JP3381977B2 - 微細パターン形成用原版 - Google Patents
微細パターン形成用原版Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細パターン形成用原版
に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において
被加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成する
ことができ耐久性の高い微細パターン形成用原版に関す
る。
に係り、特に半導体プロセス等の微細加工工程において
被加工物に高い精度で効率よく微細パターンを形成する
ことができ耐久性の高い微細パターン形成用原版に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、印刷配線や回路パターンの形成、
あるいは薄膜のエッチング用レジストの形成等、微細パ
ターンの形成にはフォトリソグラフィー法、印刷法、所
定パターンのマスキング層を備える原版上に形成した微
細パターンを被加工物上に転写する方法等がある。
あるいは薄膜のエッチング用レジストの形成等、微細パ
ターンの形成にはフォトリソグラフィー法、印刷法、所
定パターンのマスキング層を備える原版上に形成した微
細パターンを被加工物上に転写する方法等がある。
【０００３】しかし、フォトリソグラフィー法は工程が
煩雑であり、また被加工物の大型化に伴って大型露光装
置を含む専用装置が必要となり、装置に要する費用が莫
大なものとなる。また、印刷法は、インキの流動性、版
の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移しない
で版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷パター
ンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、画線が
１００μｍ未満の微細パターンの形成には適していない
という問題があった。
煩雑であり、また被加工物の大型化に伴って大型露光装
置を含む専用装置が必要となり、装置に要する費用が莫
大なものとなる。また、印刷法は、インキの流動性、版
の圧力等の影響やインキの一部が被加工物に転移しない
で版上に残留してしまうこと等に起因して、印刷パター
ンが変形し易く、寸法精度および再現性に劣り、画線が
１００μｍ未満の微細パターンの形成には適していない
という問題があった。
【０００４】これに対して、微細パターン転写方法は上
記のような問題がなく、線幅が微細であり膜厚も適度な
微細パターンを高い精度で効率よく形成することが可能
である。
記のような問題がなく、線幅が微細であり膜厚も適度な
微細パターンを高い精度で効率よく形成することが可能
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、微細パ
ターン転写方法において、同一の原版から何度も微細パ
ターンを形成する場合、原版に形成された微細パターン
を被加工物に転写する際に、被加工物とマスキング層と
の接触、あるいは被加工物上に設けられた粘着剤層とマ
スキング層との接触によりマスキング層が破壊され、マ
スキング層により原版上に形成されている導電部パター
ンに変形が生じることがある。このようにマスキング層
が破壊された原版を用いて、原版の導電部パターン上に
電着物質を析出させ微細パターンを形成した場合、原版
上に形成された微細パターンはマスキング層破壊による
導電部パターンの変形を忠実に再現する。したがって、
この原版上の微細パターンを被加工物上に転写した場
合、微細パターンは変形が生じた状態で転写されてしま
うため、半導体プロセス等の微細加工において重大な欠
陥を生じてしまうという問題があった。
ターン転写方法において、同一の原版から何度も微細パ
ターンを形成する場合、原版に形成された微細パターン
を被加工物に転写する際に、被加工物とマスキング層と
の接触、あるいは被加工物上に設けられた粘着剤層とマ
スキング層との接触によりマスキング層が破壊され、マ
スキング層により原版上に形成されている導電部パター
ンに変形が生じることがある。このようにマスキング層
が破壊された原版を用いて、原版の導電部パターン上に
電着物質を析出させ微細パターンを形成した場合、原版
上に形成された微細パターンはマスキング層破壊による
導電部パターンの変形を忠実に再現する。したがって、
この原版上の微細パターンを被加工物上に転写した場
合、微細パターンは変形が生じた状態で転写されてしま
うため、半導体プロセス等の微細加工において重大な欠
陥を生じてしまうという問題があった。
【０００６】本発明は上述のような事情に鑑みてなされ
たものであり、線幅が微細であるとともに、膜厚も適度
