DE3940820C2 - Verfahren zur Behandlung von Werkstücken durch reaktives Ionenätzen - Google Patents

Verfahren zur Behandlung von Werkstücken durch reaktives Ionenätzen

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung von Werkstücken, beispielsweise von flachen Werkstücken in Form von Substraten, vorzugsweise von Halbleitersubstra­ ten, durch reaktives Ionenätzen unter Verwendung einer Lackmaske oder anderen Mitteln zur Abdeckung von Substra­ ten, von Schichten aus Al-Legierungen und TiW.
Die genannten Schichten finden Verwendung als Bestandtei­ le mikroelektronischer Schaltkreise. Aus ihnen werden insbesondere Leiterbahnen hergestellt. Zur Strukturierung dieser Schichten wird heute überwiegend das reaktive Io­ nenätzen eingesetzt (Reactive Ion Etching, Kurzform: RIE) sowie das sogenannte Plasmaätzen (Plasma Etching, Kurz­ form: PE).
Bei diesen Verfahren ist es erforderlich, hohe Ätzraten zusammen mit hoher Selektivität gegenüber der Isolations­ schicht und gegenüber der Maske sowie hohe Maßhaltigkeit zu erreichen. Die Isolationsschicht ist meist eine Sili­ ziumdioxidschicht. Hohe Maßhaltigkeit erfordert hohe Ani­ sotropie, das heißt insbesondere hohe Ätzraten in verti­ kaler Richtung 6 und niedrige Ätzraten in lateraler Rich­ tung 7, siehe Fig. 1 und 2, der Ätzung.
Die Fig. 1 und 2 sind lediglich Anschauungsbilder, um die Problematik der Selektivität, Anisotropie und Überät­ zung zu veranschaulichen. Der Einfachheit halber wird le­ diglich eine zu ätzende Schicht 11 gezeigt. Bei der Er­ findung werden, wie weiter unten noch erläutert werden wird, zwei oder mehrere Schichten, z. B. eine obenliegen­ de Schicht und eine untenliegende Schicht geätzt, die auf einer Isolationsschicht angebracht sind.
Die gewünschte, spätere Struktur der Schicht wird durch eine Lackmaske, üblicherweise bestehend aus einem Foto­ lack, definiert. Das heißt, die zu erhaltenden Bereiche der Schicht sind vom Fotolack abgedeckt, während die durch die Ätzung zu entfernenden vom Fotolack frei sind.
In der Regel soll die Form exakt in der zu strukturieren­ den Schicht reproduziert werden, was erfordert, daß der Ätzprozeß nur in den nicht an der Lackmaske abgedeckten Bereichen der Schicht (Fig. 1), nicht aber unterhalb der Lackmaske (Fig. 2) stattfindet. In Fig. 2 sind die Be­ reiche unterhalb der Lackmaske mit 1, 2 bezeichnet.
Besonders kritisch ist die sogenannte "Überätzphase", in der die zu strukturierende Schicht durchbrochen und größ­ tenteils entfernt ist. Hierbei liegt ein Teil des isolie­ renden Materials, siehe 3 in der Fig. 2, frei und ist somit dem Ätzprozeß ausgesetzt. Verlangt wird in der Re­ gel, daß das isolierende Material 3 möglichst wenig ange­ griffen wird. Das heißt, der Ätzprozeß muß möglichst se­ lektiv sein.
Problematisch ist ferner, daß in der Überätzphase weniger Ätzgas verbraucht wird. Hierdurch wird die Konzentration reaktiver Spezies des Ätzgases höher. Dies bewirkt wie­ derum, daß die Seitenwände 41 des geätzten Grabens 12 stärker angegriffen werden. Hierdurch entstehen in der Regel unerwünschte, da in der Querrichtung verringerte Profile der Leiterbahnen.
Stand der Technik
Es ist bekannt, daß Aluminium bei hochintegrierten Schal­ tungen als Leiterbahnmaterial verwendet wird. Zur Verbes­ serung der technologischen Eigenschaften ist dem Alumini­ um noch in geringen Mengen Silizium und Kupfer oder Titan beigemengt. Die Al-Schichten mit Dicken im Bereich von 0,5 bis 1,5 Mikrometer werden meist durch Sputtern er­ zeugt. Sie befinden sich im allgemeinen auf einer SiO2- Isolationsschicht. Die Al-Ätzung muß deshalb selektiv zu SiO2 erfolgen. Näheres hierzu siehe beispielsweise Wid­ mann, Mader, Friedrich "Technologie hochintegrierter Schaltungen", Springer-Verlag, 1988, Seite 218 ff.
