DE4214091C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE4214091C2 DE4214091C2 DE4214091A DE4214091A DE4214091C2 DE 4214091 C2 DE4214091 C2 DE 4214091C2 DE 4214091 A DE4214091 A DE 4214091A DE 4214091 A DE4214091 A DE 4214091A DE 4214091 C2 DE4214091 C2 DE 4214091C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- copper
- layer
- substrate
- iodine
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 46
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 36
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 7
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017767 Cu—Al Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- YMEKEHSRPZAOGO-UHFFFAOYSA-N boron triiodide Chemical compound IB(I)I YMEKEHSRPZAOGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N silicon tetraiodide Chemical compound I[Si](I)(I)I CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 18
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 11
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001804 chlorine Chemical class 0.000 description 6
- 150000002496 iodine Chemical class 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 150000002497 iodine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004480 SiI4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- -1 iodine ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Trockenätzver
fahren für eine auf einem Substrat gebildete Kupferschicht
nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Mit dem Fortschreiten von Integration, Leistung und Geschwin
digkeit von Halbleitervorrichtungen werden Metallfilmverbindun
gen in Halbleitervorrichtungen (beispielsweise LSI) zunehmend
miniaturisiert. Mit der Miniaturisierung der Metallfilmverbin
dung nimmt die in der Metallfilmverbindung fließende Strom
dichte zu. Folglich müssen an die Zuverlässigkeit der Metall
filmverbindung, also die Resistenz gegen Elektromigration
(Electromigration) und Spannungsmigration (Stressmigration),
extrem hohe Anforderungen bezüglich der Charakteristiken ge
stellt werden. Folglich befinden sich die Materialien einer Me
tallfilmverbindung ebenfalls in der Entwicklung.
Beispielsweise wurde bei einem dynamischen Speicher mit wahl
freiem Zugriff (DRAM) vor der Entwicklung von 156 Kbit-Einhei
ten eine Aluminium-Siliziumlegierung (AlSi) für die Metallfilm
verbindung benutzt. Für die Generation der 1Mbit bis 16Mbit-
Bausteine wurde zum Verbessern der Resistenz gegen Elektromi
gration und Spannungsmigration eine AlSiCu-Legierung, der
Kupfer hinzugefügt wurde, für die Metallfilmverbindung einge
setzt. Unter diesen Bedingungen ist es für die Generation der
64Mbit oder größerer Bausteine fast sicher, daß, wegen des Be
darfs nach weiterer Verbesserung der Zuverlässigkeit, Verbin
dungen mit Kupfer oder Kupferlegierungen eingesetzt werden.
Folglich ist es zum Herstellen von DRAMs von 64Mbit oder größer
nötig, daß die Feinverarbeitungstechnologie von Kupfer und
Kupferlegierungsfilmen weiterentwickelt wird.
Allerdings ist die Feinverarbeitungstechnologie (Fine Proces
sing Technology) von Kupfer und Kupferlegierungsfilmen, also
die Trockenätztechnologie, nicht befriedigend. Obwohl ein Ku
pfertrockenätzverfahren, das Methyliodid einsetzt, aus der EP
01 33 621 A1 bekannt ist, ist dieses, wie
nachfolgend unter Bezug auf die Tabelle 1 beschrieben wird,
nicht befriedigend.
Die Fig. 4 ist eine teilweise Schnittansicht einer Halbleiter
vorrichtung in der Reihenfolge von aufeinanderfolgenden Schrit
ten bei einem herkömmlichen Trockenätzverfahren für Cu- oder
Cu-Legierungsfilme. Die Fig. 5 zeigt ein Schemadiagramm einer
Reaktions-Ionenätzvorrichtung zum Realisieren des Trockenätzens
(Dry Etching). Vor der Beschreibung des in Fig. 4 gezeigten
herkömmlichen Trockenätzverfahrens wird nachfolgend der Aufbau
der in Fig. 5 gezeigten Reaktions-Ionenätzvorrichtung
beschrieben.
Wie in Fig. 5 gezeigt, umfaßt die Reaktions-Ionenätzvorrich
tung einen hohlen Verarbeitungsbehälter 1. Im Verarbeitungsbe
hälter 1 sind eine obere, flache Hochfrequenzelektrode 2 und
eine untere, flache Hochfrequenzelektrode 3 parallel zueinan
der vorgesehen. Eine Auslaßöffnung 6 zum Auslassen von Gas aus
dem Verarbeitungsbehälter 1 zum Realisieren einer Vakuumbedin
gung innerhalb des Verarbeitungsbehälters 1 ist in einem unte
ren Bereich des Verarbeitungsbehälters 1 vorgesehen. Eine Gas
einlaßöffnung 5 ist an einem oberen Bereich des Verarbeitungs
behälters 1 zum Einlassen von reagierendem Gas in den Verarbei
tungsbehälter 1 vorgesehen, das Chlorgas als Hauptbestandteil
enthält: ein Ausgang auf einer Seite einer Hochfrequenzlei
stungsquelle ist direkt mit der oberen flachen Hochfrequenz
elektrode 2 verbunden. Der andere seitliche Ausgang der Hoch
frequenzleistungsquelle 7 ist mit der unteren flachen Hoch
frequenzelektrode 3 über einen Kondensator 8 für die Hochfre
quenzkopplung verbunden.