な微細パターンを高い精度で効率よく形成することがで
き高い耐久性を備えた微細パターン形成用原版を提供す
ることを目的とする。
たものであり、線幅が微細であるとともに、膜厚も適度
な微細パターンを高い精度で効率よく形成することがで
き高い耐久性を備えた微細パターン形成用原版を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は少なくとも表面が陽極酸化可能な金
属からなる基板と、該基板の表面に陽極酸化により所定
パターンで形成された電気絶縁性のマスキング層を備
え、該マスキング層は前記基板の表面に形成された凹部
の底面と壁面を陽極酸化して形成されたものであり、そ
の表面は前記基板の表面よりも低いような構成とした。
るために、本発明は少なくとも表面が陽極酸化可能な金
属からなる基板と、該基板の表面に陽極酸化により所定
パターンで形成された電気絶縁性のマスキング層を備
え、該マスキング層は前記基板の表面に形成された凹部
の底面と壁面を陽極酸化して形成されたものであり、そ
の表面は前記基板の表面よりも低いような構成とした。
【０００８】
【作用】基板に所定パターンで形成されたマスキング層
は、基板表面の金属を陽極酸化して形成されているため
マスキング層と基板との密着力が強く、かつ電気絶縁性
を有し、これにより、基板のマスキング層非形成部（導
電部パターン）に電着物質を析出させることができ、析
出させた電着物質を被加工物に転写する際の被加工物上
に設けられた粘着剤層によるマスキング層の破壊、およ
び、その他の外力によるマスキング層の破壊は極めて少
ないものとなる。
は、基板表面の金属を陽極酸化して形成されているため
マスキング層と基板との密着力が強く、かつ電気絶縁性
を有し、これにより、基板のマスキング層非形成部（導
電部パターン）に電着物質を析出させることができ、析
出させた電着物質を被加工物に転写する際の被加工物上
に設けられた粘着剤層によるマスキング層の破壊、およ
び、その他の外力によるマスキング層の破壊は極めて少
ないものとなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１は本発明の微細パターン形成用原版の
一態様である凸版タイプの原版を示す概略構成図であ
る。図１において、微細パターン形成用原版１は、基板
２、この基板２の表面に所定パターンで形成されたマス
キング層３とを備える。図示例のように、この微細パタ
ーン形成用原版１では、マスキング層３はその表面が基
板２の表面よりも低く凹んだものである。
一態様である凸版タイプの原版を示す概略構成図であ
る。図１において、微細パターン形成用原版１は、基板
２、この基板２の表面に所定パターンで形成されたマス
キング層３とを備える。図示例のように、この微細パタ
ーン形成用原版１では、マスキング層３はその表面が基
板２の表面よりも低く凹んだものである。
【００１１】微細パターン形成用原版１に用いる基板２
としては、少なくとも表面が陽極酸化可能な金属からな
る基板である。具体的には、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ等の陽極
酸化可能な金属板、あるいは導電性の基板の表面に上記
の陽極酸化可能な金属の薄膜を形成したもの等を挙げる
ことができる。
としては、少なくとも表面が陽極酸化可能な金属からな
る基板である。具体的には、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ等の陽極
酸化可能な金属板、あるいは導電性の基板の表面に上記
の陽極酸化可能な金属の薄膜を形成したもの等を挙げる
ことができる。
【００１２】尚、基板の表面は、後述するメッキ層の被
加工物への転写においてメッキ層を基板から容易に剥離
させるために、ある程度の鏡面処理を施されていること
が好ましい。
加工物への転写においてメッキ層を基板から容易に剥離
させるために、ある程度の鏡面処理を施されていること
が好ましい。
【００１３】次に、図２を参照して図１に示される微細
パターン形成用原版１の製造例を説明する。図２に示さ
れるように、まず、基板２に所定パターンでフォトレジ
スト層４を形成する（図２（ａ））。次に、基板２にエ
ッチングを行い凹部２´を形成する（図２（ｂ））。そ
の後、この基板２を陽極とし、白金板を陰極として陽極
酸化液中で基板２の陽極酸化を行い、基板２のフォトレ
ジスト層非形成部分に陽極酸化膜３を形成する（図２
（ｃ））。この陽極酸化膜３は、電気絶縁性を有する膜
であり、その後、フォトレジスト層４を除去して基板２
の導電部を露出することにより、陽極酸化膜からなるマ
スキング層３を備えた微細パターン形成用原版１とする
（図２（ｄ））。
パターン形成用原版１の製造例を説明する。図２に示さ
れるように、まず、基板２に所定パターンでフォトレジ
