KR20070051965A - 기판 노광 공정에 사용되는 레티클 - Google Patents

Abstract

기판 노광 공정에 사용되는 레티클에 있어서, 이미지 패턴이 형성된 유리 기판과, 상기 이미지 패턴의 오염을 방지하기 위한 보호 기판과 상기 유리 기판과 보호 기판 사이에 구비되며, 상기 기판들 사이에서 진공 상태로 유지되며, 그 내부에는 불활성 가스가 충진되어 있는 공간을 형성하기 위한 개스킷과 상기 보호 기판 이 오염되는 것을 방지하기 위한 펠리클막을 포함한다. 상기 밀폐 공간은 진공 상태로 유지되며, 그 내부에는 불활성 가스가 충진되어 있다. 따라서, 상기 유리 기판과 보호 기판 사이의 오염 물질의 제거 및 성장성 이물질 발생을 억제하며, 상기 기판들 사이이 탈부착의 용이성을 확보할 수 있다.

Description

기판 노광 공정에 사용되는 레티클{A RETICLE FOR USE IN EXPOSURE PROCESS FOR SUBSTRATE}

도 1은 종래의 기판 노광 공정에 적용되는 레티클을 나타내는 단면도이다.

도 2a는 본 발명의 일실시예에 의한 기판 노광 공정에 사용되는 레티클을 나타내는 평면도이다.

도 2b는 도 2a에 도시된 본 발명의 일실시예에 의한 기판 노광 공정에 사용되는 레티클을 A-A'방향으로 절단한 단면도이다.

도 2c는 도 2b에 도시된 본 발명의 일실시예에 의한 유리 기판과 보호 기판의 구조를 상세히 나타내기 위한 분해 사시도이다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레티클을 포함하는 노광 장치를 설명하기 위한 구성도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 유리 기판 110 : 이미지 패턴

120 : 개스킷 130 : 보호 기판

132: 진공 제공부 134 : 불활성 기체 제공부

140 : 프레임 150 : 펠리클막

200 : 레티클

본 발명은 기판 노광 공정에 사용되는 레티클에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 공정에 적용되는 레티클 패턴의 오염을 방지하고, 상기 레티클 패턴의 선폭 측정이 용이한 구조를 갖는 레티클에 관한 것이다.

근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 및 반도체 장치의 비약적인 발전에 따라 반도체 소자는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구되고 있다. 이러한 요구에 부응하여, 상기 반도체 소자는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전됨에 따라, 상기 반도체 소자의 집적도 향상을 위한 주요한 기술인 노광(photolithography) 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도가 엄격해지고 있는 실정이다.

상기 포토리소그래피(potolithography) 기술을 사용하여 반도체 집적 회로(semiconductor integrated circuit) 또는 액정 기판(liquid crystal substrate)을 제조하는 경우에는 상기 기판에 형성된 포토레지스트 막(photo resist film)이 정해진 노광 패턴(predetermined pattern)이 형성된 레티클을 적용하는 노광 공정을 수행해야 한다. 상기 이러한 노광 공정에서는 일반적으로 투영 노광 장치가 사용된다.

상기 노광 장치를 사용하여 노광을 실시하는 일 예는 미합중국 특허 제 5,696,835호(issued to Hennessey et al.)에 개시되어 있다.

상기 투영 노광 장치는 광원(light source)으로부터 생성된 조사광(illumination light)이 소정의 회로 패턴(prescribed circuit pattern)이 형성된 레티클(reticle)에 조사된다. 이어서, 상기 레티클로 조사된 광은 레티클을 투과하여, 상기 레티클 패턴의 형상을 갖는 이미지 상을 형성한다.

상기 레티클의 패턴 형상(reticle pattern image)을 갖는 광은 투영 광학 시스템(projection optical system)을 통과하여 상기 웨이퍼의 포토레지스트 막 상에 전사된다. 이로 인해, 상기 포토레지스트 막은 소정의 회로 패턴형상을 갖도록 노광 된다.