Nachfolgend wird unter Bezug auf die Fig. 4 und 5 ein her
kömmliches Trockenätzverfahren für Cu- oder Cu-Legierungsfilme
beschrieben.
Wie in Fig. 4(a) gezeigt, wird ein zu verarbeitendes Substrat
4 (nachfolgend als Substrat 4 bezeichnet) vorbereitet. Das Sub
strat 4 umfaßt ein Siliziumsubstrat 11, einen Siliziumoxidfilm
12 (Isolationszwischenschichtfilm), der auf dem Siliziumsub
strat 11 vorgesehen ist, eine aus Cu- oder Cu-Legierungsfilm
gebildete und auf dem Siliziumoxidfilm 12 vorgesehene Verbin
dungsschicht 13 sowie ein Resistmuster 14 (Resiststruktur), die
beispielsweise auf der Verbindungsschicht 13 aufgebracht ist.
Wie in Fig. 5 gezeigt, wird das Substrat 4 von der unteren
flachen Hochfrequenzelektrode 3 gestützt. Anschließend wird ein
reaktives, chlorbasiertes Gas (z. B. HCl) über die Gas-Einlaß
öffnung 5 in den Verarbeitungsbehälter 1 geführt, und gleich
zeitig wird das Gas aus der Auslaßöffnung 6 herausgeführt, um
einen vorbestimmten Druck im Verarbeitungsbehälter 1 aufrecht
zu erhalten. Eine Wärmevorrichtung 9 wird zum Halten der unte
ren flachen Hochfrequenzelektrode 3 und des Substrates 4 auf
einer vorbestimmten Temperatur von 200°C oder höher betrieben.
Der Zustand des Substrates 4 zu diesem Zeitpunkt wird in Fig.
4(b) gezeigt.
Von der Hochfrequenzleistungsquelle 7 abgegebene Hochfrequenz
spannung wird zwischen der unteren flachen Hochfrequenzelektro
de 3 und der oberen flachen Hochfrequenzelektrode 2 angelegt,
um Plasma 10 des reaktiven Gases im Verarbeitungsbehälter 1 zu
erzeugen.
Wenn das Plasma 10 im Verarbeitungsbehälter 1 erzeugt ist, wird
die untere plattenförmige Hochfrequenzelektrode 3 auf negatives
Potential geladen, und im Plasma 10 erzeugte reaktive Ionen
werden durch das Potential beschleunigt, so daß sie auf das
Substrat 4 auftreffen. Im Plasma 10 erzeugte neutrale Radikal
moleküle verteilen sich ebenfalls im Plasma und erreichen die
Oberfläche des Substrates 4. Die reaktiven Ionen vom Chlortyp
und die die Oberfläche des Substrates 4 erreichenden neutralen
Radikale reagieren mit Cu oder der Cu-Legierung auf einem Be
reich, der nicht mit dem Resistmuster 14 bedeckt ist, und führen
zu einem Reaktionsprodukt, welches hauptsächlich CuClx auf
weist, wie in Fig. 4(b) gezeigt. Das Substrat 4 wird auf eine
Temperatur von 200°C oder höher erwärmt, und die Temperatur
auf der Oberfläche des Substrates 4 beträgt bis zu mehreren
100°C, und das CuClx als Hauptkomponente enthaltende Reak
tionsprodukt wird verdampft und damit von der Oberfläche des
Substrates 4 entfernt. Auf diese Weise schreitet das Ätzen der
Verbindungsschicht 13 mit einem Resist 14 als Maske fort.
Wie in den Fig. 4(b) und (c) gezeigt, wird durch Entfernen
des Resistmusters 14 das Verbindungsmuster 13a des Cu oder der
Cu-Legierung gebildet.
Das herkömmliche Trockenätzen von Cu oder Cu-Legierung ist, wie
oben beschrieben, unter Einsatz eines Plasmas eines Gases vom
Chlortyp durchgeführt worden. Folglich ist der Dampfdruck des
erzeugten Reaktionsprodukts (CuClx) niedrig, und das Substrat 4
mußte auf 200°C oder höher erwärmt werden, um eine praktikable
Ätzrate zu erzielen.
Wenn das zu verarbeitende Substrat auf 200°C oder höher er
wärmt wird, entstand allerdings, wie in Fig. 4(b) gezeigt, das
Problem, daß das Resistmuster 14 schmilzt und daher durch die
Wärme deformiert wird. Wenn das Resistmuster 14 seine Form wie
in der Figur gezeigt ändert, wie in Fig. 4(c) gezeigt, ist die
Querschnittsform des Verbindungsmusters 13a nach oben konisch
zulaufend, was im Hinblick auf die Zuverlässigkeit ein Problem
darstellte. Außerdem entstand das Problem, daß das Entfernen
des Resistmusters 14 nach dem Beenden des Ätzens unmöglich
wurde.