スト層４を形成する（図２（ａ））。次に、基板２にエ
ッチングを行い凹部２´を形成する（図２（ｂ））。そ
の後、この基板２を陽極とし、白金板を陰極として陽極
酸化液中で基板２の陽極酸化を行い、基板２のフォトレ
ジスト層非形成部分に陽極酸化膜３を形成する（図２
（ｃ））。この陽極酸化膜３は、電気絶縁性を有する膜
であり、その後、フォトレジスト層４を除去して基板２
の導電部を露出することにより、陽極酸化膜からなるマ
スキング層３を備えた微細パターン形成用原版１とする
（図２（ｄ））。
【００１４】そして、この微細パターン形成用原版１の
導電部にメッキ層５を形成（図２（ｅ））した後、粘着
剤層７を備えた被加工物６とメッキ層５とを密着させ
（図２（ｆ））、メッキ層５を被加工物６上に転写して
微細パターンを形成する（図２（ｇ））。
導電部にメッキ層５を形成（図２（ｅ））した後、粘着
剤層７を備えた被加工物６とメッキ層５とを密着させ
（図２（ｆ））、メッキ層５を被加工物６上に転写して
微細パターンを形成する（図２（ｇ））。
【００１５】上述のように、本発明の微細パターン形成
用原版１のマスキング層３は、基板２の表面の金属を陽
極酸化して形成されているため、マスキング層３と基板
２との密着力が強く、また、マスキング層３は、被加工
物６の粘着剤層７に接触することがない。このため、上
記のような微細パターン形成においてマスキング層３に
加わる種々の外力によるマスキング層３の破壊は極めて
少ないものとなる。さらに、マスキング層３の膜面とメ
ッキ層５との接触もないことにより、マスキング層３の
破壊がより低減されるとともに、メッキ層５の被加工物
６上への転写が容易になる。
用原版１のマスキング層３は、基板２の表面の金属を陽
極酸化して形成されているため、マスキング層３と基板
２との密着力が強く、また、マスキング層３は、被加工
物６の粘着剤層７に接触することがない。このため、上
記のような微細パターン形成においてマスキング層３に
加わる種々の外力によるマスキング層３の破壊は極めて
少ないものとなる。さらに、マスキング層３の膜面とメ
ッキ層５との接触もないことにより、マスキング層３の
破壊がより低減されるとともに、メッキ層５の被加工物
６上への転写が容易になる。
【００１６】上記の微細パターン形成用原版１では、陽
極酸化膜からなるマスキング層３が凹部２´の壁面にも
形成されているため、導電部は基板２の表面のみとな
る。一方、凸版タイプの微細パターン形成用原版として
は、図３に示されるように、基板２上に導電部２ａを後
から凸状に形成した微細パターン形成用原版１´も可能
である。しかし、この微細パターン形成用原版１´で
は、図４に示されるように凸状の導電部２ａの表面のみ
ではなく壁面にもメッキ層５が形成されるので、電着す
る導電パターンの形状としては、微細パターン形成用原
版１´に比較して微細パターン形成用原版１（図２
（ｅ）参照）の方がより良好になる。
極酸化膜からなるマスキング層３が凹部２´の壁面にも
形成されているため、導電部は基板２の表面のみとな
る。一方、凸版タイプの微細パターン形成用原版として
は、図３に示されるように、基板２上に導電部２ａを後
から凸状に形成した微細パターン形成用原版１´も可能
である。しかし、この微細パターン形成用原版１´で
は、図４に示されるように凸状の導電部２ａの表面のみ
ではなく壁面にもメッキ層５が形成されるので、電着す
る導電パターンの形状としては、微細パターン形成用原
版１´に比較して微細パターン形成用原版１（図２
（ｅ）参照）の方がより良好になる。
【００１７】図１に示した微細パターン形成用原版１
は、基板２として陽極酸化可能な金属板を用いたもので
あったが、上述のように基板の表面に陽極酸化可能な金
属の薄膜を形成した基板を用いてもよい。図５は、この
ような基板を使用した微細パターン形成用原版の例であ
り、微細パターン形成用原版１１は、基板１２ａの表面
に陽極酸化可能な金属の薄膜１２ｂを形成した基板１２
を使用している。すなわち、上記の微細パターン形成用
原版１と同様にして基板１２の薄膜１２ｂのフォトレジ
スト層非形成部分をエッチングした後、薄膜１２ｂを陽
極酸化して陽極酸化膜とし、フォトレジスト層を除去し
て陽極酸化膜からなるマスキング層１３を備えた微細パ
ターン形成用原版１１とすることができる。この微細パ
ターン形成用原版１１においては、基板１２ａは導電性
の基板が望ましいが、薄膜１２ｂを陽極酸化した酸化膜
が十分な絶縁抵抗を有し、かつ、各導電パターンに電圧
降下することなく通電することが可能である場合、基板
１２ａは絶縁性基板であってもよい。
は、基板２として陽極酸化可能な金属板を用いたもので
あったが、上述のように基板の表面に陽極酸化可能な金
属の薄膜を形成した基板を用いてもよい。図５は、この
ような基板を使用した微細パターン形成用原版の例であ