Zum Stand der Technik wird weiterhin hingewiesen auf ei­ nen Aufsatz aus Semiconductor International, Mai 1987, Seite 256 ff. mit dem Titel "RIE of Multilayer Metal In­ terconnects for VLSI", auf einen Aufsatz aus J. Electro­ chem. Soc.: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, Vol. 132, No.3, Seite 730 ff., mit dem Titel "Selective Reactive Ion Etching of TiW" und auf die US-Patentschrift 4468284 "PROCESS FOR ETCHING AN ALUMINIUM-COPPER ALLOY".
Bekannt ist schließlich ein Verfahren zum Plas­ maätzen von Leitschichten auf Halbleitersubstraten (JP 01-219 182 A), wobei die Leitschichten auf Ti- oder W-Basis (z. B. Ti 10 W, 2-0,2 µm) unter ei­ ner Al oder Al-Legierungsschicht (AlSi1 Cu2 oder Al Cu2, 1 µm bis 1,2 µm) besteht, die mit einer Lack­ maske abgedeckt sind und mit einer Gasmischung aus SiCl4, BCl3 oder Chlorkohlenstoffgasen (CHCl3, CCl4) mit SF6 sowie ggf. N2, He oder As geätzt wird.
Aufgabenstellung:
Die bekannten Verfahren zur Behandlung von Werkstücken, beispielsweise von flachen Werkstücken in Form von Substraten, vorzugsweise von Halbleitersubstraten, durch reaktives Ionenätzen unter Verwendung einer Lackmaske oder anderen Mitteln zur Abdeckung von Substraten, von Doppelschichten, bestehend aus einer Al-Legierungsschicht und einer TiW-Schicht weisen bestimmte Nachteile auf, die nachfolgend erläutert werden sollen.
Bisher wird beim Stand der Technik bei der Ätzung solcher Doppelschichten in zwei Schritten vorgegangen:
Zunächst wird die Al- oder Al-Legierungsschicht (obenlie­ gende Schicht) mit chlorhaltigem Gas geätzt.
In einem zweiten Schritt wird mit fluorhaltigen Gasen die untenliegende TiW-Schicht geätzt.
Dies ist notwendig, da mit fluorhaltigen Gasen Aluminium nicht zu ätzen ist, siehe hierzu unter anderem Widmann, Mader, Friedrich "Technologie hochintegrierter Schaltun­ gen", Springer-Verlag, 1988, Seite 218, zweitletzter Ab­ satz.
Üblicherweise werden Al und Al-Legierungen mit RIE unter Verwendung von Cl2/CCl4, Cl2/BCl3/CCl4/He, oder anderen Gasgemischen, die Chlor oder Chlorverbindungen enthalten, geätzt.
TiW wird üblicherweise mit RIE unter Verwendung eines CF4/O2 Gasgemisches geätzt.
Diese notwendigerweise zweistufige Methode des Standes der Technik führt zu Problemen in Hinsicht auf die Ani­ sotropie. Aus diesem Grund wird beim Stand der Technik das chemische Verfahren gewechselt.
Zunächst wird mit chlorhaltigem Gas die Al- oder Al- Legierungsschicht geätzt. Anschließend folgt die Ätzung der TiW-Schicht mit fluorhaltigem Gas.
Damit ist der erhebliche Nachteil verbunden, daß beim Wechsel vom ersten Verfahrensschritt zum zweiten Verfah­ rensschritt der Reaktor gewechselt werden muß.
Besonders nachteilig ist der Wechsel vom ersten zum zwei­ ten Verfahrensschritt und damit von einem zum anderen Re­ aktorprinzip dann, wenn mit Einscheibenanlagen gearbeitet werden soll. Der heutige Trend geht zu Einscheiben­ anlagen, deshalb wird der bestehende Nachteil des Standes der Technik in Zukunft noch gravierender.
Der Wechsel der Prozeßkammer beim Stand der Technik ist unter anderem deshalb notwendig, weil Reste des CF4/O2- Ätzprozesses für die TiW-Schicht den unter Verwendung von Cl und Cl-Verbindungen enthaltenen Ätzgasgemischen be­ triebenen Ätzprozeß für die Aluminiumlegierungsschicht stören. (Passivierung durch Bildung von Al-Fluorid).
Außerdem ist beim Stand der Technik die Anisotropie der beiden Prozeßschritte nicht einheitlich.
Hinzu kommt, daß die Selektivität zu SiO2 und zur Foto­ lackmaske beim CF4/O2-Schritt gering ist.
