DE3140890C2 - Photolithographisches Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung - Google Patents
Photolithographisches Verfahren zum Herstellen einer integrierten SchaltungsvorrichtungInfo
- Publication number
- DE3140890C2 DE3140890C2 DE3140890A DE3140890A DE3140890C2 DE 3140890 C2 DE3140890 C2 DE 3140890C2 DE 3140890 A DE3140890 A DE 3140890A DE 3140890 A DE3140890 A DE 3140890A DE 3140890 C2 DE3140890 C2 DE 3140890C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- chamber
- etching step
- resist
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 66
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 39
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 24
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 4
- 102100031077 Calcineurin B homologous protein 3 Human genes 0.000 claims 1
- 101000777270 Homo sapiens Calcineurin B homologous protein 3 Proteins 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- 238000000710 polymer precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003079 width control Methods 0.000 description 2
- VNBVMEJAPNHJSI-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloropropyl prop-2-enoate Chemical compound ClCC(Cl)COC(=O)C=C VNBVMEJAPNHJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 poly (olefin sulfone Chemical class 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen
einer integrierten Schaltungsvorrichtung der im Oberbegriff
des Anspruches 1 angegebenen Art.
Ein besonders vorteilhaftes gattungsgemäßes Herstellungsverfahren für höchst
integrierte Schaltungsvorrichtungen, mit dem Submikrometer-Auflösung
bei ausgezeichneter Linienbreitensteuerung und
Stufenbedeckung realisierbar ist, ist als das Dreiniveau-Verfahren
bekannt. Siehe die Arbeit von J. M. Moran und
D. Maydan "High Resolution, Steep Profile, Resist Patterns",
The Bell System Technical Journal, Bd. 58, Nr. 5, Mai-Juni
1979, Seiten 1027-1036. Beim Dreiniveau-Verfahren muß eine
relativ dünne Schicht selektiv geätzt werden, und zwar un
ter Verwendung eines dünnen Resistmusters mit hoher Auf
lösung als Maske hierfür. Die relativ dünne Schicht ist bei
spielsweise eine 0,12 µm dicke Schicht aus Siliziumdioxid
(SiO₂).
Wenn der Dreiniveau-Prozeß zur Übertragung von Mikrometer-
und Submikrometermuster verwendet wird, dann ist das Mate
rial, das zur Erzeugung des erforderlichen dünnen Hochauf
lösungsresistmusters hierin benutzt wird, typischerweise
ein elektronenstrahlungsempfindlicher polymerer Resist wie
Poly(glycidylmethacrylat-co-äthylacrylat), das auch als
COP bekannt ist, oder Poly(olefinsulfon), das auch als PBS
bekannt ist, oder ein röntgenstrahlungsempfindlicher Resist
wie eine Mischung aus Poly(2,3-dichloro-1-propylacrylat) und
Poly(glycidylmethacrylat-co-äthylacrylat), das auch als
DCOPA bekannt ist. Als Maskiermaterialien haben aber diese
Hochauflösungsresists nicht immer eine ausreichend hohe
Beständigkeit gegenüber den Trockenätz-Verfahren, die üb
licherweise zur Ätzung der darunterliegenden SiO₂-Schicht
benutzt werden. Wenn daher beispielsweise resistmaskiertes
SiO₂ in einem reaktiven Zerstäubungsätzschritt in einem
CHF₃-Plasma bemustert wird, dann ist das SiO₂ : Resist-Ätz
verhältnis (Ätzselektivität) in der Praxis manchmal so nied
rig, daß der Linienbreiten-Verlust, der von einer Resist
erosion während der Musterübertragung herrührt, bei der
Herstellung bestimmter höchst integrierter Schaltungsvor
richtungen (sogenannte VLSI-Bauelemente) nicht mehr akzep
tabel ist.
Aus dem Artikel "Dry etching for pattern transfer" von H. W.
Lehmann und R. Widmer, J. Vac. Sci. Technol., Vol. 17(5), Sept./Oct.
1980, ist es bekannt, daß es bei einem gattungsgemäßen
Verfahren bei der Verwendung eines Plasmas,
das Fluor- und Wasserstoffkomponenten aufweist, zur Bildung
von erwünschten und unerwünschten Polymeren kommt.
Derartige Polymere bilden sich unter anderem auf den Seiten
wänden der gemusterten Resistschicht. Die Reproduzierbarkeit des
Vorganges ist nicht gut, so daß von einer gezielten Verwendung abgeraten wird.
Demgemäß sind fortlaufend Anstrengungen auf dem Gebiet
der VLSI-Bauelementherstellung dahingehend gemacht worden,
diese Ätzselektivität zu verbessern. Es wurde erkannt, daß,
wenn jene Anstrengungen erfolgreich wären, es dadurch mög
lich wird, extrem dünne Resistmasken bei der Herstellung
integrierter Schaltungsvorrichtungen mit Hochauflösungs
merkmalen bei ausgezeichneter Linienbreitenkontrolle zu
verwenden.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß mit den kennzeichnenden
Merkmalen des Anspruches 1 gelöst.