り、微細パターン形成用原版１１は、基板１２ａの表面
に陽極酸化可能な金属の薄膜１２ｂを形成した基板１２
を使用している。すなわち、上記の微細パターン形成用
原版１と同様にして基板１２の薄膜１２ｂのフォトレジ
スト層非形成部分をエッチングした後、薄膜１２ｂを陽
極酸化して陽極酸化膜とし、フォトレジスト層を除去し
て陽極酸化膜からなるマスキング層１３を備えた微細パ
ターン形成用原版１１とすることができる。この微細パ
ターン形成用原版１１においては、基板１２ａは導電性
の基板が望ましいが、薄膜１２ｂを陽極酸化した酸化膜
が十分な絶縁抵抗を有し、かつ、各導電パターンに電圧
降下することなく通電することが可能である場合、基板
１２ａは絶縁性基板であってもよい。
【００１８】図６は本発明の微細パターン形成用原版の
一態様である平版タイプの原版を示す概略構成図であ
る。図６において、微細パターン形成用原版２１は、基
板２２、この基板２２の表面に所定パターンで形成され
たマスキング層２３とを備える。図示例のように、この
微細パターン形成用原版２１では、マスキング層２３は
の表面は基板２１の表面とほぼ同一面をなす。
一態様である平版タイプの原版を示す概略構成図であ
る。図６において、微細パターン形成用原版２１は、基
板２２、この基板２２の表面に所定パターンで形成され
たマスキング層２３とを備える。図示例のように、この
微細パターン形成用原版２１では、マスキング層２３は
の表面は基板２１の表面とほぼ同一面をなす。
【００１９】微細パターン形成用原版２１に用いる基板
２２としては、上述の微細パターン形成用原版１、１１
に用いる基板として挙げたものを用いることができる。
２２としては、上述の微細パターン形成用原版１、１１
に用いる基板として挙げたものを用いることができる。
【００２０】次に、図７を参照して図６に示される微細
パターン形成用原版２１の製造例を説明する。図７に示
されるように、まず、基板２２に所定パターンでフォト
レジスト層２４を形成する（図７（ａ））。次に、この
基板２２を陽極とし、白金板を陰極として陽極酸化液中
で基板２２の陽極酸化を行い、基板２２のフォトレジス
ト層非形成部分に陽極酸化膜２３を形成する（図７
（ｂ））。この陽極酸化膜２３は、電気絶縁性を有する
膜であり、その後、フォトレジスト層２４を除去して基
板２２の導電部を露出することにより、陽極酸化膜から
なるマスキング層２３を備えた微細パターン形成用原版
２１とする（図７（ｃ））。
パターン形成用原版２１の製造例を説明する。図７に示
されるように、まず、基板２２に所定パターンでフォト
レジスト層２４を形成する（図７（ａ））。次に、この
基板２２を陽極とし、白金板を陰極として陽極酸化液中
で基板２２の陽極酸化を行い、基板２２のフォトレジス
ト層非形成部分に陽極酸化膜２３を形成する（図７
（ｂ））。この陽極酸化膜２３は、電気絶縁性を有する
膜であり、その後、フォトレジスト層２４を除去して基
板２２の導電部を露出することにより、陽極酸化膜から
なるマスキング層２３を備えた微細パターン形成用原版
２１とする（図７（ｃ））。
【００２１】そして、この微細パターン形成用原版１の
導電部にメッキ層２５を形成（図７（ｄ））した後、粘
着剤層２７を備えた被加工物２６とメッキ層２５とを密
着させ（図７（ｅ））、メッキ層２５を被加工物２６上
に転写して微細パターンを形成する（図７（ｆ））。
導電部にメッキ層２５を形成（図７（ｄ））した後、粘
着剤層２７を備えた被加工物２６とメッキ層２５とを密
着させ（図７（ｅ））、メッキ層２５を被加工物２６上
に転写して微細パターンを形成する（図７（ｆ））。
【００２２】上述の微細パターン形成用原版２１のマス
キング層２３は、基板２２の表面の金属を陽極酸化して
形成されているため、マスキング層２３と基板２２との
密着力が強い。したがって、上記のような微細パターン
形成においてマスキング層２３に加わる種々の外力によ
るマスキング層２３の破壊は極めて少ないものとなる。
特に、図６に示されるような平版タイプの原版では、メ
ッキ層２５のマスキング層２３への食い込みが無いた
め、メッキ層２５の被加工物２６上への転写が容易にな
る。
キング層２３は、基板２２の表面の金属を陽極酸化して
形成されているため、マスキング層２３と基板２２との
密着力が強い。したがって、上記のような微細パターン
形成においてマスキング層２３に加わる種々の外力によ
るマスキング層２３の破壊は極めて少ないものとなる。
特に、図６に示されるような平版タイプの原版では、メ
ッキ層２５のマスキング層２３への食い込みが無いた
め、メッキ層２５の被加工物２６上への転写が容易にな
る。
【００２３】図８は本発明の微細パターン形成用原版の
他の態様である凹版タイプの原版を示す概略構成図であ
る。図８において、微細パターン形成用原版３１は、基
板３２、この基板３２の表面に所定パターンで形成され