Zum Lösen des Problems der Deformation des Resistmusters 14
durch Wärme wurde das Verfahren zum Ätzen von Cu oder Cu-Legie
rung mit einem Siliziumoxidfilm als Maske bekannt, wie in Fig. 6
gezeigt.
Das bedeutet, wie in Fig. 6(a) gezeigt, daß ein Zwischenschicht
isolationsfilm 12 und eine Cu- oder Cu-Legierungs-Verbindungs
schicht 13 auf einem Siliziumsubstrat 11 gebildet sind. Ein Mu
ster 15 aus einem Siliziumoxidfilm ist auf der Cu- oder Cu-Le
gierungs-Verbindungsschicht 13 gebildet.
Wie in Fig. 6(b) gezeigt, während das Siliziumsubstrat 11 auf
die Temperatur von 200°C oder höher erwärmt wird, wobei das
Muster 15 des Siliziumoxidfilmes als Maske benutzt wird, wird
die Cu- oder Cu-Legierungs-Verbindungsschicht 13 mit Plasma des
Gases vom Chlortyp bemustert (strukturiert). Bei diesem Verfah
ren ist die Wärmewiderstandsfähigkeit des Musters 15 gut, so
daß die Form des Musters 15 sich nicht ändert, selbst wenn das
Substrat auf 200°C oder höher erwärmt wird. Folglich kann ein
Verbindungsmuster des Cu oder der Cu-Legierung mit hoher Genau
igkeit erzielt werden, dessen Seitenwand senkrecht zum Substrat
steht.
Allerdings benötigt dieses Verfahren einen Schritt zum Bilden
des Musters 15 aus Siliziumoxidfilm, was zu Problemen durch An
stieg der Zahl der Verfahrensschritte und entsprechendem An
stieg der Herstellungskosten führt.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zu schaffen, mit dem
eine Kupferverbindungsschicht oder eine Kupferlegierungsver
bindungsschicht bei relativ niedriger Temperatur trockengeätzt
werden kann. Dabei soll auch eine Verbindungsschicht mit geschich
teter Struktur, die eine Kupferschicht umfaßt, geätzt werden,
und das Trockenätzen soll ohne Erhöhung der Zahl der Herstel
lungsschritte erfolgen.
Die Aufgabe wird durch das Trockenätzverfahren nach dem Patent
anspruch 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen be
schrieben.
Beim Trockenätzverfahren einer Kupferverbindungsschicht wird
das Trockenätzen mit Plasma eines Gemisches vom Jodtyp durch
geführt. Der Dampfdruck des CuIx, das durch die Reaktion einer
Kupferverbindungsschicht und eines Gemisches vom Jodtyp erzeugt
wird, ist höher als der vom CuClx, so daß das Trockenätzen bei
einer Temperatur durchgeführt werden kann, die niedriger als
die im herkömmlichen Trockenätzverfahren mit Gasplasma vom
Chlortyp ist.
Bei einer weiteren Ausführungsform wird das Trockenätzen einer
Kupferlegierungsverbindungsschicht mit Plasma eines gemischten
Gases durchgeführt, welches eine Jodtypverbindung und eine
Chlortypverbindung enthält. Da der Dampfdruck des CuIx, das
durch die Reaktion der Kupferschicht und der Verbindung vom
Jodtyp erzeugt wird, höher als der von CuClx ist, wie bei
einer herkömmlichen Ätzmethode, die Plasma nur eines Gases vom
Chlortyp einsetzt, kann das Trockenätzen bei einer niedrigeren
Temperatur durchgeführt werden.
Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen an Hand der
Figuren.
Von den Figuren zeigt
Fig. 1 teilweise Schnittansichten einer Halbleitervor
richtung in der Reihenfolge der jeweiligen
Schritte eines Herstellungsverfahrens entspre
chend einer Ausführungsform;
Fig. 2 ein Diagramm von Dampfdruckkurven von CuI, CuBr
und CuCl;
Fig. 3 teilweise Schnittansichten einer Halbleitervor
richtung in der Reihenfolge jeweiliger Schritte
eines Herstellungsverfahrens entsprechend einer
weiteren Ausführungsform;
Fig. 4 teilweise Schnittansichten einer Halbleitervor
richtung in der Reihenfolge der jeweiligen
Schritte eines herkömmlichen Ätzverfahrens
einer Kupfer-Verbindungsschicht;
Fig. 5 ein Schemadiagramm einer Reaktions-Ionenätzvor
richtung;
Fig. 6 teilweise Schnittansichten einer Halbleitervor
richtung in der Reihenfolge jeweiliger Schritte
bei einem herkömmlichen Trockenätzverfahren für
eine Kupfer-Verbindungsschicht mit einem Sili
ziumoxidfilm als Maske; und
Fig. 7 ein Diagramm zum Verdeutlichen eines Falles,
bei dem CH3I als Ätzgas benutzt wird.
