CN110098108A - 一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法 - Google Patents

一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法，在聚酰亚胺薄膜上根据待制备的电极图形进行光刻与刻蚀，通过光刻胶在聚酰亚胺薄膜上固化形成电极图形，再通过氧等离子体刻蚀方法将聚酰亚胺薄膜上无光刻胶的部分刻穿并去除，得到最终所需的聚酰亚胺微掩膜。本发明的聚酰亚胺微掩膜制作简单，不仅提高了微掩膜的强度，成本也有大幅的缩减。

Description

一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法
技术领域
本发明涉及微纳米制造技术领域，具体涉及一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法。
背景技术
在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到晶圆（wafer）制造中间的一个过程，即光掩膜或称光罩(mask)制造。在石墨烯、黑磷等二维材料制作电极时候，为了提高器件的性能，我们要减小沟道尺寸的同时降低光刻胶对二维材料的污染，微掩膜便是最好的实现方法，而目前制备微掩膜的方法多是通过硅湿法刻蚀与干法刻蚀实现，但是硅湿法刻蚀与干法刻蚀存在易碎裂、成本高的缺点。
因此，急需开发一种新的微掩膜以克服上述缺陷。
发明内容
本发明目的在于提供一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法，其制作简单，不仅提高了微掩膜的强度，成本也有大幅的缩减。
为了解决现有技术中的这些问题，本发明提供的技术方案是：
一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法，在聚酰亚胺薄膜上根据待制备的电极图形进行光刻与刻蚀，通过光刻胶在聚酰亚胺薄膜上固化形成电极图形，再通过氧等离子体刻蚀方法将聚酰亚胺薄膜上无光刻胶的部分刻穿并去除，得到最终所需的聚酰亚胺微掩膜。
对于上述技术方案，发明人还有进一步的优化措施。
进一步地，所述聚酰亚胺薄膜的厚度为25~35um。
进一步地，在聚酰亚胺薄膜上根据待制备的电极图形进行光刻与刻蚀时采用的精度更高的正胶刻蚀。
更进一步地，在聚酰亚胺薄膜上进行正胶刻蚀时，在聚酰亚胺薄膜表面滩涂正光刻胶，形成与待制备的电极图形相对应的通道，再经前烘、曝光、后烘再显影形成预设的电极图形。
相对于现有技术中的方案，本发明的优点是：
本发明所提供的聚酰亚胺微掩膜的制作方法，其利用聚酰亚胺薄膜所具有的优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性以及耐介质性，在其上通过光刻、穿孔形成与电极图形相对应的微掩膜，制作简单，制作成本也较现有技术降低很多，同时还能够减少对二维材料的破坏与污染，提高产品质量。
附图说明
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
图1为本发明一个实施例中聚酰亚胺薄膜进行光刻与刻蚀后光刻胶在聚酰亚胺薄膜上固化形成电极图形的结构示意图；
图2为图1为本发明一个实施例中通过氧等离子体刻蚀方法将聚酰亚胺薄膜上无光刻胶的部分刻穿并去除所得聚酰亚胺微掩膜的结构示意图。
其中：
1、聚酰亚胺薄膜；2、光刻胶。
具体实施方式
以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解，这些实施例是用于说明本发明而不限于限制本发明的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。
实施例：
本实施例描述了一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法，在聚酰亚胺薄膜1上根据待制备的电极图形进行光刻与刻蚀，通过光刻胶2在聚酰亚胺薄膜1上固化形成电极图形，形成如图1所示的结构；再通过氧等离子体刻蚀方法将聚酰亚胺薄膜1上无光刻胶2的部分刻穿并去除，得到最终所需的如图2所示的聚酰亚胺微掩膜。
通常而言，所述聚酰亚胺薄膜1的厚度为25~35um。
在聚酰亚胺薄膜1上根据待制备的电极图形进行光刻与刻蚀时采用的精度更高的正胶刻蚀，实现高精度的光刻与刻蚀，以切合电极图形。
在聚酰亚胺薄膜1上进行正胶刻蚀时，在聚酰亚胺薄膜1表面滩涂正光刻胶2，形成与待制备的电极图形相对应的通道，再经前烘、曝光、后烘再显影形成预设的电极图形。
综上可知，本发明所提供的聚酰亚胺微掩膜的制作方法，其利用聚酰亚胺薄膜1所具有的优良的耐高低温性、电气绝缘性、粘结性、耐辐射性以及耐介质性，在其上通过光刻、穿孔形成与电极图形相对应的微掩膜，制作简单，制作成本也较现有技术降低很多，同时还能够减少对二维材料的破坏与污染，提高产品质量。
上述实例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人是能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所做的等效变换或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种聚酰亚胺微掩膜的制作方法，其特征在于，在聚酰亚胺薄膜上根据待制备的电极图形进行光刻与刻蚀，通过光刻胶在聚酰亚胺薄膜上固化形成电极图形，再通过氧等离子体刻蚀方法将聚酰亚胺薄膜上无光刻胶的部分刻穿并去除，得到最终所需的聚酰亚胺微掩膜。
2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺微掩膜的制作方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的厚度为25~35um。
3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺微掩膜的制作方法，其特征在于，在聚酰亚胺薄膜上根据待制备的电极图形进行光刻与刻蚀时采用的精度更高的正胶刻蚀。
4.根据权利要求3所述的聚酰亚胺微掩膜的制作方法，其特征在于，在聚酰亚胺薄膜上进行正胶刻蚀时，在聚酰亚胺薄膜表面滩涂正光刻胶，形成与待制备的电极图形相对应的通道，再经前烘、曝光、后烘再显影形成预设的电极图形。
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