Nachstehend ist die Erfindung an Hand der Zeichnung be
schrieben; es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht eines
Teils eines bekannten integrierten Schaltungs
aufbaues, der eine zu ätzende, resistmaskierte
Schicht aufweist,
Fig. 2 die Anordnung nach Fig. 1 nach der
Ätzung der resistmaskierten Schicht in einem
üblichen Verfahren,
Fig. 3 eine schematische Ansicht einer Apparatur
zum Ätzen von integrierten Schaltungsstrukturen,
insbesondere VLSI-Bauelementen, und
Fig. 4 die Anordnung nach Fig. 1 nach Ätzen
deren resistmaskierter Schicht im vorliegenden
Verfahren.
Fig. 1 zeigt (in nicht maßstabsgerechter Darstellung)
einen Teil einer üblichen integrierten Schaltungsanord
nung in einem Herstellungszwischenstadium, in dessen Ver
lauf das erwähnte Dreiniveau-Verfahren angewandt wird.
Eine dicke organische Schicht 10 ist auf einem Silizium
substrat 12 aufgebracht. Beispielsweise ist die Schicht 10
eine 2,6 µm dicke Schicht eines üblichen polymeren Foto
resists, z. B. HPR-206 der Hunt Chemical Company. Auf
der Schicht 10 befindet sich eine relativ dünne Zwischen
schicht beispielsweise aus einer 0,12 µm dicken im Plasma
niedergeschlagenen Siliziumdioxidschicht. Schließlich be
findet sich ein Maskierungsmuster aus Elementen 16 und 18
auf der Zwischenschicht.
Die zu ätzenden Zonen der Zwischenschicht 14 sind nicht
vom Resistmaterial bedeckt. Wie in Fig. 1 dargestellt, ist
eine solche zu ätzende Zone zwischen den Resistelementen
16 und 18 definiert. Diese Zone hat eine vorgeschriebene
Breite w. Im Idealfall sollten die anisotrop in die Schicht
14 zu ätzende Zone und nachfolgend der anisotrop in die
relativ dicke Schicht 10 zu ätzende Teil je dieselbe Breite w
haben. Wenn Abweichungen von dieser Breite auftreten, wird
die in solcher Art hergestellte integrierte Schaltungsvor
richtung von vorgeschriebenen Kennwerten abweichen.
Beispielsweise wird das die Elemente 16 und 18 umfassende
Muster hergestellt durch anfängliches Niederschlagen einer
0,7 m dicken Schicht eines üblichen Hochauflösungsresists
wie DCOPA auf die Schicht 14. Nach üblicher mustermäßiger
Belichtung und Entwicklung ist die Dicke des anfänglich
niedergeschlagenen Resists reduziert auf beispielsweise
0,35 µm. Darüberhinaus verbleiben nach diesen Verfahrens
schritten nur die Maskierungselemente 16 und 18 (Fig. 1)
auf der Schicht 14.
In der Praxis sind die Kanten der Elemente 16 und 18,
die das beschriebene Resistmuster bilden, typischer
weise abgeschrägt. Bei einem Resist wie DCOPA beträgt
der Winkel a in Fig. 1 etwa 45°. Die Ätzbeständig
keit von DCOPA und einigen anderen Hochauflösungsresists
wie PBS und COP im Vergleich zu der von SiO₂ in einem
üblichen Ätzplasma aus beispielsweise CHF₃ ist relativ
niedrig. Folglich werden, während die Zwischenschicht 14
in einem solchen Plasma anisotrop geätzt wird, Seitenteile
der Resistelemente ebenfalls entfernt. Dieses führt natürlich
zu einer unerwünschten Verringerung des Linien- oder Leitungs
breitenbeibehaltungsvermögens.
Fig. 2 zeigt die Art und Weise, auf die das Ätzen der
Seitenteile der Resistelemente 16 und 18 verursacht, daß
die von der Schicht 14 zwischen den Elementen entfernte
Zone eine Breite W erhält, die größer als die vorgeschriebene
Breite w (Fig. 1) ist. (Die anderen Zonen, die durch die
Resistmaske in der Schicht 14 definiert sind, sind natur
gemäß in ähnlicher Weise beeinträchtigt.) In einem tatsäch
lichen Beispiel war die vorgeschriebene Breite w = 0,7 µm,
während die in der Schicht 14 als Ergebnis der Plasma
ätzung erhaltene Breite W = 1,0 µm war. In Fig. 2 sind die
Seitenteile 19, 20, 21 und 22, die von den Elementen 16
bzw. 18 abgeätzt sind, gestrichelt dargestellt.