도 1은 종래의 기판 노광 공정에 적용되는 레티클을 나타내는 단면도이다.

도 1을 참조하면, 상기 레티클(Reticle;20)은 노광 장치의 광원에서 제공되는 광(Light)을 투과시킬 수 있는 재질로 이루어진 기판(12)과 상기 기판(12)으로 제공되는 광을 선택적으로 투영 및 차단시키는 이미지 패턴(14)을 구비하고 있다. 또한, 상기 이미지 패턴(14)이 형성된 기판(12) 상에 형성되고, 상기 노광 패턴(14)을 둘러싸고 있는 구조를 갖는 펠리클 프레임(Pellicle Frame;16)과, 상기 노광 패턴(14)이 먼지 등에 의해 오염되지 않게 상기 이미지 패턴(14)을 커버하도록 상기 펠리클 프레임(16) 상에 부착되는 펠리클막(Pellicle;18)을 구비하고 있다.

여기서, 펠리클 프레임(16) 상면에는 접착제가 도포되어 있어 상기 펠리클막(18)이 상기 펠리클 프레임(16) 상면에 부착된다.

상기와 같이 펠리클막(18)을 포함하는 레티클(20)은 반도체 기판(도시하지 않음) 상에 도포 된 포토레지스트 막에 레티클의 노광 패턴을 전사하기 위한 노광 공정을 수행할 때 적용된다. 이때, 상기 펠리클막(18)은 레티클의 노광 패턴을 커버하고 있기 때문에 노광 공정 시 먼지 등과 같은 오염 물질이 상기 노광 패턴에 흡착되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 취급 부주의로 인한 레티클의 파손을 방지할 수 있는 역할을 한다.

이때, 상기 노광 장치의 광원에서 제공되는 광은 상기 레티클 표면의 잔류 오염 물질 또는 공기 중의 미세 오염 물질의 광반응을 유발시키며, 상기 광반응에 의해 레티클의 표면에서 헤이즈 오염(haze contamination)이 발생된다.

상기 헤이즈 오염의 예로는 레티클 표면에 형성되는 표면 분자상 오염(Surface Molecular Contamination; SMC), 암모늄 설페이트(ammonium sulfate)가 있다. 상기와 같은 레티클의 헤이즈 오염은 레티클의 투과율을 저하시키고, 포토레지스트 패턴의 임계 치수(critical dimension; CD) 불량, 패턴 브리지 현상 등과 같은 공정 불량을 유발시킨다.

또한, 상기 오염 물질들은 광을 흡수하거나, 반사하여 변형 된 패턴이 형성되는 원인으로 작용하고 있다.

상기 노광 공정 중 정확한 패턴 형상을 위해서, 상기 레티클을 형성한 후 패턴의 정확한 형성 및 공정이 진행됨에 따라 발생하는 패턴 변형을 파악하여야 한다. 상기 레티클의 전기적 특성의 검사 또는 패턴의 선폭 등을 측정함으로서 선폭 편차(variation)를 확인하고, 상기 선폭 편차가 설정된 범위 내에 있는 경우에만 노광 공정에 적용한다.

상기 패턴의 선폭은 주로 주사전자현미경(SEM ; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY)을 이용하여 측정할 수 있다. 상기 주사전자현미경을 이용한 패턴의 선폭의 측정은 일렉트론 빔(ELECTRON BEAM)을 상기 웨이퍼 상에 주사시켜 방출되는 이차전자를 이용하여 나타나는 이미지를 포커싱 함으로써 이루어진다.

