JPH06347999A - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
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- JPH06347999A JPH06347999A JP14033993A JP14033993A JPH06347999A JP H06347999 A JPH06347999 A JP H06347999A JP 14033993 A JP14033993 A JP 14033993A JP 14033993 A JP14033993 A JP 14033993A JP H06347999 A JPH06347999 A JP H06347999A
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- optical axis
- pellicle film
- incident
- reflected light
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】露光装置における反射光による悪影響を減少さ
せ、ホトリソグラフィ工程での歩留を向上させること。 【構成】縮小投影露光用のレチクル１のパターン３形成
部を覆うペリクル膜５をガラス基板２に対して傾斜させ
て用いる。 【効果】光学系の光軸周辺部から入射した光の反射光を
光軸周辺部から分散させることができるので、半導体基
板上のホトレジストの光軸周辺部が反射光によって集中
的に感光せず、現像後のホトレジスト残膜の厚さのバラ
ツキを減少させることができる。従ってホトリソグラフ
ィ工程での歩留を向上させることができる。
せ、ホトリソグラフィ工程での歩留を向上させること。 【構成】縮小投影露光用のレチクル１のパターン３形成
部を覆うペリクル膜５をガラス基板２に対して傾斜させ
て用いる。 【効果】光学系の光軸周辺部から入射した光の反射光を
光軸周辺部から分散させることができるので、半導体基
板上のホトレジストの光軸周辺部が反射光によって集中
的に感光せず、現像後のホトレジスト残膜の厚さのバラ
ツキを減少させることができる。従ってホトリソグラフ
ィ工程での歩留を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造技術に
関し、特に半導体基板に回路パターンを形成するための
ホトリソグラフィー技術に用いるホトマスクやレチクル
に利用して有効なものである。
関し、特に半導体基板に回路パターンを形成するための
ホトリソグラフィー技術に用いるホトマスクやレチクル
に利用して有効なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造技術のうち、半導体基板
に所望の回路パターンを形成する技術として、ホトリソ
グラフィー技術がある。この技術は、パターンの形成さ
れたマスクに光を透過させ、ホトレジストと称する感光
剤が塗布された半導体基板にマスクパターンを転写する
技術である。この技術に用いられるホトマスクやレチク
ル（以下、単にマスクと称する）には、従来から異物の
付着を防止するための防塵カバーであるペリクル膜が装
着される。図４にマスク１３の断面構造図を示す。マス
ク１３はガラス基板上１４に光を遮断する物質、例えば
クロムや酸化クロムによって回路配線等のパターン１５
が形成されている。ガラス基板１４のパターン１５形成
部を囲むように、フレーム１６が接着剤等によってガラ
ス基板１４に接着されている。フレーム１６の上面に
は、ペリクル膜１７がガラス基板１４上に形成されたパ
ターン１５を覆うように、その周縁部が接着剤等によっ
て接着されている。ペリクル膜１７はガラス基板１４に
平行に装着されており、図５に示すように、マスク１３
を露光装置１８にセットする際は、光学系の光軸１９と
マスク１３のパターン１５が描画されている面が直角と
なるようにセットする。そのため、ペリクル膜１７と露
光装置１８の光軸１９とは直角となっている。
に所望の回路パターンを形成する技術として、ホトリソ
グラフィー技術がある。この技術は、パターンの形成さ
れたマスクに光を透過させ、ホトレジストと称する感光
剤が塗布された半導体基板にマスクパターンを転写する
技術である。この技術に用いられるホトマスクやレチク
ル（以下、単にマスクと称する）には、従来から異物の
付着を防止するための防塵カバーであるペリクル膜が装
着される。図４にマスク１３の断面構造図を示す。マス
ク１３はガラス基板上１４に光を遮断する物質、例えば
クロムや酸化クロムによって回路配線等のパターン１５
が形成されている。ガラス基板１４のパターン１５形成
部を囲むように、フレーム１６が接着剤等によってガラ
ス基板１４に接着されている。フレーム１６の上面に
は、ペリクル膜１７がガラス基板１４上に形成されたパ
ターン１５を覆うように、その周縁部が接着剤等によっ
て接着されている。ペリクル膜１７はガラス基板１４に
平行に装着されており、図５に示すように、マスク１３
を露光装置１８にセットする際は、光学系の光軸１９と
マスク１３のパターン１５が描画されている面が直角と