Entsprechend dem vorliegenden Verfahren erodiert praktisch
nichts von der gemusterten Resistschicht im Verlauf der
Trockenätzung der durch die Maske definierten Zonen der
Schicht. Dieses erfolgt in neuartiger Weise durch Aus
bilden und Beibehalten einer Schutzschicht nur auf der
Oberseite des Resistmusters während des Ätzvorganges. Die
freiliegenden Teile der Schicht 14 sind nicht so geschützt
und werden demgemäß weggeätzt. Im Ergebnis ist das von der
Resistmaskenschicht in die Schicht 14 tatsächlich über
tragene Muster ein getreueres Replikat des im Resist de
finierten Musters als dieses bisher in der Praxis erreichbar
war.
Beispielsweise wird der vorliegende Ätzprozeß ausgeführt
in einem Reaktivzerstäubungsätzsystem mit parallelen Platten
der in Fig. 3 schematisch dargestellten Art. Das darge
stellte System umfaßt eine Ätzkammer 22 mit einem zylind
rischen leitenden Glied 24 und zwei leitenden Endplatten
26 und 28. Eine wassergekühlte leitende Werkstückhalterung
oder Kathode 30 ist in der Kammer 22 befestigt. Wafer 32,
deren untere Oberflächen zu ätzen sind, sind auf der Unter
seite einer leitenden Platte 34 befestigt, die ihrerseits
an der Kathode 30 mit Hilfe des üblichen Instrumentariums
(nicht dargestellt) wie Klemmen oder Schrauben befestigt
ist. Die Wafer 32 werden auf der Platte 34 durch eine mit
Öffnungen versehene Abdeckplatte 36 in Stellung gehalten.
Vorteilhaft ist die Platte 36 aus einem schwer zu
zerstäubenden Material, das mit dem Ätzgas chemisch
nicht reagiert, um ein nicht flüchtiges Material zu
bilden. Geeignete Materialien sind Quarzglas und Plexi
glas (Acrylglas). Die Platte 36 kann auch ein metalli
sches Glied sein, beispielsweise siliziumbeschichtetes
Aluminium.
Die Öffnungen in der Platte 36 sind mit den Wafern 32
ausgerichtet und im Durchmesser je etwas kleiner als
die Wafers. Auf diese Weise liegt der Hauptteil der Ober
fläche jedes Wafers für die Ätzung frei. Die Platte 36
ist an der Platte 34 mit üblichen Mitteln festgelegt.
In der Ätzkammer 32 befindet sich ebenfalls eine lei
tende Anode 35. Die Anode 35 wird mechanisch von der
Endplatte 26 getragen und ist zugleich mit dieser elek
trisch verbunden durch einen leitenden Bolzen 37.
Die Kathode 30 ist über eine Hochfrequenz-Abstimmschal
tung 38 mit einem Hochfrequenzgenerator 40 kapazitiv
gekoppelt, der beispielsweise dafür vorgesehen ist, die
Kathode 30 bei einer Frequenz von 13,56 MHz zu treiben.
Desweiteren ist die Kathode 30 über eine Filterschaltung
aus einer Induktivität 42 und einer Kapazität 44 mit
einem Meßgerät 46 verbunden, das den Spitzenwert der der
Kathode 30 zugeführten HF-Spannung anzeigt.
Die Endplatten 26 und 28 sind in Fig. 3 mit Bezugs
potential, beispielsweise Erde, verbunden. Demgemäß
ist auch die Anode 35 geerdet. Der sich durch die Platte
28 erstreckende Ortsteil der Kathode 30 ist gegen die
Platte 28 durch eine nichtleitende Buchse 50 elektrisch
isoliert. Zusätzlich ist eine nach unten offene zylind
rische Abschirmung 34 vorgesehen, die die Kathode 30
umgibt und mit der Platte 28 verbunden und damit geerdet
ist.
Bei einer speziellen Ausführungsform der Apparatur nach
Fig. 3 zur Durchführung des vorliegenden Verfahrens war
der Anoden-Kathoden-Abstand etwa 10 cm. Bei jenem Reaktor
war der Durchmesser der Platte 34 etwa 25 cm und betrug
der Durchmesser der Anode 35 etwa 43 cm. Die Unterseite
der Platte 34 war zur Aufnahme von sieben zu ätzenden
Plättchen eines Durchmessers von etwa 7,6 cm ausgebildet.
In der Kammer nach Fig. 3 wird eine vorgeschriebene Gas
atmosphäre hergestellt. Eine Gaszufuhr 52 liefert eine
gesteuerte Gasströmung in die Kammer. Zusätzlich wird ein
vorgeschriebener niedriger Druck in der Kammer mit Hilfe
eines üblichen Pumpensystems 54 aufrecht erhalten.