たマスキング層３３とを備える。図示例のように、この
微細パターン形成用原版３１では、マスキング層３３の
表面は基板３２の表面よりも高く突出したものである。
他の態様である凹版タイプの原版を示す概略構成図であ
る。図８において、微細パターン形成用原版３１は、基
板３２、この基板３２の表面に所定パターンで形成され
たマスキング層３３とを備える。図示例のように、この
微細パターン形成用原版３１では、マスキング層３３の
表面は基板３２の表面よりも高く突出したものである。
【００２４】微細パターン形成用原版３１に用いる基板
３２としては、上述の微細パターン形成用原版１、１
１、２１に用いる基板として挙げたものを用いることが
できる。
３２としては、上述の微細パターン形成用原版１、１
１、２１に用いる基板として挙げたものを用いることが
できる。
【００２５】次に、図９を参照して図８に示される微細
パターン形成用原版３１の製造例を説明する。図９に示
されるように、まず、陽極酸化可能な金属からなる基板
３２を陽極とし、白金板を陰極として陽極酸化液中で基
板３２表面の陽極酸化を行い、基板３２の表面に陽極酸
化膜３３′を形成する（図９（ａ））。次に、基板３２
の陽極酸化膜３３′上に所定パターンでフォトレジスト
層３４を形成（図９（ｂ））した後、陽極酸化膜３３′
のフォトレジスト層非形成部分をエッチングして基板３
２の導電部を露出する（図９（ｃ））。その後、陽極酸
化膜３３′上のフォトレジスト層を除去して、陽極酸化
膜からなるマスキング層３３を備えた微細パターン形成
用原版３１とする（図９（ｄ））。
パターン形成用原版３１の製造例を説明する。図９に示
されるように、まず、陽極酸化可能な金属からなる基板
３２を陽極とし、白金板を陰極として陽極酸化液中で基
板３２表面の陽極酸化を行い、基板３２の表面に陽極酸
化膜３３′を形成する（図９（ａ））。次に、基板３２
の陽極酸化膜３３′上に所定パターンでフォトレジスト
層３４を形成（図９（ｂ））した後、陽極酸化膜３３′
のフォトレジスト層非形成部分をエッチングして基板３
２の導電部を露出する（図９（ｃ））。その後、陽極酸
化膜３３′上のフォトレジスト層を除去して、陽極酸化
膜からなるマスキング層３３を備えた微細パターン形成
用原版３１とする（図９（ｄ））。
【００２６】上述のような本発明の微細パターン形成用
原版における陽極酸化膜は、公知の陽極酸化により形成
することができ、マスキング層の厚さは１０００〜５０
００Å程度が好ましい。
原版における陽極酸化膜は、公知の陽極酸化により形成
することができ、マスキング層の厚さは１０００〜５０
００Å程度が好ましい。
【００２７】次に、具体的実施例を示して本発明を更に
詳細に説明する。 （実施例１）アルミニウム製の基板（厚さ０．１５ｍ
ｍ）の表面にスピンコート法（回転数２０００r.p.m.）
によりフォトレジスト（東京応化（株）製 ＯＭＲ８
５）を塗布し、線幅５μｍの所定形状のマスクを用いて
露光処理、現像処理を行って所定パターンを有するフォ
トレジスト層を形成した。
詳細に説明する。 （実施例１）アルミニウム製の基板（厚さ０．１５ｍ
ｍ）の表面にスピンコート法（回転数２０００r.p.m.）
によりフォトレジスト（東京応化（株）製 ＯＭＲ８
５）を塗布し、線幅５μｍの所定形状のマスクを用いて
露光処理、現像処理を行って所定パターンを有するフォ
トレジスト層を形成した。
【００２８】次に、この基板を陽極とし白金板を陰極と
して、下記の陽極酸化条件により基板のフォトレジスト
層非形成部分を陽極酸化して陽極酸化膜（膜厚＝１４０
０Å）を形成し、マスキング層とした。
して、下記の陽極酸化条件により基板のフォトレジスト
層非形成部分を陽極酸化して陽極酸化膜（膜厚＝１４０
０Å）を形成し、マスキング層とした。
【００２９】陽極酸化条件
・陽極酸化液 ： Ｈ3 ＢＯ3 １０％水溶液
・液 温 ： ９０℃
・定電圧法 ： １００Ｖ、 ２０分
次に、フォトレジスト層を除去してアルミニウム基板の
導電部を露出させ、この導電部に下記の条件で亜鉛置換
を行い微細パターン形成用原版とした。亜鉛置換は銅メ
ッキを行うための前メッキとしておこなった。
導電部を露出させ、この導電部に下記の条件で亜鉛置換
を行い微細パターン形成用原版とした。亜鉛置換は銅メ
ッキを行うための前メッキとしておこなった。
【００３０】
亜鉛置換条件
・浴組成 ： 水酸化ナトリウム …１２０ｇ／ｌ
酸化亜鉛 … ５ｇ／ｌ
塩化第２鉄 … ２ｇ／ｌ
ロッシェル塩 … ５０ｇ／ｌ
硝酸ナトリウム … １ｇ／ｌ
・温 度 ： ２０℃
・時 間 ： ３０秒
上述のようにして作成した微細パターン形成用原版の導
電部に下記のメッキ条件にしたがって銅メッキを行い、
銅メッキ層（厚さ１．５μｍ）を形成した。
電部に下記のメッキ条件にしたがって銅メッキを行い、
