DE68929503T2 - Veraschungsverfahren zum Entfernen einer organischen Schicht auf einer Halbleiteranordnung während ihrer Herstellung - Google Patents

Veraschungsverfahren zum Entfernen einer organischen Schicht auf einer Halbleiteranordnung während ihrer Herstellung Download PDF

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    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only

Description

  • Technischer Hintergrund
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Beseitigungsverfahren eines organischen Materials, welches bei einer Halbleitereinrichtung verwendet wird, insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Veraschungsverfahren eines organischen Films, der vorübergehend auf einer Substanz einer Halbleitereinrichtung bei Herstellung gebildet ist.
  • Ein organischer Film, beispielsweise ein Fotolackfilm oder ein Polyimidfilm, die vorübergehend auf einer Substanz gebildet sind, die Teil einer Halbleitereinrichtung ist, wurden, um die Halbleitereinrichtung herzustellen, üblicherweise durch ein Veraschungsverfahren unter Verwendung von Sauerstoffplasma beseitigt. Das Beseitigen des Fotolackfilms ist ein wichtiger Prozess bei der Herstellung der Halbleitereinrichtung, wobei das Beseitigen des Fotolackfilms als organischer Film anschließend beschrieben wird. Da die Halbleitereinrichtung, beispielsweise wie eine Großintegrations-Schaltungseinrichtung (LSI) oder eine Größtintegrations-Schaltungseinrichtung (VLSI) sehr klein wird, ist es schwer, den Fotolackfilm, der einfachheitshalber als "Fotolack" anschließend bezeichnet wird, durch das übliche Veraschungsverfahren unter Verwendung von Sauerstoffplasma zu beseitigen, ohne die Einrichtungen zu beschädigen. Da die Eigenschaft des Fotolacks während des Prozesses der Ionenimplantation und des Trockenätzens geändert wird, die verbreitet bei dem Herstellungsprozess der LSI oder VLSI durchgeführt werden, wird, so dass eine lange Zeit zum Durchführen der Veraschung erforderlich ist, anders ausgedrückt, die Veraschungsrate des Fotolacks klein. Da der Fotolack häufig bei dem Fabrikationsprozess der LSI oder der VLSI verwendet wird, sollte die Veraschungsrate für jeden Fotolack groß sein, um den Durchsatz der Fabrikation von LSI oder VLSI zu verbessern.
  • Eine Schicht, die anschließend einfach als "Grundschicht" bezeichnet wird, auf der der Fotolack gebildet ist, besteht üblicherweise aus einem Material, beispielsweise Siliziumdioxid (SiO2), Polysilizium (Si) oder Aluminium (Al). Allgemein ist es nicht einfach, den Fotolack beabsichtigt durch das Veraschungsverfahren zu ätzen, anderes ausgedrückt ist es schwer, den Fotolack so genau zu ätzen, dass lediglich der Fotolack beseitigt wird, ohne die Grundschicht beim Veraschungsprozess zu beschädigen. Wenn daher das Veraschungsverfah ren beim Herstellungsprozess von LSI oder VLSI angewandt wird, muss eine große Aufmerksamkeit dafür aufgebracht werden, die Grundschicht so zu belassen wie sie ist. Da die Grundschicht von LSI oder VLSI sehr dünn ist, kann es nicht zugelassen werden, dass ein kleiner Teil davon geätzt wird.
  • Es gibt viele Arten von Plasma-Veraschungsverfahren, um den Fotolackfilm, der auf einer Isolierschicht bei einer Halbleitereinrichtung vorgesehen ist, zu beseitigen, wobei vorwiegend ein Fallstrom-Veraschungsverfahren verwendet wird. Wegen des Anwendens des Fallstrom-Veraschungsverfahrens bei dem Plasma-Veraschungsprozess kann Schaden, der durch Ladungspartikel verursacht wird, bei der Herstellung vermieden werden. Die Fallstrom-Veraschungsrate hängt allgemein von einer Temperatur, die anschließend als "Veraschungstemperatur" bezeichnet wird, des Fotolacks ab, so dass die Veraschungsrate mit der Abnahme der Veraschungstemperatur abnimmt. Die Veraschungsrate wird üblicherweise durch die bekannte Arrhenius-Grafik ausgedrückt, durch die die Veraschungsraten in einer Linie gegenüber den inversen Zahlen der entsprechenden Veraschungstemperaturen grafisch dargestellt sind. Bei der Arrhenius-Grafik gibt der Gradient der Linie die Aktivierungsenergie zum Veraschen dahingehend an, dass, wenn die Veraschungsrate schnell mit der Abnahme der Veraschungstemperatur abnimmt, die Aktivierungsenergie groß ist, und, wenn die Veraschungsrate sich lediglich wenig mit der Abnahme der Veraschungstemperatur ändert, die Aktivierungsenergie groß ist. Damit ist die kleine Aktivierungsenergie wünschenswert, da die Veraschung fast unabhängig von der Veraschungstemperatur durchgeführt werden kann, anders ausgedrückt, dass die Veraschung stabil und genau durchgeführt werden kann.