Der Erfindung liegen folgende Aufgaben zugrunde:
Die geschilderten Nachteile des Standes der Technik sol­ len vermieden werden. Beide Schichten, die Al-Legierungs­ schicht und die TiW-Schicht, sollen in einer Prozeßkammer geätzt werden und zwar in einem weitgehend einheitlichen chemischen Verfahren.
Es soll eine gleichmäßige Anisotropie beim Ätzen der bei­ den Schichten erreicht werden. Weiterhin soll die Selek­ tivität zur Fotolackmaske und zur Isolierschicht, die aus SiO2 bestehen kann, erhöht werden. Schließlich soll eine Überätzphase, die die Isolierschicht beschädigen könnte, vermieden werden, indem der Ätzprozeß dann beendet wird, wenn die Isolierschicht erreicht wird.
Das gesamte Ätzverfahren soll kostengünstiger durchführ­ bar sein. Der apparative Aufwand für die Durchführung des Ätzverfahrens soll gegenüber dem Stand der Technik ver­ ringert werden.
Die gestellten Aufgaben werden erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein Schichtsystem, bestehend aus mindestens einer Al-Legierungsschicht und mindestens einer TiW- Schicht, das auf einer vorzugsweise aus thermischem SiO2 bestehenden Isolationsschicht angebracht ist, mit Ätzga­ sen auf Cl-Basis einstufig geätzt wird, die folgende Kom­ ponenten aufweisen: Cl2, SiCl4.
Weiterhin wird vorgeschlagen, daß ein Schichtsystem, be­ stehend aus einer ersten TiW-Schicht, einer folgenden Al- Legierungsschicht und einer zweiten TiW-Schicht, das auf einer vorzugsweise aus thermischem SiO2 bestehenden Isola­ tionsschicht angebracht ist, geätzt wird.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel wird vorgesehen, daß z. B. eine obenliegende Al-Legierungsschicht und eine untenliegende TiW-Schicht, die auf einer vorzugsweise aus thermischem SiO2 bestehenden Isolationsschicht angebracht sind, geätzt werden.
Die Ätzgasmischung auf Cl-Basis kann erweitert werden, so daß sie folgende Komponenten aufweist: Cl2, SiCl4, He bzw. Cl2, SiCl4, BCl3, He.
In einem Ausführungsbeispiel wird vorgesehen, daß die obenliegende Schicht aus einer AlCu-Legierung besteht.
Im Rahmen eines weiteren Ausführungsbeispiels wird vorge­ schlagen, daß die obenliegende Schicht aus einer AlSiCu- Legierung besteht, wobei beispielsweise die Anteile der Legierung wie folgt aufgeteilt sind: Si 1%, Cu 2%, Al Rest.
Es ist auch möglich, daß die obenliegende Schicht aus ei­ ner AlCu-Legierung und einer AlSiCu-Legierung besteht.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird eine Silizium­ scheibe mit folgendem Schichtaufbau
  • - eine gehärtete Fotolackmaske mit einer Schichtdicke von 2 µm,
  • - eine Schicht von 1 µm Dicke, welche aus AlCu (2%) be­ steht, d. h. Cu-Anteil 2%, Rest Al,
  • - eine Schicht von 0,2 µm Dicke, welche aus Ti (6%) W besteht, d. h. Ti-Anteil 6%, Rest W,
  • - unterliegende Schicht, welche aus thermisch erzeugtem SiO2 besteht,
in einer Vorrichtung mit folgenden Verfahrensparametern geätzt:
100 SCCM SiCl4
25 SCCM Cl2
60 SCCM BCl3
80 SCCM He
Druck: 0,1 mbar
Elektrodenabstand: 50 mm
Elektrodendurchmesser: 240 mm
Temperatur der unteren Elektrode: 25°C
Temperatur der oberen Elektrode: 60°C
Temperatur des Vakuumrezipienten: 60°C
HF-Leistung (13,56 MHz): 250 W
dc-Spannung an der unteren Elektrode: 330 V
In einem alternativen Verfahren wird mit folgenden Verfah­ rensparametern geätzt:
100 SCCM SiCl4
24 SCCM Cl2
80 SCCM He
Druck: 0,16 mbar
Elektrodenabstand: 50 mm
Elektrodendurchmesser: 240 mm
Temperatur der unteren Elektrode: 35°C
Temperatur der oberen Elektrode: 60°C
Temperatur des Vakuumrezipienten: 50°C
HF-Leistung (13,56 MHz): 300 W
dc-Spannung an der unteren Elektrode: 360 V
Mit der Erfindung werden folgende Vorteile erzielt:
Die gestellten Aufgaben werden gelöst und die geschil­ derten Nachteile des Standes der Technik werden vermie­ den. Beide Schichten, die Al-Legierungsschicht und die TiW-Schicht, werden in einer Prozeßkammer geätzt und zwar in einem weitgehend einheitlichen chemischen Verfahren.
Es wird eine hohe und gleichmäßige Anisotropie beim Ätzen der beiden Schichten erreicht. Die Selektivität zur Foto­ lackmaske und zur Isolierschicht wird erhöht.
Der Ätzprozeß wird dann beendet, wenn die Isolierschicht erreicht wird. Die Isolierschicht wird also weitgehend geschont.
Das gesamte Ätzverfahren und der apparative Aufwand für seine Durchführung sind kostengünstiger als bei ver­ gleichbaren Verfahren und Vorrichtungen des Standes der Technik.
Einzelheiten der Erfindung, der Aufgabenstellung und der Vorteile sind der folgenden Beschreibung von Ausführungs­ beispielen der Erfindung zu entnehmen.
Diese Ausführungsbeispiele werden anhand von vier Figuren erläutert. Hierbei dienen die Fig. 1 und 2 zur Be­ schreibung der beim Stand der Technik auftretenden Nach­ teile hinsichtlich der Anisotropie, Selektivität und des Überätzens, während Fig. 4 eine schematische Darstellung des Schichtsystems ist, das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurde.
Fig. 1 zeigt ein Schichtsystem in ungeätztem Zustand.
Fig. 2 zeigt das Schichtsystem nach Fig. 1 in geätztem Zustand.
Fig. 3 zeigt eine Vorrichtung zur Durchführung der erfindungsgemäßen Verfahren.
Fig. 4 zeigt ein nach den erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Schichtsystem.
Anhand der Fig. 1 und 2 soll die Problematik der Anisotropie, Selektivität und des Überätzens beschrieben werden. Aus Vereinfachungsgründen wird in den Fig. 1 und 2 lediglich eine zu ätzende Schicht 11 dargestellt.
Die Erfindung befasst sich hingegen, wie weiter unten erläutert werden wird, mit einer Doppelschicht (oder auch Dreifach- oder Mehrfachschicht), bestehend aus einer Schicht aus einer AlCu-Legierung 42 (obenliegende Schicht) und einer Schicht aus einer TiW-Legierung 43 (untenliegen­ de Schicht), siehe hierzu Fig. 4.
Die gewünschte, spätere Struktur der zu ätzenden Schicht 11 wird durch eine Lackmaske 4, üblicherweise bestehend aus einem Fotolack, definiert.
Das heißt, die zu erhaltenden Bereiche 9, 10 der Schicht 11 sind vom Fotolack 4 abgedeckt, während die durch die Ätzung zu entfernenden vom Fotolack frei sind. Das zu entfernende Material trägt die Bezugsziffer 12, es wird durch die Seitenwände 41 begrenzt.
In der Regel soll die Form exakt in der zu strukturieren­ den Schicht 11 reproduziert werden, was erfordert, daß der Ätzprozess nur in den nicht an der Lackmaske abge­ deckten Bereichen 12 der Schicht (Fig. 1), nicht aber unterhalb der Lackmaske (Fig. 2) stattfindet.
In Fig. 2 sind die Bereiche unterhalb der Lackmaske mit 1, 2 bezeichnet.
Besonders kritisch ist die sogenannte "Überätzphase", in der die zu strukturierende Schicht durchbrochen und größtenteils entfernt ist (siehe Fig. 2). Hierbei liegt ein Teil des Isoliermaterials, beziehungsweise Isolations­ schicht, siehe 3 in Fig. 2, frei und ist somit dem Ätzprozess ausgesetzt. Verlangt wird in der Regel, daß die Isolationsschicht 3 möglichst wenig angegriffen wird. Das heißt, der Ätzprozess muß möglichst selektiv sein, und zwar in Hinsicht auf die Lackmaske 4 und die Isola­ tionsschicht 3. Das Isoliermaterial kann beispielsweise SiO2 sein.
Wie beschrieben, ist in den Fig. 1 und 2 die Maske mit 4 bezeichnet. 5 ist eine Ausnehmung in der Maske. Mit den Pfeilen 6 ist die vertikale Ätzrichtung bezeich­ net. Die Pfeile 7 stellen die lateralen Ätzrichtungen dar.