銅メッキ層（厚さ１．５μｍ）を形成した。
【００３１】
メッキ条件
・メッキ浴組成： ピロリン酸銅 … ９４ｇ／ｌ
ピロリン酸カリウム …３４０ｇ／ｌ
Ｐ比 … ７．０
・ｐＨ ： ８．８
・液 温 ： ５５℃
・電流密度 ： ５Ａ／dm2
・時 間 ： １．５分
その後、被加工物（ガラス上のＣｒ薄膜）を微細パター
ン形成用原版に密着し、銅メッキ層を被加工物に転写し
た。このように転写して形成された銅メッキ層からなる
微細パターンの解像度は３μｍであった。
ン形成用原版に密着し、銅メッキ層を被加工物に転写し
た。このように転写して形成された銅メッキ層からなる
微細パターンの解像度は３μｍであった。
【００３２】その後、更に上記の微細パターン形成用原
版を用いて同様の微細パターン形成を１００回繰り返し
行った。そして、１００回後に形成した微細パターン
は、パターンの変形が認められず、また解像度を測定し
たところ１回目の微細パターンと同じであり、本発明の
微細パターン形成用原版が優れた耐久性をもち、高精度
の微細パターン形成が可能であることが確認された。 （実施例２）チタン（Ｔｉ）製の基板（純度３Ｎ up
（９９．９％以上）、厚さ０．１５ｍｍ）の表面にスピ
ンコート法（回転数１５００r.p.m.）によりフォトレジ
スト（ＪＳＲ製 ＣＢＲ−Ｍ９０１）を塗布し、線幅３
μｍの所定形状のマスクを用いて露光処理、現像処理を
行って所定パターンを有するフォトレジスト層を形成し
た。
版を用いて同様の微細パターン形成を１００回繰り返し
行った。そして、１００回後に形成した微細パターン
は、パターンの変形が認められず、また解像度を測定し
たところ１回目の微細パターンと同じであり、本発明の
微細パターン形成用原版が優れた耐久性をもち、高精度
の微細パターン形成が可能であることが確認された。 （実施例２）チタン（Ｔｉ）製の基板（純度３Ｎ up
（９９．９％以上）、厚さ０．１５ｍｍ）の表面にスピ
ンコート法（回転数１５００r.p.m.）によりフォトレジ
スト（ＪＳＲ製 ＣＢＲ−Ｍ９０１）を塗布し、線幅３
μｍの所定形状のマスクを用いて露光処理、現像処理を
行って所定パターンを有するフォトレジスト層を形成し
た。
【００３３】次に、以下の浴組成のエッチング液を用い
て、チタン基板のフォトレジスト層非形成部分をエッチ
ングして凹部をした。
て、チタン基板のフォトレジスト層非形成部分をエッチ
ングして凹部をした。
【００３４】エッチング条件
・浴 組 成 ： ＨＦ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2 Ｏ2 ＝３：
１５：８２ ・エッチング時間： １分 次に、この基板を陽極とし白金板を陰極として、下記の
陽極酸化条件により基板のフォトレジスト層非形成部分
を陽極酸化して陽極酸化膜（膜厚＝１４００Å）を形成
し、電気絶縁性のマスキング層とした。
１５：８２ ・エッチング時間： １分 次に、この基板を陽極とし白金板を陰極として、下記の
陽極酸化条件により基板のフォトレジスト層非形成部分
を陽極酸化して陽極酸化膜（膜厚＝１４００Å）を形成
し、電気絶縁性のマスキング層とした。
【００３５】陽極酸化条件
・陽極酸化液 ： Ｈ2 ＰＯ4 １％水溶液
・液 温 ： ２５℃
・定電圧法 ： ６０Ｖ、 １０分
次に、フォトレジスト層を除去してチタン基板の導電部
を露出させ、本発明の微細パターン形成用原版とした。
を露出させ、本発明の微細パターン形成用原版とした。
【００３６】上述のようにして作成した微細パターン形
成用原版の導電部に下記のメッキ条件にしたがって銅メ
ッキを行い、銅メッキ層（厚さ１．５μｍ）を形成し
た。
成用原版の導電部に下記のメッキ条件にしたがって銅メ
ッキを行い、銅メッキ層（厚さ１．５μｍ）を形成し
た。
【００３７】
メッキ条件
・メッキ浴組成： ピロリン酸銅 … ９４ｇ／ｌ
ピロリン酸カリウム …３４０ｇ／ｌ
Ｐ比 … ７．０
・ｐＨ ： ８．８
・液 温 ： ５５℃
・電流密度 ： ５Ａ／dm2
・時 間 ： １．５分
その後、被加工物（ガラス基板上に形成したクロム（Ｃ
ｒ）薄膜）にアクリル系粘着性接着剤（日本カーバイド
（株）製 ＰＥ−１１８）をスピンコート法で塗布した
ものを用い、これを微細パターン形成用原版に密着後、
原版の裏面から加圧ロールを速度５０cm／分にて転動さ
せて原版と被加工物とを圧着した。そして、電着物質
（銅メッキ層）を原版から剥離して被加工物に転写し
た。このように転写して形成された銅メッキ層からなる
微細パターンの解像度は３μｍであった。この時、従来
の方式で見られたような原版のマスキング層の破壊はま
ったく観察されなかった。
ｒ）薄膜）にアクリル系粘着性接着剤（日本カーバイド
（株）製 ＰＥ−１１８）をスピンコート法で塗布した
ものを用い、これを微細パターン形成用原版に密着後、
原版の裏面から加圧ロールを速度５０cm／分にて転動さ
