DE4105103C2 - - Google Patents

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum anisotropen Ätzen. Die Erfindung betrifft weiter eine Vorrichtung zur Durchführung eines sol­ chen Plasmaätzverfahrens.
Bei der Herstellung dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zu­ griff von 4 Megabit oder noch höher integrierten Einrichtun­ gen ist die Anwendung von Submikrometerstrukturen unentbehr­ lich. Zur Realisierung von Submikrometerstrukturen für die Herstellung von VLSI-Einrichtungen ist es erforderlich, Strukturen mit anisotropem Profil ohne Verunreinigungen und Fäden zu bilden. Als eine diesen Anforderungen genügende Technologie wurde ein neues Ätzverfahren unter Benutzung der Elektron-Zyklotronresonanz (im folgenden bezeichnet als ECR) vorgeschlagen (N. Fujiwara et al. 1988 DRY PROCESS SYMPOSIUM p. 9).
Das Plasmaätzen unter Nutzung der ECR (im folgenden bezeich­ net als ECR-Plasmaätzen) als Verfahren zum Ätzen von Metallen wird verwendet für einkristallines Silizium, Polysilizium, Verbindungen oder ähnliches, mit dem Plasma eines Halogen­ gases, wie Cl2 oder ähnlichem. Dieses Verfahren ermöglicht das Ätzen eines zu behandelnden Substrates ohne Verunreini­ gung oder Schäden. Eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens ist z. B. in DE 38 44 034 A1 angegeben.
Fig. 5 ist eine Querschnittsdarstellung einer die ECR benut­ zenden Plasmareaktionsapparatur. Die Plasmareaktionsapparatur hat eine Probenkammer 2 zur Aufnahme eines zu behandelnden Substrates 4. In der Probenkammer 2 ist eine Probenplatte 3 angeordnet, die das zu behandelnde Substrat 4 trägt. Eine Plasmaerzeugungskammer 1 zur Erzeugung des Plasmas 20 darin ist mit dem oberen Teil der Probenkammer 2 verbunden. Eine Mikro­ welleneinstrahlöffnung ist im oberen Teil der Plasmaerzeu­ gungskammer 1 angeordnet. Eine Mikrowellenquelle 6 ist über einen Wellenleiter 40 mit der Mikrowelleneinstrahlöffnung 5 verbunden. Die Mikrowellenquelle 6 ist beispielsweise ein Magnetron oder Klystron. Magnetische Spulen 9a, 9b zur Erzeu­ gung eines magnetischen Feldes in der Plasmaerzeugungskammer 1 sind um die Plasmaerzeugungskammer 1 herum angeordnet. Im oberen Teil der Plasmaerzeugungskammer 1 ist eine Gaseinlaß­ öffnung 50 zum Einleiten von reaktivem Gas und ähnlichem in die Plasmaerzeugungskammer 1 vorgesehen. Im unteren Teil der Probenkammer 2 ist eine Austrittsöffnung 8 zum Austritt von Gas in der Probenkammer 2 vorgesehen.
Im folgenden wird die Arbeitsweise der Plasmareaktionsappara­ tur beschrieben. Die Fig. 6A und 6B sind Querschnittsdarstel­ lungen, die das Verfahren des Ätzens eines zu behandelnden Substrates unter Nutzung der Plasmareaktionsvorrichtung zei­ gen.
Das zu behandelnde Substrat 4 wird auf der Probenplatte 3 an­ geordnet. Nach Fig. 6A ist das zu behandelnde Substrat 4 her­ gestellt durch Ausbildung einer Oxidschicht 55 auf einem Halbleitersubstrat 53, durch Ausbildung einer Aluminiumlegie­ rungsschicht 54 auf der Oxidschicht 55 und Ausbildung eines Resistmusters 52 mit einer vorgegebenen Form auf der Alumini­ umlegierungsschicht 54. Danach wird während des Einleitens von reaktivem Gas (Cl2, Br2 oder ähnlichem) in die Plasmaer­ zeugungskammer 1 durch die Gaseinlaßöffnung 50 Gas durch die Austrittsöffnung 8 abgeleitet. Auf diese Weise wird das Innere der Plasmaerzeugungskammer und der Probenkammer 2 in einem vorgegebenen Vakuumzustand gehalten. Unter dieser Be­ dingung wird mittels der magnetischen Spulen 9a, 9b in der Plasmaerzeugungskammer 1 ein magnetisches Feld erzeugt. Von der Mikrowellenquelle 6 über den Mikrowellenleiter 40 werden Mikrowellen in die Plasmaerzeugungskammer 1 eingestrahlt. Die Stärke des magnetischen Feldes ist beispielweise 0,0875 Tesla (875 Gauß) und dann ist die Frequenz der Mikrowellen beispielsweise 2,45 GHz. Dann absorbieren die Elektronen im reaktiven Gas Energie aus dem Mikrowellenfeld und bewegen sich spiralförmig. Die sich spiralförmig bewegenden Elektronen stoßen gegen die re­ aktiven Gasmoleküle, dadurch wird im Reaktionsgas ein Plasma hoher Dichte erzeugt, und in der Plasmaerzeugungskammer 1 wird ein Plasmagebiet 20 erzeugt. Das in der Plasmaerzeu­ gungskammer 1 erzeugte Plasma des reaktiven Gases wird durch magnetische Kraftlinien in die Probenkammer 2 transportiert. Das in die Probenkammer 2 transportierte Plasma des Reakti­ onsgases ätzt die Oberfläche des zu behandelnden Substrates 4.