Der Prozess kann vorteilhafterweise in jedem RIE-Reaktor durchgeführt werden. Hierunter werden Reaktoren zur Erzeugung von Plasma verstanden, bei denen die zu ätzenden Substrate, üblicherweise Halbleiterscheiben, in elek­ trischem Kontakt mit einer Elektrode stehen. Diese Elek­ trode wird mit einer hochfrequenten Spannung beaufschlagt. Mit der Hochfrequenzspannung wird das Plasma erzeugt.
Der an Hochfrequenzspannung liegenden Elektrode 15 liegt eine geerdete Elektrode 16 gegenüber. Die Fläche der geerdeten Elektrode ist deutlich größer als die Fläche der an der Hochfrequenzspannung liegenden Elektrode. Da die obere Elektrode 16 und der Rezipient 8 geerdet sind, bilden elektrisch gesehen die Innenwand des Rezipienten und die obere Elektrode eine gemeinsame wirksame obere Elektrodenfläche. In diesem Sinne ist der oben wiedergegebene Satz, daß die Fläche der geerdeten Elektrode deutlich größer als die Fläche der an Hochfre­ quenzspannung liegenden Elektrode ist, zu verstehen.
Eine bevorzugte Reaktoranordnung ist in Fig. 3 darge­ stellt und wird im folgenden erläutert.
Ein Vakuumrezipient 8, der über die Leitung 37 geerdet ist, mit einer Abpumpöffnung 13 und einem UV-durchlässigen Schauglas 14 ist mit einer unteren Elektrode 15 und mit einer oberen Elektrode 16 ausgestattet, die beide scheibenförmig ausgebildet sind. Der Pfeil 21 bezeichnet die abströmenden Abgase.
Die Elektroden stehen sich planparallel gegenüber. Beide Elektroden sind gegenüber dem Vakuumrezipienten 8 elek­ trisch isoliert. Beide Elektroden können mit Hilfe durch sie hindurchströmender Flüssigkeiten temperiert werden.
Hierzu ist die obere Elektrode mit einem Zulauf 17 für die die Temperatur einstellende Flüssigkeit und mit einem Ablauf 18 für diese Flüssigkeit versehen. Die Pfeile 19 und 20 bezeichnen die zuströmende, beziehungsweise abströmende Flüssigkeit.
Die untere Elektrode weist ebenfalls einen Zulauf 22 und einen Ablauf 23 für eine die Temperatur einstellende Flüssigkeit auf. Die einströmende Flüssigkeit wird durch den Pfeil 24 bezeichnet, die abströmende Flüssigkeit durch den Pfeil 25. Die untere Elektrode 15 steht in Kontakt mit dem zu ätzenden Substrat 26 und wird während des Ätzprozesses mit einer Hochfrequenzspannung gespeist. Die Zuleitung für die Hochfrequenzspannung ist mit 27 bezeichnet.
Die obere Elektrode 16 ist in der Regel geerdet. Die Erdungsleitung trägt die Bezugsziffer 28.
Die obere Elektrode kann in einem weiteren Ausführungs­ beispiel ebenfalls mit einer Hochfrequenzspannung gespeist werden.
Das Prozessgasgemisch wird durch eine Bohrung 29 entspre­ chend dem Pfeil 30 in die obere Elektrode hineingeführt und durch eine Anzahl von Öffnungen, insbesondere in Form einer Gasdusche, an der dem Substrat zugewandten Seite der Elektrode in den Reaktionsraum 31 hineinge­ lassen. Die Öffnungen der Gasdusche, die in ihrer Gesamt­ heit mit 32 bezeichnet ist, sind schematisch durch Pfeile dargestellt. Eine dieser Öffnungen, beziehungsweise Pfeile, trägt die Bezugsziffer 33.
Der Abstand 34 zwischen der oberen und unteren Elektrode kann durch Verschieben der oberen Elektrode 16 innerhalb der Schiebedurchführung 35 auf einen vorbestimmten Wert eingestellt werden.
Zur Prozessüberwachung ist die Anordnung mit einem Detektor 36 ausgerüstet, der die Intensität des von einem optischen Linienfilters 38 transmittierten Lichts über die Prozessdauer hinweg vermißt. Das Messgerät ist mit 40 bezeichnet.
Mit einem Voltmeter 39 kann das negative Gleichspannungs­ potential, das sich bei brennendem Plasma an der unteren Elektrode 15 von selbst einstellt und die angelegte Hoch­ frequenzspannung überlagert, gemessen werden. Die untere Elektrode 15 weist also gegenüber dem Plasma eine negative Vorspannung auf (DC-Bias).