Durch Einführen eines bestimmten Gases oder einer bestimmten
Gasmischung in die Kammer 22 und Erzeugen eines elektrischen
Feldes zwischen Kathode 30 und Anode 35 entsprechend den
nachstehend angegebenen Details wird ein reaktives
Plasma in der Kammer 22 erzeugt. Während des Ätz
prozesses an den Werkstückoberflächen erzeugte flüch
tige Produkte werden aus der Kammer durch das System
54 abgezogen.
Entsprechend dem vorliegenden Verfahren wird ein polymeres
Material auf den vorstehend beschriebenen Resistelementen
16 und 18, jedoch nicht auf den freiliegenden Zonen der
Schicht 14, erzeugt und aufrecht erhalten während der
Plasmaätzung. Dieses geschieht durch Einstellen spezieller
Prozeßbedingungen in der Reaktionskammer.
Bei einem Ausführungsbeispiel erfolgte die Plasmaätzung
einer resistmaskierten SiO₂-Schicht mit vernachlässigbarer
Erosion des Resistmusters. Die SiO₂-Schicht war etwa 0,12 µm
dick und die Resistmaskierelemente waren aus annähernd
0,35 µm dickem DCOPA oder PBS oder COP. Beispielsweise um
faßten die in die Kammer 22 von der Gaszufuhr 52 einge
führten Gase eine Mischung von CHF₃, H₂ und N₂. In einem
speziellen Beispiel betrugen die in die Kammer 22 einge
führten Gasdurchsätze
11,6 cm³/min. CHF₃
2,4 cm³/min. H₂
0,6 cm³/min. N₂.
2,4 cm³/min. H₂
0,6 cm³/min. N₂.
Weiterhin war der Druck in der Kammer 22 auf etwa 0,93 Pa
(= 7 Millitorr) eingestellt, und die Eingangsleistung bei
der Kathodenoberfläche betrug etwa 0,2 Watt/cm². Unter
diesen Bedingungen wurde die SiO₂-Schicht mit einer
Geschwindigkeit von etwa 21,5 nm/min. geätzt. Bezeich
nenderweise blieben die Resistelemente während des Ätz
vorgangs dimensionell praktisch intakt.
Der selektive Niederschlag einer polymeren Schicht auf
die Resistelemente während des vorliegenden Ätzverfahrens
ist in Fig. 4 dargestellt. Dünne, typischerweise etwa
40-50 nm (400-500 Angström) dicke Schutzschichten 60
und 62 befinden sich, wie dargestellt, auf den Oberseiten
der oben beschriebenen Resistelemente 16 und 18. In der
Mitte während des anisotropen Ätzprozesses ist etwa die
Hälfte der niedergeschlagenen SiO₂-Schicht 14 von der zu
bearbeitenden Struktur entfernt worden. Diese teilweise
entfernten Zonen der Schicht 14 sind in Fig. 4 mit 14a,
14b und 14c bezeichnet. Wie in Fig. 4 dargestellt, existiert
keine polymere Schicht auf den unmaskierten Zonen 14a, 14b
und 14c während des Ätzens.
Nachfolgend werden als Ergebnis des oben angegebenen
Ätzprozesses die SiO₂-Zonen 14a, 14b und 14c vollständig
entfernt, wodurch die Oberflächen der vorgesehenen Zonen
der darunterliegenden Schicht 10 zur Bearbeitung frei
liegen. Wesentlich ist, da das die Resistelemente 16 und
18 umfassende Maskenmuster praktisch keinem Abmessungs
abbau während des Ätzens unterliegt, daß die SiO₂-Zonen,
die unter diesen Maskierungselementen liegen, praktisch
keiner seitlichen Erosion unterworfen sind. Demgemäß
entsprechen die Breiten der freiliegenden Zonen der
Schicht 10 praktisch genau den Abmessungen, wie diese
ursprünglich durch das Resistmuster definiert sind.
Folglich wird, wenn das Ätzen der Schicht 10 nachfolgend
unter Verwendung der restlichen SiO₂-Zonen als eine Maske
ausgeführt wird, das in die Schicht 10 übertragene Muster
ein hochgetreues Replikat des ursprünglich vorgegebenen
Resistmusters sein.
Das anisotrope Ätzen der Schicht 10 von Fig. 4 erfolgt
beispielsweise in einem üblichen reaktiven Zerstäubungs
ätzschritt unter Verwendung einer reinen Sauerstoffatmos
phäre bei einem Druck von etwa 0,67 Pa (= 5 Millitorr), einem
Sauerstoffgasdurchsatz von etwa 12 cm³/min. und einer
Eingangsleistung zum oben erwähnten Reaktor von etwa
0,2 Watt/cm². Bei diesem Schritt wird das Resistmuster
mit den Elementen 16 und 18 und den Schutzschichten 60
und 62 hierauf entfernt, während das durch die SiO₂-Schicht
14 definierte Muster in die relativ dicke Schicht 10 über
tragen wird. Hierdurch wird eine Submikrometerauflösung
mit im wesentlichen vertikalen Wänden in der Schicht 10
erreicht. Die sich anschließende Weiterbearbeitung des
Substrates 12 (oder einer nicht dargestellten, zwischen
Schicht 10 und Substrat 12 gelegenen Schicht) erfolgt unter
Verwendung der gemusterten dicken Schicht 10 als Maske
hierfür in üblicher Weise. Eine solche Weiterbearbeitung
umfaßt beispielsweise Ionenimplantation, Diffusion, Ätzen,
Metallisieren usw.