  • Seit einiger Zeit besteht die Tendenz, dass ein Waferprozess im Fabrikationsprozess einer Halbleitereinrichtung bei einer niedrigeren Temperatur durchgeführt wird, wenn die Halbleitereinrichtung eine höhere Integrationsschaltung hat, wie man bei LSI oder VLSI sieht. Der gewünschte Veraschungsprozess wird bei einer Temperatur niedriger als 300°C durchgeführt, besonders vorteilhaft bei einer Temperatur von niedriger als 200°C, um eine Verunreinigung vom Fotolack her zu vermeiden. Um eine große Veraschungsrate bei einer niedrigen Temperatur aufrechtzuerhalten, die größer als 0,5 μ/min für die praktische Verwendung ist, muss die Aktivierungsenergie der Veraschungsrate ebenfalls klein sein. Die Aktivierungsenergie der Veraschungsrate kann bis zu einem gewissen Ausmaß geändert werden, wenn man die Arten der Reaktant-Gase ändert, die für die Veraschung verwendet werden. Die Auswahl und die Kombination der Reaktant-Gase ist sehr wichtig, um die Veraschungsrate hoch zu machen und die Aktivierungsenergie klein zu machen und um den Fotolack genau zu ätzen, um so die Grundschicht so perfekt wie möglich zu belassen und um einen Schaden zu minimieren. Die Auswahl und die Kombination der Reaktant-Gase wurden nachhaltig studiert.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Die Fallstrom-Vernaschung wird in einem Fallstrom eines Mikrowellenplasmas unter Verwendung eines Mikrowellen-Plasma-Fotolack-Abstreifers durchgeführt. Dies ist ausführlich in der Veröffentlichung mit dem Titel "Heavy Metal Contamination From Resists during Plasma Stripping" von Shuzo Fujimura und Hiroshi Yano, in Elect. Chem. Soc. Band 135, Nr. 5, Mai 1988 offenbart.
  • Der Fallstrom eines Mikrowellen-Plasma-Fotolack-Abstreifers besteht aus einer Vakuumkammer einschließlich einer Plasmaerzeugungskammer, einer Vakuumpumpe zum Ausstoßen von Gas in die Vakuumkammer, einer Prozesskammer einschließlich eines Podestes, auf welchem ein Abtastwafer angeordnet wird, und einer Mikrowellenleistungsquelle. Ein Reaktant-Gas wird über die Plasmaerzeugungskammer zur Prozesskammer geliefert.
  • Dann wird ein Reaktant-Gas-Plasma in der Plasmaerzeugungskammer durch die Mikrowellen erzeugt, so dass die aktiven Arten zum Veraschen, die in dem Gasplasma erzeugt werden, nach unten zur Prozesskammer fließen und mit einem Fotolack reagieren, der vorher auf dem Probenwafer gebildet ist, um so den Fotolack zu beseitigen.
  • Bei dem Fallstrom-Veraschungsprozess wurde Sauerstoff als Reaktant-Gas eine lange Zeit verwendet, wie oben beschrieben wurde. Wenn jedoch lediglich Sauerstoff verwendet wird, ist die Veraschungsrate klein und die Aktivierungsenergie groß, so dass die Fallstrom-Vernaschung, bei der lediglich Sauerstoff verwendet wurde, bei dem Herstellungsprozess von LSI oder VLSI schwierig angewandt werden konnte. Daher wurden viele andere Reaktant-Gase geprüft, um die Veraschungsrate zu vergrößern und um die Aktivierungsenergie abzusenken, indem andere Arten von Gasen dem Sauerstoff hinzugefügt wurden. Als Ergebnis wurden mehrere Arten von wirksamen Reaktant-Gasen herausgefunden, wie unten beschrieben wird, die an vier Beispielen angegeben werden, d.h., einem ersten, einem zweiten, einem dritten und einem vierten Beispiel, wobei die Entwicklung der Reaktant-Gase verfolgt wird. Die Veraschungsrate und die Aktivierungsenergie sind auf das Beseitigen des Fotolackfilms, der in einer Halbleitereinrichtung vorgesehen ist, durch ein Plasma-Veraschungsverfahren anschließend bezogen.
  • Ein erstes Reaktant-Gas war ein Mischgas aus Sauerstoff (O2) mit einem Halogenid-Gas, beispielsweise Tetrafluormethan (CF4). Das erste Reaktant-Gas wurde am häufigsten verwendet, da dieses eine große Veraschungsrate hatte. 1 zeigt die Veraschungsrate für den im Handel verfügbaren Fotolack/OFPR-800, TOKYO-OHKA), die gegenüber der Veränderung des Flussverhältnisses des Tetrafluormethans zum Mischgas bei Raumtemperatur graphisch dargestellt ist.
  • Die Veraschungsrate für den Fall, bei dem ein Reaktant-Gas verwendet wird, wird einfach als Veraschungsrate mit dem Reaktant-Gas anschließend bezeichnet. In 1 erreicht, wenn Tetrafluormethan dem Sauerstoff von ungefähr 15% im Flussverhältnis hinzugefügt wird, die Veraschungsrate einen Maximalwert , d.h., 1,5 μm/min bei 25°C, die für die praktische Verwendung groß genug ist. Die Grundschicht, beispielsweise SiO2, Polysilizium (Si) oder Al wird jedoch geätzt, da Fluor (F) in das erste Reaktant-Gas gemischt ist. Wenn dagegen das erste Reaktant-Gas verwendet wird, wird die Aktivierungsenergie drastisch von 0,1 eV auf einen Wert von 0,52 eV reduziert, was die Aktivierungsenergie mit lediglich Sauerstoff ist. Eine derart große Abnahme der Aktivierungsenergie rührt vom Tetrafluormethan her, was in der Veröffentlichung "J.J. Hannon und J.M. Cock, J. Electrochem. Soc. Band 131, Nr. 5, Seite 1164 (1984) erläutert wurde.