그런데, 상기 주사 전자 현미경에서 방출되는 이차전자가 펠리클막을 투과하기 어렵고, 이로 인하여 정확한 패턴의 선폭을 측정하기 어렵다. 즉, 펠리클막이 부착된 상태에서 측정한 선폭은 실제 패턴의 선폭과 오차가 발생하여 상기 이미지 패턴의 선폭에 정확한 검증이 이루어지지 않는다. 상기 레티클에 형성된 이미지 패턴의 정확한 선폭을 측정하기 위해서는 상기 레티클에 부착된 상기 펠리클막을 제거해야 한다.

그러나, 상기 접착제는 사용이 용이하나 떼어내기 위해서 많은 힘과 시간이 필요하며, 떼어낸 후 상기 접착제의 일부가 남는 단점이 있다. 통상적으로, 레티클에 형성되어 있는 펠리클막을 교체하는 작업시간이 약 24 내지 48시간 정도가 소요된다.

또한, 상기 펠리클막을 상기 레티클을 부착시키기 위한 접착제가 노광 공정의 시간이 점차 증가함에 따라 성장성 오염물질로 작용하여 상기 펠리클막의 표면에 흡착되는 경우가 점차 증가되고 있다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 기판 노광 공정에 사용되는 레티클의 노광 패턴의 오염 제거 및 방지 구 조를 갖는 레티클을 제공하는데 있다.

또한 본 발명의 다른 목적은 기판 노광 공정에 사용되는 레티클의 패턴의 선폭 측정을 위해 페리클의 탈부착이 용이한 레티클을 제공하는데 있다.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 기판 노광 공정에 사용되는 레티클은 이미지 패턴이 형성된 유리 기판과 상기 유리 기판과 인접하여 평행하게 배치되고, 상기 이미지 패턴의 오염을 방지하기 위한 보호 기판과 상기 유리 기판과 보호 기판 사이에 구비되며, 상기 기판들 사이에서 밀폐 공간을 형성하기 위한 개스킷(gasket)과 상기 보호 기판 상에 부착되고, 오염 물질로부터 상기 보호 기판이 오염되는 것을 방지하기 위한 펠리클막을 포함한다.

상기 밀폐 공간은 진공 상태로 유지되며, 그 내부에는 불활성 가스가 충진되어 있으며, 상기 보호 기판에는 상기 밀폐 공간을 불활성 기체를 포함한 진공 상태로 조성하기 위한 진공 제공부 및 상기 밀폐 공간으로 불활성 기체를 제공하기 위한 불활성 기체 제공부가 형성되어 있다. 상기 보호 기판은 석영 재질로 형성되어 있다.

상술한 본 발명의 구성을 갖는 기판 노광 공정에 사용되는 레티클은 상기 이미지 패턴이 형성된 유리 기판의 표면을 진공 상태로 유지되며, 그 내부에는 불활성 가스가 충진함으로써, 상기 유리 기판 표면의 잔류 오염 물질 또는 공기 중의 미세 오염 물질의 제거 및 성장성 이물질 발생을 억제한다. 따라서, 상기 유리 기판 표면에서 오염물질에 의해 발생될 수 있는 이미지 패턴의 특성 저하를 미연에 방지할 수 있다.

또한, 상기 유리 기판 상에 상기 보호 기판을 접착제 없이 상기 개스킷을 사용하여 기계적으로 고정하므로, 개폐가 용이할 뿐 아니라, 상기 접착제로 인한 오염을 방지한다. 따라서, 상기 레티클의 관리를 보다 쉽고 빠르게 수행할 수 있어 반도체 노광 공정의 스루풋을 향상시킬 수 있는 특성을 지니고 있다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 노광 공정에 사용되는 레티클에 대하여 상세하게 설명한다.

도 2a는 본 발명의 일실시예에 의한 기판 노광 공정에 사용되는 레티클을 나타내는 평면도이고, 도 2b는 도 2a에 도시된 본 발명의 일실시예에 의한 기판 노광 공정에 사용되는 레티클을 A-A'방향으로 절단한 단면도이며, 도 2c는 도 2b에 도시된 본 발명의 일실시예에 의한 유리 기판과 보호 기판의 구조를 상세히 나타내기 위한 분해 사시도이다.