せて原版と被加工物とを圧着した。そして、電着物質
（銅メッキ層）を原版から剥離して被加工物に転写し
た。このように転写して形成された銅メッキ層からなる
微細パターンの解像度は３μｍであった。この時、従来
の方式で見られたような原版のマスキング層の破壊はま
ったく観察されなかった。
【００３８】その後、更に上記の微細パターン形成用原
版を用いて同様の微細パターン形成を１００回繰り返し
行った。そして、１００回後に形成した微細パターン
は、パターンの変形が認められず、また解像度を測定し
たところ１回目の微細パターンと同じであり、本発明の
微細パターン形成用原版が優れた耐久性をもち、高精度
の微細パターン形成が可能であることが確認された。 （比較例）微細パターン形成用原版のマスキング層を、
陽極酸化膜の変わりにフォトレジスト（ＪＳＲ製 ＣＢ
Ｒ−Ｍ９０１）を使用して形成した絶縁膜（厚さ１．０
μｍ）とした他は、実施例２と同様に微細パターン形成
用原版を作成した。そして、実施例２と同様にして銅メ
ッキ層形成および被加工物への銅メッキ層転写を繰り返
し行ったところ、５回目に形成した微細パターンにおい
て、パターンの変形が認められた。
版を用いて同様の微細パターン形成を１００回繰り返し
行った。そして、１００回後に形成した微細パターン
は、パターンの変形が認められず、また解像度を測定し
たところ１回目の微細パターンと同じであり、本発明の
微細パターン形成用原版が優れた耐久性をもち、高精度
の微細パターン形成が可能であることが確認された。 （比較例）微細パターン形成用原版のマスキング層を、
陽極酸化膜の変わりにフォトレジスト（ＪＳＲ製 ＣＢ
Ｒ−Ｍ９０１）を使用して形成した絶縁膜（厚さ１．０
μｍ）とした他は、実施例２と同様に微細パターン形成
用原版を作成した。そして、実施例２と同様にして銅メ
ッキ層形成および被加工物への銅メッキ層転写を繰り返
し行ったところ、５回目に形成した微細パターンにおい
て、パターンの変形が認められた。
【００３９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば基
板に所定パターンで形成されたマスキング層が基板表面
の金属を陽極酸化して形成されているため、マスキング
層と基板との密着力が強く、基板のマスキング層非形成
部（導電部パターン）に析出させた電着物質を被加工物
に転写する際のマスキング層の破壊は極めて少ないもの
となる。また、上記のマスキング層と基板との密着力の
他に、原版の構造により原版の耐久性が影響を受け、例
えば、凸版タイプ、平版タイプの原版構造の場合、転写
時にマスキング層は原版から剥離する電着物質からの外
力を受けないため、マスキング層の破壊は低減され、耐
久性は向上し、また、凸版タイプの原版構造の場合、粘
着剤層とマスキング層が接触することなく転写が行わ
れ、粘着剤層によるマスキング層の破壊はなくなり、原
版の耐久性がより向上する。これにより、膜厚が均一で
線幅も一定な寸法精度の高い微細パターンを多数回に亘
って被加工物に転写することのできる優れた耐久性を備
える微細パターン形成用原版が可能となる。
板に所定パターンで形成されたマスキング層が基板表面
の金属を陽極酸化して形成されているため、マスキング
層と基板との密着力が強く、基板のマスキング層非形成
部（導電部パターン）に析出させた電着物質を被加工物
に転写する際のマスキング層の破壊は極めて少ないもの
となる。また、上記のマスキング層と基板との密着力の
他に、原版の構造により原版の耐久性が影響を受け、例
えば、凸版タイプ、平版タイプの原版構造の場合、転写
時にマスキング層は原版から剥離する電着物質からの外
力を受けないため、マスキング層の破壊は低減され、耐
久性は向上し、また、凸版タイプの原版構造の場合、粘
着剤層とマスキング層が接触することなく転写が行わ
れ、粘着剤層によるマスキング層の破壊はなくなり、原
版の耐久性がより向上する。これにより、膜厚が均一で
線幅も一定な寸法精度の高い微細パターンを多数回に亘
って被加工物に転写することのできる優れた耐久性を備
える微細パターン形成用原版が可能となる。
【図１】本発明の微細パターン形成用原版の一態様であ
る凸版タイプの原版を示す概略構成図である。
る凸版タイプの原版を示す概略構成図である。
【図２】図１に示される原版の製造例を説明するための
図である。
図である。
【図３】本発明の微細パターン形成用原版の凸版タイプ
の他の態様を示す概略構成図である。
の他の態様を示す概略構成図である。
【図４】図３に示される原版にメッキ層を形成した状態
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図５】本発明の微細パターン形成用原版の凸版タイプ
の他の態様を示す概略構成図である。
の他の態様を示す概略構成図である。