  • Ein zweites Reaktant-Gas war ein Mischgas aus Sauerstoff und Stickstoff (N2), was nicht Fluor enthielt, was die Grundschicht nicht ätzte. Die Veraschungsrate und die Konzentration des Sauerstoffatoms in einem Fallstrom-Gas wurden gemessen, wobei das Flussverhältnis von Stickstoff zum zweiten Reaktant-Gas variiert wurde, wie in 2 gezeigt ist, wobei die Konzentration des Sauerstoffatoms durch ein Aktinometrie-Verfahren gemessen wurde. In diesem Fall betrug die Veraschungstemperatur 200°C und die Flussrate des zweiten Reaktant-Gases betrug 1000 Standard-Kubikzentimeter pro Minute (SCCM). In 2 zeigen weiße Kreise die Konzentrationen des Sauerstoffatoms, die durch das Spektralintensitätsverhältnisses der Strahlung von einem Sauerstoffatom (bei einer Wellenlänge von 6158 Å) zu der Strahlung von einem Argonatom (bei einer Wellenlänge von 7067 Å) erhalten wurden, und die Dreiecke zeigen die Konzentrationen des gleichen Sauerstoffatoms, welche durch das Spektralintensitätsverhältnis der Strahlung von einem Sauerstoffatom (bei einer Wellenlänge von 43568 Å) zu der Strahlung von einem Argonatom erhalten wurde (bei einer Wellenlänge von 7067 Å). Die Werte dieser Konzentrationen sind mit einem Maximum der Werte der Konzentrationen normiert, positioniert bei ungefähr 10% des Flussverhältnisses von Stickstoff zum zweiten Reaktant-Gas. Die Multiplikationszeichen zeigen die Veraschungsraten zum Flussverhältnis von Stickstoff zum zweiten Reaktant-Gas. Wie man aus 2 ersehen kann, stimmen die Kurven der Veraschungsrate und die der Konzentration des Sauerstoffatoms mit einander überein, was bedeutet, dass Sauerstoffatome lediglich beim Durchführen der Veraschung effektiv sind. 3 zeigt die Arrhenius-Grafik der Veraschungsrate, wenn das zweite Reaktant-Gas 90% Sauerstoff und 10% Stickstoff in der Flussrate enthält und die Arrhenius-Grafik von lediglich Sauerstoff Die Veraschungstemperatur ist mit T bezeichnet. Die Veraschungsrate des zweiten Reaktant-Gases ist durch einen Kreis grafisch dargestellt und die Veraschungsrate von Sauerstoff ist durch ein Multiplizierzeichen dargestellt. Die Veraschungsrate mit dem zweiten Reaktant-Gas beträgt ungefähr das zweifache von der von lediglich Sauerstoff. Die Aktivierungsenergie der Veraschung in dem Fall, wo ein Reaktant-Gas verwendet wird, wird anschließend einfach als Aktivierungsenergie des Reaktant-Gases bezeichnet. Die Aktivierungsenergie (Ea) des zweiten Reaktant-Gases und die des Sauerstoffs sind gleich 0,52 eV. Das heißt, die Aktivierungsenergie ändert sich nicht durch Mischen mit Stickstoff Die Veraschungsrate des zweiten Reaktant-Gases von 0,2 μm/min bei 160°C ist für die praktische Verwendung zu klein. Um die Veraschungsrate zu steigern, war eine andere Art an Gas notwendig.
  • Das dritte Reaktant-Gas war ein Mischgas aus Sauerstoff und Wasserdampf (H2O), das die Grundschicht nicht ätzte. Die Veraschungsrate und die Konzentration des Sauerstoffatoms wurden gemessen, wobei die Flussverhältnisse des Wasserdampfs zum dritten Reaktant-Gas verändert wurden, wie in 4 gezeigt ist. Die Messungen wurden bei einer Veraschungstemperatur von 180°C und einer Flussrate von 1000 SCCM des dritten Reaktant-Gases durchgeführt. Kreise und Multiplikationszeichen in 4 zeigen das gleiche wie in 2 entsprechend. Wenn das Flussverhältnis von Wasserdampf zum dritten Reaktant-Gas 40% übersteigt, nimmt die Konzentration des Sauerstoffatoms mit dem Anstieg des Wasserdampf-Flussverhältnisses ab. Die Veraschungsrate jedoch vermindert sich nicht so sehr wie die Abnahme der Konzentration des Sauerstoffatoms, wie man in 4 sieht. Dies bedeutet, dass einige aktive Arten mit Ausnahme von Sauerstoffatomen möglich sind, bei der Veraschung teilzunehmen. 5 vergleicht die Arrhenius-Grafik des dritten Reaktant-Gases, welches 60% Sauerstoff und 40% Wasserdampf hat, und die Arrhenius-Grafik des Sauerstoffgases. Die Veraschungsrate des dritten Reaktant-Gases, das ein Flussverhältnis von 40% von Wasserdampf hat, ist durch Dreiecke grafisch dargestellt, und die Veraschungsrate von Sauerstoff ist durch Multiplikationszeichen grafisch dargestellt. Die Aktivierungsenergie des dritten Reaktant-Gases beträgt 0,39 eV, was ungefähr dreiviertel der Aktivierungsenergie (0,52 eV) von Sauerstoff ist, wie in 6 gezeigt ist. 6 zeigt die Aktivierungsenergie der Veraschung dem Fall, bei dem das dritte Reaktant-Gas verwendet wird, wobei die Flussver hältnisse von Wasserdampf zum dritten Reaktant-Gas variiert werden, durch weiße Kreise. In 6 ist die Aktivierungsenergie der Veraschung in dem Fall, bei dem das Mischgas aus Sauerstoff und Wasserstoff verwendet wird, wobei das Flussverhältnis von Wasserstoff zum Mischgas variiert wird, durch durchgezogene Kreise gezeigt, um den Vergleich zu vereinfachen. Man sieht in 6, dass die Aktivierungsenergie durch Hinzufügen von Wasserdampf leicht etwas reduziert ist, und die Aktivierungsenergie unabhängig von dem Flussverhältnis von Wasserdampf konstant ist, wenn das Flussverhältnis von Wasserdampf 5% übersteigt. Die Aktivierungsenergie des zweiten Reaktant-Gases ist ebenfalls durch eine Punktkettenlinie in 6 für einen Vergleich mit dem dritten Reaktant-Gas angedeutet. Man sieht aus diesem Vergleich, dass sich die Aktivierungsenergie nicht durch Hinzufügen von Stickstoff zum Sauerstoff ändert. Das Verhalten ähnlich dem Mischgas aus Sauerstoff und Wasserdampf ist für das Mischgas aus Sauerstoff und Wasserstoff gezeigt. Dagegen beträgt die Veraschungsrate des dritten Reaktant-Gases ungefähr 0,22 μm/min bei 160°C, wie man in 5 sieht. Schließlich ist der Wert der Veraschungsrate des dritten Reaktant-Gases für die praktische Verwendung noch zu klein.