なるようにセットする。そのため、ペリクル膜１７と露
光装置１８の光軸１９とは直角となっている。
【０００３】尚、ペリクルに関しては、例えば特開昭６
０−５７８４１号公報等に開示されている。
０−５７８４１号公報等に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ホトリソグラフィー技
術において、光学系構成要素のうち、光が透過するもの
は、レンズ、マスク、ペリクル膜、半導体基板に塗布さ
れたホトレジストなどがあるが、それらの表面の反射率
はゼロではない。従って、マスクのパターンを露光する
際には、レンズやホトレジストの表面で反射した光がペ
リクル膜やマスク等の表面で更に反射し、また半導体基
板側へ戻ることを繰り返す。このように多重反射を繰り
返す際、反射光は半導体基板上に塗布されたホトレジス
ト等の感光剤を感光させる。光が反射する角度によって
は、パターンが投影される部分をも感光させてしまう。
図５に示すように、ガラス基板１４、ペリクル膜１７、
半導体基板２０は互いに平行であり、光学系の光軸１９
とは直角となっている。レンズ２２表面は曲面となって
おり、光軸１９に近づくにつれレンズ２２表面と光軸１
９との関係は直角に近づいている。ペリクル膜１７との
関係を言えば、レンズ２２表面が光軸１９に近いほど、
ペリクル膜１７とレンズ２２表面とは平行の関係に近づ
く。図６に示すように、マスク１３から入射した入射光
２３はレンズ２２表面に対し直角に近い角度で入射す
る。特に光軸１９付近でレンズ２２に入射した入射光２
３はレンズ２２を透過するとともに、その一部が反射光
２４となりレンズ２２表面で直角に近い反射角で反射
し、ペリクル膜１７に対し直角に近い角度で入射する。
更にペリクル膜１７で直角に近い反射角で反射した反射
光２４はレンズ２２を透過して半導体基板２０の光軸１
９周辺部に入射する。このように光軸１９周辺では反射
角が直角に近いため、反射光２４が分散せず、光軸１９
周辺に集中してしまう。そのため、光軸１９周辺に集中
する反射光２４がレンズ２２を透過すると、図７（ａ）
に示すように半導体基板２０における光軸１９周辺部で
も反射光２４が集中するため、ホトレジスト２１も集中
的に感光し、レジスト残膜予定部２１ａも感光してしま
う。従って、レジスト現像後の投影パターンのレジスト
残膜２１ｂが光軸１９周辺部で薄くなってしまうという
問題が生じている（図７（ｂ））。このようなレジスト
残膜２１ｂの厚さのバラツキは、後のエッチング工程に
影響を与え、ホトリソグラフィ工程での歩留低下の要因
のひとつとなっている。
術において、光学系構成要素のうち、光が透過するもの
は、レンズ、マスク、ペリクル膜、半導体基板に塗布さ
れたホトレジストなどがあるが、それらの表面の反射率
はゼロではない。従って、マスクのパターンを露光する
際には、レンズやホトレジストの表面で反射した光がペ
リクル膜やマスク等の表面で更に反射し、また半導体基
板側へ戻ることを繰り返す。このように多重反射を繰り
返す際、反射光は半導体基板上に塗布されたホトレジス
ト等の感光剤を感光させる。光が反射する角度によって
は、パターンが投影される部分をも感光させてしまう。
図５に示すように、ガラス基板１４、ペリクル膜１７、
半導体基板２０は互いに平行であり、光学系の光軸１９
とは直角となっている。レンズ２２表面は曲面となって
おり、光軸１９に近づくにつれレンズ２２表面と光軸１
９との関係は直角に近づいている。ペリクル膜１７との
関係を言えば、レンズ２２表面が光軸１９に近いほど、
ペリクル膜１７とレンズ２２表面とは平行の関係に近づ
く。図６に示すように、マスク１３から入射した入射光
２３はレンズ２２表面に対し直角に近い角度で入射す
る。特に光軸１９付近でレンズ２２に入射した入射光２
３はレンズ２２を透過するとともに、その一部が反射光
２４となりレンズ２２表面で直角に近い反射角で反射
し、ペリクル膜１７に対し直角に近い角度で入射する。
更にペリクル膜１７で直角に近い反射角で反射した反射
光２４はレンズ２２を透過して半導体基板２０の光軸１
９周辺部に入射する。このように光軸１９周辺では反射
角が直角に近いため、反射光２４が分散せず、光軸１９
周辺に集中してしまう。そのため、光軸１９周辺に集中
する反射光２４がレンズ２２を透過すると、図７（ａ）
に示すように半導体基板２０における光軸１９周辺部で
も反射光２４が集中するため、ホトレジスト２１も集中
的に感光し、レジスト残膜予定部２１ａも感光してしま
う。従って、レジスト現像後の投影パターンのレジスト
残膜２１ｂが光軸１９周辺部で薄くなってしまうという
問題が生じている（図７（ｂ））。このようなレジスト
残膜２１ｂの厚さのバラツキは、後のエッチング工程に
影響を与え、ホトリソグラフィ工程での歩留低下の要因
のひとつとなっている。
【０００５】そこで本発明は、露光装置における反射光
による悪影響を減少させ、ホトリソグラフィ工程での歩
留を向上させることを目的とする。
による悪影響を減少させ、ホトリソグラフィ工程での歩
留を向上させることを目的とする。
【０００６】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