Für die Qualität der Ätzung ist die Zusammensetzung des Gasgemisches von entscheidender Bedeutung.
Erfindungsgemäß werden im vorliegenden Ausführungsbeispiel Ätzgase eingesetzt, die die Komponenten Cl2 und SiCl4 umfassen. Gegebenenfalls können He oder N2 zugesetzt werden.
In Fig. 4 ist die Maske aus Fotolack mit 44 bezeichnet.
Von oben nach unten gesehen, folgt der Maske eine AlCu-Legierungsschicht. Es kann sich alternativ auch um eine AlSiCu-Legierungsschicht handeln. Es ist weiterhin möglich, eine Schicht bestehend aus einer AlCu-Legierung und einer AlSiCu-Legierung einzusetzen. Diese obenliegende Schicht trägt, wie dargelegt, die Bezugsziffer 42.
In vertikaler Richtung von oben nach unten gesehen folgt die untenliegende Schicht 43. Sie besteht aus TiW.
Darunter liegt die Isolationsschicht 45, in vielen Fällen bestehend aus SiO2, vorzugsweise thermischem SiO2.
Weiter in Richtung von oben nach unten gesehen, kann sich eine weitere Schicht (nicht dargestellt), vorzugswei­ se aus Si bestehend, anschließen.
Halbleitersubstrate mit dem Schichtaufbau nach Fig. 4 werden in einer Vorrichtung, wie sie anhand von Fig. 3 in ihrem Aufbau und in ihrer Wirkungsweise beschrieben wurden, geätzt. Dabei werden die Substrate einem Plasma ausgesetzt, das die Gasgemischkomponenten Cl2 und SiCl4 aufweist. Das Gasgemisch kann zusätzlich He oder N2 aufweisen.
Analog zu dem im Zusammenhang mit den Fig. 1 und 2 gesagten, ist beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 in der Maske 44 eine Ausnehmung 46 vorgesehen. Mit 47 und 48 sind die in die Schicht 42, beziehungsweise 43, zu ätzenden Gräben bezeichnet.
Die Schichten 42 und 43 bilden eine Doppelschicht. Sie sind nach der Ätzung die elektronischen Funktionsschichten oder Verdrahtungsschichten.
Das Schichtsystem nach Fig. 4 ist als Anschauungs- und Erläuterungsmodell zu verstehen. In der Praxis gibt es eine Vielzahl von eingesetzten Schichtsystemen, die von diesem Modell abweichen.
Im folgenden sollen die Verfahren anhand zweier Ausfüh­ rungsbeispiele ergänzend erläutert werden:
Erstes Beispiel:
Eine Siliziumscheibe von 100 mm Durchmesser mit einem Schichtaufbau nach Fig. 4, bestehend aus
  • - einer gehärteten Fotolackmaske, Bezugsziffer 44, (das Material der Fotolackmaske entspricht dem Produkt der Firma Kalle mit der Produktbezeichnung AZ 1350 J) mit einer Schichtdicke von 2 MY-Meter,
  • - einer Schicht, Bezugsziffer 42, von 1 MY-Meter Dicke, welche aus AlCu (2%) besteht, d. h. Cu-Anteil 2%, Rest Al,
  • - einer Schicht, Bezugsziffer 43, von 0,2 MY-Meter Dicke, welche aus Ti (6%) W besteht, d. h. Ti-Anteil 6%, Rest W,
  • - unterliegende Schicht, Bezugsziffer 45, welche aus thermisch erzeugtem SiO2 besteht,
wird in einer Vorrichtung nach
Fig.
3 mit folgenden Verfahrensparametern geätzt:
100 SCCM SiCl4
25 SCCM Cl2
60 SCCM BCl3
80 SCCM He
Druck: 0,1 mbar
Elektrodenabstand: 50 mm
Elektrodendurchmesser: 240 mm
Temperatur der unteren Elektrode, Pos.
15
: 25°C
Temperatur der oberen Elektrode, Pos.
16
: 60°C
Temperatur des Vakuumrezipienten, Pos.
8
: 60°C
HF-Leistung (13,56 MHz): 250 W
dc-Spannung an der unteren Elektrode
15
: 330 V
Ergebnis
Ätzdauer: 5 Minuten, 40 Sekunden
Ätzrate AlCu: 320 nm/min
Ätzrate TiW: 80 nm/min
Selektivität zur Fotolackmaske: 2,5
Selektivität zu SiO2
: 7
Profil: 90°
Ätzrateninhomogenität über die 100 mm-Scheibe: +/- 5%
Zweites Beispiel:
Die für das erste Beispiel präparierte Scheibe wurde in der gleichen Vorrichtung mit folgenden Parametern geätzt:
100 SCCM SiCl4
24 SCCM Cl2
80 SCCM He
Druck: 0,16 mbar
Elektrodenabstand: 50 mm
Elektrodendurchmesser: 240 mm
Temperatur der unteren Elektrode (15): 35°C
Temperatur der oberen Elektrode (16): 60°C
Temperatur des Vakuumrezipienten (8): 50°C
HF-Leistung (13,56 MHz): 300 W
dc-Spannung an der unteren Elektrode: 360 V
Ergebnis
Ätzdauer: 4,5 min, dabei Ätzrate AlCu: 500 nm/min
Ti (6%): 100 nm/min
Selektivität zur Fotolackmaske: 2,5
Selektivität zum SiO2
: 7,5
Profil: 90°
Ätzrateninhomogenität: +/- 5%
Einer der wesentlichen Vorteile der Erfindung ist der überraschende Effekt, daß mit einem Ätzgasgemisch aus Cl2 und SiCl4 das Ätzen der Gräben 47 und 48 ohne Wechsel des Reaktorprinzips durchgeführt werden kann, wobei eine hohe Selektivität zur Isolationsschicht 45 und zur Maske 44 erreicht wird. Hinzu kommt der Vorteil einer hohen Anisotropie innerhalb der Doppelschicht 42, 43.
Bezugszeichenliste
1
Bereich
2
Bereich
3
Isoliermaterial, Isolationsschicht
4
Lackmaske, Fotolack
5
Ausnehmung
6
Pfeil, vertikale Richtung
7
Pfeil, laterale Richtung
8
Vakuumrezipient
9
zu erhaltender Bereich der Schicht
10
zu erhaltender Bereich der Schicht.
11
zu ätzende Schicht, zu struktuierende Schicht
12
Graben, zu entfernendes Material, Bereich
13
Abpumpöffnung
14
Schauglas
15
untere Elektrode
16
obere Elektrode
17
Zulauf
18
Ablauf
19
Pfeil
20
Pfeil
21
Pfeil
22
Zulauf
23
Ablauf
24
Pfeil
25
Pfeil
26
Substrat
27
Zuleitung
28
Leitung
29
Bohrung
30
Pfeil
31
Reaktionsraum
32
Gasdusche
33
Öffnung, Pfeil
34
Abstand
35
Schiebedurchführung
36
Detektor
37
Leitung
38
Linienfilter
39
Voltmesser
40
Meßgerät
41
Seitenwand
42
Schicht
43
Schicht
44
Maske
45
Isolationsschicht
46
Ausnehmung
47
Graben
48
Graben

Claims (10)

1. Verfahren zur Behandlung von Werkstücken, beispiels­ weise von flachen Werkstücken in Form von Substraten, vorzugsweise von Halbleitersubstraten, durch reaktives Ionenätzen unter Verwendung einer Lackmaske oder ande­ ren Mitteln zur Abdeckung von Substraten, von Schichten aus Al-Legierungen und TiW, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schichtsystem, bestehend aus mindestens einer Al- Legierungsschicht und mindestens einer TiW-Schicht, das auf einer vorzugsweise aus thermischem SiO2 bestehenden Isolationsschicht angebracht ist, mit Ätzgasen auf Cl- Basis einstufig geätzt wird, die folgende Komponenten aufweisen: Cl2, SiCl4.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schichtsystem, bestehend aus einer ersten TiW- Schicht, einer folgenden Al-Legierungssschicht und ei­ ner zweiten TiW-Schicht, das auf einer vorzugsweise aus thermischem SiO2 bestehenden Isolationsschicht ange­ bracht ist, geätzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine obenliegende Al-Legierungssschicht und eine unter­ liegende TiW-Schicht, die auf einer vorzugsweise aus thermischem SiO2 bestehenden Isolationsschicht ange­ bracht sind, geätzt werden.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzgase auf Cl-Basis folgende Komponenten aufweisen: Cl2, BCl3, SiCl4, He.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzgase auf Cl-Basis folgende Komponenten aufweisen: Cl2, SiCl4, He.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die obenliegende Schicht aus einer AlCu-Legierung besteht.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die obenliegende Schicht aus einer AlSiCu-Legierung besteht, wobei die Anteile der Legierung wie folgt aufgeteilt sind: Si 1%, Cu 2%, Al Rest.