Das Oberflächenätzen des zu behandelnden Substrates 4 wird im einzelnen unter Bezugnahme auf Fig. 3B beschrieben.
Fig. 3B zeigt die Bewegung der reaktiven Ionen bei einem Plasmaätzverfahren. Als reaktives Gas wird Cl2 verwendet. Wie in Fig. 3B gezeigt, wird das zu behandelnde Substrat 4 von der Probenplatte 3 getragen. Das zu behandelnde Substrat 4 umfaßt ein Halbleitersubstrat 53, eine auf dem Halbleitersub­ strat 53 gebildete Oxidschicht 55, eine auf der Oxidschicht 55 gebildete (zur Ausbildung einer Verbindung zu ätzende) Aluminiumlegierungsschicht 54 und ein auf der Aluminiumlegie­ rungsschicht 54 gebildetes Resistmuster 52.
Wenn nun in der (nicht gezeigten) Probenkammer ein Plasma­ gebiet 20 gebildet ist, wird die das zu behandelnde Substrat 4 tragende Probenplatte negativ geladen. Dann wird zwischen dem Plasmagebiet 20 und der Probenplatte 3 ein starkes elek­ trisches Feldgebiet erzeugt, das im folgenden als Mantelge­ biet 51 bezeichnet wird. Die reaktiven Ionen (Cl⁺) im Plasma­ gebiet 20 werden mittels des elektrischen Feldes im Mantelge­ biet 51 beschleunigt und auf das zu behandelnde Substrat 4 gelenkt. Auf diese Weise wird die Aluminiumlegierungsschicht 54 graduell geätzt, wie in Fig. 6B gezeigt, was ein Verbin­ dungsmuster 54a liefert. Entsprechend diesem Verfahren kann das Ätzen von Aluminiumlegierungsschichten 54 ohne Verunrei­ nigung und Schädigung des zu behandelnden Substrates durchge­ führt werden.
Es ist jedoch eine Eigenart der ECR-Entladung, daß wegen des schwachen elektrischen Feldes im Mantelgebiet 51 - wie in Fig. 3B gezeigt - die im Plasmagebiet 20 existierenden reak­ tiven Ionen (Cl⁺) nicht vertikal auf das zu behandelnde Sub­ strat 4 auftreffen. Damit kann in der ECR-Entladung kein hin­ reichend anisotropes Ätzen ausgeführt werden, und - wie in Fig. 6B zu sehen - der Querschnitt des Verbindungsmusters weist schräge Seitenwände auf.
Die japanische Offenlegungsschrift Nr. 60-2 17 634 beschreibt ein Plasmaätzverfahren - das allerdings kein Verfahren unter Verwendung der ECR-Entladung ist - , das dadurch gekennzeich­ net ist, daß Aluminium oder etwas ähnliches mit einem Misch­ gas unter Einschluß eines Reaktionsgases vom Chlor-Typ und Wasserstoffplasma geätzt wird. Bei diesem Verfahren gibt es jedoch Probleme mit Verunreinigungen und Schädigungen des Halbleitersubstrates. Es gibt zudem keinen Hinweis auf Gase, mit denen die Anisotropie verhindert werden könnte.
In der japanischen Patent-Offenlegungsschrift Nr. 1- 2 72 769 ist eine Plasmaerzeugungsvorrichtung aus einem ersten und einem zweiten Plasmagenerator zur unabhängig gesteuerten Erzeugung eines Plasmas und einer Einrichtung zum Mischen der Plasmen beschrieben. Mittels dieser Vorrichtung ist ein Plasmaätzen mit guter Steuerbarkeit und Gleichförmigkeit des Ätzmusters durchführbar. Allerdings werden zwei voneinander unabhängige Plasmaerzeugungsvorrichtungen mit entsprechenden Stromversorgungs- und Steuereinrichtungen benötigt. In der genannten Druckschrift wird als erstes, der ersten Plasmaerzeugungskammer zuzuführendes Gas C₂F₆, Cl₂, SF₆, HBr und als zweites, der zweiten Plasmaerzeugungskammer zuzuführendes Gas SF₆ genannt. Das Ätzverfahren soll also jedenfalls mit SF₆ als Reaktionsgas stattfinden, was infolge der Erzeugung einer unvermeidlich großen Anzahl von Radikalen nur eine begrenzte Anisotropie des Verfahrens ermöglicht und zudem mit höchst nachteiligen Schwefel-Verunreinigungen verbunden ist.
In Appl. Phys. Lett. 57 (6) 6. August 1990, Seite 596-598 ist ein Ätzverfahren unter Verwendung eines Mischgases aus Cl₂ und N₂ bzw. Cl₂, N₂ und O₂ beschrieben. Die hier verwendete Ätzgasmischung hat allerdings den Nachteil, daß beim Veraschen ("Ashing") des verbliebenen Resists Rückstände auf der Substratoberfläche verbleiben, die die weiteren Verfahrensschritte behindern.
Aus DE 30 16 736 A1 ist ein weiteres Verfahren zum reaktiven Ionenätzen von Silizium unter Verwendung eines Mischgases, und zwar hier eines Mischgases aus CF₄ und H₂, bekannt. Die Verwendung von CF₄ als Reaktionsgas führt zu Verunreinigungen infolge von Kohlenstoff-Abscheidungen, die die weiteren Verfahrensschritte nachteilig beeinflussen.
Aus EP 00 90 067 B1 ist ein Verfahren zum reaktiven Ionenätzen von Silizium bekannt, bei dem ein Mischgas aus Cl₂ und He verwendet wird. Die Beimischung des Heliums, das nicht leicht in den Plasmazustand zu versetzen ist, bringt die Notwendigkeit hoher Beschleunigungsspannungen mit sich, die wiederum ernsthafte Schädigungen des Substrates durch die auf diese Weise erzeugten hochenergetischen Cl-Ionen zur Folge haben.
Dieses Verfahren stellt ein Verfahren zum aniosotropen Ätzen eines Substrates unter Verwendung eines Plasmas eines reaktiven Gases dar, bei dem das zu behandelnde Substrat in ein Bearbeitungsgefäß eingebracht, ein ein reaktives Gas und ein Leichtgas enthaltendes Mischgas in das Bearbeitungsgefäß eingebracht und aus dem Mischgas, das das reaktive Gas und das Leichtgas enthält, ein Plasma erzeugt wird.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum anisotropen Ätzen eines Substrates ohne Schädigungen des Substrates bereitzustellen, das sich durch verbesserte Anisotropie auszeichnet. Weiterhin soll eine Vorrichtung zum anisotropen Ätzen ohne Schädigung des Substrates und mit verbesserter Anisotropie bereitgestellt werden.
Die genannte Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen nach Patentanspruch 1 gelöst.
Zweckmäßige Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen dazu.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung zum anisotropen Ätzen weist die Merkmale des Patentanspruchs 11 auf.
Zweckmäßige Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen dazu.
Nach dem erfindungsgemäßen Ätzverfahren wird, wenn aus dem Mischgas durch Elektron-Zyklotronresonanz ein Plasma erzeugt wird, ein Teil der Energie der reaktiven Ionen durch das Plasma der in dem leichten Gas enthaltenen Atome kleinerer Masse aufgenom­ men, was zu einem Absinken der kinetischen Energie der reak­ tiven Ionen führt. Im Ergebnis treffen, da ihre kinetische Energie abgesunken ist, die reaktiven Ionen, wenn sie das Mantelgebiet erreichen, vertikal längs des elektrischen Fel­ des im Mantelgebiet auf das Substrat auf. Dadurch wird ein Ätzprozeß mit starker Anisotropie ermöglicht.
Außerdem wird entsprechend der Erfindung aus dem Wasserstoffhalogenid Halo­ genplasma (d. h. Cl⁺) erzeugt, so daß das Halogenplasma zum Ätzen beiträgt. Im Ergebnis dessen wird das Plasmaätzen effi­ zienter ausgeführt.
Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigt
Fig. 1 eine Querschnittsdarstellung einer Plas­ maätzapparatur zur Durchführung einer Ausführungsform des Verfahrens,
Fig. 2A-2C Querschnittsdarstellungen, die Schritte des Bildens eines Verbindungsmusters auf einem Halbleitersubstrat zeigen,
Fig. 3A eine Skizze, die die Bewegung der reakti­ ven Ionenspezies in dem Fall zeigt, daß das Plasma in einem aus Cl2- und HCl-Gas zusammengesetzten Mischgassystem erzeugt ist,
Fig. 3B eine Skizze, die die Bewegung der reakti­ ven Ionenspezies in dem Fall zeigt, daß das Plasma durch Elektron-Zyklotron­ resonanz erzeugt wird,
Fig. 4 eine Querschnittsdarstellung einer Plas­ maätzvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einer anderen Ausfüh­ rungsform,
Fig. 5 eine Querschnittsdarstellung einer her­ kömmlichen Plasmaätzvorrichtung, die sich der Elektron-Zyklotronresonanz bedient,
Fig. 6A und 6B Querschnittsdarstellungen, die die übli­ chen Schritte des Ätzens eines Substrates durch Elektron-Zyklotronresonanz zei­ gen.
Fig. 1 ist eine Querschnittsdarstellung einer Plasmaätzvor­ richtung entsprechend einer Ausführungsform. Die in Fig. 1 gezeigte Plasmaätzvorrichtung ist die gleiche wie die in Fig. 5 gezeigte herkömmliche Plasmaätzvorrichtung mit Ausnahme der nachfolgenden Punkte, so daß die entsprechenden Abschnitte mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind und deren Be­ schreibung nicht wiederholt wird.
Nach Fig. 1 ist ein Gaseinlaßrohr 7 mit der Gaseinlaßöffnung 50 verbunden. Eine Halogengasflasche 41, die mit Halogengas als Reaktionsgas gefüllt ist, ist über einen Durchflußregler 42 und ein Ventil 43 mit dem Gaseinlaßrohr 7 verbunden. Die in Fig. 1 gezeigte Plasmavorrichtung unterscheidet sich von der herkömmlichen Vorrichtung nach Fig. 5 dadurch, daß die Wasserstoffhalogenid-Gasflasche 44, die mit Wasserstoffhalo­ genid gefüllt ist, über einen Durchflußregler 45 und ein Ven­ til 46 mit dem Gaseinlaßrohr 7 verbunden ist.
Im folgenden wird ein Verfahren zur Ausbildung eines Verbin­ dungsmusters auf einem Halbleitersubstrat unter Verwendung der beschriebenen Plasmaätzvorrichtung erläutert.
Die Fig. 2A bis 2C sind Querschnittsdarstellungen zur Be­ schreibung der Schritte zur Bildung eines Verbindungsmusters auf einem Halbleitersubstrat.
Nach Fig. 2A wird auf einem Halbleitersubstrat 53 eine Oxid­ schicht 55 und auf der Oxidschicht 55 eine Aluminiumlegie­ rungsschicht 54 gebildet. Auf der Aluminiumlegierungsschicht 54 wird ein eine vorgegebene Gestalt aufweisendes Resistmu­ ster 52 ausgebildet.
Das auf diese Weise hergestellte Substrat 4 wird nach Fig. 1 auf eine Probenplatte 3 gebracht. Dann wird das Ventil 43 ge­ öffnet, um aus der Halogengasflasche 41 Reaktionsgas in die Plasmaerzeugungskammer 1 einzuleiten. Zur gleichen Zeit wird das Ventil 46 geöffnet, um aus der Wasserstoffhalogenid-Gas­ flasche 44 Wasserstoffhalogenid in die Plasmaerzeugungskammer 1 einzuleiten. Die eingeleitete Menge des Wasserstoffhaloge­ nids beträgt 20 bis 70 Vol.-% des Reaktionsgases, vorzugs­ weise 50 Vol.-%. Das Reaktionsgas ist Halogengas, vorzugs­ weise Cl2. Das bevorzugte Wasserstoffhalogenidgas ist HCl- Gas. Das HCl-Gas und das Cl2-Gas werden in die Plasmaerzeu­ gungskammer 1 mit einer Gesamt-Durchflußrate von 30 bis 200 Standard-ccm/min (Standard-ccm pro Minute) eingeleitet. Da­ nach wird das in der Plasmaerzeugungskammer 1 und der Proben­ kammer 2 befindliche Gas durch die Austrittsöffnung 8 abge­ leitet, so daß in der Plasmaerzeugungskammer 1 und der Pro­ benkammer 2 ein Vakuum von 0,1 bis 1 Pa entsteht. In diesem Zustand wird mittels der magnetischen Spulen 9a und 9b in der Plasmaerzeugungskammer 1 ein magnetisches Feld erzeugt. Von der Mikrowellenquelle 6 werden durch einen Wellenleiter 40 Mikrowellen mit einer Leistung von 50 bis 500 W in die Plas­ maerzeugungskammer 1 eingekoppelt. Die Stärke des magneti­ schen Feldes ist beispielsweise 0,0875 Tesla (875 Gauß), und dann ist die Mikrowellenfrequenz beispielsweise 2,45 GHz. Auf diese Weise absorbieren Elektronen im Reaktionsgas Energie aus dem Mikro­ wellenfeld, so daß die Reaktionsgasmoleküle ionisiert werden.
Das wird als Elektron-Zyklotronresonanz bezeichnet, die in der Plasmaerzeugungskammer 1 ein Plasmagebiet 20 erzeugt.
Fig. 3A zeigt die Bewegung der reaktiven Ionenspezies in dem Falle, daß das Plasma im Mischgassystem entsprechend der Aus­ führungsform erzeugt wird. Wenn aus einem Mischgas aus Cl2- Gas und HCl-Gas durch ECR-Resonanz ein Plasma erzeugt wird, wird - wovon die Ursache nicht klar verstanden ist - die Energie bzw. ein Teil der Energie der reaktiven Ionen (Cl⁺) durch das H⁺-Plasma aufgenommen, was zu einem Abfallen der kinetischen Energie der Cl⁺-Ionen führt. Im Ergebnis dessen treffen die Cl⁺-Ionen mit verringerter kinetischer Energie beim Erreichen des Mantelgebietes 11 entlang dem elektrischen Feld im Mantelgebiet senkrecht auf das zu behandelnde Sub­ strat 4 auf. Damit kann, wie in Fig. 2B gezeigt, die Alumi­ niumlegierungsschicht 54 mit ausgeprägter Anisotropie geätzt werden. In diesem Falle trägt, da ein Halogenplasma (Cl⁺) aus Wasserstoffhalogenid erzeugt wird, auch dieses Halogenplasma zum Ätzen bei. Im Ergebnis dessen kann das Plasmaätzen effi­ zienter ausgeführt werden.
Dann kann, wie Fig. 2B und 2C zeigen, nach Entfernen des Resistmusters 52 ein Verbindungsmuster 54a mit zum Substrat senkrechten Seitenwänden erhalten werden.
Obwohl als Beispiel eines Reaktionsgases in der Ausführungs­ form Cl2-Gas gewählt wurde, ist das Verfahren auf dieses Gas nicht beschränkt, es kann ein anderes Halogengas bzw. Reakti­ onsgas, wie CF4, SF6, NF3 und CHF3 verwendet werden.
Obwohl in der Ausführungsform der Fall dargestellt wurde, daß als leichtes Gas HCl benutzt wird, ist das Verfahren darauf nicht beschränkt, es können auch Wasserstoffhalogenide wie HF, HBr und HJ verwendet werden mit Atomen, die eine Masse kleiner als die der das Reaktionsgas bildenden Atome haben.
Obgleich eine Aluminiumlegierung als Beispiel für ein zu ätzendes Material dargestellt wurde, kann das auch ein an­ deres Material, wie Poly-Si, W, WSi und AlSi sein.
Fig. 4 ist eine Querschnittsdarstellung einer Plasmaätzvor­ richtung vom Parallelplattentyp entsprechend einer anderen Ausführungsform. Die Vorrichtung erzeugt ein Plasma eines reaktiven Gases ohne Verwendung der ECR-Resonanz.
Unter Bezugnahme auf Fig. 4 hat die Plasmaätzvorrichtung ein Bearbeitungsgefäß 10. Im Bearbeitungsgefäß 10 sind eine Platten-Hochfrequenzelektrode 11 und eine flache Platten- Hochfrequenzelektrode 12 zueinander parallel angeordnet. Eine Austrittsöffnung 8 zum Ableiten von Gas im Bearbeitungsgefäß 10 zur Erzeugung von Vakuumbedingungen in diesem ist im unte­ ren Teil des Bearbeitungsgefäßes 10 angeordnet. Im oberen Teil des Bearbeitungsgefäßes 10 ist ein Gaseinlaßrohr 7 zum Einleiten von Reaktionsgas in das Bearbeitungsgefäß 10 vorge­ sehen. Eine mit Halogengas gefüllte Halogengasflasche 41 ist über einen Durchflußregler 42 und ein Ventil 43 mit dem Gaseinlaßrohr 7 verbunden. Eine Wasserstoffhalogenid-Gasfla­ sche 44, die mit Wasserstoffhalogenid gefüllt ist, ist über einen Durchflußregler 45 und ein Ventil 46 ebenfalls mit dem Gaseinlaßrohr 7 verbunden. Im oberen Teil ist die Platten­ hochfrequenzelektrode 11 angeordnet. Der Ausgang der Hochfre­ quenz-Spannungsquelle 13 ist mit der Platten-Hochfrequenz­ elektrode 12 im unteren Teil über einen Kondensator 14 ver­ bunden. Von der im unteren Teil angeordneten Platten-Hochfre­ quenzelektrode 12 wird ein zu behandelndes Substrat 4 getra­ gen.
Im folgenden wird die Wirkungsweise des Ätzens eines zu be­ handelnden Substrates unter Verwendung der beschriebenen Plasmaätzvorrichtung erläutert.
Gemäß Fig. 4 wird das zu behandelnde Substrat auf der Platten-Hochfrequenzelektrode 12 auf der Unterseite angeord­ net. Dann wird das Ventil 43 geöffnet, um Halogengas aus der Halogengasflasche 41 in die Bearbeitungskammer 10 einzulei­ ten. Zur gleichen Zeit wird das Ventil 46 geöffnet, um Was­ serstoffhalogenid aus der Wasserstoffhalogenid-Gasflasche 44 in die Bearbeitungskammer 10 einzuleiten. Die Menge des ein­ geleiteten Wasserstoffhalogenids ist etwa 50% des Halogen­ gases. Als Halogengas wird vorzugsweise Cl2 verwendet. Als Wasserstoffhalogenid wird vorzugsweise HCl verwendet. Gleich­ zeitig mit dem Einleiten des Halogengases und des Wasser­ stoffhalogenids in die Bearbeitungskammer 10 wird das Gas über die Austrittsöffnung 8 abgesaugt. Durch dieses Vorgehen wird im Inneren der Bearbeitungskammer 10 ein vorgegebener Grad von Vakuum aufrechterhalten. Durch Einschalten der Hoch­ frequenz-Spannungsquelle 13 wird an die Platten-Hochfrequenz­ elektrode 11 und die Platten-Hochfrequenzelektrode 12 eine Hochfrequenzspannung angelegt. Durch Anlegen der Hochfre­ quenzspannung wird ein Plasma des aus Cl2-Gas und HCl-Gas zu­ sammengesetzten Mischgases zwischen der Platten-Hochfrequenz­ elektrode 11 und der Platten-Hochfrequenzelektrode 12 er­ zeugt, wodurch ein Plasmagebiet 21 im Bearbeitungsgefäß 10 erzeugt wird. Wenn das Innere des Bearbeitungsgefäßes 10 die­ sen Zustand erreicht hat, ist die Platten-Hochfrequenzelek­ trode 12 auf der Seite, auf der sie das zu behandelnde Sub­ strat 4 trägt, negativ aufgeladen. Damit wird ein starkes elektrisches Feldgebiet, was als Mantelgebiet 22 bezeichnet wird, zwischen dem Plasmagebiet 21 und der Platten-Hochfre­ quenzelektrode 12 erzeugt. Zu diesem Zeitpunkt wird die Ener­ gie der reaktiven Ionen (Cl⁺) durch das H⁺-Plasma aufgenom­ men, was zu einem Abfall der kinetischen Energie der reakti­ ven Ionen führt. Im Ergebnis dessen treffen die reaktiven Ionen mit verringerter kinetischer Energie nach Erreichen des Mantelgebietes 22 senkrecht entlang dem elektrischen Feld im Mantelgebiet auf das zu behandelnde Substrat auf. Im Ergebnis dessen wird Ätzen mit hoher Anisotropie ermöglicht.

Claims (13)

1. Verfahren zum anisotropen Ätzen eines Substrates unter Verwendung eines Plasmas eines reaktiven Gases mit den Schritten:
  • - Einbringen des zu behandelnden Substrates in ein Bearbei­ tungsgefäß,
  • - Einleiten eines reaktiven, Halogengas enthaltenden Gases in das Bearbeitungsgefäß,
  • - Einleiten eines Wasserstoffhalogenid aus der Gruppe HF, HCl, HBr und HJ enthaltenden Leichtgases, das Atome mit einer Masse ent­ hält, die kleiner als die Masse der Atome des reaktiven Gases ist, in das Bearbeitungsgefäß und
  • - Ausbildung eines Plasmas des Mischgases, das das in das Bear­ beitungsgefäß eingeleitete reaktive Gas und Leichtgas ent­ hält.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Halogengas Chlorgas eingesetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß als Leichtgas H2-Gas eingesetzt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Leichtgas in das Bearbeitungsgefäß der­ art eingeleitet wird, daß das Leichtgas im Mischgas mit 20 bis 70 Vol.-% enthalten ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Leichtgas in das Bearbeitungsgefäß derart eingeleitet wird, daß die Menge des Leichtgases im Mischgas etwa 50 Vol.-% be­ trägt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das reaktive Gas und das Leichtgas in das Bearbeitungsgefäß mit einer Gesamt-Durchflußmenge von 30 bis 200 Standard-ccm/min eingeleitet werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Plasma durch Elektron-Zyklotronreso­ nanz erzeugt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Erzeugung des Mischgasplasmas durch Elektron- Zyklotronresonanz die Schritte umfaßt:
  • - Einkoppeln der Mikrowellenenergie in das Bearbeitungsgefäß, in das das Mischgas eingeleitet wurde,
  • - Erzeugen eines magnetischen Feldes im Bearbeitungsgefäß, in das das Mischgas eingeleitet wurde, und
  • - Ableiten eines Teiles des Mischgases aus dem Bearbeitungsge­ fäß.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß in das Bearbeitungsgefäß Mikrowellenenergie mit einer Lei­ stung von 50 bis 500 W eingeleitet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Ableitungsschritt so ausgeführt wird, daß das Vakuum im Bearbeitungsgefäß bei 0,1 bis 1 Pa liegt.
11. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zum anisotropen Ätzen eines Substrates nach einem der Ansprüche 1 bis 10 mit dem Plasma eines reaktiven Halogengas enthaltenden Gases mit
  • - einem Bearbeitungsgefäß (1, 10) zur Aufnahme des zu behandelnden Substrates (4),
  • - einer Reaktionsgas-Zufuhreinrichtung (41, 42, 43, 7, 50), die mit einem Gefäß zur Zuleitung des reaktiven Gases in das Bear­ beitungsgefäß (1, 10) verbunden ist,
  • - einer Leichtgaszufuhreinrichtung (44, 45, 46, 7, 50), die mit einem Gefäß zur Zufuhr eines Wasserstoffhalogenids aus der Gruppe HF, HCl, HBr und HJ enthaltenden Leichtgases, das Atome mit einer Masse geringer als die Masse der Atome des reaktiven Gases enthält, in das Bearbeitungsgefäß (1, 10) verbunden ist und
  • - einer dem Bearbeitungsgefäß (10) zugeordneten Plasmaerzeugungseinrichtung zur Erzeugung eines Misch­ gasplasmas (20; 21) aus dem Mischgas, das das in das Bearbei­ tungsgefäß (1, 10) eingeleitete reaktive Gas und Leichtgas ent­ hält.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Plasmaerzeugungseinrichtung enthält:
  • - eine Einrichtung zur Zufuhr von Mikrowellenenergie (6, 5, 40) in das Bearbeitungsgefäß (1, 10), in das das Mischgas eingeleitet wurde,
  • - eine Einrichtung zur Erzeugung eines magnetischen Feldes (9a, 9b) im Bearbeitungsgefäß (1), in das das Mischgas eingelei­ tet wurde, und
  • - eine Austrittseinrichtung (8) zum Ableiten eines Teiles des in das Bearbeitungsgefäß (1) eingeleiteten Mischgases.
15. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Plasmaerzeugungseinrichtung zwei parallele Platten (11, 12), die im Bearbeitungsgefäß (10) angeordnet sind, und von denen eine das Substrat (4) trägt, und eine Hochfrequenz- Spannungsquelle (13) zum Anlegen einer Hochfrequenz an die Platten (11, 12) enthält.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102294471A (zh) * 2010-06-24 2011-12-28 曹水秀 Nd-Fe-B永磁体的制造方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5304775A (en) * 1991-06-06 1994-04-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of etching a wafer having high anisotropy with a plasma gas containing halogens and in inert element
EP0535540A3 (en) * 1991-10-02 1994-10-19 Siemens Ag Etching process for aluminium-containing coatings
US5387556A (en) * 1993-02-24 1995-02-07 Applied Materials, Inc. Etching aluminum and its alloys using HC1, C1-containing etchant and N.sub.2
JP2804700B2 (ja) * 1993-03-31 1998-09-30 富士通株式会社 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
US5779926A (en) * 1994-09-16 1998-07-14 Applied Materials, Inc. Plasma process for etching multicomponent alloys
US5591301A (en) * 1994-12-22 1997-01-07 Siemens Aktiengesellschaft Plasma etching method
US5874363A (en) * 1996-05-13 1999-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Polycide etching with HCL and chlorine
KR980005793A (ko) * 1996-06-12 1998-03-30 김광호 반도체장치 제조공정의 플라즈마 식각 방법
US5976986A (en) * 1996-08-06 1999-11-02 International Business Machines Corp. Low pressure and low power C12 /HC1 process for sub-micron metal etching
US6268661B1 (en) * 1999-08-31 2001-07-31 Nec Corporation Semiconductor device and method of its fabrication
US5849641A (en) * 1997-03-19 1998-12-15 Lam Research Corporation Methods and apparatus for etching a conductive layer to improve yield
US6083815A (en) * 1998-04-27 2000-07-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of gate etching with thin gate oxide
JP2000164691A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
EP1079004A3 (de) * 1999-08-20 2001-09-26 Applied Komatsu Technology, Inc. Aluminium-Neodynium Ätzverfahren unter Verwendung von Jodwasserstoff
AU2002367908A1 (en) * 2002-05-01 2003-11-17 Danfoss A/S A method for modifying a metallic surface
WO2008153674A1 (en) * 2007-06-09 2008-12-18 Boris Kobrin Method and apparatus for anisotropic etching
CN107154331B (zh) * 2017-05-12 2019-04-02 中国科学院微电子研究所 钒的氧化物各向异性刻蚀的方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5021503B2 (de) * 1972-04-15 1975-07-23
US3994793A (en) * 1975-05-22 1976-11-30 International Business Machines Corporation Reactive ion etching of aluminum
JPS5814507B2 (ja) * 1975-07-09 1983-03-19 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション シリコンを選択的にイオン食刻する方法
JPS53138942A (en) * 1977-05-06 1978-12-04 Texas Instruments Inc Anticorrosive method of silicon
JPS5690525A (en) * 1979-11-28 1981-07-22 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
DE3016736A1 (de) * 1980-04-30 1981-11-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen geaetzter strukturen in siliziumoxidschichten
JPS5751265A (en) * 1980-09-10 1982-03-26 Hitachi Ltd Microwave plasma etching device
JPS5853832A (ja) * 1981-09-26 1983-03-30 Toshiba Corp プラズマエツチング装置
US4445267A (en) * 1981-12-30 1984-05-01 International Business Machines Corporation MOSFET Structure and process to form micrometer long source/drain spacing
EP0090067B2 (de) * 1982-03-31 1991-03-20 Ibm Deutschland Gmbh Reaktor für das reaktive Ionenätzen und Ätzverfahren
US4572765A (en) * 1983-05-02 1986-02-25 Fairchild Camera & Instrument Corporation Method of fabricating integrated circuit structures using replica patterning
US4502915B1 (en) * 1984-01-23 1998-11-03 Texas Instruments Inc Two-step plasma process for selective anisotropic etching of polycrystalline silicon without leaving residue
JPS60217634A (ja) * 1984-04-13 1985-10-31 Victor Co Of Japan Ltd プラズマエツチング法
JPS60241226A (ja) * 1984-05-16 1985-11-30 Hitachi Ltd ドライエツチング方法
US4528066A (en) * 1984-07-06 1985-07-09 Ibm Corporation Selective anisotropic reactive ion etching process for polysilicide composite structures
JPS6289882A (ja) * 1985-10-14 1987-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 気相エツチング方法
US4680085A (en) * 1986-04-14 1987-07-14 Ovonic Imaging Systems, Inc. Method of forming thin film semiconductor devices
JPH0789545B2 (ja) * 1986-04-23 1995-09-27 株式会社日立製作所 プラズマエッチング方法
KR900007687B1 (ko) * 1986-10-17 1990-10-18 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마처리방법 및 장치
JPS63211628A (ja) * 1987-02-26 1988-09-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
US4923562A (en) * 1987-07-16 1990-05-08 Texas Instruments Incorporated Processing of etching refractory metals
US4799991A (en) * 1987-11-02 1989-01-24 Motorola, Inc. Process for preferentially etching polycrystalline silicon
JP2668915B2 (ja) * 1988-02-12 1997-10-27 株式会社島津製作所 プラズマ処理装置
US4997520A (en) * 1988-06-10 1991-03-05 Texas Instruments Incorporated Method for etching tungsten
JPH0216732A (ja) * 1988-07-05 1990-01-19 Mitsubishi Electric Corp プラズマ反応装置
JPH0242722A (ja) * 1988-08-03 1990-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化合物半導体のエッチング方法，電極形成方法，エッチドミラー，分離溝およびエッチドミラーレーザ
JPH03222417A (ja) * 1990-01-29 1991-10-01 Nec Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102294471A (zh) * 2010-06-24 2011-12-28 曹水秀 Nd-Fe-B永磁体的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03241830A (ja) 1991-10-29
US5223085A (en) 1993-06-29
DE4105103A1 (de) 1991-08-22
JP2673380B2 (ja) 1997-11-05

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