도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 상기 기판 노광 공정에 사용되는 레티클(200)은 광원으로부터 제공되는 광을 제공받아 반도체 기판(미도시됨) 상에 도포 되어 있는 포토레지스트 막 상으로 광을 선택적으로 투영하여 소정의 패턴들로 이루어지는 포토레지스트 패턴을 노광하여 형성하기 위한 노광 공정에 적용된다.

상기 레티클(200)은 광원으로부터 제공되는 광을 포토레지스트 막에 선택적으로 투영시키기 위한 이미지 패턴(110)이 형성된 유리 기판(100)과 상기 이미지 패턴(110)이 먼지 또는 파티클과 같은 오염물질로부터 오염되지 않도록 상기 이미지 패턴을 커버하는 보호 기판(130)및 상기 보호 기판(130)이 먼지나 파티클과 같 은 오염물질로부터 오염되지 않도록 상기 보호 기판(130)의 상면을 커버하는 펠리클막(150)으로 구성되어 있다.

여기서, 상기 유리 기판(1010)은 노광 장치의 광원으로부터 제공되는 광을 투과시키기 위해, 투명도가 우수한 석영(Quartz)과 같은 유리재질로 이루어져 있고, 그 상면에 형성되어 있는 이미지 패턴(110)은 광을 투과시키지 않는 크롬(Cr) 금속으로 형성된다.

이때, 상기 유리 기판(100) 및 상기 이미지 패턴(110)은 통상적인 기판 노광용 레티클 제조 기술로 형성될 수 있다.

상기 보호 기판(130)은 상기 유리 기판 (210)과 인접하여 평행하게 배치되고, 상기 이미지 패턴(110)의 오염을 방지한다. 상기 보호 기판(130)은 유리 기판 (210)과 동일한 재질인 석영으로 이루어져 있다.

상기 유리 기판 (210)과 보호 기판(130)은 개스킷(120)에 의해 고정되는 것을 특징으로 하고 있다.

상기 개스킷(120)은 상기 유리 기판 (210) 및 상기 보호 기판(130)사이를 밀폐하기 위한 부재로서, 금속으로 제조되거나 합성수지 또는 고무로도 제조될 수 있으며, 금속 중에서도 니켈 합금이나 서스(SUS) 합금으로 제조될 수 있다. 상기 개스킷(120)은 상기 유리 기판 (100) 및 상기 보호 기판 (130)사이를 효과적으로 밀폐할 수 있는 재질이라면 실질적으로 모두 이용 가능하다.

상기 유리 기판 (100) 상기 보호 기판(130)사이에 구비된 개스킷(120)에 의해 정의되는 밀폐 공간을 진공으로 조성하면, 상기 유리 기판 (100) 및 상기 보호 기판(130)은 진공력에 의하여 상기 개스킷(120)에 밀착될 수 있다.

상기 레티클(200)을 형성한 후 상기 이미지 패턴(110)의 정확한 형성 및 공정이 진행됨에 따라 발생하는 패턴 변형을 파악하여야 한다. 즉, 상기 이미지 패턴(110)이 정확한지를 확인하고 보정하기 위한 상기 레티클(200)의 수 내지 수백 포인트의 패턴 선폭을 측정함으로서 칩 내의 선폭 편차를 확인하고, 상기 선폭 편차가 설정된 범위 내에 있는 경우에 상기 레티클(200)이 최적화되었다고 판단한다. 상기 패턴의 선폭은 주사전자현미경을 이용하여 측정할 수 있다.

또한, 상기 유리 기판 (100)에 상기 보호 기판(130)을 개스킷(120)을 사용하여 기계적으로 고정함으로써, 상기 이미지 패턴(110)의 정확한 선폭을 측정하기 한 상기 유리 기판(100)에 부착된 상기 보호 기판(130)을 제거하는 작업이 종래의 펠리클막을 교체 작업보다 용이할 뿐만 아니라 종래의 펠리클막 교체 시간에 비해 교체 시간이 현저하게 감소된다.