Eine genaue Theorie, die die Grundlage für das vorliegend
gefundene Phänomen eines selektiven Niederschlages erklärt,
ist noch nicht formuliert worden. Eine mögliche Erklärung
für dieses Phänomen liegt darin, daß während des Ätzens
eine polymere Schicht, die aus Fluor- und Wasserstoff
komponenten im Plasma erhalten wird, tatsächlich auf sowohl
den Maskierresistelementen als auch den unmaskierten oder
exponierten SiO₂-Zonen entsteht. Die Schicht aber, die sich
auf dem SiO₂ auszubilden sucht, wird kontinuierlich von
den exponierten Zonen durch reaktives und nicht-reaktives
Zerstäuben abgeätzt, wodurch die SiO₂-Zonen dem Plasmaätz
prozeß ausgesetzt sind. Andererseits tritt auf der Ober
fläche des Resistmaterials (das selbst ein Polymer ist)
eine verstärkte Schichtbildung auf, so daß eine resultierende
Schichtdicke trotz des Umstandes zurückbleibt, daß auch ein
reaktives oder nicht-reaktives Zerstäuben der Schicht während
des Ätzens fortlaufend auftritt. Die auf dem Resistmuster
verbleibende Polymerschichtdicke dient dann ihrerseits als
eine effektive Schutzschicht hierfür.
Die Erfindung ist jedoch nicht von der vorstehend gegebenen
Erklärung abhängig. Gleichgültig, ob sich jene Erklärung
als tatsächlich zutreffend herausstellt oder nicht, beruht
die Erfindung auf der Tatsache, daß selektive Polymer
bildung und -aufrechterhaltung defacto auftreten und in der
Praxis zuverlässig und reproduzierbar zur signifikanten
Verbesserung eines wichtigen Verfahrensablaufes bei der
Herstellung integrierter Schaltungsvorrichtungen verwen
det werden kann.
Der fundamentale Gesichtspunkt des vorliegenden Ver
fahrens ist die Erzeugung sowohl von Fluor- als auch von
Wasserstoffkomponenten in einem Ätzplasma unter gesteuerten
Bedingungen, die dahingehend entworfen sind, eine schützende
polymere Schicht nur auf den Oberflächen eines maskierenden
Resistmusters niederzuschlagen und aufrecht zu halten. Sonach
ist, obgleich die Einführung von Stickstoff in die Ätzkammer
aus der Gaszufuhr generell als vorteilhaft angesehen wird,
die Gegenwart von Stickstoff in der Gasmischung nicht not
wendig. Tatsächlich reicht CHF₃ allein aus, um einen selek
tiven polymeren Niederschlag der in Rede stehenden Art bei
Verwendung von Resists wie beispielsweise DCOPA, PBS oder
COP, zu erhalten. Für CHF₃ allein ist es vorteilhaft, die
folgenden Bedingungen in der Reaktionskammer nach Fig. 3
für den Erhalt eines solchen Niederschlages einzustellen:
- - einen Druck von etwa 1,33 Pa (10 Millitorr),
- - einen Gasdurchsatz von etwa 14 cm³/min. und
- - eine Eingangsleistung von etwa 0,15 Watt/cm².
Alternativ können CHF₃ + H₂ oder CHF₃ + N₂ in einer Anordnung
nach Fig. 3 benutzt werden, um das beschriebene Phänomen
eines selektiven Polymerniederschlages zu erhalten. Für
CHF₃ + H₂ sind die folgenden Bedingungen vorteilhaft:
- - ein CHF₃-Gasdurchsatz von etwa 11,6 cm³/min.,
- - ein H₂-Gasdurchsatz von etwa 2,4 cm³/min.,
- - ein Druck von etwa 0,93 Pa (= 7 Millitorr) und
- - eine Eingangsleistung von etwa 0,2 Watt/cm².
Für CHF₃ + N₂ sind die entsprechenden Parameter
- - CHF-Gasdurchsatz von 14 cm³/min.,
- - N₂-Durchsatz von 2 cm³/min.,
- - Druck von 2 Pa (= 15 Millitorr)
- - Eingangsleistung von 0,2 Watt/cm².
