JP3198667B2 - レジストの除去方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造プロセス
で用いられるレジストの除去方法に関し、更に詳しく
は、高ドーズ量のイオン注入後のフォトレジストの残渣
等を生じることなく剥離する方法に係わる。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】半導体
プロセスにおける、レジスト除去（剥離）工程は、発煙
硝酸や硫酸過水を用いたウェットプロセスに代わって、
Ｏ₂プラズマを利用する、所謂ドライアッシング法が広
く量産現場でも採用されている。このドライアッシング
プロセスでは、有機高分子よりなるフォトレジストをプ
ラズマ中で発生するＯ ^* ，Ｏ ₂ ^* 等の寄与で、ＣＯ，ＣＯ₂
とする燃焼反応で除去してゆくのが基本的なメカニズム
であり、通常のフォトレジスト材料そのものの剥離は比
較的容易であり、何ら問題は無い。

【０００３】しかし、イオン注入工程のマスクとしてフ
ォトレジストを用いた場合に、当然このレジストの中に
も、高ドーズ量、高エネルギーでのイオン注入が行われ
る。この時のイオン衝撃に伴う熱が主な原因で、図１
（Ａ）に示すように、基板１上のレジスト２の表面が硬
化してしまい、通常のＯ₂プラズマのみでは、この硬化
層２ａの除去が容易ではなく、レジストの剥離を著しく
劣化させてしまう問題がある。

【０００４】この表面の硬化層２ａは、熱によって形成
されるもののみでなく、イオン注入されたドーパント
が、レジスト材料の分子構造の中で置換して架橋反応を
おこし、この部分がＯ₂プラズマによって酸化されるた
め、そのまま難エッチ層として図１（Ｂ）に示すよう
に、残渣２ｂとなるものもある。特に後者は、残存する
とパーティクルとしてＬＳＩの歩留まりを著しく低下さ
せることになりかねない。

【０００５】この対策としては、こういった硬化層をＨ
₂系ガスを添加したＲＩＥプロセスで、イオン衝撃を加
えることで除去し、しかる後、通常のアッシングを行う
という、所謂２ステップアッシング法が提案されている
（１９８９年春季応物ＩＰ−Ｌ−１３藤村他、Ｐ．５７
４）。

【０００６】しかし、こういった方法では工程が増えた
り、装置が大掛かりになる問題がある。更には、Ｈ₂Ｒ
ＩＥの処理時間に長時間を要し、スループットが低下す
る等の問題点があり、更なる改善プロセスが切望されて
いる。

【０００７】本発明は、このような問題点に着目して創
案されたものであって、残渣等の生じない低パーティク
ルなレジスト除去方法を得んとするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
レジストのプラズマアッシングの際に、アッシングガス
に還元性のガスを添加し、その還元性ガスがＣＯＦまた
はＳＯＦ ₂ またはＮＯＦであることを特徴としている。
なお、上記還元性ガスは、ＣＯまたはＳＯ ₂ ま たはＮＯ ₂
であっても良い。また、ＣＯまたはＳＯ ₂ またはＮＯ ₂ の
還元性のガスに、フッ素原子を含有するガスを添加して
も良い。

【０００９】請求項２記載の発明は、ＣＯＦまたはＳＯ
Ｆ ₂ またはＮＯＦの還元性のガスに、水素原子を含有す
るガスを添加することを特徴としている。なお、ＣＯま
たはＳＯ ₂ またはＮＯ ₂ の還元性のガスに、水素原子を含
有するガスを添加しても良い。

【００１０】請求項３記載の発明は、ＣＯＦまたはＳＯ
Ｆ ₂ またはＮＯＦの還元性のガスに、Ｈ₂ガスまたはＨ₂
ＯガスまたはＮＨ ₃ ガスを添加することを特徴としてい
る。なお、ＣＯ又はＳＯ ₂ またはＮＯ ₂ の還元性のガス
に、Ｈ ₂ ガスまたはＨ ₂ ＯガスまたはＮＨ ₃ ガスを添加し
ても良い。

