JPS59225896A - レ−ザ加工方法 - Google Patents
レ−ザ加工方法Info
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- JPS59225896A JPS59225896A JP58100676A JP10067683A JPS59225896A JP S59225896 A JPS59225896 A JP S59225896A JP 58100676 A JP58100676 A JP 58100676A JP 10067683 A JP10067683 A JP 10067683A JP S59225896 A JPS59225896 A JP S59225896A
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- freon
- laser beam
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/1224—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in vacuum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はレーザビームを用いて被加工面に開溝を形成
するレーザ加工方式に関する。
するレーザ加工方式に関する。
この発明は被加工面にレーザ加工により開溝を形成する
に際し、被加工面をハロゲン元素を含むフレオン系液体
内に配設し、レーザ光によりフレ（１） オン系液体を分解し、この分解・活性化したハロゲン元
素とレーザ光照射により高温に昇温して形成される開溝
の溶融物または飛散物とを反応せしめ、飛散物が開溝の
底面または周辺部に残存しないようにするレーザ加工方
法に関する。
に際し、被加工面をハロゲン元素を含むフレオン系液体
内に配設し、レーザ光によりフレ（１） オン系液体を分解し、この分解・活性化したハロゲン元
素とレーザ光照射により高温に昇温して形成される開溝
の溶融物または飛散物とを反応せしめ、飛散物が開溝の
底面または周辺部に残存しないようにするレーザ加工方
法に関する。
この発明は室温においてきわめて安定であり、かつ５０
０℃以上のレーザ光照射による高温により分解、活性化
するフレオン系液体を用いたものである。
０℃以上のレーザ光照射による高温により分解、活性化
するフレオン系液体を用いたものである。
この発明は、絶縁基板」―に第１の導電性被膜よりなる
第１の電極、非単結晶半導体被膜、さらにこの」二面に
第２の導電性被膜よりなる第２の電極を積層して形成す
る光電変換装置に関するものである。
第１の電極、非単結晶半導体被膜、さらにこの」二面に
第２の導電性被膜よりなる第２の電極を積層して形成す
る光電変換装置に関するものである。
酸化スズ、酸化インジュームを主成分とする第１の導電
性被膜を塩化物を成分として有するフレオン系液体内に
配設し、第１のレーザ・ケミカル・スクライブ（以下、
ＬＣ５という）加工により、端部（エッヂ）の鋭い（シ
ャープ）な開溝を有して所定の形状に第１の開溝を形成
してパターニン（２） グをし、さらにこの」−面に平導体被膜を形成して、こ
の第１の開溝を基準としてそれと従属の形状を弗素を成
分として有するフレオン系液体に浸し、この液体を通し
て半導体に対しＬＣ３を行い、シャープ・エッヂを有す
る第２の開溝を半導体に設けたものである。
性被膜を塩化物を成分として有するフレオン系液体内に
配設し、第１のレーザ・ケミカル・スクライブ（以下、
ＬＣ５という）加工により、端部（エッヂ）の鋭い（シ
ャープ）な開溝を有して所定の形状に第１の開溝を形成
してパターニン（２） グをし、さらにこの」−面に平導体被膜を形成して、こ
の第１の開溝を基準としてそれと従属の形状を弗素を成
分として有するフレオン系液体に浸し、この液体を通し
て半導体に対しＬＣ３を行い、シャープ・エッヂを有す
る第２の開溝を半導体に設けたものである。
さらにこの第２の開溝を形成した後、第２の導電性被膜