Zahlreiche Abwandlungen sind möglich. Beispielsweise ver
steht es sich, obgleich im Vorstehenden das Hauptgewicht
auf der Verbesserung der Ätzselektivität zwischen einem
Resistmaskenmuster und einer darunterliegenden SiO₂-Schicht
liegt, daß das vorliegende Verfahren auch zum Ätzen einer
darunterliegenden Schicht aus einem anderen Material, bei
spielsweise Siliziumnitrid, Bornitrid oder bordotiertes
Polysilizium geeignet ist. Desweiteren versteht es sich,
obgleich das Hauptanwendungsgebiet des vorliegenden Ver
fahrens das erwähnte Dreiniveau-Verfahren sein wird, daß
das Verfahren auch für andere Zwecke eingesetzt werden
kann. Beispielsweise kann das vorliegende selektive Polymer
niederschlagsverfahren immer dort angewandt werden, wo eine
resistmaskierte Schicht aus SiO₂ oder einem der anderen
angegebenen alternativen Materialien mit hoher Auflösung
in einem plasmaunterstützten Prozeß zu ätzen ist. Das be
schriebene Verfahren ist auch nicht auf die als Beispiel
speziell angegebenen elektronenstrahlungsempfindliche und
röntgenstrahlungsempfindliche Resists beschränkt. Das
Verfahren ist generell bei jedem Herstellungsverfahren
für sehr hochintegrierte Bauelemente anwendbar, wenn immer
ein dünnes Hochauflösungsresistmaterial zur Bildung einer
Ätzmaske selektiv bestrahlt und bemustert wird.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungs
vorrichtung mit den Verfahrensschritten
- - Erzeugen einer zu bemusternden Schicht (14)
- - Aufbringen einer polymeren Resistschicht auf die zu bemusternde Schicht,
- - Bemustern der Resistschicht zur Definition von Merkmalen hierin und
- - Trockenätzen der zu bemusternden Schicht in einem plasmaunterstützten Ätzschritt unter Verwendung der gemusterten Resistschicht als Maske,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - im Verlauf des Ätzschrittes eine polymere Schutzschicht (60, 62) erzeugt und
- - während der der Vorrichtungsmerkmaldefinition dienenden Ätzung
- - nur auf der Oberseite der gemusterten Resistschicht beibehalten wird, wobei im Verlauf des Ätzschrittes in einer Reaktionskammer ein Plasma, das Fluor- und Wasserstoff-Komponenten aufweist, gebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß im Verlauf des Ätzschrittes
in die Kammer gasförmiges CHF₃ oder gasförmiges CHF₃ + H₂
eingeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß im Verlauf des Ätzschrittes
in der Kammer desweiteren eine Stickstoffkomponente
gebildet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß im Verlauf des Ätzschrittes
gasförmiges CHP₃ + N₂ oder gasförmiges CMF₃ + H₂ + N₂
eingeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die herzustellende Vorrichtung auf einer Kathodenelektrode innerhalb der Kammer montiert wird,
- - die zu bemusternde Schicht aus SiO₂ hergestellt wird und
- - im Verlauf des Ätzschrittes CHF₃ + H₂ + N₂ in die Kammer eingeführt wird, wobei
- - folgende Gasdurchsätze in der Kammer erzeugt werden:
etwa 11,6 cm³/min CHF₃
etwa 2,4 cm³/min H₂ und
etwa 0,6 cm³/min N₂, - - ein Druck von etwa 0,93 Pa in der Kammer erzeugt wird und
- - eine Leistungsdichte von etwa 0,2 Watt/cm² an der Oberfläche der Vorrichtung durch Treiben der Kathodenelektrode über einen kapazitiv angekoppelten Hochfrequenzgenerator erzeugt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die SiO₂-Schicht etwa 0,12 µm dick ist,
- - die Resistschicht etwa 0,35 µm dick ist und aus der Resistmaterialgruppe DCOPA, PBS, COP ausgewählt wird und
- - die Schutzschicht etwa 40-50 nm dick ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die SiO₂-Schicht auf einer etwa 2,6 µm dicken organischen Schicht angeordnet ist und
- - auf den Ätzschritt folgend, die organische Schicht in der Kammer in einem reinen Sauerstoffplasmaätzschritt anisotrop geätzt wird, um die in der SiO₂-Schicht definierten Vorrichtungsmerkmale in die organische Schicht zu übertragen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/199,023 US4333793A (en) | 1980-10-20 | 1980-10-20 | High-selectivity plasma-assisted etching of resist-masked layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3140890A1 DE3140890A1 (de) | 1982-06-16 |
DE3140890C2 true DE3140890C2 (de) | 1997-08-21 |
Family
ID=22735887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3140890A Expired - Fee Related DE3140890C2 (de) | 1980-10-20 | 1981-10-15 | Photolithographisches Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4333793A (de) |