Eine Ausführungsform wird nachfolgend unter Bezug auf die Figu
ren beschrieben.
Die Fig. 1 zeigt eine teilweise Schnittansicht einer Halblei
tervorrichtung in mehreren Schritten in der Reihenfolge eines
Herstellungsverfahrens entsprechend einer Ausführungsform. Als
Trockenätzvorrichtung ist die herkömmliche reaktive Ionenätz
vorrichtung nach Fig. 5 eingesetzt.
Wie in Fig. 1(a) gezeigt, ist ein Isolationszwischenschicht
film 12 auf einem Siliziumsubstrat 11 gebildet. Eine Kupferver
bindungsschicht 20 ist auf dem Isolationszwischenschichtfilm 12
gebildet. Ein Resistmuster ist auf der Kupferverbindungsschicht
20 gebildet.
Das Substrat 4, auf dem das Resistmuster 14 gebildet ist, wird,
wie in Fig. 5 gezeigt, auf eine untere flache Hochfrequenz
elektrode 3 gebracht. Das Substrat 4 wird durch eine Wärm
vorrichtung 9 auf eine vorbestimmte Temperatur von 100°C oder
niedriger gewärmt. Dann wird ein Wasserstoff-Jodgas in den Ver
arbeitungsbehälter 1 durch die Gaseinlaßöffnung 5 eingelassen,
und gleichzeitig wird das Gas aus der Auslaßöffnung 6 ausgelas
sen. Das Wasserstoff-Jodgas wird in den Verarbeitungsbehälter 1
mit einer Flußrate von 50-500 SCCM, vorzugsweise 300 SCCM, ein
gelassen. Der Druck innerhalb des Verarbeitungsbehälters 1 wird
auf 50 bis 400 mTorr, vorzugsweise 200 mTorr gesetzt. Bei
diesen Bedingungen wird mit Hilfe einer Hochfrequenzleistungs
quelle 7 eine Hochfrequenzspannung zwischen die untere flache
Hochfrequenzelektrode 3 und die obere flache Hochfrequenzelek
trode 2 angelegt. Die angelegte Hochfrequenzleistung beträgt
200 bis 600 W, vorzugsweise 400 W. Durch das Anlegen der Hoch
frequenzspannung zwischen der unteren flachen Hochfrequenzelek
trode 3 und der oberen flachen Hochfrequenzelektrode 2 wird
Plasma 10 des Wasserstoff-Jodgases erzeugt, wie durch den un
teren Ausdruck gezeigt:
HI → (HI)*.
Wenn das Plasma 10 zwischen der unteren flachen Hochfrequenz
elektrode 3 und der oberen flachen Hochfrequenzelektrode 2 er
zeugt wird, wird die untere flache Hochfrequenzelektrode 2 auf
ein negatives Potential aufgeladen, und die reaktiven Jodionen,
die im Plasma 10 erzeugt werden, werden durch das Potential be
schleunigt, so daß sie auf das Substrat 4 auftreffen. Neutrale
Radikalmoleküle vom Jodtyp, die im Plasma 10 erzeugt werden,
verteilen sich ebenfalls im Plasma 10 und erreichen die Ober
fläche des Substrates 4. Die reaktiven Ionen vom Jodtyp oder
die die Oberfläche des Substrates 4 erreichenden neutralen Ra
dikalen, wie in Fig. 1(a) gezeigt, reagieren mit dem Cu auf
der Oberfläche der Kupferverbindungsschicht 20, die nicht mit
dem Resistmuster 14 bedeckt ist, und erzeugen ein Reaktions
produkt, das als Hauptkomponente CuIx enthält.
Der Dampfdruck des Produktes CuIx ist höher als der Dampfdruck
eines Reaktionsproduktes CuClx entsprechend dem herkömmlichen
Verfahren (siehe Fig. 2). Das Siliziumsubstrat 11 wird auf
eine Temperatur von 100°C oder niedriger gehalten, aber die
Oberfläche der Kupferverbindungsschicht 20 ist örtlich 600°C
warm oder wärmer, durch den Aufprall der Ionen. Im Temperatur
bereich von 600°C oder höher ist der Dampfdruck von CuIx bei
einer Temperatur von 600°C oder höher etwa derselbe wie der
Dampfdruck von CuClx bei einer Temperatur, die um etwa 100°C
über dieser bestimmten Temperatur liegt. Dies bedeutet, daß bei
Benutzen eines Plasmas eines Wasserstoff-Jodgases zum Trocken
ätzen von Kupferverbindungsschichten verglichen mit dem konven
tionellen Trockenätzen mit Plasma eines Gases vom Chlortyp die
Temperatur zum Erwärmen des Substrates um 100 bis 200°C nie
driger gewählt werden kann.