を形成し、第１または第２の開溝を基準としてこの第２
の導電性被膜と従属関係のパターンを有して弗素または
塩素を主成分として有するフレオン系液体にてＬＣ５を
行い、第３の開溝を形成せんとするものである。
を形成し、第１または第２の開溝を基準としてこの第２
の導電性被膜と従属関係のパターンを有して弗素または
塩素を主成分として有するフレオン系液体にてＬＣ５を
行い、第３の開溝を形成せんとするものである。
即ち、本発明はこのＬＣ５に加えて、少なくとも２つの
レーザ加工をまったく独立にパターニングを施すのでは
なく、第１の開溝と従属関係を有した第２、第３の開溝
を、人間の制御で行うのではなく、コンピュータによっ
てプログラムを行うことにより、自動的（コンピュータ
・エイデツド・セルフ・レジストレイジョン）に作製す
ることを目的としてている。
レーザ加工をまったく独立にパターニングを施すのでは
なく、第１の開溝と従属関係を有した第２、第３の開溝
を、人間の制御で行うのではなく、コンピュータによっ
てプログラムを行うことにより、自動的（コンピュータ
・エイデツド・セルフ・レジストレイジョン）に作製す
ることを目的としてている。
（３）
従来、レーザ加工方式においては、１つの開溝またはパ
ターンを被加工面に大気中で施すことが行われていた。
ターンを被加工面に大気中で施すことが行われていた。
しかしかかる大気中でば開溝部の被加工物の一部が開溝
底部に残存したり、また周辺部に飛着してしまいシャー
プ・工・ノヂを有する開溝を作ることができなかった。
底部に残存したり、また周辺部に飛着してしまいシャー
プ・工・ノヂを有する開溝を作ることができなかった。
さらにこの単なる熱のみのレーザ・スクライブ（以下Ｌ
Ｓという）は、レーザ光が照射された部分を超高温に加
熱して気化・除去するのみであった。
Ｓという）は、レーザ光が照射された部分を超高温に加
熱して気化・除去するのみであった。
加えて従来はこの大気が室温であるため、気化して飛散
する際、急冷されるため、開溝の底部または凹部に飛散
できなかった一部が残存してしまう傾向が強かった。
する際、急冷されるため、開溝の底部または凹部に飛散
できなかった一部が残存してしまう傾向が強かった。
そのため、電気的に開溝によりそれぞれの領域を分離せ
んとする時、この残存物によりリーク電流が発生してし
まい、また接触不良が発生してしまい、光電変換装置等
の半導体装置への応用が不可能であった。
んとする時、この残存物によりリーク電流が発生してし
まい、また接触不良が発生してしまい、光電変換装置等
の半導体装置への応用が不可能であった。
さらに製造歩留りが究めてばらつき、工業的な応用が不
可能であった。
可能であった。
（４）
他方、ＬＳを硝酸または塩酸系の化学液体に浸された被
加工面に行うことが考えられる。
加工面に行うことが考えられる。
しかしかかる液体を用いる方法においては、これらの液
体がＬＳを行わない他の表面と反応をしてしまう。さら
にこのＬＳの完了した後、被加工面の化学液体を十分洗
浄しなければならず、多量生産には実用性がまったくな
かった。
体がＬＳを行わない他の表面と反応をしてしまう。さら
にこのＬＳの完了した後、被加工面の化学液体を十分洗
浄しなければならず、多量生産には実用性がまったくな
かった。
本発明は、かかる従来の方法の欠点を除去し、工業的に
多量生産が可能な洗浄溶液として有効であり、かつ化合
物中に弗素または塩素のごときハロゲン元素を有するフ
レオン系液体を用いたものである。このフレオン系液体
は室温においてはきわめて安定かつ透明であり、また処
理後、基板の表面を特に新たな洗浄工程を加えることな
く取り出すことができる。またこのフレオン系液体を５
００℃以上の温度で分解し、活性弗素、塩素を発生させ
、レーザ光を照射させた部分のみと選択的に反応してこ
の開溝部でシャープ・エッヂを有せしめるという大きな
特長を有する。さらに加えて本発明は、絶縁物上の導体
に対し、１．ｃｓをした場合、（５） この間溝により分割されたそれぞれが電気的に残存物に
よりリークすることがなくなり、きわめて工業的に優れ
たものであった。
多量生産が可能な洗浄溶液として有効であり、かつ化合
物中に弗素または塩素のごときハロゲン元素を有するフ
レオン系液体を用いたものである。このフレオン系液体
は室温においてはきわめて安定かつ透明であり、また処
理後、基板の表面を特に新たな洗浄工程を加えることな
く取り出すことができる。またこのフレオン系液体を５
００℃以上の温度で分解し、活性弗素、塩素を発生させ
、レーザ光を照射させた部分のみと選択的に反応してこ
の開溝部でシャープ・エッヂを有せしめるという大きな
特長を有する。さらに加えて本発明は、絶縁物上の導体
に対し、１．ｃｓをした場合、（５） この間溝により分割されたそれぞれが電気的に残存物に
よりリークすることがなくなり、きわめて工業的に優れ
たものであった。
以下に図面に従って本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明のレーザ加工処理方式によるブロック図
である。
である。
図面において、レーザ加工ｔａ （５０）はレーザ発振
機（２１） ＸＹテーブル（５２）等よりなっている。
機（２１） ＸＹテーブル（５２）等よりなっている。
レーザ発振ｍ （２１）は１．０６μのＹＡＧレーザ（
周波数１〜３０に１１ｚ、ビーム径１０〜８０μφ例え
ば５０μφ、出力０．１〜８Ｗ例えばＩＷ）を用いた。
周波数１〜３０に１１ｚ、ビーム径１０〜８０μφ例え
ば５０μφ、出力０．１〜８Ｗ例えばＩＷ）を用いた。
ここでレーザ光はフード内面では１〜２１φを有し、フ
ード内面でのフレオンの分解がないように温度上昇を防
いでいる。レーザ光はコリオメータ （２２）を経てミ
ラー（選択反射金属） （２３）より基板（１）上の
被加工面（５）に至る。
ード内面でのフレオンの分解がないように温度上昇を防
いでいる。レーザ光はコリオメータ （２２）を経てミ
ラー（選択反射金属） （２３）より基板（１）上の
被加工面（５）に至る。
他方、光学的位置検出系（５１）はランプ（２４）によ
りハーフミラ−（２５）より被加工面（５）に至り、反
射光がミラー（２５）を通過して検知器（２６）に至る
。この検知器（２１）では被加工面で（６） の開溝（１８）の位置情報を検出し、コンピユー タ（
２７）に入力される。
りハーフミラ−（２５）より被加工面（５）に至り、反
射光がミラー（２５）を通過して検知器（２６）に至る
。この検知器（２１）では被加工面で（６） の開溝（１８）の位置情報を検出し、コンピユー タ（
２７）に入力される。
このコンピュータ（２７）には゛メモリ （２１）にて
第２の開溝（１９）の相対的な位置をプログラムされて
いるため、これと第１の加工部の開溝（１８）の位置と
を重合わせて第２の開溝の位置、パターンをレーザ加工
機（５０）の発振機（２１）に入力させる。同様に、位
置をＸＹテーブル（５２）の制御系（２９）に入力させ
る。かくして、このＸＹテーブル（５５）のシフトを完
了した後、このレーザ発振機（２１）は第１の開ａ（１
８）より所定の距離ずれた（移動させて）位置（座標）
に第２の開溝（１９）を形成せしめることが可能となる
。
第２の開溝（１９）の相対的な位置をプログラムされて
いるため、これと第１の加工部の開溝（１８）の位置と
を重合わせて第２の開溝の位置、パターンをレーザ加工
機（５０）の発振機（２１）に入力させる。同様に、位
置をＸＹテーブル（５２）の制御系（２９）に入力させ
る。かくして、このＸＹテーブル（５５）のシフトを完
了した後、このレーザ発振機（２１）は第１の開ａ（１
８）より所定の距離ずれた（移動させて）位置（座標）
に第２の開溝（１９）を形成せしめることが可能となる
。
またＸＹテーブル（５２）はフード（５５）内に配設さ
れ、被加工面を有する基板をＸ方向またはＹ方向に制御
系の指示に従って移動させている。
れ、被加工面を有する基板をＸ方向またはＹ方向に制御
系の指示に従って移動させている。
フード（５５）へハロゲン元素を有するフレオン系液体
例えばＣ２Ｃｌ３Ｆ３．ＣｌＣｌ１等のダイキン工業社
製グイフロンソフレベンｌ−を（５３）より導入させ、
（５４）に排出させる。レーザ光はフード（５５）の（