【００１１】また、ＣＯまたはＳＯ ₂ またはＮＯ ₂ の還元
性のガスに、水素原子を含有するガス及びフッ素原子を
含有するガスを添加しても良い。

【００１２】さらに、ＣＯまたはＳＯ ₂ またはＮＯ ₂ の還
元性のガスに、Ｈ ₂ またはＨ ₂ ＯまたはＮＨ ₃ のガス、及
びフッ素原子を含有するガスを添加しても良い。

【００１３】さらにまた、本発明におけるレジストのプ
ラズマアッシングにおいて、酸素プラズマアッシング後
に、還元性のガス中でプラズマを照射しても良い。

【００１４】

【作用】請求項１記載の発明は、プラズマアッシングガ
スに還元性を有するガスを添加することにより、イオン
注入済みのレジストのＯ₂プラズマ処理によって形成さ
れたドーパントの酸化物を容易に還元できるため、残渣
発生を抑制する作用を有する。例えば、アッシング後の
残渣発生の主因となるドーパントの酸化物は、その結合
エネルギーがＢ−Ｏ１７３ｋｃａｌ／ｍｏｌ，Ｐ−Ｏ１
４４ｋｃａｌ／ｍｏｌ，Ａｓ−Ｏ１１４ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌであるが、還元性のガスによって酸化物は容易に還元
除去できる。このため、還元性のガスをプラズマアッシ
ングガスに添加することにより、残渣の無い良好なレジ
ストアッシングを可能にする。

【００１５】還元性ガスがＣＯまたはＳＯ ₂ またはＮＯ ₂
である場合、夫々Ｃ−Ｏで２５６．７ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌ，Ｓ−Ｏで１２４．４ｋｃａｌ／ｍｏｌ，Ｎ−Ｏで１
４９．７ｋｃａｌ／ｍｏｌである。このため、ＣＯは、
Ｂ−Ｏ（１７３ｋｃａｌ／ｍｏｌ），Ｐ−Ｏ（１４４ｋ
ｃａｌ／ｍｏｌ），Ａｓ−Ｏ（１１４ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌ）を容易に還元する作用を有する。また、ＳＯ₂は、
Ａｓ−Ｏを還元し、ヒ素（Ａｓ）をイオン注入したレジ
ストの残渣を抑制することができる。ＮＯ₂は、上記結
合エネルギーより、Ａｓ−Ｏ及びＰ−Ｏを還元し、ヒ素
及びリン（Ｐ）をイオン注入した場合の酸化物残渣を抑
制する作用がある。

【００１６】請求項１記載の発明のように、還元性ガス
がＣＯＦまたはＳＯＦ ₂ またはＮＯＦである場合、還元
性ガスがＣＯまたはＳＯ ₂ またはＮＯ ₂ である場合と同様
に、夫々Ｃ−Ｏ，Ｓ−Ｏ，Ｎ−Ｏの結合を有すると共
に、フッ素原子（Ｆ）を含有するため、プラズマ中での
Ｏ ^* の活性化率向上や、ドーパントをＰＦｘ，ＡｓＦ
ｘ，ＢＦｘ等という形で除去する作用を有する。また、
下地材料をエッチングしながらアッシングを行う作用を
有する。このため、レジストの除去を残渣なしで確実に
行うことが可能となる。

【００１７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明で奏される作用に加えて、水素原子を含有するガス
が、イオン注入によって形成されたレジスト表面の炭化
層を除去する作用を有する。

【００１８】請求項３記載の発明は、Ｈ₂のまたはＨ₂Ｏ
またはＮＨ₃を還元性のガスに添加することにより請求
項１記載の発明の作用に加えて、イオン注入によって形
成されたレジスト表面の炭化層を除去する作用を有す
る。

【００１９】なお、ＣＯまたはＳＯ ₂ またはＮＯ ₂ の還元
性のガスにフッ素原子を含有するガ スを添加した場合、
請求項１記載の発明で奏される作用（還元性ガスがＣＯ
またはＳＯ ₂ またはＮＯ ₂ である場合）に加えて、フッ素
原子を含有するガスにより下地材料をエッチングしなが
らアッシングを行う作用を有する。このため、レジスト
の除去を残渣なしで確実に行うことが可能となる。

【００２０】また、本発明において、酸素プラズマアッ
シング後に還元性のガス中でプラズマを照射した場合、
酸素プラズマアッシングによりレジストが除去され、ド
ーパントの酸化物等が半導体基板上に残渣として残留す
る。かゝる残渣は、還元性のガス中でプラズマを照射す
ることにより、還元除去される。このため、基板上に残
渣の生じないレジストの除去が可能となる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明に係るレジストの除去方法の詳
細を実施例に基づいて説明する。

【００２２】（実施例１） 本実施例は、先ず、シリコン基板上に図１（Ａ）に示し
たものと同様に、レジストパターンを形成した後、ヒ素
イオン（Ａｓ⁺）を１Ｅ１６，６０ＫｅＶの条件でイオ
ン注入した試料（シリコン基板）を準備する。

【００２３】なお、本実施例は、レジストとしてＴＳＭ
Ｒ−Ｖ３を用いた。

【００２４】次に、μ波放電を利用するプラズマアッシ
ャーに、上記試料をセットし、以下に示すような条件で
アッシングする。

【００２５】・ガス及びその流量 酸素（Ｏ₂） ……８００_SCCM 一酸化炭素（ＣＯ） ……２００_SCCM ・圧力 ……２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋｗ ・サセプタ温度………２５０℃ 本実施例では、ドーパントであるＡｓの酸化物のＡｓ−
Ｏの結合エネルギーが１１４ｋｃａｌ／ｍｏｌに対して
Ｃ−Ｏは２５６．７ｋｃａｌ／ｍｏｌとより安定である
ため、ＣＯ添加によって、これらの酸化物は容易に還
元、除去される。このため、アッシング後にシリコン基
板上に残渣が生じることがなく、良好なレジスト除去が
達成できる。

【００２６】（実施例２） 本実施例は、上記実施例１と同様の試料及びプラズマア
ッシャーを用いて、以下に示すような２段階のアッシン
グを行う。

【００２７】（第１段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 酸素（Ｏ₂） ……２０００_SOOM 窒素（Ｎ₂） ……２００_SOOM ・圧力 ……２６６Ｐａ ・μ波電力 ……１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ 次に、このような第１段階のアッシングによって基板上
に残ったドーパント（Ａｓ）の酸化物系残渣を除去すべ
く、以下の条件に切り替えてアッシングを行う。

【００２８】（第２段階のアッシング） ・ガス及びその流量 一酸化炭素（ＣＯ）……５００_SOOM ・圧力 ……１３３Ｐａ ・μ波電力 ……１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ 斯かる第２段階のアッシングを行うことにより、上記実
施例１と同様に、ＣＯの作用によって酸化物系残渣が除
去され、良好なアッシングが行える。本実施例において
は、上記実施例１のように、予めＣＯを添加していない
分、第１段階のアッシングレートが向上する（１μｍ／
分→２μｍ／分）ため、高スループットが実現できる。

【００２９】（実施例３） 本実施例は、上記実施例１と同様に、基板上にレジスト
パターンを形成した後、リンイオン（Ｐ⁺）を同条件で
イオン注入した試料を用いた。そして、実施例１と同様
の装置を用いて、以下に示すような２段階のアッシング
を行う。

【００３０】（第１段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 酸素（Ｏ₂）………２００scc_M 窒素（Ｎ₂）………２００scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度……２５０℃ 次に、基板上に残った残渣を除去すべく、第２のアッシ
ングを以下の条件で行う。

【００３１】（第２段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 酸素（Ｏ₂）………７５０scc_M 水（Ｈ₂Ｏ）……… ５０scc_M 一酸素炭素(ＣＯ)…２００scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度……２５０℃ 上記第２段階のアッシングにおいては、ＣＯ添加でＰＯ
ｘを除去し、さらには、Ｈ₂０からＨの寄与で、イオン
注入による表面の炭化層も除去できるため、残渣の全く
無い良好なアッシングが実現できる。なお、上記ガス系
にフッ素原子を含有するガスを添加すれば、下地材料を
エッチングしながらアッシングを行うことも可能とな
る。

【００３２】（実施例４） 本実施例は、上記実施例１と同様に、基板上にレジスト
パターンを形成した後、ヒ素イオン（Ａｓ⁺）を１Ｅ１
６，６０ｋｅＶの条件でイオン注入した後、μ波放電を
利用したプラズマアッシャーで以下に示す条件でアッシ
ングを行う。

【００３３】・ガス及びその流量 酸素（Ｏ₂）………８００scc_M 二酸化イオウ（ＳＯ₂）……… ２００scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１０００Ｗ ・サセプタ温度 ……２５０℃ 本実施例では、アッシングガスに、ＳＯ₂を添加したこ
とにより、還元が進み、Ａｓの酸化物等の残渣が基板上
に残るのを防止できる。なお、ＮＯ₂を同様の条件で添
加した場合にも、還元作用が得られ、同様の効果を奏し
た。

【００３４】（実施例５） 本実施例は、上記実施例１と同様の試料を作成し、同様
のアッシャーで以下に示すような２段階のアッシングを
行う。

【００３５】（第１段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 酸素（Ｏ₂）………２０００_Scc_M 窒素（Ｎ₂）……… ２００scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ このアッシング処理によって、基板上に残ったドーパン
ト（Ａｓ）の酸化物系残渣を除去すべく第２段階のアッ
シングを行う。

【００３６】（第２段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 ＮＯ₂ ………５００scc_M ・圧力 ………１３３Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ この第２段階のアッシングにおいては、ＮＯ₂がドーパ
ントの酸化物系残渣を還元、除去するため、良好なレジ
スト除去が達成できた。なお、本実施例では、第１段階
のアッシングでＮＯ₂を添加しないため、アッシングレ
ートが向上し（１μｍ１分→２μｍ１分）高スループッ
トで実現できた。なお、オーバーアッシングに、アッシ
ングガスにＳＯ₂を添加したものを用いても、本実施例
と同様の効果が得られた。

【００３７】（実施例６） 本実施例は、レジストパターンを形成した基板に、ドー
パントとしてリンイオン（Ｐ⁺）をイオン注入して成る
試料を、μ波放電を利用するプラズマアッシャーを用い
て以下に示すような２段階のアッシングを行う。

【００３８】（第１段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 酸素（Ｏ₂）………２０００scc_M 窒素（Ｎ₂）……… ２００scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ （第２段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 Ｏ₂ ………７５０scc_M Ｈ₂Ｏ ……… ５０scc_M ＮＯ₂ ………２００scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ 上記第１段階のアッシングにより、基板上に残ったリン
の酸化物（ＰＯｘ）は、第２段階のアッシングでＮＯ₂
に還元されて除去される。また、第２段階のアッシング
においては、アッシングガスにＨ₂Ｏが添加されている
ため、レジスト表面でイオン注入の影響で形成された炭
化層をＨの寄与により除去することもできる。本実施例
においても、残渣の全く残らない良好なアッシングが行
えた。なお、本実施例では、炭化層を除するため、Ｈ₂
Ｏを添加したが、Ｈ₂，ＮＨ₂等の水素原子を含有するガ
スを添加してもよい。

【００３９】（実施例７） 本実施例は、上記実施例１と同様に、Ａｓ⁺を１Ｅ１
６，６０ｋｅＶの条件でイオン注入したレジストパター
ンをμ波放電を利用したプラズマアッシャーでアッシン
グした。

【００４０】・ガス及びその流量 Ｏ₂ ………８００scc_M ＣＯＦ₂ ……… ５０scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ 本実施例では、ＣＯＦ₂の添加により、Ａｓの酸化物の
還元による除去、及びＡｓＦｘという形での除去が進む
ため、残渣の無い良好なアッシングが実現できた。な
お、本実施例では、ＣＯＦ₂を添加したが、ＣＯＦを添
加しても同様の作用・効果を得ることが可能である。

【００４１】（実施例８） 本実施例も上記実施例１と同様の試料を用いて、以下に
示す２段階の条件でレジストのアッシングを行った。

【００４２】（第１段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 Ｏ₂ ………２０００scc_M Ｎ₂ ……… ２００scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ （第２段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 Ｏ₂ ………８００scc_M ＣＯＦ₂ ………２００scc_M ・圧力 ………１３３Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ 上記第１段階のアッシングにより、基板上にドーパント
（Ａｓ）の酸化物系残渣が残る。そして、第２段階のア
ッシングにおいては、ＣＯＦ₂が添加されているため、
Ａｓの酸化物は還元されて基板上から除かれる。本実施
例においても、大部分のレジストを除く第１段階のアッ
シングと、ドーパントの酸化物を除くための第２段階の
アッシングとに分けたことにより、全体的なアッシング
レートが向上するため、高スループットでレジスト除去
が実現できた。

【００４３】なお、本実施例では、ＣＯＦ₂を第２段階
のアッシングの際に、添加したがＣＯＦを添加してもよ
い。

【００４４】（実施例９） 本実施例では、リンをイオン注入した試料を用意し、μ
波放電を利用したプラズマアッシャーを用いて、以下に
示す２段階のアッシングを行った。

【００４５】（第１段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 Ｏ₂ ………２０００scc_M Ｎ₂ ……… ２００scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ （第２段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 Ｏ₂ ………７５０scc_M Ｈ₂Ｏ ……… ５０scc_M ＣＯＦ₂ ………２００scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ 本実施例においては、第１段階のアッシング後に、基板
上に残った残渣（リン酸化物，炭化層）を第２段階残っ
たアッシングで除去した。第２段階のアッシングガスに
添加したＣＯＦ₂は、リン酸化物（ＰＯｘ）を還元して
基板上から除去する作用を有する。また、Ｈ₂Ｏは、イ
オン注入によってレジスト表面に形成された炭化層を、
Ｈの寄与により除去する作用を有する。

【００４６】本実施例においても、基板上に残渣が全く
生じないアッシングが達成できた。なお、水素原子を含
有するガスとフッ素原子を含有するガスとの組合せは、
本実施例のＨ₂ＯとＣＯＦ₂に限定されるものではない。

【００４７】（実施例１０） 本実施例は、上記実施例１と同様にＡｓ⁺をイオン注入
したレジストパターンを以下の条件でアッシングした。

【００４８】・ガス及びその流量 Ｏ₂ ……１０００_SCCM ＳＯＦ₂ ……５０_SCCM ・圧力 ……２６６Ｐａ ・μ波電力 ……１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ 本実施例においては、ＳＯＦ₂をアッシングガスに添加
したことにより、レジスト中のＡｓの酸化物が還元され
るため、残渣の無い良好なアッシングが実現できる効果
がある。なお、ＳＯＦ₂に代えてＮＯＦ，ＮＯＦ₂等をア
ッシングガスに添加した場合も、同様の効果が得られ
る。

【００４９】（実施例１１） 本実施例は、上記実施例１と同様の試料を、以下に示す
条件で２段階のアッシングを行った。

【００５０】（第１段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 Ｏ₂ ……２０００_SCCM Ｎ₂ ……２００_SCCM ・圧力 ……２６６Ｐａ ・μ波電力 ……１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ （第２段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 Ｏ₂ ……４５０_SCCM ＮＯＦ₂ ……５０_SCCM ・圧力 ……１３３Ｐａ ・μ波電力 ……１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ 本実施例においては、ＮＯＦ₂の還元作用でＡｓの酸化
物系残渣が除去できた。特に、ＮＯＦ₂を第２段階のア
ッシングのみに添加したことにより、全体的にアッシン
グレートが向上し（１μｍ／分→２μｍ／分）、高スル
ープットでアッシングが実現できた。なお、ＮＯＦ₂に
代えてＳＯＦ₂を添加してアッシングを行っても、同様
の効果が得られる。

【００５１】（実施例１２） 本実施例は、レジストパターンにリン，イオン（Ｐ⁺）
をイオン注入した試料を、以下に示す２段階の条件でア
ッシングした。

【００５２】（第１段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 Ｏ₂ ………２０００scc_M Ｎ₂ ………２００scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ （第２段階のアッシング条件） ・ガス及びその流量 Ｏ₂ ………９５０scc_M Ｈ₂Ｏ ………５０scc_M ＮＯＦ₂ ………５０scc_M ・圧力 ………２６６Ｐａ ・μ波電力 ………１ｋＷ ・サセプタ温度 ……２５０℃ 上記第１段階のアッシングで基板上にＰの酸化物（ＰＯ
ｘ）が残るが、第２段階のアッシングにおいてＮＯＦ₂
で還元されて除去される。また、レジスト表面の炭化層
は、添加されたＨ₂ＯのＨの寄与により除去される。

【００５３】以上、各実施例について説明したが、本発
明は、これらに限定されるものではなく、各種の変更が
可能である。

【００５４】例えば、上記実施例においては、還元性の
ガスとしてＣＯ，ＳＯ₂，ＮＯ₂，ＣＯＦ₂，ＳＯＦ，Ｎ
ＯＦ₂等を用いたがこれに限定されるものではない。

【００５５】また、上記実施例においては、Ｈ₂，Ｈ
₂Ｏ，ＮＨ₃等の水素原子を含有するガスを用いたが、他
のガスを選択することも可能である。

【００５６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るレジストの除去方法にあっては以下に説明する効
果を奏する。

【００５７】請求項１記載の発明は、還元性ガスが、レ
ジスト中のドーパントとの酸化物等を還元、除去するた
め、残渣の発生がなく、しかも高スループットのレジス
ト除去を可能にする効果がある。また、上記した効果に
加えて、下地材料をエッチングしながらアッシングする
ことが可能となるため、確実にレジストを除去する効果
がある。

【００５８】請求項２及び請求項３記載の発明は、アッ
シングガスに水素原子を含有させたため、Ｈの寄与によ
り、レジスト表面の炭化層を除去できる効果が有る。

【００５９】なお、本発明において、酸素プラズマアッ
シング後に還元性のガス中でプラズマを照射することに
より、アッシングレートが向上するため、高スループッ
トなレジスト除去を達成する効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）及び（Ｂ）は従来例のレジスト除去工程
を示す説明図。

【符号の説明】

１…基板 ２…レジスト ２ａ…硬化層 ２ｂ…残渣

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基体上にレジストパターンを形成
   し、該レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行
   い、その後レジストのプラズマアッシングを行うレジス
   トの除去方法において、 前記プラズマアッシングに用いるアッシングガスに還元
   性のガスを添加し、 前記還元性のガスは、ＣＯＦまたはＳＯＦ ₂ またはＮＯ
   Ｆであることを特徴とするレジストの除去方法。
2. 【請求項２】 前記還元性のガスに水素原子を含有する
   ガスを添加した請求項１記載のレジストの除去方法。
3. 【請求項３】 前記水素原子を含有するガスは、Ｈ ₂ ま
   たはＨ ₂ ＯまたはＮＨ ₃ である請求項２記載のレジストの
   除去方法。