Dies bedeutet, daß bei der Benutzung des Plasmas eines HI-Gases
zum Trockenätzen einer Kupferverbindungsschicht die Wärmvor
richtung 9 auf eine Temperatur von 200°C oder niedriger ge
setzt werden kann, und eine ausreichende Ätzrate erzielt werden
kann.
Ätzraten für verschiedene Gase sind in der Tabelle 1 aufge
führt. In der Tabelle 1 ist das Trockenätzverfahren von Kupfer
unter Benutzung von Methyliodid in der EP 01 33 621 A1
offenbart.
Ätzrate bei Einsatz von verschiedenen Gasarten | |
Gasart | |
Ätzrate (Å/min) | |
HCl | |
20 | |
CH₃I | 500 |
HI | 3500 |
BI₃ | 2600 |
SiI₄ | 1800 |
I₂ | 3200 |
RF:|13,56 MHz | |
Temperatur zum Erwärmen des Substrates: | 100°C |
RF-Leistung: | 400 W |
Gasflußrate: | 300 SCCM |
Druck: | 200 mTorr |
Wie klar in Tabelle 1 zu sehen, kann bei der Benutzung von HI,
BI3, SiI4, I2 Gasen eine vergleichsweise größere Ätzrate
erreicht werden als bei Fällen, bei denen HCl oder CH3I Gase
benutzt wurden.
Der Grund dafür, daß bei der Benutzung von CH3I keine hohe Ätz
rate erreichbar ist, wird nachfolgend beschrieben.
Die Fig. 7 zeigt eine Schnittansicht mit Trockenätzbedingungen
eines Substrates 11 unter Benutzung eines Resists 14 als Maske
und CH3 I-Gas.
Wie in der Figur gezeigt, bleibt bei der Benutzung von CH3 I-Gas
ein Rest 14a des Resists auf der Oberfläche des Substrates 11.
Es wird berücksichtigt, daß beim Ätzen der Rest 14a den Ätzvor
gang behindert und die Ätzrate vermindert.
Da HI, BI3, SiI4, I2 keine Kohlenstoffatome enthalten, werden
keine derartigen Resistreste erzeugt.
Außerdem führt, wie in Tabelle 1 deutlich zu sehen, ein Wasser
stoff-Jodgas zu einer besonders großen Ätzrate, so daß dieses
als Ätzgas bei der vorliegenden Erfindung vorzuziehen ist.
Wenn das Plasma eines Wasserstoff-Jodgases zum Trockenätzen von
Kupferverbindungsschichten benutzt wird, kann eine hinreichende
Ätzrate erreicht werden, selbst wenn die Wärmequelle 9 auf
200°C oder niedriger gesetzt wird.
Bei der Benutzung eines Wasserstoff-Jodgases muß das Substrat
11 nicht auf Temperaturen von 200°C oder höher erhitzt werden,
so daß das Resistmuster 14 keinen thermischen Veränderungen un
terliegt, wie diese in den Fig. 1(a) und (b) gezeigt sind.
Wie in Fig. 1(b) gezeigt, da das Trockenätzen einer Kupferver
bindungsschicht davon abhängt, ob die Form des Resists 14 klar
erhalten bleibt, ist die Genauigkeit der Strukturierung der
Kupferverbindungsschicht 20 hoch.
Als Ergebnis ist, wie in Fig. 1(c) gezeigt, beim Entfernen des
Resists 14 ein Kupferverbindungsmuster 20a mit großer Präzision
der Abmessungen zu erhalten, dessen Seitenwände senkrecht auf
dem Substrat stehen.
Obwohl bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel Wasser
stoff-Jodgas als Reaktionsgas benutzt wurde, ist die vorliegen
de Erfindung nicht auf diese beschränkt, und I2, BI3, SiI4 oder
CI4 können ebenfalls vorteilhaft genutzt werden.
Beim oben beschriebenen Fall wurde Wasserstoffiodid zum Ätzen
einer Kupferverbindungsschicht benutzt, und wenn eine Verbin
dungsschicht trockenzuätzen ist, die aus einer Kupferlegie
rung wie Cu-Al oder Cu-Al-Si gebildet ist, wird ein Gasgemisch
benutzt, das eine Verbindung vom Jodtyp enthält, die aus der
Gruppe von HI, I2, BI3, SiI4 und CI4 ausgewählt wird, sowie
eine Verbindung vom Chlortyp (z. B. HCl, Cl2). 50 Volumenpro
zent oder mehr einer Jodtypverbindung, vorzugsweise 50 bis 80
Volumenprozent, sind im Gasgemisch enthalten. Wenn die Cu-Al-
Legierung mit Hilfe eines derartigen Gasgemisches geätzt wird,
wird Cu durch die reaktiven Ionen des Jods geätzt, und Al wird
durch die reaktiven Ionen des Chlors geätzt. Wie oben beschrie
ben, wenn Cu mit Jod geätzt wird, findet das Ätzen bei einer
niedrigeren Temperatur statt als beim Ätzen nur mit Chlor.