JP (1) | JPS5799745A (de) |
BE (1) | BE890772A (de) |
CA (1) | CA1160759A (de) |
DE (1) | DE3140890C2 (de) |
ES (1) | ES8207386A1 (de) |
FR (1) | FR2492591A1 (de) |
GB (1) | GB2085809B (de) |
HK (1) | HK6786A (de) |
IE (1) | IE52530B1 (de) |
IT (1) | IT1139988B (de) |
NL (1) | NL191587C (de) |
SE (1) | SE455743B (de) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3173581D1 (en) * | 1980-10-28 | 1986-03-06 | Toshiba Kk | Masking process for semiconductor devices using a polymer film |
US4397724A (en) * | 1981-08-24 | 1983-08-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers |
US4375385A (en) * | 1982-03-25 | 1983-03-01 | Rca Corporation | Plasma etching of aluminum |
US4372807A (en) * | 1982-03-25 | 1983-02-08 | Rca Corporation | Plasma etching of aluminum |
JPS58204537A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-29 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング方法 |
US4422897A (en) * | 1982-05-25 | 1983-12-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for selectively etching silicon |
US4451349A (en) * | 1983-04-20 | 1984-05-29 | International Business Machines Corporation | Electrode treatment for plasma patterning of polymers |
JPH0622212B2 (ja) * | 1983-05-31 | 1994-03-23 | 株式会社東芝 | ドライエッチング方法 |
US4452665A (en) * | 1983-10-12 | 1984-06-05 | International Business Machines Corporation | Polymeric halocarbons as plasma etch barriers |
US4470871A (en) * | 1983-12-27 | 1984-09-11 | Rca Corporation | Preparation of organic layers for oxygen etching |
US4534826A (en) * | 1983-12-29 | 1985-08-13 | Ibm Corporation | Trench etch process for dielectric isolation |
US4601913A (en) * | 1984-06-27 | 1986-07-22 | International Business Machines Corporation | Underlay surface modification to control resin glass polymerization |
US4528066A (en) * | 1984-07-06 | 1985-07-09 | Ibm Corporation | Selective anisotropic reactive ion etching process for polysilicide composite structures |
US4613400A (en) * | 1985-05-20 | 1986-09-23 | Applied Materials, Inc. | In-situ photoresist capping process for plasma etching |
DE3615519A1 (de) * | 1986-05-07 | 1987-11-12 | Siemens Ag | Verfahren zum erzeugen von kontaktloechern mit abgeschraegten flanken in zwischenoxidschichten |
US5332653A (en) * | 1992-07-01 | 1994-07-26 | Motorola, Inc. | Process for forming a conductive region without photoresist-related reflective notching damage |
US5562801A (en) * | 1994-04-28 | 1996-10-08 | Cypress Semiconductor Corporation | Method of etching an oxide layer |
JP3073906B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2000-08-07 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 超電導デバイスの製造方法 |
KR100327346B1 (ko) * | 1999-07-20 | 2002-03-06 | 윤종용 | 선택적 폴리머 증착을 이용한 플라즈마 식각방법 및 이를이용한 콘택홀 형성방법 |
US6699792B1 (en) * | 2001-07-17 | 2004-03-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polymer spacers for creating small geometry space and method of manufacture thereof |
CN100451831C (zh) * | 2001-10-29 | 2009-01-14 | 旺宏电子股份有限公司 | 减小图案间隙或开口尺寸的方法 |
US6573177B1 (en) * | 2002-02-19 | 2003-06-03 | Macronix International Co., Ltd. | Protection layer to prevent under-layer damage during deposition |
US9159561B2 (en) * | 2013-12-26 | 2015-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for overcoming broken line and photoresist scum issues in tri-layer photoresist patterning |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3692655A (en) * | 1971-04-05 | 1972-09-19 | Rca Corp | Method of radiofrequency sputter etching |
US3816196A (en) * | 1971-06-07 | 1974-06-11 | Gen Electric | Passivation of photoresist materials used in selective plasma etching |
GB1417085A (en) * | 1973-05-17 | 1975-12-10 | Standard Telephones Cables Ltd | Plasma etching |
EP0001538B1 (de) * | 1977-10-06 | 1983-01-12 | International Business Machines Corporation | Verfahren zum reaktiven Ionenätzen eines Bauelementes |
JPS5454578A (en) * | 1977-10-11 | 1979-04-28 | Fujitsu Ltd | Gas plasma etching method |
JPS5470772A (en) * | 1977-11-16 | 1979-06-06 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Dry etching method |
US4226896A (en) * | 1977-12-23 | 1980-10-07 | International Business Machines Corporation | Plasma method for forming a metal containing polymer |
US4244799A (en) * | 1978-09-11 | 1981-01-13 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns |
US4275286A (en) * | 1978-12-04 | 1981-06-23 | Hughes Aircraft Company | Process and mask for ion beam etching of fine patterns |
-
1980
- 1980-10-20 US US06/199,023 patent/US4333793A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-09-30 CA CA000387027A patent/CA1160759A/en not_active Expired
- 1981-10-05 SE SE8105859A patent/SE455743B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-10-13 FR FR8119237A patent/FR2492591A1/fr active Granted
- 1981-10-15 GB GB8131070A patent/GB2085809B/en not_active Expired
- 1981-10-15 DE DE3140890A patent/DE3140890C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1981-10-19 ES ES506354A patent/ES8207386A1/es not_active Expired
- 1981-10-19 IT IT24559/81A patent/IT1139988B/it active
- 1981-10-19 BE BE0/206272A patent/BE890772A/fr not_active IP Right Cessation
- 1981-10-19 IE IE2455/81A patent/IE52530B1/en not_active IP Right Cessation
- 1981-10-19 NL NL8104741A patent/NL191587C/xx not_active IP Right Cessation
- 1981-10-20 JP JP56166512A patent/JPS5799745A/ja active Pending
-
1986
- 1986-01-30 HK HK67/86A patent/HK6786A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2085809B (en) | 1984-06-20 |
SE8105859L (sv) | 1982-04-21 |
ES506354A0 (es) | 1982-09-01 |
US4333793A (en) | 1982-06-08 |
HK6786A (en) | 1986-02-07 |
FR2492591A1 (fr) | 1982-04-23 |
IT8124559A0 (it) | 1981-10-19 |
NL191587B (nl) | 1995-06-01 |
IT1139988B (it) | 1986-09-24 |
IE52530B1 (en) | 1987-12-09 |
CA1160759A (en) | 1984-01-17 |
SE455743B (sv) | 1988-08-01 |
JPS5799745A (en) | 1982-06-21 |
IE812455L (en) | 1982-04-20 |
FR2492591B1 (de) | 1984-12-21 |
DE3140890A1 (de) | 1982-06-16 |
BE890772A (fr) | 1982-02-15 |
NL191587C (nl) | 1995-10-03 |
GB2085809A (en) | 1982-05-06 |
NL8104741A (nl) | 1982-05-17 |
ES8207386A1 (es) | 1982-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3140890C2 (de) | Photolithographisches Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung | |
DE3856022T2 (de) | Selektives Ätzen dünner Schichten | |
DE3609681C2 (de) | Verfahren zur Dünnfilmerzeugung | |
DE10328578B4 (de) | Verfahren zum reaktiven Ionenätzen unter Verwendung einer Hartmaske aus einer amorphen Kohlenstoff-Wasserstoff-Schicht | |
DE69825630T2 (de) | Fokusringe | |
DE69203144T2 (de) | Verfahren zur Lokalpassivierung eines Substrates mit einer amorphen wasserstoffhaltigen Kohlenstoffschicht und Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Transistoren auf diesem passivierten Substrat. | |
DE2754396C2 (de) | ||
EP0015403B1 (de) | Verfahren zum reaktiven Ionenätzen von Silicium | |
DE69909248T2 (de) | Verfahren zur verminderung der erosion einer maske während eines plasmaätzens | |
DE69724192T2 (de) | Verfahren zum Ätzen von Polyzidstrukturen | |
EP2506294B1 (de) | Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Ätzen | |
EP2313913B1 (de) | Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten ätzen von mit gallium implantierten schichten | |
EP1444724A2 (de) | Photolithographisches strukturierungsverfahren mit einer durch ein plasmaverfahren abgeschiedenen kohlenstoff-hartmaskenschicht mit diamantartiger härte | |
DE3103177A1 (de) | Verfahren zum herstellen von polysiliziumstrukturen bis in den 1 (my)m-bereich auf integrierte halbleiterschaltungen enthaltenden substraten durch plasmaaetzen | |
DE69322058T2 (de) | Plasma-Ätzverfahren | |
DE3925070C2 (de) | Verfahren zum Erhalt einer sauberen Siliziumoberfläche | |
DE69819023T2 (de) | Methode, eine leitende schicht zu ätzen | |
DE4130391C2 (de) | Verfahren zum selektiven entfernen einer schicht und dessen verwendung | |
DE19746425A1 (de) | Heliconwellenerregung zum Erzeugen energiereicher Elektronen zur Herstellung von Halbleitern | |
DE3855636T2 (de) | Plasma-Entschichtungsverfahren für organische und anorganische Schichten | |
EP0338102A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von integrierten Halbleiterstrukturen welche Feldeffekttransistoren mit Kanallängen im Submikrometerbereich enthalten | |
DE112007001243B4 (de) | Verfahren zum Trockenätzen einer Zwischenisolierschicht | |
DE10037957C1 (de) | Verfahren zum anisotropen Trockenätzen organischer Antireflexionsschichten | |
DE3852370T2 (de) | Flankenstruktur aus organischem Material. | |
DE3219284C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: AT & T TECHNOLOGIES, INC., NEW YORK, N.Y., US |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 21/306 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |