JPS6185823A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6185823A JPS6185823A JP20745984A JP20745984A JPS6185823A JP S6185823 A JPS6185823 A JP S6185823A JP 20745984 A JP20745984 A JP 20745984A JP 20745984 A JP20745984 A JP 20745984A JP S6185823 A JPS6185823 A JP S6185823A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＬ４に多層金購膜を゛に極として有する半導体
装置の構造に関するものである。
装置の構造に関するものである。
高周波帯で動作さぜる半導体装置は、その素子パターン
が＠ ＊ｔｉｔになるため、電極にチタン−白金−金の
順に積層された多壱膜を用いている。この多Ｊ＃膜電極
のパターン形成刃ぬとして、アルゴン等の不活性ガスの
イオンで逆スパツタするイオンシリング法が良く知られ
ている。ξの」局舎、装置、管の襄造工村中では、次の
様な不具会点があっ７こ。
が＠ ＊ｔｉｔになるため、電極にチタン−白金−金の
順に積層された多壱膜を用いている。この多Ｊ＃膜電極
のパターン形成刃ぬとして、アルゴン等の不活性ガスの
イオンで逆スパツタするイオンシリング法が良く知られ
ている。ξの」局舎、装置、管の襄造工村中では、次の
様な不具会点があっ７こ。
すなわち、第２図に示すように、ペース領域１７および
エミッタ領域！６を有する半４体基板ｌｌ上を覆う絶縁
膜１２にコンタクト穴１０を形成してチタン−白金−金
の順に積層し、能動素子上に電極パターンを７オトレジ
スト１４で形成したｌ姐露出した金１ｌｔＮｉをイオン
シリング法でエツチングしてエミッタ領域１３およびペ
ース４啄１４を形成する際、半導体基板１１上の絶縁膜
１２と周囲のスクライプ線領域１７との段差部にに金、
１層１８が残り、この結果、後工程の処理で第３図に示
すように金属層１６がヒゲ状に遊眉して装置の信四度を
著しく低下させる。
エミッタ領域！６を有する半４体基板ｌｌ上を覆う絶縁
膜１２にコンタクト穴１０を形成してチタン−白金−金
の順に積層し、能動素子上に電極パターンを７オトレジ
スト１４で形成したｌ姐露出した金１ｌｔＮｉをイオン
シリング法でエツチングしてエミッタ領域１３およびペ
ース４啄１４を形成する際、半導体基板１１上の絶縁膜
１２と周囲のスクライプ線領域１７との段差部にに金、
１層１８が残り、この結果、後工程の処理で第３図に示
すように金属層１６がヒゲ状に遊眉して装置の信四度を
著しく低下させる。
この間４点を解決するために、本発明は半４本基板上の
絶縁膜と周囲のスクライプ線とのＰｉ差部を能１ｒｂ素
子の砥他と同じ構造の多層金属１曽で積うことを特徴と
する。
絶縁膜と周囲のスクライプ線とのＰｉ差部を能１ｒｂ素
子の砥他と同じ構造の多層金属１曽で積うことを特徴と
する。
次に図面を参照して本発明の実施列を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例によるｌ＃１造の製造工程中
の断面図である。すなわち、ペース３８、エミッタ３７
を有する半導体基板３１上に絶縁膜を形成し、能！Ｅｌ
Ｉ素子領域上にコンタクト窓およびスクライプ線領域３
９を形成した後、チタン−白金−金を順にスパッタ又は
蒸着で積層する。しかる後、能＠禦子領域の電極パター
ンを７オトレジスト３ケで形成する。この工程と同時に
絶縁膜３２と周囲のスクライプ線領域３９との段差もフ
ォトレジスト３４で覆うのである。その後、イオンシリ
ング法で嬶出した多層金属層を除去してエミッタ磁極３
３、ペース１極３５を形成する。このとき、周囲段差部
にも多層金属膜３６が残る。この多層金礪膜３６は下地
との密着が充分良い様に面積を広くとっているため、後
工程で下地から遊離することがなく、この結果、装置の
信頼度を低下させることが全くない。
の断面図である。すなわち、ペース３８、エミッタ３７
を有する半導体基板３１上に絶縁膜を形成し、能！Ｅｌ
Ｉ素子領域上にコンタクト窓およびスクライプ線領域３
９を形成した後、チタン−白金−金を順にスパッタ又は
蒸着で積層する。しかる後、能＠禦子領域の電極パター
ンを７オトレジスト３ケで形成する。この工程と同時に
絶縁膜３２と周囲のスクライプ線領域３９との段差もフ
ォトレジスト３４で覆うのである。その後、イオンシリ
ング法で嬶出した多層金属層を除去してエミッタ磁極３
３、ペース１極３５を形成する。このとき、周囲段差部
にも多層金属膜３６が残る。この多層金礪膜３６は下地
との密着が充分良い様に面積を広くとっているため、後
工程で下地から遊離することがなく、この結果、装置の
信頼度を低下させることが全くない。
以上のように、本発明によれば製造工桟を壇やしコスト
アップすることなしに装置の信頼度を低下させない半導
体装置が得られる。
アップすることなしに装置の信頼度を低下させない半導
体装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例による製造工程中の断面図、
第２図は従来構造の製造工程中の断面図、第３図は従来
構造の製造工程中の平面図である。 １１．３１・・・・・・半導体基板、１２．３２・・・
・・・絶縁膜、１３．１５．３３，３５．３６・・・・
・・チタン−白金−金の多層金嬌層、１４．３４・・・
・・・フォトレジスト、１６゜１７．３７．３８・・・
・・・拡散層、１８・・・・・・金属層、１７゜３９・
・・・・・スクライプ線領域、１０・・・・・・開孔部
。
第２図は従来構造の製造工程中の断面図、第３図は従来
構造の製造工程中の平面図である。 １１．３１・・・・・・半導体基板、１２．３２・・・
・・・絶縁膜、１３．１５．３３，３５．３６・・・・
・・チタン−白金−金の多層金嬌層、１４．３４・・・
・・・フォトレジスト、１６゜１７．３７．３８・・・
・・・拡散層、１８・・・・・・金属層、１７゜３９・
・・・・・スクライプ線領域、１０・・・・・・開孔部
。
Claims (1)
- 多層金属膜を素子領域の電極として有する半導体装置
において、周囲のスクライブ線領域と素子領域とを覆う
絶縁膜との段差部が前記多層金属膜で覆われていること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20745984A JPS6185823A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20745984A JPS6185823A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185823A true JPS6185823A (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=16540118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20745984A Pending JPS6185823A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6185823A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5094979A (en) * | 1989-03-03 | 1992-03-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5444482A (en) * | 1977-09-14 | 1979-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mos type semiconductor device and its manufacture |
| JPS58176937A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Fujitsu Ltd | 微細パタ−ン |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP20745984A patent/JPS6185823A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5444482A (en) * | 1977-09-14 | 1979-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mos type semiconductor device and its manufacture |
| JPS58176937A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Fujitsu Ltd | 微細パタ−ン |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5094979A (en) * | 1989-03-03 | 1992-03-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor device |
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