７） ＝に面の投光性保護物（ここでは石英を用いた）（５６
）を経て被加工面に照射させている。
例えばＣ２Ｃｌ３Ｆ３．ＣｌＣｌ１等のダイキン工業社
製グイフロンソフレベンｌ−を（５３）より導入させ、
（５４）に排出させる。レーザ光はフード（５５）の（
７） ＝に面の投光性保護物（ここでは石英を用いた）（５６
）を経て被加工面に照射させている。
気体および基板の加熱はこの石英板の上方よりハロゲン
・ランプにより室温〜４００℃に加熱できるようにした
。この加熱は被加工表面がハロゲン化物液体と化学反応
を起こさない程度に貿温した。
・ランプにより室温〜４００℃に加熱できるようにした
。この加熱は被加工表面がハロゲン化物液体と化学反応
を起こさない程度に貿温した。
弗素化物、塩化物を使い分け、被加工面の成分の反応生
成物が反応抜気体となるものを用いた。
成物が反応抜気体となるものを用いた。
本発明の一例を示すと、以下の通りである。
１） Ｓｉ ＋ （Ｃ、Ｆ ）
Ｓ＋Ｆ＋ → Ｃ２）ＳｉＯ＋ＣＣ，Ｆ）−５
ｉＦ＋Ｃｏ。
Ｓ＋Ｆ＋ → Ｃ２）ＳｉＯ＋ＣＣ，Ｆ）−５
ｉＦ＋Ｃｏ。
今
３ ＞ ２Ａ］ ＋ （Ｃ，Ｃｌ） −２Ａ
ＩＣＩ、 ＋ Ｃｏ。
ＩＣＩ、 ＋ Ｃｏ。
４）八１０＋（Ｃ，ＣＩ）−２ＡＩＣ１十Ｃｏ。
５） Ｗ ＋ （Ｃ，Ｃｌ３− ＷＣＩｃ＋
Ｇｏ。
Ｇｏ。
６） ２Ｍｏ ＋ （ＣＩＣＩ） ２ＭｏＣＩｒ
＋ Ｃ７）Ｉｎ凸＋ （Ｃ，ＣＩ） −ｒｎｃＩ、
＋ Ｃ０゜８） ＳｎＯ，＋ （Ｃ，ＣＩ）
−５ｎＣＩ、 ＋ ＣｏＬ」二記例においては、ハロ
ゲン化物気体としてフレオン液を用い、これをフレオン
系液体を炭素と珪素、また炭素と弗素との化合物の意味
でＣＣ，ＣＩ）（８） （Ｃ，Ｆ）と表記している。このＣＣ，ＣＩ）、 （Ｃ
，Ｆ ）は一般にばＣ，Ｆ、 ＣＩ、Ｉ Ｃ，Ｃｌ４Ｆ
ＬＩ ＣＣＩ、Ｆ等のＣＣ，Ｆ、ＣＩ）で示されるもの
洗浄用に用いられるフレオン（ダイフロン）を意味する
。
＋ Ｃ７）Ｉｎ凸＋ （Ｃ，ＣＩ） −ｒｎｃＩ、
＋ Ｃ０゜８） ＳｎＯ，＋ （Ｃ，ＣＩ）
−５ｎＣＩ、 ＋ ＣｏＬ」二記例においては、ハロ
ゲン化物気体としてフレオン液を用い、これをフレオン
系液体を炭素と珪素、また炭素と弗素との化合物の意味
でＣＣ，ＣＩ）（８） （Ｃ，Ｆ）と表記している。このＣＣ，ＣＩ）、 （Ｃ
，Ｆ ）は一般にばＣ，Ｆ、 ＣＩ、Ｉ Ｃ，Ｃｌ４Ｆ
ＬＩ ＣＣＩ、Ｆ等のＣＣ，Ｆ、ＣＩ）で示されるもの
洗浄用に用いられるフレオン（ダイフロン）を意味する
。
このレーザ加工方法において、フレオン系液体は透明で
あるため、第１の開溝をたえず検知することができるた
め、この第１の開溝（１８）の位置を検知しつつ第２の
開溝（１９）の作製を実施するという特長を有する。
あるため、第１の開溝をたえず検知することができるた
め、この第１の開溝（１８）の位置を検知しつつ第２の
開溝（１９）の作製を実施するという特長を有する。
第２図は本発明方式を用いた光電変換装置の縦断面図を
示す。
示す。
図面に従ってさらに本発明の内容を示す。
第２図において、（Ａ）は例えば２０ｃｍ Ｘ ６０ｃ
ｍの大きさを有する絶縁基板（１）である。ここではガ
ラス基板を用いた。
ｍの大きさを有する絶縁基板（１）である。ここではガ
ラス基板を用いた。
さらにこの上面に被加工面（５）が形成されている。
この加工面（５）にはレーザ加工により開溝群（１２）
が設けられている。
が設けられている。
この第２図（Ａ）の一部を拡大し、その縦断面（９）
図を第２図（Ｂ）に示す。
図面において、基板（１）は２ｍｍ厚のガラス表面であ
る。さらにこの上面に、第１の導電性膜をＩＴＯ（酸化
インジヱームスズ）を５００〜１５００人とＳｎＯ□（
２００〜４００人）の２層膜として透光性を有して設け
ている。
る。さらにこの上面に、第１の導電性膜をＩＴＯ（酸化
インジヱームスズ）を５００〜１５００人とＳｎＯ□（
２００〜４００人）の２層膜として透光性を有して設け
ている。
これに対し、第１の開溝（］８）を＋、ＣＳ （周波
数５ＫＨｚ、スキャンスピード１＋ｎ／分、出力０．６
讐、焦点距離５０ｍｍ、 ビーム径４０μφ５雰囲気
フレオンＴＦ。
数５ＫＨｚ、スキャンスピード１＋ｎ／分、出力０．６
讐、焦点距離５０ｍｍ、 ビーム径４０μφ５雰囲気
フレオンＴＦ。
室温）により形成し、第１の導電膜を複数のパターン（
ここでは第２図（Ａ）に示すごとき短冊状）に電気的に
分割した。
ここでは第２図（Ａ）に示すごとき短冊状）に電気的に
分割した。
このＬＣ５により、開溝によって切断された２つの領域
即ち第１の電極（７）、（７）は、ザンブル数３０でテ
ストをした時、まったくその電極（７）、＜ ７ ）間
には１０−’ Ａ ／ｃｍ以下のリークしか観察できず
、不良が０／３０であった。
即ち第１の電極（７）、（７）は、ザンブル数３０でテ
ストをした時、まったくその電極（７）、＜ ７ ）間
には１０−’ Ａ ／ｃｍ以下のリークしか観察できず
、不良が０／３０であった。
しかし従来の単なる大気中（酸素を含有する）のＬＳで
は、１．０’ 〜１０−’＾／ｃｍのリークが３０サン
プル中６ケも観察され、開溝部での残存物にょろり（１
０） −り電流の防止に対し、本発明はきわめて有効であった
。
は、１．０’ 〜１０−’＾／ｃｍのリークが３０サン
プル中６ケも観察され、開溝部での残存物にょろり（１
０） −り電流の防止に対し、本発明はきわめて有効であった
。
さらにこの第１の開溝を形成した後、この」二面に非単
結晶半導体をｌ’ＩＮ接合を少なくとも１つ（ＰＩＮ接
合、Ｉ’Ｔｌ１ｌＰｒＮ・・・ｌ”ＩＮ接合）有して積
層した。
結晶半導体をｌ’ＩＮ接合を少なくとも１つ（ＰＩＮ接
合、Ｉ’Ｔｌ１ｌＰｒＮ・・・ｌ”ＩＮ接合）有して積
層した。
図面ではＰ型５ｉｘＣ，−Ｘ（ｘ ＝０．８ ）（２）
（約１００人）−■型Ｓｉ （約０．５μ）（３） −
Ｎ型機結晶化Ｓｔ （約２００人）（４）よりなる１つ
のＰＩＮ接合を有する半導体（３）をプラズマＣＶＤ法
、フォ）ＣＶＤ法またはフナ１−プラズマＣＶＤ法によ
り形成して、被加工面（５）が形成された。
（約１００人）−■型Ｓｉ （約０．５μ）（３） −
Ｎ型機結晶化Ｓｔ （約２００人）（４）よりなる１つ
のＰＩＮ接合を有する半導体（３）をプラズマＣＶＤ法
、フォ）ＣＶＤ法またはフナ１−プラズマＣＶＤ法によ
り形成して、被加工面（５）が形成された。
この後、この半導体（３）を第１の開溝（１８）を基準
として１０〜２００ μ例えば７０μ、図面において左
側にシフトさせて、第２の開溝（］９）を形成した。シ
フト量は予め第１図におけるメモリ （２８）にプログ
ラムさせておいた。
として１０〜２００ μ例えば７０μ、図面において左
側にシフトさせて、第２の開溝（］９）を形成した。シ
フト量は予め第１図におけるメモリ （２８）にプログ
ラムさせておいた。
図面ではこの第２の開溝は半導体（３）またはそこの半
導体およびその下の第１の導電膜（２）をもレーザスク
ライブをして除去させた。
導体およびその下の第１の導電膜（２）をもレーザスク
ライブをして除去させた。
（１１）
この第２の開１１１ｍ （１９）の作製においても、第
１の開溝の作製と同一１．ｃｓプロセス条件とした。す
るとこの間溝の周辺部に珪素の飛＋１＋物が残存せず第
２の電極間の導電膜を作る際、ピンホールの原因となる
要素を除去することができた。
１の開溝の作製と同一１．ｃｓプロセス条件とした。す
るとこの間溝の周辺部に珪素の飛＋１＋物が残存せず第
２の電極間の導電膜を作る際、ピンホールの原因となる
要素を除去することができた。
さらに図面においては、この半導体等の上表面全面に第
２の導電膜を形成させた。ここではＩＴＯ（１５）を５
０〜１５００人むえば１０５０人の厚さに、さらにその
上面に反射性金属（１６）を３００〜５０００人例えば
１０００ Ａの厚さに真空蒸着法、ＣＶＤ法により形成
させた。
２の導電膜を形成させた。ここではＩＴＯ（１５）を５
０〜１５００人むえば１０５０人の厚さに、さらにその
上面に反射性金属（１６）を３００〜５０００人例えば
１０００ Ａの厚さに真空蒸着法、ＣＶＤ法により形成
させた。
次ぎにこの第２の導電膜に対し、第１の開溝を基準とし
てさらに２０〜２００ μ例えば７０μ左側（第１の素
子側）にシフトして第３の開溝（２０）を第１図に示し