Die Fig. 3 zeigt eine teilweise Schnittansicht einer Halblei
tervorrichtung mit verschiedenen Schritten in der Reihenfolge
eines Trockenätzverfahrens einer Verbindungsschicht, die eine
laminierte Filmstruktur mit einer Kupferschicht aufweist, ent
sprechend einer weiteren Ausführungsform.
Wie in Fig. 3(a) gezeigt, ist eine Gateelektrode 23 auf einem
Siliziumsubstrat 11 gebildet. Ein Source-Bereich 21 und ein
Drain-Bereich 22 sind an beiden Seiten der Gateelektrode 23 auf
eine Hauptoberfläche des Substrates 11 gebildet. Die Gateelek
trode 23 bedeckend ist ein Zwischenschichtisolationsfilm 12 auf
dem Substrat 11 gebildet. Eine Kontaktöffnung 12a ist zum Frei
legen eines Teiles des Source-Bereiches 21 im Zwischenschicht
isolationsfilm 12 gebildet. Ein Sperrmetall (Barrier) 24 ist
die Flächen der Seitenwände und die Bodenfläche der Kontaktöff
nung 12a bedeckend gebildet. Für das Sperrmetall 24 werden Ti,
TiN, W, TiW usw. eingesetzt. Eine Kupfer- oder Kupferlegie
rungsschicht 25 ist auf dem Sperrmetall 24 gebildet. Das Sperr
metall 24 ist vorgesehen, um die Diffusion des Kupfers in den
source-Bereich 21 zu verhindern.
Ein Resistmuster 14 mit vorbestimmter Form ist auf der Kupfer- oder
Kupferlegierungsschicht 25 gebildet.
Wie in Fig. 3(b) gezeigt, werden unter Benutzung des Resist
musters 14 als Maske die Metallsperrschicht 24 und die Kupfer- oder
Kupferlegierungsschicht 25 mit dem Plasma eines gemisch
ten Gases trockengeätzt, das eine Jodtypverbindung aus der
Gruppe von HI, I2, BI3 und SiI4 sowie eine Chlortypverbindung
enthält. In diesem Fall wird das Siliziumsubstrat 11 auf eine
vorbestimmte Temperatur von 200°C oder niedriger, vorzugswei
se 100°C oder niedriger, gewärmt. Beim Durchführen des
Trockenätzens mit einem derartigen gemischten Gas wird das
Kupfer durch reaktive Ionen des Jods geätzt, und die Metall
sperrschicht 24 wird durch Plasma der Verbindung vom Chlortyp
geätzt. Wie oben beschrieben wird bei der Benutzung eines Jod
typgases das Resistmuster 14 durch die Wärme nicht deformiert,
da das Substrat 11 nicht auf Temperaturen von 200°C oder höher
erwärmt werden muß. Das Trockenätzen schreitet fort, wobei die
Form des Resistmusters 14 gut erhalten bleibt, so daß die Prä
zision der Bemusterung (Strukturierung) der Kupfer- oder
Kupferlegierungsverbindungsschicht und der Metallsperrschicht
24 hoch ist.
Als Ergebnis kann, wie in Fig. 3(c) gezeigt, nach dem Entfer
nen des Resistmusters 14 ein Verbindungsmuster 30 mit hoher Ge
nauigkeit der Abmessungen erzielt werden.
Durch das Trockenätzverfahren einer Kupferverbindungsschicht
gemäß der Erfindung wird das Trockenätzen mit einem Plasma
einer Jodverbindung durchgeführt. Das als Reaktion einer
Kupferverbindungsschicht und einer Jodverbindung erzeugte CuIx
weist einen Dampfdruck auf, der höher als der von CuClx ist, so
daß das Trockenätzen bei einer Temperatur durchgeführt werden
kann, die niedriger als die beim herkömmlichen Ätzen unter Be
nutzung eines Gasplasmas vom Chlortyp ist. Folglich muß das
Substrat nicht auf Temperaturen von 200°C oder höher erwärmt
werden. Daher schreitet das Trockenätzen fort und die Form des
Resists bleibt erhalten, wodurch die Wirkung erzielt wird, daß
die Genauigkeit der Strukturierung der Kupferverbindungsschicht
erhöht wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird eine Kupferlegie
rungsverbindungsschicht mit dem Plasma eines gemischten Gases
trockengeätzt, das eine Jodtypverbindung und eine Chlortypver
bindung enthält. Das durch die Reaktion des Kupfers und einer
Jodtypverbindung erzeugte CuIx weist einen Dampfdruck (Verdun
stungsdruck) auf, der höher als der von CuClx ist, so daß das
Trockenätzen bei einer niedrigeren Temperatur verglichen mit
dem herkömmlichen Ätzen durchgeführt werden kann, das nur eine
Chlortypverbindung benutzt. Folglich ist eine Kupferverbin
dungsschicht mit hoher Abmessungsgenauigkeit erreichbar, mit
derselben Wirkung, wie im Fall der oben beschriebenen Kupfer
isolationsschicht.