  • Das vierte Reaktant-Gas ist ein Mischgas aus Sauerstoff, Stickstoff und Tetrafluormethan. Das vierte Reaktant-Gas ist in der offengelegten japanischen Patentanmeldung SHG 63-102232 offenbart mit dem Titel (DRY ETCHING APPARATUS" durch Mikio Nonaka. Wenn das Flussverhältnis von Tetrafluormethan und Stickstoff im Bereich von 5 bis 20% bzw. 5 bis 10% sind, wird ein großes Verhältnis einer Ätzrate einer positiven Fotolackschicht zu einer Ätzrate einer Grundschicht erhalten, ohne dass die Veraschungsrate vermindert wird. Das Ätzen der Grundschicht kann jedoch nicht vermieden werden, was in diesem Fall auftritt.
  • Ein Mischgas, welches durch Hinzufügen von 0,2% Wasserstoff zu einem Mischgas aus Sauerstoff, Stickstoff und Tetrafluormethan hergestellt wird, ist im Handel von EMERGENT TECHNOLOGIES CO. (Phoenix 2320 NORD Photoresist Stripper) erhältlich. In diesem Fall wird der Wasserstoff, der mit Stickstoff verdünnt ist, hinzugefügt, um das Anpassen an die Mikrowellenleistung zu verbessern. Das heißt, das Hinzufügen von Wasserstoff zum Mischgas dient nicht zur Reduktion der Aktivierungsenergie. Somit ist das Mischgas im Wesentlichen das gleiche wie das erste Reaktant-Gas. Tatsächlich ist es außerdem bekannt, dass die Aktivierungsenergie des zweiten Reaktant-Gases, welches mit Wasserstoff gemischt ist, nicht bis zu 0,5% von Wasserstoff abnimmt.
  • Die US-PS 4 699 689 offenbart ein Mischgas, welches Sauerstoff, Wasserstoff und ein Zusatzgas aufweist, als Reaktant-Gas, um organisches Material zu veraschen, welches auf einer Grundsubstanz einer Halbleitereinrichtung gebildet ist.
  • Wie man aus der Beschreibung der ersten, zweiten, dritten und vierten Reaktant-Gase sieht, wurde ein ideales Mischgas, welches eine große Veraschungsrate und eine kleine Aktivierungsenergie und niemals die Grundschicht ätzt, nicht gefunden, obwohl sehr viel bezüglicher neuer Reaktant-Gase studiert wurde.
  • Überblick über die Erfindung
  • Somit ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, den Veraschungsprozess zu verbessern, um den organischen Film, der auf der Grundschicht der Halbleitereinrichtung bei Herstellung gebildet ist, so zu beseitigen, dass die Veraschungsrate ansteigt, die Aktivierungsenergie abnimmt und die Grundschicht niemals beim Veraschungsprozess geätzt wird.
  • Die obige Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst, wobei ein Reaktant-Gas, welches aus zumindest drei Arten von Gasen besteht, bei dem Veraschungsprozess angewandt wird. Das Reaktant-Gas besteht aus zumindest Sauerstoff und Wasserstoff Wie bekannt ist Sauerstoff ein Hauptgas, um das Veraschen durchzuführen, jedoch dient Wasserstoff zum hauptsächlichen Vermindern der Aktivierungsenergie, zum Vergrößern der Veraschungsrate und zum Vermeiden , dass die Grundschicht geätzt wird, in Zusammenwirken mit einem anderen dritten Gas, welches entsprechend dem Reaktant-Gas hinzugefügt wird. Das dritte Gas, welches dem Reaktant-Gas hinzugefügt wird, ist Wasserdampf, Stickstoff, Stickstoffoxid oder Halogenid. Das Halogenid umfasst Tetrafluormethan (CF4), Chlor (Cl2), Stickstoff, Trifluor (NF3), Hexafluorethan (C2F6) und Trifluormethan (CHF3). Die Flussrate des Wasserstoffs und des dritten Gases werden entsprechend gesteuert.