たレーザ加工装置により形成させた。
てさらに２０〜２００ μ例えば７０μ左側（第１の素
子側）にシフトして第３の開溝（２０）を第１図に示し
たレーザ加工装置により形成させた。
この第３の開溝（２０）は第２の導電膜（４）のみまた
はこの導電膜に加えてその下の半導体（３）をも除去さ
せ第１の導電膜の表面（１０）を露呈させてしまった。
はこの導電膜に加えてその下の半導体（３）をも除去さ
せ第１の導電膜の表面（１０）を露呈させてしまった。
このＬＣ５において第２の電極を構成する成分が（１２
） 第３の開溝に残存すると、２つの電極（９＞、＜ ８
）間には光電変換装置として０．５〜１ｖの電位差が生
ずるため、残存物が存在するとこの残存物が気体である
ためリークの要因となり、信頼性の低下を促してしまう
。このためかかる残存物を除去することはきわめて有効
である。
） 第３の開溝に残存すると、２つの電極（９＞、＜ ８
）間には光電変換装置として０．５〜１ｖの電位差が生
ずるため、残存物が存在するとこの残存物が気体である
ためリークの要因となり、信頼性の低下を促してしまう
。このためかかる残存物を除去することはきわめて有効
である。
本発明のＬＣ５においては、被加工面をハロゲン元素を
有するフレオン系洗浄用液体例えばフレオンＴＦ雰囲気
で行った。
有するフレオン系洗浄用液体例えばフレオンＴＦ雰囲気
で行った。
その結果、不良は０／３０とまったく観察されなかった
。ＬＳのみでは３０ケ中２ケ切断できないものが観察さ
れた。
。ＬＳのみでは３０ケ中２ケ切断できないものが観察さ
れた。
図面において、かくしてガラス基板（１）上に複数の第
１および第２の光電変換素子（３１）、＜３２）が形成
され、さらにそれらは、開溝（１８）ズ１９＞、（２０
）よりなる連結部（１２）において電気的に直列に連結
させることが可能となった。
１および第２の光電変換素子（３１）、＜３２）が形成
され、さらにそれらは、開溝（１８）ズ１９＞、（２０
）よりなる連結部（１２）において電気的に直列に連結
させることが可能となった。
このような大面積に設けられた異なる材料を、それぞれ
の材料を前の材料と特定の関係（ここでは直列構造）を
有して形成させる時、本発明のしく１３） 一ザ・ケミカル・スクライブ方法（ＬＣ５）はその製造
歩留りの向上、さらに集積化したパネルの効率の向」二
にきわめて有効であることが判明した。
の材料を前の材料と特定の関係（ここでは直列構造）を
有して形成させる時、本発明のしく１３） 一ザ・ケミカル・スクライブ方法（ＬＣ５）はその製造
歩留りの向上、さらに集積化したパネルの効率の向」二
にきわめて有効であることが判明した。
本発明において、第２図の光電変換装置において、２０
ｃｍ Ｘ ６０ｃｍの基板の大きさに対し、１つの素子
（３１）、（３２）を１５ｍｍ Ｘ ２０ｃｍとし、そ
れらを同−基板状に４０段直列接続をさせる場合、へ旧
（１００ｍＩ／Ｉ／ｄの条件下にて、開放電圧２８．
５Ｖ、短絡電流３２０齢を有することができ、変換効率
５．８％を有することが可能となった。
ｃｍ Ｘ ６０ｃｍの基板の大きさに対し、１つの素子
（３１）、（３２）を１５ｍｍ Ｘ ２０ｃｍとし、そ
れらを同−基板状に４０段直列接続をさせる場合、へ旧
（１００ｍＩ／Ｉ／ｄの条件下にて、開放電圧２８．
５Ｖ、短絡電流３２０齢を有することができ、変換効率
５．８％を有することが可能となった。
さらにこの光電変換装置においては、この簗積化構造を
有せしめるに際し、本発明方式ではコンピュータにより
制御された完全無人化製造ラインを作ることが可能とな
り、きわめて工業的に価値大なるものであることが判明
した。
有せしめるに際し、本発明方式ではコンピュータにより
制御された完全無人化製造ラインを作ることが可能とな
り、きわめて工業的に価値大なるものであることが判明
した。
本発明において、被加工面は水平面をＸＹテーブル上に
配設をした。しかしこれは垂直に配設をしても、またこ
の基板の移動ではなくレーザの光源を移動させることに
より開講を作ってもよいことはいうまでもない。
配設をした。しかしこれは垂直に配設をしても、またこ