Bei einem Trockenätzverfahren einer Verbindungsschicht mit
einer eine Kupferschicht aufweisenden Laminatfilmstruktur ent
sprechend einer weiteren Ausführungsform wird das Trockenätzen
mit dem Plasma eines Gasgemisches durchgeführt, das eine Jod
typverbindung und eine Chlortypverbindung enthält. Der Dampf
druck des als Reaktion des Kupfers mit der Jodtypverbindung er
zeugten CuIx ist höher als der des CuClx, so daß das Trocken
ätzen bei einer niedrigeren Temperatur verglichen mit einem
herkömmlichen Trockenätzverfahren durchgeführt werden kann, das
nur eine Chlortypverbindung einsetzt. Als Ergebnis kann durch
dieselbe Wirkung, die oben für eine Kupferisolationsschicht be
schrieben wurde, eine Laminat-Verbindungsstruktur mit hoher Ge
nauigkeit der Abmessungen erzeugt werden.
Claims (6)
1. Trockenätzverfahren für eine auf einem Substrat (11) gebildete
Kupferschicht, mit den Schritten:
- a) Bilden eines Resistmusters (14) auf der Kupfer- oder Kupferle gierungsschicht (20, 25) und
- b1) Ätzen der Kupferschicht (20, 25) in einem Plasma eines Gasge mischs, das eine Verbindung vom Jodtyp aufweist,
dadurch gekennzeichnet,
- b2) daß die Verbindung vom Jodtyp aus der Gruppe Jodwasserstoff (HJ), Jod (J₂), Borjodid (BJ₃) und Siliziumjodid (SiJ₄) ausge wählt wird, während das Resistmuster (14) als Maske benutzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
- c) daß das Ätzen durchgeführt wird, während die Temperatur des Substrates (11) auf 200°C oder niedriger gehalten wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
- b3) daß das Gasgemisch außerdem eine Verbindung vom Chlortyp auf weist aber
- b4) daß das Gasgemisch die Verbindung vom Jodtyp mit mindesteens 50 Vol.-% enthält.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
- d) daß die Kupferlegierung eine Cu-Al-Legierung oder eine Cu-Al- Si-Legierung ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
- e) daß die Kupferschicht (20, 25) Bestandteil einer Verbindungs schicht mit Laminatstruktur (24, 25) ist, die eine Titan schicht (24), eine Titannitridschicht (TiN), eine Wolfram schicht oder eine Titan-Wolfram-Legierungsschicht zusätzlich zur Kupferschicht (25) aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3100074A JPH04329640A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 配線層のドライエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4214091A1 DE4214091A1 (de) | 1992-11-05 |
DE4214091C2 true DE4214091C2 (de) | 1993-07-15 |
Family
ID=14264309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4214091A Granted DE4214091A1 (de) | 1991-05-01 | 1992-04-29 | Trockenaetzverfahren fuer eine verbindungsschicht |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5240559A (de) |
JP (1) | JPH04329640A (de) |
KR (1) | KR960000950B1 (de) |
DE (1) | DE4214091A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4334891A1 (de) * | 1993-10-13 | 1995-04-20 | Dresden Ev Inst Festkoerper | Verfahren und Vorrichtung zur Präparation von Werkstoffproben für Werkstoffuntersuchungen |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05171471A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-09 | Nec Corp | 3d遷移金属を含む物質のエッチング方法 |
US5735451A (en) * | 1993-04-05 | 1998-04-07 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material |
WO1995015832A1 (fr) * | 1993-12-09 | 1995-06-15 | Seiko Epson Corporation | Procede et dispositif d'assemblage par brasage |
JP3700177B2 (ja) | 1993-12-24 | 2005-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 大気圧プラズマ表面処理装置 |
US6006763A (en) * | 1995-01-11 | 1999-12-28 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method |
JPH08279495A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-10-22 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置及びその方法 |
JP3521587B2 (ja) * | 1995-02-07 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法 |
WO1996031997A1 (fr) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Seiko Epson Corporation | Equipement de traitement de surface |
JP3598602B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2004-12-08 | セイコーエプソン株式会社 | プラズマエッチング方法、液晶表示パネルの製造方法、及びプラズマエッチング装置 |
JPH09233862A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-09-05 | Seiko Epson Corp | 圧電体を用いた発電方法、発電装置および電子機器 |
JPH09312545A (ja) | 1996-03-18 | 1997-12-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、その製造方法、及び圧電振動片のマウント装置 |
JP3695606B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2005-09-14 | 忠弘 大見 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
US5869134A (en) * | 1996-06-21 | 1999-02-09 | International Business Machines Corporation | CVD of metals capable of receiving nickel or alloys thereof using iodide |
US6008140A (en) | 1997-08-13 | 1999-12-28 | Applied Materials, Inc. | Copper etch using HCI and HBr chemistry |
TW505984B (en) | 1997-12-12 | 2002-10-11 | Applied Materials Inc | Method of etching patterned layers useful as masking during subsequent etching or for damascene structures |