  • Das Reaktant-Gas, welches das dritte Gas aus Stickstoff aufweist, wird erläutert. Gemäß dem Versuch durch die Erfinder wird die Aktivierungsenergie auf 0,44 eV von 0,52 eV vermindert, indem Wasserstoff von mehr als 3% hinzugefügt wird, wobei 0,52 eV die Aktivierungsenergie entsprechend Sauerstoff ist. Der Grund dafür liegt darin, dass Wasserstoff wirkt, um die Aktivierungsenergie zu vermindern. Die Veraschungsrate des Reaktant-Gases einschließlich des dritten Gases aus Stickstoff ist so groß wie zwei oder drei Mal von der des üblichen Mischgases aus Sauerstoff und Stickstoff Dieses Mischgas, welches oben beschrieben wurde, hat drei Vorteile, nämlich eine große Veraschungsrate, eine kleine Aktivierungsenergie und ätzt nicht die Grundschicht beim Herstellungsprozess von LSI oder VLSI.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine grafische Darstellung, die die Veränderung der Veraschungsrate für den Fotolack im Fall der Verwendung des Reaktant-Gases, welches aus O2 und CF4 besteht, mit dem Flussverhältnis von CF4 zum Reaktant-Gas bei einer Veraschungstemperatur von 25°C zeigt;
  • 2 ist eine grafische Darstellung, welche die Veränderung der Veraschungsrate für den Fotolack in dem Fall zeigt, wo das Reaktant-Gas, welches aus O2 und N2 besteht, bei einer Veraschungstemperatur von 200°C verwendet wird, und die Veränderung der Konzentration des Sauerstoffatoms in einem Fallstrom-Gas mit dem Flussverhältnis von N2 zum Reaktant-Gas;
  • 3 ist eine grafische Darstellung, die Arrhenius-Grafiken der Veraschungsrate für den Fotolack für den Fall zeigt, wo das Reaktant-Gas, welches aus O2, welches ein Fließverhältnis von 90% hat, aus N2, welches ein Fließverhältnis von 10% hat, besteht und das Reaktant-Gas, welches aus Sauerstoff besteht, verwendet werden;
  • 4 ist eine grafische Darstellung, die die Veränderung der Veraschungsrate in dem Fall zeigt, wo das Reaktant-Gas verwendet wird, welches aus O2 und H2O bei einer Veraschungstemperatur bei 180°C besteht, und die Veränderung der Konzentration des Sauerstoffatoms in einem Fallstor-Gas mit dem Fließverhältnis von H2O zum Reaktant-Gas;
  • 5 ist eine grafische Darstellung, welche Arrhenius-Grafiken der Veraschungsrate für den Fall, bei dem das Reaktant-Gas verwendet wird, welches aus O2 mit einem Flussverhältnis von 60%, aus H2O mit einem Flussverhältnis von 40% zusammengesetzt ist, und das Reaktant-Gas, welches aus Sauerstoff besteht, zeigt;
  • 6 ist eine grafische Darstellung, welche die Veränderung der Aktivierungsenergie der Veraschung, wobei das Reaktant-Gas verwendet wird, welches aus O2 und H2O mit dem Flussverhältnis von H2O besteht, zum Reaktant-Gas zeigt;
  • 7 ist eine schematische Zeichnung einer Vakuumkammer des Fallstrom-Veraschungsgeräts;
  • 8 ist eine grafische Darstellung, welche Arrhenius-Grafiken der Veraschungsrate für den Fotolack für den Fall zeigen, wo das Reaktant-Gas verwendet wird, welches aus O2, H2 und N2 besteht, das Reaktant-Gas, welches aus O2 und N2 besteht und das Reaktant-Gas, welches aus Sauerstoff besteht;
  • 9 ist eine grafische Darstellung, welche die Veränderungen der Aktivierungsenergie der Veraschung zeigt, wobei das Reaktant-Gas verwendet wird, welches aus O2 und H2O besteht, und das Reaktant-Gas, welches aus O2 und H2 besteht, mit dem Fließverhältnis von H2O zum Reaktant-Gas von O2 und H2O und mit dem Fließverhältnis von H2 zum Reaktant-Gas von O2 bzw. H2.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
  • Die Plasma-Veraschungsverfahren zum Beseitigen des Fotolacks unter Verwendung von Reaktant-Gas werden mit Hilfe von 8 beschrieben. Die Plasma-Veraschung wird durch ein Fallstrom-Veraschungsverfahren unter Verwendung eines herkömmlichen stromabwärtigen Mikrowellen-Plasma-Fotolack-Abstreifers durchgeführt, der schematisch in 7 gezeigt ist.
  • Die bevorzugte Ausführungsform ist das Plasma-Veraschungsverfahren, bei dem ein Reaktant-Gas verwendet wird, welches aus O2, H2 und N2 zusammengesetzt ist. Das heißt, das Reaktant-Gas, welches aus 720 SCCM O2, 100 SCCM H2 und 180 SCCM N2 zusammengesetzt ist, wird bei dem Fallstrom-Veraschungsprozess wie bei der ersten Ausführungsform beschrieben angewandt.
  • Im Fall der Verwendung des Reaktant-Gases, welches aus O2, H2 und N2 zusammengesetzt ist, ist die Veraschungsrate durch eine Linie gezeigt, welche weiße Quadrate in 12 verbindet, dargestellt in der Arrhenius-Grafik, und die Aktivierungsenergie ist mit der Fließrate von H2 zum Reaktant-Gas gezeigt, welches aus O2, H2 und N2 in 9 zusammengesetzt ist.
  • In 8 ist die Veraschungsrate für den Fall, wo ein Reaktant-Gas verwendet wird, welches lediglich aus O2 zusammengesetzt ist, und die bei Verwendung eines Reaktant-Gases, welches aus O2 und N2 zusammengesetzt ist, ebenfalls durch eine Linie gezeigt, welche Multiplikationszeichen verbindet bzw. eine Linie, die weiße Kreise verbindet, um den Vergleich mit dem Reaktant-Gas, welches aus O2, H2 und N2 besteht, zu erleichtern. In dem Fall, wo das Reaktant-Gas verwendet wird, welches aus O2, H2 und N2 zusammengesetzt ist, beträgt die Veraschungsrate ungefähr 0,7 μm/min bei 160°C einer Veraschungstemperatur, wie in 8 gezeigt ist, und die Aktivierungsenergie beträgt ungefähr 0,4 eV, wie in 9 gezeigt ist.
  • In 9 hat man gefunden, dass die Aktivierungsenergie schnell auf einen Wert von ungefähr 0,4 eV abnimmt, während das Fließverhältnis von 0% auf ungefähr 5% ansteigt und konstant auf dem Wert von mehr oder weniger als 0,4 eV in einem Bereich des Fließverhältnisses über 5% gehalten wird. Die Plasma-Veraschung wird aktuell in diesem konstanten Bereich der Aktivierungsenergie ausgeführt. Aus 9 kann geschlossen werden, dass die Kennlinie, die konstante Aktivierungsenergie zu haben, zur Durchführung einer stabilen und genauen Plasma-Veraschung sehr wichtig ist.
  • Die Flussrate jedes Komponentengases wird auf 720 SCCM, 100 SCCM und 180 SCCM für O2, H2 bzw. N2 festgelegt, als wünschenswertes Beispiel. Die Flussrate von H2 ist jedoch nicht begrenzt, wenn das Flussverhältnis von H2 des Reaktant-Gases größer als 3% ist, da die Aktivierungsenergie der Veraschung in dem Fall, wo das Reaktant-Gas verwendet wird, ungefähr 0,4 eV unabhängig vom Flussverhältnis ist, wie man in 9 sieht. Die Flussrate von N2 ist nicht begrenzt, wenn das Fließverhältnis von N2 zum Mischgas von O2 und N2 größer als 5% ist, da die Veraschungsrate konstant ist unabhängig vom Flussverhältnis, wenn das Flussverhältnis 5% übersteigt.