【図６】本発明の微細パターン形成用原版の一態様であ
る平版タイプの原版を示す概略構成図である。
る平版タイプの原版を示す概略構成図である。
【図７】図７に示される原版の製造例を説明するための
図である。
図である。
【図８】本発明の微細パターン形成用原版の他の態様で
ある凹版タイプの原版を示す概略構成図である。
ある凹版タイプの原版を示す概略構成図である。
【図９】図８に示される原版の製造例を説明するための
図である。
図である。
１，１１，２１，３１…微細パターン形成用原版
２，１２，２２，３２…基板
３，１３，２３，３３…マスキング層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/08
B41N 1/04
C25D 11/04 311
H01L 21/027
H05K 3/20
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも表面が陽極酸化可能な金属か
らなる基板と、該基板の表面に陽極酸化により所定パタ
ーンで形成された電気絶縁性のマスキング層を備え、該
マスキング層は前記基板の表面に形成された凹部の底面
と壁面を陽極酸化して形成されたものであり、その表面
は前記基板の表面よりも低いことを特徴とする微細パタ
ーン形成用原版。 - 【請求項２】 前記マスキング層の厚さは、１０００〜
５０００Åの範囲であることを特徴とする請求項１に記
載の微細パターン形成用原版。 - 【請求項３】 前記マスキング層は、Ｔｉ陽極酸化膜か
らなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の微細パターン形成用原版。 - 【請求項４】 前記マスキング層は、Ａｌ陽極酸化膜か
らなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の微細パターン形成用原版。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23225593A JP3381977B2 (ja) | 1992-08-27 | 1993-08-26 | 微細パターン形成用原版 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22834092 | 1992-08-27 | ||
| JP4-228340 | 1992-08-27 | ||
| JP23225593A JP3381977B2 (ja) | 1992-08-27 | 1993-08-26 | 微細パターン形成用原版 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202309A JPH06202309A (ja) | 1994-07-22 |
| JP3381977B2 true JP3381977B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=26528187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23225593A Expired - Fee Related JP3381977B2 (ja) | 1992-08-27 | 1993-08-26 | 微細パターン形成用原版 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3381977B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3694825B2 (ja) | 1999-11-18 | 2005-09-14 | 日本航空電子工業株式会社 | 導体パターンの形成方法及びコネクタ、フレキシブルプリント配線板、異方導電性部材 |
| JP2002075772A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Tdk Corp | 金属膜形成用部材、金属膜形成用部材の製造方法、金属膜の転写方法および積層セラミック電子部品の製造方法 |
| KR100601506B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2006-07-19 | 삼성전기주식회사 | 양극 산화에 의한 미세 회로패턴이 형성된 패키지 기판의제조 방법 |
-
1993
- 1993-08-26 JP JP23225593A patent/JP3381977B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06202309A (ja) | 1994-07-22 |
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