の基板の移動ではなくレーザの光源を移動させることに
より開講を作ってもよいことはいうまでもない。
（１４）
以上の実施例においては、ＣＦ ＣＩ、を主として示し
た。しかしその他の洗浄効果を有し、室温で透明且つ安
定である弗素、塩素、臭素化物であればすべて適用可能
である。
た。しかしその他の洗浄効果を有し、室温で透明且つ安
定である弗素、塩素、臭素化物であればすべて適用可能
である。
また第２図において、光電変換装置は２０ｃｍ Ｘ ６
０ｃｍを４つ組み合わせて４０ｃｍ Ｘ １２０ｃｍの
ＮｒＸＤＯ規格とするのではなく 、４０ｃｍＸ４０ｃ
ｍを３枚配列し、同じパネル形成を行ってもよい。また
電卓用その他民生用の光電変換装置を含む半導体装置そ
の化レーザ加工のすべてに対し、本発明方法を応用する
ことも有効である。
０ｃｍを４つ組み合わせて４０ｃｍ Ｘ １２０ｃｍの
ＮｒＸＤＯ規格とするのではなく 、４０ｃｍＸ４０ｃ
ｍを３枚配列し、同じパネル形成を行ってもよい。また
電卓用その他民生用の光電変換装置を含む半導体装置そ
の化レーザ加工のすべてに対し、本発明方法を応用する
ことも有効である。
本発明においては、Ｉ’ＩＮ接合を有する光電変換装置
の例を主として示した。しかしフォトセンサであってＩ
型半導体に対しても、また透光性導電膜のみに本発明の
ＬＣ３を適用することは可能である。
の例を主として示した。しかしフォトセンサであってＩ
型半導体に対しても、また透光性導電膜のみに本発明の
ＬＣ３を適用することは可能である。
第１図は本発明のレーザ加工方法を行うためのレーザ加
工機のブロック図を示す。 第２図は本発明のレーザ加工方法によって作られた光電
変換装置を示す。 （１５） ２）、。 ポ（Ｃ
工機のブロック図を示す。 第２図は本発明のレーザ加工方法によって作られた光電
変換装置を示す。 （１５） ２）、。 ポ（Ｃ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被加工面をフレオン系液体雰囲気内に配設し、前記
被加工面にレーザ光を照射して加工処理を施すことを特
徴とするレーザ加工方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、フレオン系液体は
弗素または塩素化物気体よりなることを特徴とするレー
ザ加工方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、導電膜または半導
体膜に加工処理により被加工面に開溝を形成せしめ、電
気的に分離することを特徴とするレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58100676A JPS59225896A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | レ−ザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58100676A JPS59225896A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | レ−ザ加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59225896A true JPS59225896A (ja) | 1984-12-18 |
| JPH034319B2 JPH034319B2 (ja) | 1991-01-22 |
Family
ID=14280354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58100676A Granted JPS59225896A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | レ−ザ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59225896A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106689A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-12 | Hitachi Ltd | レ−ザ加工装置 |
| WO2004015753A1 (en) * | 2002-08-06 | 2004-02-19 | Xsil Technology Limited | Laser machinining |
| JP2004247426A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Inst Of Research & Innovation | レーザダイシング装置 |
| US6835319B2 (en) * | 2001-10-25 | 2004-12-28 | Data Storage Institute | Method of patterning a substrate |
| CN100359645C (zh) * | 2002-08-06 | 2008-01-02 | Xsil技术有限公司 | 激光加工 |
| JP2009542022A (ja) * | 2006-07-03 | 2009-11-26 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト・ツァー・フォデラング・デル・アンゲワンテン・フォーシュング・エー．ファウ． | 固形物から物質を除去するための液体ジェットガイド式エッチング法およびその使用 |
-
1983
- 1983-06-06 JP JP58100676A patent/JPS59225896A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106689A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-12 | Hitachi Ltd | レ−ザ加工装置 |
| JPH033551B2 (ja) * | 1983-11-16 | 1991-01-18 | Hitachi Ltd | |
| US6835319B2 (en) * | 2001-10-25 | 2004-12-28 | Data Storage Institute | Method of patterning a substrate |
| WO2004015753A1 (en) * | 2002-08-06 | 2004-02-19 | Xsil Technology Limited | Laser machinining |
| CN100359645C (zh) * | 2002-08-06 | 2008-01-02 | Xsil技术有限公司 | 激光加工 |
| JP2004247426A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Inst Of Research & Innovation | レーザダイシング装置 |
| JP4633335B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2011-02-16 | 株式会社ディスコ | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| JP2009542022A (ja) * | 2006-07-03 | 2009-11-26 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト・ツァー・フォデラング・デル・アンゲワンテン・フォーシュング・エー．ファウ． | 固形物から物質を除去するための液体ジェットガイド式エッチング法およびその使用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH034319B2 (ja) | 1991-01-22 |
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