した。その後、この基板の銅メッ
キ表面（絶縁性部が形成されずに凹部をなしている部
分）の酸化物を２０％塩酸水溶液を用いて除去した。次
に、低メッキレートにて、上記基板の銅メッキ表面にニ
ッケルメッキを施して厚さ２．２μｍの導電性部を形成
した。
説明する。 （実験例１）表面が十分に研磨されたインバー材を６０
℃に維持した３０％硫酸水溶液に１分間浸漬してインバ
ー材の表面酸化膜を除去した後、このインバー材の全面
に銅メッキ（厚さ２．０μｍ）を施して基板とした。次
に、この基板上にポジ型フォトレジスト（東京応化工業
（株）製 ＯＦＰＲ）をスピンコート法（回転数１５０
０r.p.m.）により塗布し、所定形状のマスクを用いて露
光処理、現像処理を行い、膜厚２μｍのレジストパター
ン（絶縁性部）を形成した。その後、この基板の銅メッ
キ表面（絶縁性部が形成されずに凹部をなしている部
分）の酸化物を２０％塩酸水溶液を用いて除去した。次
に、低メッキレートにて、上記基板の銅メッキ表面にニ
ッケルメッキを施して厚さ２．２μｍの導電性部を形成
した。
【００３０】次に、銅板を陽極、基板を陰極とし、下記
の条件で電着を行って基板の導電性部に銅電着層（厚さ
０．５μｍ）からなる微細パターンを形成した。 ・電着浴組成 …ピロリン酸銅 ：９４ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム ：３４０ｇ／ｌ アンモニア水 ：３cc／ｌ ＰＭ比 ：７．０ ・電着浴ｐＨ …８．０ ・電着浴温度 …５５℃ ・電流密度 …５．０Ａ／dm2 一方、ガラス基板上にアクリル系の粘着剤溶液（日本カ
ーバイド工業（株）製ＰＥ−１１８）を約１μｍ厚に塗
布して粘着剤層を形成して被転写体とした。
の条件で電着を行って基板の導電性部に銅電着層（厚さ
０．５μｍ）からなる微細パターンを形成した。 ・電着浴組成 …ピロリン酸銅 ：９４ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム ：３４０ｇ／ｌ アンモニア水 ：３cc／ｌ ＰＭ比 ：７．０ ・電着浴ｐＨ …８．０ ・電着浴温度 …５５℃ ・電流密度 …５．０Ａ／dm2 一方、ガラス基板上にアクリル系の粘着剤溶液（日本カ
ーバイド工業（株）製ＰＥ−１１８）を約１μｍ厚に塗
布して粘着剤層を形成して被転写体とした。
【００３１】次に、上記の基板と被転写体とを重ね合わ
せて、導電性部上に形成された銅電着層からなる微細パ
ターンと被転写体の粘着剤層とを接触させ、その後、基
板と被転写体とを引き離したところ、微細パターンは完
全に被転写体の粘着剤層上に転写付着して微細パターン
が形成された。このような電着転写により、最小１０μ
ｍの微細パターンを形成することができた。
せて、導電性部上に形成された銅電着層からなる微細パ
ターンと被転写体の粘着剤層とを接触させ、その後、基
板と被転写体とを引き離したところ、微細パターンは完
全に被転写体の粘着剤層上に転写付着して微細パターン
が形成された。このような電着転写により、最小１０μ
ｍの微細パターンを形成することができた。
【００３２】その後、更に上記の電着基板を用いて同様
の電着転写を５０回繰り返し行った。そして、５０回目
の電着転写が終了した電着基板のレジストパターン（絶
縁性部）は、変形、破壊が認められず、形成された微細
パターンも１回目の微細パターンと同様の精度を有して
いた。 （実験例２）ステンレス基板上にＳｉＯ2 膜（厚さ１μ
ｍ）をスパッタリング法により形成し、次に、このＳｉ
Ｏ2 膜をエッチング液（フッ酸：フッ化アンモニウム＝
１：１０）を用いてステンレス基板が露出するまで所定
のパターンにてエッチングしてＳｉＯ2 パターン（絶縁
性部）を形成した。その後、絶縁性部が形成されずに露
出しているステンレス基板表面の酸化物を実験例１と同
様にして除去した。更に、上記ステンレス基板表面に実
験例１と同様にしてニッケルメッキを施して厚さ１．２
μｍの導電性部を形成した。
の電着転写を５０回繰り返し行った。そして、５０回目
の電着転写が終了した電着基板のレジストパターン（絶
縁性部）は、変形、破壊が認められず、形成された微細
パターンも１回目の微細パターンと同様の精度を有して
いた。 （実験例２）ステンレス基板上にＳｉＯ2 膜（厚さ１μ
ｍ）をスパッタリング法により形成し、次に、このＳｉ
Ｏ2 膜をエッチング液（フッ酸：フッ化アンモニウム＝
１：１０）を用いてステンレス基板が露出するまで所定
のパターンにてエッチングしてＳｉＯ2 パターン（絶縁
性部）を形成した。その後、絶縁性部が形成されずに露
出しているステンレス基板表面の酸化物を実験例１と同
様にして除去した。更に、上記ステンレス基板表面に実
験例１と同様にしてニッケルメッキを施して厚さ１．２
μｍの導電性部を形成した。
【００３３】その後、実験例１と同様にして基板の導電
性部に銅電着層（厚さ０．５μｍ）からなる微細パター
ンを形成し、粘着剤層を形成した被転写体上に微細パタ
ーンを転写形成した。このような電着転写により、最小
５μｍの微細パターンを形成することができた。
性部に銅電着層（厚さ０．５μｍ）からなる微細パター
ンを形成し、粘着剤層を形成した被転写体上に微細パタ
ーンを転写形成した。このような電着転写により、最小
５μｍの微細パターンを形成することができた。
【００３４】その後、更に上記の電着基板を用いて同様
の電着転写を１００回繰り返し行った。そして、１００
回目の電着転写が終了した電着基板のレジストパターン
（絶縁性部）は、変形、破壊が認められず、形成された
微細パターンも１回目の微細パターンと同様の精度を有
していた。
の電着転写を１００回繰り返し行った。そして、１００
回目の電着転写が終了した電着基板のレジストパターン
（絶縁性部）は、変形、破壊が認められず、形成された
微細パターンも１回目の微細パターンと同様の精度を有
していた。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば少
なくとも表面が導電性を有する基板上に絶縁性部と導電
性部とが略同一平面をなすように形成され、さらに導電
性部は前記の基板表面との接着性が大きく、かつ電着物
質との剥離性が大きい導電物質で形成され、この導電性
部上に析出された電着物質が粘着剤層を介して被転写体
上に転写されるので、絶縁部と電着物質との摩擦が生じ
ることが防止され、また粘着剤層と絶縁性部との接触が
なく、粘着剤層から絶縁性部へ粘着剥離力が加わること
も防止され、電着基板は優れた耐久性を有するととも
に、膜厚が均一で高精度の微細パターンを被転写体上に
転写することが可能である。
なくとも表面が導電性を有する基板上に絶縁性部と導電
性部とが略同一平面をなすように形成され、さらに導電
性部は前記の基板表面との接着性が大きく、かつ電着物
質との剥離性が大きい導電物質で形成され、この導電性
部上に析出された電着物質が粘着剤層を介して被転写体
上に転写されるので、絶縁部と電着物質との摩擦が生じ
ることが防止され、また粘着剤層と絶縁性部との接触が
なく、粘着剤層から絶縁性部へ粘着剥離力が加わること
も防止され、電着基板は優れた耐久性を有するととも
に、膜厚が均一で高精度の微細パターンを被転写体上に
転写することが可能である。
【図１】本発明の電着基板の一例を示す概略構成図であ
る。
る。
【図２】図１に示される本発明の電着基板の製造例を説
明するための図である。
明するための図である。
【図３】本発明の電着基板の他の例を示す概略構成図で
ある。
ある。
【図４】本発明の電着転写方法を説明するための図であ
る。
る。
１…電着基板 ２…基板 ３…絶縁性部（レジストパターン） ３′…レジスト層 ４…導電性部 ５…フォトマスク ２１…電着物質 ３１…被転写体 ３２…粘着剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 5/20 - 5/28
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも表面が導電性を有する基板
と、該基板上に所定パターンで形成された絶縁性部と、
前記基板の絶縁性部非形成部分に形成され電着物質が析
出されるための導電性部とを備え、該導電性部は前記基
板の表面との接着性が大きく、かつ電着物質との剥離性
が大きい導電物質で形成され、前記絶縁性部と略同一平
面をなすものであることを特徴とする電着基板。 - 【請求項２】 前記導電性部は前記絶縁性部よりも高
く、かつ前記導電性部の上部周縁は隣接する前記絶縁性
部上方へわずかに突き出していることを特徴とする請求
項１記載の電着基板。 - 【請求項３】 前記導電性部および前記絶縁性部は同一
平面を構成することを特徴とする請求項１記載の電着基
板。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の電着
基板の導電性部に形成した電着物質からなるパターン
を、粘着剤層を介して被転写体に転写することを特徴と
する電着転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23102792A JP3140574B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 電着基板および電着転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23102792A JP3140574B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 電着基板および電着転写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0682616A JPH0682616A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3140574B2 true JP3140574B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=16917122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23102792A Expired - Fee Related JP3140574B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 電着基板および電着転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3140574B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100980217B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2010-09-06 | 삼원에프에이 (주) | 전주가공물의 균일성장 현상을 이용한 전주마스타를 제작하는 방법 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23102792A patent/JP3140574B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682616A (ja) | 1994-03-25 |
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|---|---|---|---|
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