또한, 접착제를 사용하지 않으므로 잔존하는 접착제에 의한 오염을 방지할 수 있고, 접착제를 사용할 때와 같이 높은 압력을 가할 필요 없이 상기 유리 기판(100)에 상기 보호 기판(130)에 간단하게 부착할 수 있다.

이와는 다르게 진공 흡작 고정부를 사용하여 상기 유리 기판(100)과 상기 보호 기판(130)을 고정할 수 있다. 상기 진공 흡착 고정부는 통상적으로 경량의 물체를 고정시키기 위하여 사용하며, 합성 고무나 연질의 플라스틱으로 재질로 이루어져 있다. 상기 진공 흡착 고정부는 기공이 없는 면에서 상기 진공 흡착 고정부에 약간의 압착을 가하면, 상기 기공이 없는 면과 상기 진공 흡착 고정부의 소정의 공 간에 진공에 가까운 음압의 상태가 되어 흡착하게 된다.

상기와 같이 구성된 레티클(200)은 상기 유리 기판 (100) 및 상기 보호 기판(130)이 상기 개스킷(120)에 부착된 상태로 관리되고 또한 이 상태로 레티클 스테이지에 배치된다.

이때, 상기 밀폐 공간을 진공으로 조성함으로써, 상기 개스킷(120)에 상기 유리 기판 (100) 및 상기 보호 기판(130)을 고정시킬 수 있을 뿐 아니라, 상기 유리 기판 (100) 표면의 잔류 오염 물질 또는 공기 중의 미세 오염 물질을 상기 유리 기판 (100)의 외부로 배출시킨다.

상기 밀폐 공간을 진공으로 조성하기 위하여, 진공 제공부(132)가 상기 보호 기판(130) 일측면에 형성되어 있으며, 상기 밀폐 공간을 진공 상태로 형성하기 위한 진공 펌프(미도시됨)와 연결된다.

그러나, 상기 유리 기판 (100)의 표면에는 헤이즈 오염(haze contamination)이 발생되는 잔류 오염 물질 또는 공기 중의 미세 오염 물질이 상기 이미지 패턴(110)에 잔존하게 된다.

상기와 같은 오염 물질들은 상기 노광 장치의 광원에서 제공되는 광에 의해 광반응을 하며, 상기 광반응에 의해 발생한 헤이즈 오염은 상기 레티클(200)의 투과율을 저하시키고, 포토레지스트 패턴의 임계 치수(critical dimension; CD) 불량, 패턴 브리지 현상 등과 같은 공정 불량을 유발시킨다.

따라서, 상기 밀폐 공간 내부에 불활성 기체를 주입하여 상기 오염물질들의 광반응을 저지함으로써, 헤이즈 오염의 발생 가능성을 낮출 수 있다.

또한, 상기 보호 기판(130)은 상기 밀폐 공간의 진공력에 의해 지나치게 높아지면, 상기 진공력에 의해 상기 보호 기판(130)이 변형되는 문제가 발생한다. 이를 방지하기 위해서, 불활성 기체를 상기 밀폐 공간으로 충진함으로써, 상기 보호 기판(130)이 변형되는 문제도 방지한다. 상기 불활성 기체는 상기 보호 기판(130)에 형성되어 있는 불활성 기체 제공부(134)에 의해 공급된다.

부가적으로, 상기 밀폐 공간 내에 불활성 기체를 충진함과 동시에 일정한 유량으로 배출시킴으로서 상기 밀폐 공간 내에 오염 물질을 제거하도록 구성할 수도 있다.

상기 진공 제공부(132) 및 불활성 기체 제공부(134)는 상기 보호 기판(130)과 일체형으로 형성될 수도 있으며, 이와는 다르게 탈부착이 가능하게 형성될 수 있다.

이때, 상기 불활성 가스가 안정적으로 공급되도록 플로우 메타(flow meter)를 더 구비할 수 있다. 이와 같은 오염 물질 제거 및 발생 억제는 상기 레티클(200)의 결함을 원천적으로 방지하여 제조 수율을 향상시키는 효과를 갖는다.

상기 보호 기판(130) 상에는 오염 물질로부터 상기 보호 기판(130)이 오염되는 것을 방지하기 위한 펠리클막(150)이 부착되어 있다.

구체적으로, 상기 보호 기판(130)상에 형성되고, 상기 개스킷(120)과 대응되는 구조를 갖는 프레임(140)을 포함하고 있다. 또한, 상기 프레임(140) 상에 구비되고, 상기 보호 기판(130)이 오염물질로부터 오염되지 않도록 상기 보호 기판(130)을 커버하는 펠리클막(150)을 포함하고 있다.

상기 프레임(140)은 상기 보호 기판(130)과 면접하는 제2면(도시하지 않음)과 상기 펠리클막(150)과 면접하는 제1면(도시하지 않음)을 갖고, 상기 프레임(140)의 저면과 상면에는 접착제가 도포 되어 있다. 여기서, 상기 접착제는 상기 보호 기판(130)과 상기 펠리클막(150)을 상기 프레임(140)에 부착시켜 일체형이 되도록 하는 역할을 갖는다. 상기 펠리클막(150)은 얇은 박판이나 필름 형상을 가진다. 상기 펠리클막(150)은 프레임(140)과 실질적으로 동일한 사이즈로 제조되어 상기 프레임(140)에 부착된다.

이와는 다르게, 상기 보호 기판(130)의 제1면에는 돌출부가 형성되고, 상기프레임(140)의 제2면에는 상기 돌출부와 억지 끼움 방식으로 체결될 수 있는 삽입부가 형성될 수 도 있다.

이와 같이, 상기 제1프레임(140)과 제2프레임(140)이 억지 끼움 방식으로 체결시키는 이유는 상기 보호 기판(130)의 오염을 방지하는 상기 펠리클막(150)이 먼지 등에 의해 오염될 경우 상기 프레임(140)과 상기 펠리클막(150)만을 교체하는 작업만을 수행하면 되기 때문이다.

즉, 상기 펠리클막(150)을 교체하는 작업은 접착제 제거 및 상기 펠리클막(150)을 상기 프레임(140) 상에 정밀하게 부착시켜야 하는 작업을 생략할 수 있어 종래의 펠리클막 만을 교체 작업보다 용이할 뿐만 아니라 종래의 펠리클막 교체시간에 비해 교체 시간이 현저하게 감소되는 효과를 얻을 수 있기 때문이다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레티클을 포함하는 노광 장치를 설명하기 위한 구성도이다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 레티클(200)에 형성된 노광 패턴(도시하지 않음) 상기 기판(W) 상에 투영시킨다. 상기 투영을 통하여 상기 레티클(200)에 형성된 레티클의 노광 패턴의 이미지가 상기 기판(W) 상에 전사된다. 이때 상기 기판(W)의 상부 면에는 상기 광에 의해 화학적 물성이 변화하는 포토레지스트 막(280)되어 있다.

상기 노광 장치는 상기 광을 제공하는 광원(210), 상기 광을 집광하는 집광부(220), 노광 패턴이 형성된 레티클(200), 상기 레티클(200)을 얼라인하는 얼라인 스테이지(260), 상기 패턴의 이미지를 기판(W) 상에 축소 투영시키기 위한 렌즈부(270) 및 상기 포토레지스트 막(280)이 도포된 기판(W)을 지지하는 웨이퍼 스테이지(290)를 포함하고 있다.

상기 레티클(200)은 광원으로부터 제공되는 광을 포토레지스트 막에 선택적으로 투영시키기 위한 이미지 패턴이 형성된 유리 기판과 상기 이미지 패턴이 먼지 또는 파티클과 같은 오염물질로부터 오염되지 않도록 상기 이미지 패턴을 커버하는 보호 기판 및 상기 보호 기판이 먼지나 파티클과 같은 오염물질로부터 오염되지 않도록 상기 보호 기판의 상면을 커버하는 펠리클막을 포함하고 있다.

상기 노광 장치의 얼라인 스테이지(260) 상에는 본 발명의 레티클(200)이 개되는데, 상기 얼라인 스테이지(260)는 상기 광원(210)과 렌즈부(270) 사이에 위치해 있다. 그리고, 상기 얼라인 스테이지(260)는 상기 레티클(200)의 노광 패턴의 표면에 상기 광의 초점을 설정할 수 있도록 상기 레티클(200)을 이동시켜서 얼라인 시킨다.

이에 따라, 상기 광원(210)으로부터 제공되는 광이 상기 레티클(200)과 상기 렌즈부(270)를 투과하여, 상기 레티클(200)의 노광 패턴의 이미지를 기판(W)의 포토레지스트 막(280) 상에 각각 투영된다.

그리고, 상기 웨이퍼 스테이지(290)는 기판(W)이 놓여지고, Y축 방향과, Y축에 직교하는 X축 방향과, X, Y 평면에 직교하는 Z축 방향으로 소정의 거리만큼 이동 가능하고, 상기 웨이퍼 스테이지(290)의 X, Y 및 Z 방향의 이동은 기판(W)의 포토레지스트 막 (280)상에 미세 패턴을 정확하게 얼라인시키기 위해 조절된다.

본 발명에 따르면, 기판 노광 공정에 사용되는 레티클은, 상기 이미지 패턴이 형성된 유리 기판의 표면이 진공 상태로 유지되며, 그 내부에는 불활성 가스가 충진함으로써, 상기 유리 기판 표면의 잔류 오염 물질 또는 공기 중의 미세 오염 물질의 제거 및 성장성 이물질 발생을 억제한다.

또한, 상기 유리 기판 상에 상기 보호 기판을 진공압에 의해 개스킷을 사용하여 고정하므로, 개폐가 용이하다.

따라서, 상기 유리 기판 표면에서 오염물질에 의해 발생될 수 있는 이미지 패턴의 특성 저하를 미연에 방지할 수 있고, 상기 레티클의 관리를 보다 쉽고 빠르게 수행할 수 있어 반도체 노광 공정의 스루풋을 향상시킬 수 있는 특성을 지니고 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

1. 이미지 패턴이 형성된 유리 기판;

   상기 유리 기판과 인접하여 평행하게 배치되고, 상기 이미지 패턴의 오염을 방지하기 위한 보호 기판;

   상기 유리 기판과 보호 기판 사이에 구비되며, 상기 기판들 사이에서 밀폐 공간을 형성하기 위한 개스킷(gasket); 및

   상기 보호 기판 상에 부착되고, 오염 물질로부터 상기 보호 기판이 오염되는 것을 방지하기 위한 펠리클막을 포함하는 기판 노광 공정에 사용되는 레티클.
2. 제1항에 있어서, 상기 밀폐 공간은 진공 상태로 유지되며, 그 내부에는 불활성 가스가 충진되는 것을 특징으로 하는 기판 노광 공정에 사용되는 레티클.
3. 제2항에 있어서, 상기 보호 기판에는 상기 밀폐 공간을 불활성 기체를 포함한 진공 상태로 조성하기 위한 진공 제공부 및 상기 밀폐 공간으로 불활성 기체를 제공하기 위한 불활성 기체 제공부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 노광 공정에 사용되는 레티클.
4. 제1항에 있어서, 상기 보호 기판은 석영 재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 노광 공정에 사용되는 레티클.

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