  • Bei der bevorzugten Ausführungsform wird die Plasma-Veraschung unter Verwendung des Reaktant-Gases von O2, H2 und N2 durchgeführt. Es wurde jedoch bestätigt, dass H2O, NOx oder ein Halogenid anstelle von N2 verwendet werden können.
  • Die bevorzugte Ausführungsform, die oben beschrieben wurde, bezog sich auf das Beseitigen des Fotolackfilms durch Plasma-Veraschung, wobei jedoch die vorliegende Erfindung zur Beseitigung des organischen Polymerfilms angewandt werden kann.
  • Obwohl das Reaktant-Gas, welches bei der bevorzugten Ausführungsform beschrieben wurde, aus drei Arten von Gasen besteht, kann ein inertes Gas, beispielsweise He, Ne oder Ar dem Reaktant-Gas bis zu 7% hinzugefügt werden.

Claims (6)

  1. Veraschungsverfahren zum Beseitigen von organischem Material, welches auf einer Grundsubstanz einer Halbleitereinrichtung (8) gebildet ist, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bereitstellen einer Plasma-Veraschungseinrichtung, um die Beseitigung des organischen Materials unter Verwendung eines Plasmas eines Reaktant-Gases durchzuführen; Liefern eines Mischgases als Reaktant-Gas, welches im Wesentlichen aus Sauerstoff, Wasserstoff und einem Zusatzgas besteht, zur Plasma-Veraschungseinrichtung; Erzeugen von Plasma des Reaktant-Gases zum Erzeugen von aktiven Arten des Reaktant-Gases; und Beseitigen des organischen Materials unter Verwendung der aktiven Arten, wobei die Grundsubstanz belassen wird, dadurch gekennzeichnet, dass dies außerdem folgenden Schritt aufweist: Steuern von Flussverhältnissen des Sauerstoffs, des Wasserstoffs und des Zusatzgases des Mischgases, um das Reaktant-Gas zu erhalten, wobei der Fluss des Wasserstoffs größer ist als 1% des Flusses des Mischgases.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Beseitigungsschritt im Abwärtsstrom vom Plasma durchgeführt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Zusatzgas aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus Stickstoff und Stickoxid besteht.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Flussverhältnisse des Sauerstoffs und des Stickstoffs, die als Zusatzgas des Mischgases ausgewählt werden, so gesteuert werden, dass ein Flussverhältnis des Wasserstoffs zu einem Gas, welches aus dem Sauerstoff, dem Wasserstoff und dem Stickstoff besteht, so festgelegt ist, dass dies mehr als 3% ist, und ein Flussverhältnis des Stickstoffs zu einem Gas, welches aus dem Sauerstoff und dem Stickstoff zusammengesetzt ist, so festgelegt ist, dass dies mehr als 5% ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass dieses außerdem den folgenden Schritt aufweist: Einstellen einer Temperatur des organischen Materials auf höher als 140°C, um damit eine Veraschungsrate zu erzielen, die größer ist als 0,5 μm/min.
  6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Zusatzgas aus einer Halogenid-Gruppe ausgewählt wird, welche aus Tetrafluormethan, Chlor, Stickstoff Trifluorid, Hexafluorethan und Trifluormethan besteht.
DE68929503T 1988-06-09 1989-06-07 Veraschungsverfahren zum Entfernen einer organischen Schicht auf einer Halbleiteranordnung während ihrer Herstellung Expired - Fee Related DE68929503T2 (de)

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Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0777211B2 (ja) * 1987-08-19 1995-08-16 富士通株式会社 アッシング方法
JP2890432B2 (ja) * 1989-01-10 1999-05-17 富士通株式会社 有機物の灰化方法
DE69033663T2 (de) * 1989-08-28 2001-06-21 Hitachi Ltd Verfahren zur Behandlung eines Aluminium enthaltenden Musters
KR940005287B1 (ko) * 1990-06-26 1994-06-15 후지쓰 가부시끼가이샤 수소가스를 사용하는 플라즈마 처리방법
WO1992000601A1 (en) * 1990-06-27 1992-01-09 Fujitsu Limited Method of manufacturing semiconductor integrated circuit and equipment for the manufacture
JP3013446B2 (ja) * 1990-12-28 2000-02-28 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
JPH04314349A (ja) * 1991-04-11 1992-11-05 Mitsutoyo Corp 真空リソグラフィ装置
US5271800A (en) * 1991-07-12 1993-12-21 The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration Method for anisotropic etching in the manufacture of semiconductor devices
US5174856A (en) * 1991-08-26 1992-12-29 Applied Materials, Inc. Method for removal of photoresist over metal which also removes or inactivates corrosion-forming materials remaining from previous metal etch
JP3084910B2 (ja) * 1992-03-18 2000-09-04 ヤマハ株式会社 配線形成法
JPH06188229A (ja) * 1992-12-16 1994-07-08 Tokyo Electron Yamanashi Kk エッチングの後処理方法
EP0710161A4 (de) * 1993-07-16 1997-04-16 Fusion Systems Corp Nachbehandlung eines beschichteten substrates mit einem angeregtes halogen enthaltenden gas für die beseitigung von rückständen
US5418431A (en) * 1993-08-27 1995-05-23 Hughes Aircraft Company RF plasma source and antenna therefor
US5382316A (en) * 1993-10-29 1995-01-17 Applied Materials, Inc. Process for simultaneous removal of photoresist and polysilicon/polycide etch residues from an integrated circuit structure
JP2731730B2 (ja) * 1993-12-22 1998-03-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション フォトレジストの除去方法
US5545289A (en) * 1994-02-03 1996-08-13 Applied Materials, Inc. Passivating, stripping and corrosion inhibition of semiconductor substrates
KR100336916B1 (ko) * 1994-02-03 2002-12-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체기판의스트립핑,패시베이션및부식반응억제방법
JPH07221075A (ja) * 1994-02-03 1995-08-18 Fujitsu Ltd アッシング処理方法
JP3529849B2 (ja) * 1994-05-23 2004-05-24 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US5850107A (en) * 1994-06-10 1998-12-15 Johnson & Johnson Vision Products, Inc. Mold separation method and apparatus
US5578331A (en) * 1994-06-10 1996-11-26 Vision Products, Inc. Automated apparatus for preparing contact lenses for inspection and packaging
US5528878A (en) 1994-06-10 1996-06-25 Johnson & Johnson Vision Products, Inc. Automated apparatus and method for consolidating products for packaging
US5814134A (en) * 1994-06-10 1998-09-29 Johnson & Johnson Vision Products, Inc. Apparatus and method for degassing deionized water for inspection and packaging
US5811022A (en) * 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
JPH08186098A (ja) * 1994-12-27 1996-07-16 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 感光性樹脂の除去方法および除去装置
JPH08186099A (ja) * 1994-12-29 1996-07-16 Sharp Corp レジストのアッシング方法
US5900351A (en) * 1995-01-17 1999-05-04 International Business Machines Corporation Method for stripping photoresist
US5674409A (en) * 1995-03-16 1997-10-07 International Business Machines Corporation Nanolithographic method of forming fine lines
US5958799A (en) * 1995-04-13 1999-09-28 North Carolina State University Method for water vapor enhanced charged-particle-beam machining
US6060397A (en) * 1995-07-14 2000-05-09 Applied Materials, Inc. Gas chemistry for improved in-situ cleaning of residue for a CVD apparatus
US5567271A (en) * 1995-07-26 1996-10-22 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd Oxygen reactive ion etch (RIE) plasma method for removing oxidized organic residues from semiconductor substrates
US5705428A (en) * 1995-08-03 1998-01-06 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte, Ltd. Method for preventing titanium lifting during and after metal etching
TW371796B (en) * 1995-09-08 1999-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device
US6228751B1 (en) * 1995-09-08 2001-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
AU712870B2 (en) 1995-09-29 1999-11-18 Johnson & Johnson Vision Products, Inc. Automated apparatus and method for consolidating products for packaging
US5824604A (en) * 1996-01-23 1998-10-20 Mattson Technology, Inc. Hydrocarbon-enhanced dry stripping of photoresist
US6013574A (en) * 1996-01-30 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming low resistance contact structures in vias arranged between two levels of interconnect lines
US6082374A (en) * 1996-09-24 2000-07-04 Huffman; Maria Fluorine assisted stripping and residue removal in sapphire downstream plasma asher
US5795831A (en) * 1996-10-16 1998-08-18 Ulvac Technologies, Inc. Cold processes for cleaning and stripping photoresist from surfaces of semiconductor wafers
US5811358A (en) * 1997-01-03 1998-09-22 Mosel Vitelic Inc. Low temperature dry process for stripping photoresist after high dose ion implantation
WO1999026277A1 (en) 1997-11-17 1999-05-27 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for plasma enhanced processing of semiconductor wafers
JP3193335B2 (ja) * 1997-12-12 2001-07-30 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
US5970376A (en) * 1997-12-29 1999-10-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Post via etch plasma treatment method for forming with attenuated lateral etching a residue free via through a silsesquioxane spin-on-glass (SOG) dielectric layer
US6231775B1 (en) 1998-01-28 2001-05-15 Anon, Inc. Process for ashing organic materials from substrates
EP0940846A1 (de) * 1998-03-06 1999-09-08 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Verfahren zum Entschichten von implantierten Photolacken
US6105588A (en) * 1998-05-27 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Method of resist stripping during semiconductor device fabrication
US6410417B1 (en) * 1998-11-05 2002-06-25 Promos Technologies, Inc. Method of forming tungsten interconnect and vias without tungsten loss during wet stripping of photoresist polymer
DE19855924B4 (de) * 1998-11-19 2006-02-16 Mosel Vitelic Inc. Herstellungsverfahren für eine Verbindung
US6372150B1 (en) * 1998-12-18 2002-04-16 Cypress Semiconductor Corp. High vapor plasma strip methods and devices to enhance the reduction of organic residues over metal surfaces
US20040074525A1 (en) * 2001-03-27 2004-04-22 Widman Michael F. Transfer apparatus and method and a transfer apparatus cleaner and method
FR2789804B1 (fr) 1999-02-17 2002-08-23 France Telecom Procede de gravure anisotrope par plasma gazeux d'un materiau polymere dielectrique organique et application a la microelectronique
US6494021B1 (en) 1999-02-18 2002-12-17 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Contact lens transfer and material removal system
US6242350B1 (en) * 1999-03-18 2001-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Post gate etch cleaning process for self-aligned gate mosfets
US6805139B1 (en) 1999-10-20 2004-10-19 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
US20050022839A1 (en) * 1999-10-20 2005-02-03 Savas Stephen E. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
US6431182B1 (en) * 1999-10-27 2002-08-13 Advanced Micro Devices, Inc. Plasma treatment for polymer removal after via etch
US6235440B1 (en) 1999-11-12 2001-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to control gate CD
JP2001313280A (ja) * 2000-04-02 2001-11-09 Axcelis Technologies Inc ポスト・エッチ・フォトレジストおよび残留物の除去法
US6440864B1 (en) 2000-06-30 2002-08-27 Applied Materials Inc. Substrate cleaning process
JP3509709B2 (ja) * 2000-07-19 2004-03-22 株式会社村田製作所 圧電薄膜共振子及び圧電薄膜共振子の製造方法
US6692903B2 (en) 2000-12-13 2004-02-17 Applied Materials, Inc Substrate cleaning apparatus and method
US6834656B2 (en) * 2001-05-23 2004-12-28 Axcelis Technology, Inc. Plasma process for removing polymer and residues from substrates
US6774045B1 (en) * 2001-07-11 2004-08-10 Lam Research Corporation Residual halogen reduction with microwave stripper
US6836692B2 (en) * 2001-08-09 2004-12-28 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. System and method for intelligent lens transfer
US6647994B1 (en) 2002-01-02 2003-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of resist stripping over low-k dielectric material
US6756187B2 (en) 2002-01-04 2004-06-29 Nec Lcd Technologies, Ltd. Method for removing patterned layer from lower layer through reflow
JP2003282571A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US6777173B2 (en) * 2002-08-30 2004-08-17 Lam Research Corporation H2O vapor as a processing gas for crust, resist, and residue removal for post ion implant resist strip
US7232767B2 (en) * 2003-04-01 2007-06-19 Mattson Technology, Inc. Slotted electrostatic shield modification for improved etch and CVD process uniformity
US7514012B2 (en) * 2004-01-27 2009-04-07 Texas Instruments Incorporated Pre-oxidization of deformable elements of microstructures
US20110061679A1 (en) * 2004-06-17 2011-03-17 Uvtech Systems, Inc. Photoreactive Removal of Ion Implanted Resist
US20070054492A1 (en) * 2004-06-17 2007-03-08 Elliott David J Photoreactive removal of ion implanted resist
US20050279453A1 (en) 2004-06-17 2005-12-22 Uvtech Systems, Inc. System and methods for surface cleaning
US20070193602A1 (en) * 2004-07-12 2007-08-23 Savas Stephen E Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing
JP4588391B2 (ja) 2004-09-01 2010-12-01 芝浦メカトロニクス株式会社 アッシング方法及びアッシング装置
US8193096B2 (en) 2004-12-13 2012-06-05 Novellus Systems, Inc. High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry
US8093070B2 (en) * 2004-12-17 2012-01-10 Texas Instruments Incorporated Method for leakage reduction in fabrication of high-density FRAM arrays
KR100607777B1 (ko) * 2004-12-27 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US20070123049A1 (en) * 2005-11-17 2007-05-31 Kao-Su Huang Semiconductor process and method for removing condensed gaseous etchant residues on wafer
KR20080023814A (ko) * 2006-09-12 2008-03-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 미세패턴 형성방법
CN100576497C (zh) * 2006-12-20 2009-12-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 形成集成电路器件自对准接触的方法
US8435895B2 (en) 2007-04-04 2013-05-07 Novellus Systems, Inc. Methods for stripping photoresist and/or cleaning metal regions
US20110143548A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 David Cheung Ultra low silicon loss high dose implant strip
US9613825B2 (en) 2011-08-26 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Photoresist strip processes for improved device integrity
CN102651370B (zh) * 2012-01-04 2014-12-10 京东方科技集团股份有限公司 一种tft阵列基板、制造方法及显示装置
WO2015069613A1 (en) * 2013-11-06 2015-05-14 Mattson Technology, Inc. Novel mask removal process strategy for vertical nand device
US10050035B2 (en) 2014-01-17 2018-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of making protective layer over polysilicon structure
JP2015216176A (ja) * 2014-05-08 2015-12-03 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
US9514954B2 (en) 2014-06-10 2016-12-06 Lam Research Corporation Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films
EP3968361B1 (de) * 2020-07-02 2024-01-31 Changxin Memory Technologies, Inc. Verfahren zur bearbeitung von halbleiterstrukturen

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3837856A (en) * 1967-04-04 1974-09-24 Signetics Corp Method for removing photoresist in manufacture of semiconductor devices
JPS5751265A (en) * 1980-09-10 1982-03-26 Hitachi Ltd Microwave plasma etching device
US4529860A (en) * 1982-08-02 1985-07-16 Motorola, Inc. Plasma etching of organic materials
JPS59163826A (ja) * 1983-03-08 1984-09-14 Toshiba Corp ドライエツチング方法
US4501061A (en) * 1983-05-31 1985-02-26 Advanced Micro Devices, Inc. Fluorine plasma oxidation of residual sulfur species
JPS6050923A (ja) * 1983-08-31 1985-03-22 Hitachi Ltd プラズマ表面処理方法
US4689112A (en) * 1985-05-17 1987-08-25 Emergent Technologies Corporation Method and apparatus for dry processing of substrates
US4699689A (en) * 1985-05-17 1987-10-13 Emergent Technologies Corporation Method and apparatus for dry processing of substrates
US4673456A (en) * 1985-09-17 1987-06-16 Machine Technology, Inc. Microwave apparatus for generating plasma afterglows
JPH0777211B2 (ja) * 1987-08-19 1995-08-16 富士通株式会社 アッシング方法
DE3855636T2 (de) * 1987-08-28 1997-03-27 Toshiba Kawasaki Kk Plasma-Entschichtungsverfahren für organische und anorganische Schichten
JPH01200628A (ja) * 1988-02-05 1989-08-11 Toshiba Corp ドライエッチング方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE68929503D1 (de) 2004-01-15
EP0345757A2 (de) 1989-12-13
JPH0777214B2 (ja) 1995-08-16
DE68928291D1 (de) 1997-10-09
KR910001909A (ko) 1991-01-31
KR930002679B1 (ko) 1993-04-07
US4961820A (en) 1990-10-09
EP0345757A3 (de) 1991-01-30
US5057187A (en) 1991-10-15
DE68928291T2 (de) 1998-04-02
JPH0277125A (ja) 1990-03-16
EP0663690B1 (de) 2003-12-03
EP0663690A3 (de) 1998-03-11
EP0663690A2 (de) 1995-07-19
EP0345757B1 (de) 1997-09-03

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