US6143476A (en) * | 1997-12-12 | 2000-11-07 | Applied Materials Inc | Method for high temperature etching of patterned layers using an organic mask stack |
US6274499B1 (en) | 1999-11-19 | 2001-08-14 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method to avoid copper contamination during copper etching and CMP |
DE10051380C2 (de) * | 2000-10-17 | 2002-11-28 | Advanced Micro Devices Inc | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils unter Anwendung eines Schrumpfprozesses eines Strukturmerkmals |
US6936546B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-08-30 | Accretech Usa, Inc. | Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates |
US8791018B2 (en) * | 2006-12-19 | 2014-07-29 | Spansion Llc | Method of depositing copper using physical vapor deposition |
US20170040257A1 (en) | 2015-08-04 | 2017-02-09 | International Business Machines Corporation | Hybrid subtractive etch/metal fill process for fabricating interconnects |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3994793A (en) * | 1975-05-22 | 1976-11-30 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching of aluminum |
DE3376186D1 (en) * | 1983-08-02 | 1988-05-05 | Ibm Deutschland | Dry-etching process and its use |
JP2613803B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1997-05-28 | 日本電信電話株式会社 | 銅薄膜のエッチング方法 |
US5100499A (en) * | 1989-12-20 | 1992-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Copper dry etch process using organic and amine radicals |
-
1991
- 1991-05-01 JP JP3100074A patent/JPH04329640A/ja active Pending
-
1992
- 1992-04-21 US US07/871,769 patent/US5240559A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-24 KR KR1019920006939A patent/KR960000950B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-04-29 DE DE4214091A patent/DE4214091A1/de active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4334891A1 (de) * | 1993-10-13 | 1995-04-20 | Dresden Ev Inst Festkoerper | Verfahren und Vorrichtung zur Präparation von Werkstoffproben für Werkstoffuntersuchungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04329640A (ja) | 1992-11-18 |
DE4214091A1 (de) | 1992-11-05 |
US5240559A (en) | 1993-08-31 |
KR960000950B1 (ko) | 1996-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4214091C2 (de) | ||
DE60012807T2 (de) | Plasma-Reinigungsverfahren für Öffnungen in Isolierschicht(en) niedriger Dielektrizitätskonstante über Kupferleitungs-IC-Strukturen | |
DE69935100T2 (de) | Verfahren zur Ätzung einer Metallisierung mittels einer harten Maske | |
DE4342047B4 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Diffusionsbarrierenschichtanordnung und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69933933T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer leiterbahnstruktur für eine integrierte schaltung | |
DE60038423T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE3689371T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung einschliesslich der Formierung einer vielschichtigen Interkonnektionsschicht. | |
DE69126149T2 (de) | Trockenätzverfahren | |
DE69832226T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Aluminium-Kontakten oder -vias | |
DE69025801T2 (de) | Verfahren zum Formen von elektrischen Kontakten zwischen Verbindungsleiterschichten auf verschiedenen Ebenen | |
DE19521389C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung | |
DE10362148B4 (de) | Verfahren zur Herstellung der Bodenelektrode eines Kondensators einer Halbleitervorrichtung | |
DE2723944C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Anordnung aus einer strukturierten Schicht und einem Muster | |
DE19963864A1 (de) | Plasmabehandlung zur Verbesserung der Haftung anorganischer Dielektrika auf Kupfer | |
EP0002669B1 (de) | Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch selektive Trockemätzung und Anwendung dieses Verfahrens bei der Herstellung von Leitungsmustern | |
EP0094528A2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Strukturen von aus Metallsilizid und Polysilizium bestehenden Doppelschichten auf integrierte Halbleiterschaltungen enthaltenden Substraten durch reaktives Ionenätzen | |
DE19629886A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE19520768B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Dünnfilmwiderstand | |
DE10104204A1 (de) | Halbleiter-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE69819023T2 (de) | Methode, eine leitende schicht zu ätzen | |
DE10244570A1 (de) | Liner-Schicht mit geringer Stufenüberdeckung zur Verbesserung des Kontaktwiderstands bei W-Kontakten | |
DE3414781A1 (de) | Vielschicht-verbindungsstruktur einer halbleitereinrichtung | |
DE3402825A1 (de) | Halbleiteranordnung mit isolationsnut und herstellungsverfahren | |
DE10223482A1 (de) | Verfahren zum Bilden einer Metallschicht eines Halbleiterelementes | |
EP0126969B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Strukturen von aus Metallsiliziden bzw. Silizid-Polysilizium bestehenden Schichten für integrierte Halbleiterschaltungen durch reaktives Ionenätzen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |