KR910001909A - 제조중에 반도체 장치의 물질위의 유기막을 제거하기 위한 애싱(ashing)방법 - Google Patents

제조중에 반도체 장치의 물질위의 유기막을 제거하기 위한 애싱(ashing)방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

제조중에 반도체 장치의 물질위의 유기막을 제거하기 위한 애싱(ashing)방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 25℃ 애싱 온도에서, 반응가스에 대한 CF4의 흐름비와 O2및 CF4로 구성된 반응가스를 사용하는 경우의 레지스트에 대한 애싱 속도의 변화를 나타내는 그래프.
제2도는 200℃ 애싱 온도에서 O2및 N2로 구성된 반응가스를 사용하는 경우의 레지스트에 대한 애싱 속도의 변화와 반응가스에 대한 N2의 흐름비와 함께 다윤-플로우된 가스내의 산소원자의 농도변화를 나타내는 그래프.
제3도는 90% 흐름비를 갖는 O2와 10%흐름비를 갖는 N2로 구성된 반응가스와 산소로 구성된 반응가스를 사용하는 경우의 레지스트에 대한 애싱속도의 아레뉴스 플로트(plots)를 나타내는 그래프.

Claims (18)

  1. 반도체 장치의 지반 물질위에 형성된 유기물을 제거하기 위한 애싱방법에 있어서, 반응가스 플라즈마를 사용함으로써 유기물의 제거를 실행하기 위한 애싱수단을 제공하고, 본질적으로 산소, 수증기 및 첫번째 첨가 가스로 이루어진 혼합가스를 상기 플라즈마 애싱수단에 공급하고, 산소와 수증기로 구성된 반응가스를 사용하는 경우의 애싱속도보다 더 크고 활성화에너지는 거의 같은 플라즈마 애싱이 실행되는 첫번째 반응가스를 얻기 위하여 상기 혼합가스의 산소, 수증기 및 첫번째 첨가 가스의 흐름비들을 제어하고, 첫번째 반응가스의 액티브 스피시즈를 제조하기 위하여 첫번째 반응가스의 플라즈마를 발생하고, 액티브 스피지시들을 사용하여 지반 물질은 남기고 유기물만을 제거하는 단계들로 이루어진 애싱방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제거하는 단계가 플라즈마로부터 다운 스트림에서 실행되는 애싱방법.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 첫번째 첨가 가스가 수소, 질소 및 산화 질소로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 애싱방법.
  4. 제3항에 있어서, 혼합가스의 질소로 선택된 산소, 수증기 및 첫번째 첨가 가스의 상기 흐름비들이, 산소와 수증기로 구성된 가스에 대한 수증기의 흐름비가 1%보다 높게 설정하고 산소와 질소로 구성된 가스에 대한 질소의 흐름비가 5%보다 높게 설정되도록 억제하는 애싱 방법.
  5. 제4항에 있어서, 0.5㎛/min 보다 더 큰 애싱속도를 얻기 위하여 유기물의 온도를 160℃보다 더 높게 설정하는 단계를 더 포함하는 애싱방법.
  6. 반도체 장치의 지반 물질위에 형성된 유기물을 제거하기 위한 플라즈마 애싱방법에 있어서, 반응가스를 사용하는, 플라즈마 애싱에 의하여 유기물의 제거를 실행하기 위한 플라즈마 애싱수단을 제공하고, 본질적으로 산소, 수증기 및 두번째 첨가가스로 이루어진 혼합가스를 상기 플라즈마 애싱수단에 공급하고, 지반 물질을 애칭시키지 않고, 산소와 수증기로 구성된 반응가스를 사용하는 경우의 애싱속도보다 더 크고 활성화 에너지가 거의 같은 플라즈마 애싱이 실행되는 두번째 반응가스를 얻기 위하여 상기 혼합가스의 산소, 수증기 및 두번째 첨가가스의 흐름지들을 제어하고, 두번째 반응가스의 액티브스피시즈들을 제조하기 위하여 두번째 반응가스의 플라즈마를 발생하고, 접지 물질을 에칭시키지 않고, 액티브 스피시즈들을 사용하여 유기물을 제거하는 단계들로 이루어진 플라즈마 애싱방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제거하는 단계가 플라즈마로부터 다운 스트림에서 실행하는 플라즈마 애싱방법.
  8. 제6항 또는 7항에 있어서, 두번째 첨가 가스가 테트라 플루오로메틸렌, 염소, 리트로겐 트리플로라이드, 헥사 플루오로에틸렌 및 트리플루오로메틸렌으로 이루어지는 할로겐니드 그룹으로 부터 선택되는 플라즈마 애싱 방법.
  9. 제8항에 있어서, 테트라 플루오로메틸렌으로 선택된 산소, 수증기 및 두번째 첨가 가스의 상기 흐름비들이, 산소와 수증기로 구성된 가스에 대한 수증기의 흐름비가 1%보다 높게 설정되고 수증기와 테트라 플루오로메틸렌으로 구성된 가스에 대한 테트라 플루오로메틸렌의 흐름 비가 수소원자들의 수가 할로겐 원자들의 수보다 더 크록 설정되게 하기 위하여 억제하는 플라즈마 애싱방법.
  10. 제9항에 있어서, 0.5㎛/min 보다 더 큰 애싱속도를 얻기 위하여, 유기물의 온도를 140℃보다 높게 설정하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 애싱방법.
  11. 반도체 장치의 지반 물질위에 형성된 유기물을 제거하기 위한 플라즈마 애싱방법에 있어서, 반응가스를 사용하는, 플라즈마 애싱에 의하여 유기물의 제거를 실행하기 위한 플라즈마 애싱수단을 제공하고, 본질적으로 산소, 혼합가스의 1%보다 더 큰수소 및 세번째 첨가스로 이루어진 혼합가스를 상기 플라즈마 애싱수단에 공급하고, 산소와 수소로 구성된 반응가스를 사용하는 경우의 애싱속도보다 더 크고 활성화 에너지는 거의 같은 플라즈마 애싱이 실행되는 세번째 반응가스를 얻기 위하여 상기 혼합가스의 산소, 수소 및 세번째 첨가 가스의 흐름비들을 제어, 세번째 반응가스의 액티브스피시즈들을 제조하기 위하여 세번째 반응가스의 플라즈마를 발생하고, 액티브스피시즈에 의하여 지반 물질은 남기고 유기물만을 제거하는 단계들로 이루어지는 플라즈마 애싱 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제거하는 단계가 플라즈마로부터 다운 스트림에서 실행되는 플라즈마 애싱방법.
  13. 제11항 또는 12항에 있어서, 세번째 첨가가스가 질소와 산화질소로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 플라즈마 애싱방법.
  14. 제13항에 있어서, 질소로 선택된 산소, 수증기 및 세번째 첨가 가스의 상기 흐름비들이, 산소 및 질소로 구성된 가스에 대한 수소의 흐름비가 3%보다 높게 설정되고 산소와 질소로 구성된 가스에 대한 질소의 흐름비가 5%보다 높게 설정되도록 억제되는 플라즈마 애싱방법.
  15. 제14항에 있어서 0.5㎛/min 보다 더 큰 애싱속도를 얻기 위하여, 유기물의 온도를 140℃보다 높게 설정하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 애싱방법.
  16. 반도체 장치의 지반 물질위에 형성된 유기물을 제거하기 위한 플라즈마 애싱방법에 있어서, 반응가스를 사용하는, 플라즈마 애싱에 의하여 유기물의 제거를 실행하기 위하여 플라즈마 애싱수단을 제공하고, 본질적으로 산소, 수소 및 네번째 첨가 가스가 이루어지는 혼합가스를 상기 플라즈마 애싱수단에 공급하고, 지반 물질은 에칭 시키고 않고, 산소와 수소로 구성된 반응가스를 사용하는 경우의 애싱속도보다 더 크고 활성화 에너지는 거의 같은 플라즈마 애싱이 실행되는 네번째 반응가스를 얻기 위하여 상기 혼합가스의 산소, 수소 및 네번째 첨가 가스의 흐름비들을 제어하고, 네번째 반응가스의 액티브스피시즈들을 제조하기 위하여 네번재 반응가스의 플라즈마를 발생하고, 지반물질을 에칭시키지 않고, 액티브스피시즈을 사용하여 유기물을 제거하는 단계들로 이루어지는 플라즈마 애싱방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제어하는 단계가 플라즈마로부터 다운 스트림에서 실행되는 플라즈마 애싱방법.
  18. 제16항 또는 17항에 있어서, 상기 네번째 첨가 가스가 테트라 플루오로메틸렌, 염소, 니트로겐 트리플루오로드, 헥사 플루오로에틸렌 및 트리 플루오로메틸렌으로 이루어지는 할로겐니드 그룹으로부터 선택되는 플라즈마 애싱방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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