TWM635672U - 光罩保護組件結構 - Google Patents

光罩保護組件結構 Download PDF

Info

Publication number
TWM635672U
TWM635672U TW111207320U TW111207320U TWM635672U TW M635672 U TWM635672 U TW M635672U TW 111207320 U TW111207320 U TW 111207320U TW 111207320 U TW111207320 U TW 111207320U TW M635672 U TWM635672 U TW M635672U
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
photomask
frame
concave
protection component
component structure
Prior art date
Application number
TW111207320U
Other languages
English (en)
Inventor
青柏 王
Original Assignee
美商微相科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商微相科技股份有限公司 filed Critical 美商微相科技股份有限公司
Priority to TW111207320U priority Critical patent/TWM635672U/zh
Publication of TWM635672U publication Critical patent/TWM635672U/zh

Links

Images

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

一種光罩保護組件結構,係包含有一框架、一有機膠層及一透光薄膜,該框架之內框具有一壁面,該壁面的表面上皆具有一凹凸表面,而該有機膠層係塗佈於該凹凸表面上,用以吸附微粒或是微塵,以避免汙染光罩表面。

Description

光罩保護組件結構
本創作是有關一種光罩保護組件結構,特別是一種透過膠層以及凹凸表面結構進行吸附微粒或是微塵,以避免汙染光罩表面之光罩保護組件結構。
依據目前的半導體元件製造技術,半導體元件的電路圖案是透過微影(lithography)製程將電路圖案轉印至矽晶圓的表面,具體而言是利用特定波長的光源投射通過光罩(photomask)的方式,將電路圖案轉印至矽晶圓的表面。為了在實現在單位面積上倍增半導體元件例如電晶體的數目,縮小半導體電路的線寬為其主要的技術方案,目前以波長193奈米的深紫外光(DUV)做為微影製程的曝光光源,可令半導體電路的最小線寬達到7~10奈米(nanometer, nm)。
由於半導體元件的微小化,在半導體元件的製造過程中,光罩的缺陷會造成矽晶圓表面之電路圖案的扭曲或變形,即使只有奈米尺寸例如20nm~200nm的缺陷都會導致半導體電路圖案的損害。已知造成光罩缺陷的原因之一在於光罩的表面受到污染微粒(contamination particles)的污染;為了維持光罩在使用期間的品質,習知之一種方法係在光罩的表面設置一種光罩保護薄膜(pellicle),用以防止污染物質掉落在光罩表面進而形成污染微粒。
然而,即使具有上述的光罩保護薄膜,實務上仍然無法完全避免污染物質對光罩表面所造成的污染,光罩之污染物質的來源或產生原因包括來自環境和內腔中產生的污染物質,前述的環境包括無塵室(clean room)、光罩的儲存環境(storage environment)和微影製程中的設備及化學品。
有些微塵在製造過程中或使用過程中進入光罩保護薄膜(pellicle)與光罩之間的空間,由於太小不易發現,故在搬運過程中,容易因移動而掉入光罩的圖形區,進而影響曝光複製的良率;
而針對鋁框內圈,一般會使用黏膠來捕抓微塵,使微塵固定於鋁框上,然而一般光罩用框架1,如第1A及1B圖所示,光罩用框架1頂面透過黏接劑41與一透光薄膜2貼合,光罩用框架1底面透過黏接劑42與一光罩3表面貼合,而光罩用框架1之內框壁面上更具有一層膠層43,然而內框壁面是平滑表面,雖然膠層43能夠黏附微塵5,然而若是微塵5過大(1~20μ),仍有可能會於平滑表面上會落於光罩3表面,進而造成電路圖案的扭曲或變形。
因此,本案透過凹凸表面結構以及凹凸表面結構上塗覆膠層的結構,使微塵或顆粒落於框架內時,能夠受到膠層的吸附,而當微塵或顆粒過大時,有可能脫離膠層,但因本案具有凹凸表面結構之設計,能夠使微塵或顆粒再被下一個連續延伸之凹凸表面結構上的膠層黏著,以避免微塵或顆粒掉入光罩表面之光罩圖形區上,因此本創作應為一最佳解決方案。
本創作光罩保護組件結構,係結合於一光罩表面上,係包含有:一框架,係具有一頂面及一底面,該框架之內框具有一壁面,該壁面的表面上係為一凹凸表面;一有機膠層,該有機膠層係為一自黏膠,而該有機膠層係設置於該凹凸表面上;以及一透光薄膜,係貼合在該框架的頂面,用以將該框架之頂面封閉。
更具體的說,所述有機膠層係為一壓克力壓敏膠或是一壓敏膠。
更具體的說,所述凹凸表面係為一鋸齒面。
更具體的說,所述凹凸表面係為一波浪面。
更具體的說,所述凹凸表面係為一不規則起伏面。
有關於本創作其他技術內容、特點與功效,在以下配合參考圖式之較佳實施例的詳細說明中,將可清楚的呈現。
請參閱2A及2B圖,為本創作光罩保護組件結構之結構實施樣態示意圖,如圖中所示,光罩保護組件結構係包含有一框架6,該框架6係具有頂面61及一底面62,該框架6之內框具有一壁面,該壁面的表面上係為一凹凸表面63,如第2A圖所示,該凹凸表面63係為一鋸齒面。
如第2B圖所示,該凹凸表面63亦能為一波浪面,而除了鋸齒面與波浪面之外,亦能夠將該凹凸表面63之每一個高點與低點進行改變,以設計為一不規則起伏面。
該凹凸表面63上係結合有一有機膠層44,該有機膠層44係為一自黏膠(例如壓克力壓敏膠或是壓敏膠),該有機膠層44由於是自黏膠,故能夠用以吸附微塵粒子。
該框架6之頂面61係透過黏接劑41(Acrylic或Epoxy)與透光薄膜2貼合,用以將該框架6之頂面61封閉,而框架6之底面62係透過黏接劑42(Acrylic或Silicone Pressure Sensitive Adhesives)與光罩3表面貼合。
而本案的微塵吸附如第3圖所示,框架6內部的微塵5會被吸附於有機膠層44上,更由於凹凸表面63的設計,上方的微塵5若是因顆粒過大往下掉落,則會掉落於凹凸表面63另一個表面上,以避免微塵5向下飄散落於光罩3的表面上。
本創作所提供之光罩保護組件結構,與其他習用技術相互比較時,其優點如下: (1)    本創作透過凹凸表面結構以及凹凸表面結構上塗覆膠層的結構,使微粒或是外來的灰塵粒子落於框架內時,能夠受到膠層的吸附。 (2)    本創作因為凹凸表面結構的設計,若是因微塵或顆粒過大,而導致微塵或顆粒脫離膠層時,微塵或顆粒將會掉落黏著於下一個連續延伸之凹凸表面結構上,以避免微塵或顆粒掉入光罩表面之光罩圖形區上
本創作已透過上述之實施例揭露如上,然其並非用以限定本創作,任何熟悉此一技術領域具有通常知識者,在瞭解本創作前述的技術特徵及實施例,並在本創作之精神和範圍內,不可作些許之更動與潤飾,因此本創作之專利保護範圍須視本說明書所附之請求項所界定者為準。
1:光罩用框架 2:透光薄膜 3:光罩 41:黏接劑 42:黏接劑 43:膠層 44:有機膠層 5:微塵 6:框架 61:頂面 62:底面 63:凹凸表面
[第1A圖]係習用光罩保護組件結構之立體結構示意圖。 [第1B圖]係習用光罩保護組件結構之A-A剖面示意圖。 [第2A圖]係本創作光罩保護組件結構之結構實施樣態示意圖。 [第2B圖]係本創作光罩保護組件結構之結構實施樣態示意圖。 [第3圖]係本創作光罩保護組件結構之微塵吸附實施示意圖。
2:透光薄膜
3:光罩
41:黏接劑
42:黏接劑
44:有機膠層
6:框架
61:頂面
62:底面
63:凹凸表面

Claims (5)

  1. 一種光罩保護組件結構,係結合於一光罩表面上,係包含有: 一框架,係具有一頂面及一底面,該框架之內框具有一壁面,該壁面的表面上係為一凹凸表面; 一有機膠層,該有機膠層係為一自黏膠,而該有機膠層係設置於該凹凸表面上;以及 一透光薄膜,係貼合在該框架的頂面,用以將該框架之頂面封閉。
  2. 如請求項1所述之光罩保護組件結構,其中該有機膠層係為一壓克力壓敏膠或是一壓敏膠。
  3. 如請求項1所述之光罩保護組件結構,其中該凹凸表面係為一鋸齒面。
  4. 如請求項1所述之光罩保護組件結構,其中該凹凸表面係為一波浪面。
  5. 如請求項1所述之光罩保護組件結構,其中該凹凸表面係為一不規則起伏面。
TW111207320U 2022-07-08 2022-07-08 光罩保護組件結構 TWM635672U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111207320U TWM635672U (zh) 2022-07-08 2022-07-08 光罩保護組件結構

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111207320U TWM635672U (zh) 2022-07-08 2022-07-08 光罩保護組件結構

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWM635672U true TWM635672U (zh) 2022-12-21

Family

ID=85786758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111207320U TWM635672U (zh) 2022-07-08 2022-07-08 光罩保護組件結構

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWM635672U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI431415B (zh) 具有光罩及遮蓋光罩之防塵薄膜組件的光罩單元與其製造方法。
TWI761607B (zh) 防護薄膜框架、防護薄膜組件、通氣結構、曝光原版、曝光方法、半導體裝置製造方法及液晶顯示器製造方法
TWI470343B (zh) Production method of photomask mask film and mask for dust film
TW202032284A (zh) 光蝕刻用防塵薄膜及具備該防塵薄膜之防塵薄膜組件
TW201111906A (en) Pellicle frame and lithographic pellicle
TW202321834A (zh) 防塵薄膜組件框架、防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件的光阻、曝光方法、圖案的製造方法以及半導體裝置的製造方法
JP6532428B2 (ja) ペリクル
JP2014211591A (ja) ペリクルおよびこのペリクルを装着するフォトマスク
JP2008256925A (ja) ペリクル
TWM628448U (zh) 防護薄膜框架及防護薄膜組件
TWI461841B (zh) 微影用防護薄膜組件
TWI515509B (zh) 微影用防塵薄膜組件的製造方法
JP2022121755A (ja) ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法
TWI808827B (zh) 光罩保護組件結構
TWI585517B (zh) Dustproof film module containers for microfilm for incorporating dustproof film modules
TWM635672U (zh) 光罩保護組件結構
JP4396354B2 (ja) フォトマスク
TWI498672B (zh) 微影用防塵薄膜組件
WO2006006318A1 (ja) マスクブランクス及びその製造方法並びに転写プレートの製造方法
TWI440971B (zh) 防塵薄膜組件框架
JP2007293036A (ja) リソグラフィー用ペリクル
TWI789737B (zh) 用於吸收光罩保護膜黏膠中污染物質的組合物及其應用
KR20100137819A (ko) 펠리클용 프레임 및 마스크용 펠리클 어셈블리
WO2021149602A1 (ja) ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクルの検査方法、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体又は液晶表示板の製造方法
TWM616807U (zh) 用於吸收光罩保護膜黏膠中污染物質的光罩保護組件

Legal Events

Date Code Title Description
MM4K Annulment or lapse of a utility model due to non-payment of fees