8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die obenliegende Schicht aus AlCu-Legierung und einer AlSiCu-Legierung besteht.
9. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Siliziumscheibe mit folgendem Schichtaufbau
  • 1. - einer gehärteten Fotolackmaske (44) mit einer Schichtdicke von 2 µm,
  • 2. - einer Schicht (42) von 1 µm Dicke, welche aus AlCu (2%) besteht, d. h. Cu-Anteil 2%, Rest Al,
  • 3. - einer Schicht (43) von 0,2 µm Dicke, welche aus Ti (6%) W besteht, d. h. Ti-Anteil 6%, Rest W,
  • 4. - unterliegende Schicht (45), welche aus thermisch er­ zeugtem SiO2 besteht,
in einer Vorrichtung mit folgenden Verfahrensparametern geätzt wird:
100 SCCM SiCl4
25 SCCM Cl2
60 SCCM BCl3
80 SCCM He
Druck: 0,1 mbar
Elektrodenabstand: 50 mm
Elektrodendurchmesser: 240 mm
Temperatur der unteren Elektrode (15): 25°C
Temperatur der oberen Elektrode (16): 60°C
Temperatur des Vakuumrezipienten (8): 60°C
HF-Leistung (13,56 MHz): 250 W
dc-Spannung an der unteren Elektrode (15): 330 V
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß mit folgenden Verfahrensparametern geätzt wird:
100 SCCM SiCl4
24 SCCM Cl2
80 SCCM He
Druck: 0,16 mbar
Elektrodenabstand: 50 mm
Elektrodendurchmesser: 240 mm
Temperatur der unteren Elektrode (15): 35°C
Temperatur der oberen Elektrode (16): 60°C
Temperatur des Vakuumrezipienten (8): 50°C
HF-Leistung (13,56 MHz): 300 W
dc-Spannung an der unteren Elektrode (15): 360 V
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6472329B1 (en) * 1999-08-16 2002-10-29 Applied Komatsu Technology, Inc. Etching aluminum over refractory metal with successive plasmas

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3856648A (en) * 1973-12-19 1974-12-24 Texas Instruments Inc Method of forming contact and interconnect geometries for semiconductor devices and integrated circuits
US3914127A (en) * 1973-11-23 1975-10-21 Texas Instruments Inc Method of making charge-coupled devices
DE2930360A1 (de) * 1978-07-27 1980-02-07 Eaton Corp Verfahren zum plasmaaetzen von aluminium
DE3140675A1 (de) * 1980-10-14 1982-06-16 Branson International Plasma Corp., 94544 Hayward, Calif. Verfahren und gasgemisch zum aetzen von aluminium
GB2206234A (en) * 1987-06-22 1988-12-29 Standard Microsyst Smc Multilayer metallization method for integrated circuits

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3914127A (en) * 1973-11-23 1975-10-21 Texas Instruments Inc Method of making charge-coupled devices
US3856648A (en) * 1973-12-19 1974-12-24 Texas Instruments Inc Method of forming contact and interconnect geometries for semiconductor devices and integrated circuits
DE2930360A1 (de) * 1978-07-27 1980-02-07 Eaton Corp Verfahren zum plasmaaetzen von aluminium
DE3140675A1 (de) * 1980-10-14 1982-06-16 Branson International Plasma Corp., 94544 Hayward, Calif. Verfahren und gasgemisch zum aetzen von aluminium
GB2206234A (en) * 1987-06-22 1988-12-29 Standard Microsyst Smc Multilayer metallization method for integrated circuits

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
- GB-Z: CHAMBERS, Andrew A.: The Application of Reactive Ion Etching to the Definiton of Patterns in Al-Si-Cu Alloy Conductor Layers and Thick Silicon Fims. In: Solid State Technology, Jan. 1983, S.83-86 *
- GB-Z: CHAMBERS, Andrew A.: The Reactive Ion Et- ching of Al-Si-Cu Alloy Films. In: Solid State Technology, Aug. 1982, S.93-97 *
- GB-Z: SCHWARTZ Geraldine C. *
- US-Z: DANNER, D.A. *
et.al.: Plasma Etching of Alu-minium. In: J.Electro.Chem.Soc. Solid-State Sci. *
NELLISSEN, A.J.M.: Properties of Reactive Sputtered TiW. In: Solid State Technolgy, Febr. 1986, S.131-136 *
NL-Z: WOLTERS, R.A.M. *
SCHAIBLE Paul M.: Reactive Ion Etching in Chlorinated Plasmas. In: Solid State Technology, Nov. 1980, H.11, S.85-91 *

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