のとおりである。すなわち、露光用マスクのパターン形
成部を覆うペリクル膜を基板に対して傾斜させるもので
ある。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
のとおりである。すなわち、露光用マスクのパターン形
成部を覆うペリクル膜を基板に対して傾斜させるもので
ある。
【０００８】
【作用】上記手段によると、光軸周辺部を基板に対して
直角に近い入射角で入射した光が、レンズ表面で直角に
近い反射角で反射して、ペリクル表面に入射すると、ペ
リクル表面はマスク表面に対して傾斜しているため、ペ
リクル表面への入射角はレンズ表面での反射角より小さ
くなり、ペリクル表面での反射角も小さくなる。従っ
て、光軸周辺部に入射した光の反射光は光軸周辺部から
分散するため、半導体基板上では反射光によってホトレ
ジストが光軸付近で集中的に感光せず、レジスト残膜の
厚さのバラツキを減少させる。
直角に近い入射角で入射した光が、レンズ表面で直角に
近い反射角で反射して、ペリクル表面に入射すると、ペ
リクル表面はマスク表面に対して傾斜しているため、ペ
リクル表面への入射角はレンズ表面での反射角より小さ
くなり、ペリクル表面での反射角も小さくなる。従っ
て、光軸周辺部に入射した光の反射光は光軸周辺部から
分散するため、半導体基板上では反射光によってホトレ
ジストが光軸付近で集中的に感光せず、レジスト残膜の
厚さのバラツキを減少させる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の露光用マスクの一実施例を縮
小投影露光装置に用いた例について説明する。図１
（ａ）は露光用マスクの一つであるレチクル１の斜視図
である。レチクルは、チップパターンの拡大されたもの
が１枚に２チップから４チップ分形成されており、縮小
投影露光装置で縮小して半導体基板に転写するものであ
る。レチクル１はガラス基板２上に光を遮断する物質、
例えばクロムや酸化クロムによって回路配線等のパター
ン３が形成されている。ガラス基板２のパターン３形成
部を囲むように、フレーム４が接着剤等によってガラス
基板２に接着されている。このフレーム４は、アルミ合
金等の金属、または樹脂からなり、その上部は、ガラス
基板２に対して傾斜している。フレーム４の上面には、
ニトロセルロース等からなるペリクル膜５がガラス基板
２上に形成されたパターン３を覆うように、その周縁部
が接着剤等によって接着されている。傾斜しているフレ
ーム４の上部にペリクル膜５を接着することにより、ペ
リクル膜５はガラス基板２に対して傾斜する。図２に縮
小投影露光装置６にレチクル１をセットした場合の、レ
チクル１、レンズ系７、および半導体基板８の位置関係
の概略を示す。レチクル１は、ガラス基板２と光学系の
光軸１０とが直角となるよう、また、半導体基板８と平
行になるようにセットされる。この場合、ペリクル膜５
はガラス基板２に対して傾斜しているため、縮小投影露
光装置６の光軸１０とは直角とはならない。レンズ系７
は、レチクル１のパターンを、例えば５分の１または１
０分の１に縮小して、半導体基板８上に投影するもので
ある。半導体基板８上にはポジ型のホトレジスト９が塗
布されており、レチクル１のパターンが縮小されたもの
が投影され、後の現像処理で、感光しなかった部分がパ
ターンとして残る。
小投影露光装置に用いた例について説明する。図１
（ａ）は露光用マスクの一つであるレチクル１の斜視図
である。レチクルは、チップパターンの拡大されたもの
が１枚に２チップから４チップ分形成されており、縮小
投影露光装置で縮小して半導体基板に転写するものであ
る。レチクル１はガラス基板２上に光を遮断する物質、
例えばクロムや酸化クロムによって回路配線等のパター
ン３が形成されている。ガラス基板２のパターン３形成
部を囲むように、フレーム４が接着剤等によってガラス
基板２に接着されている。このフレーム４は、アルミ合
金等の金属、または樹脂からなり、その上部は、ガラス
基板２に対して傾斜している。フレーム４の上面には、
ニトロセルロース等からなるペリクル膜５がガラス基板
２上に形成されたパターン３を覆うように、その周縁部
が接着剤等によって接着されている。傾斜しているフレ
ーム４の上部にペリクル膜５を接着することにより、ペ
リクル膜５はガラス基板２に対して傾斜する。図２に縮
小投影露光装置６にレチクル１をセットした場合の、レ
チクル１、レンズ系７、および半導体基板８の位置関係
の概略を示す。レチクル１は、ガラス基板２と光学系の
光軸１０とが直角となるよう、また、半導体基板８と平
行になるようにセットされる。この場合、ペリクル膜５
はガラス基板２に対して傾斜しているため、縮小投影露
光装置６の光軸１０とは直角とはならない。レンズ系７
は、レチクル１のパターンを、例えば５分の１または１
０分の１に縮小して、半導体基板８上に投影するもので
ある。半導体基板８上にはポジ型のホトレジスト９が塗
布されており、レチクル１のパターンが縮小されたもの
が投影され、後の現像処理で、感光しなかった部分がパ
ターンとして残る。
【００１０】次に、露光時のレチクル１からの入射光及
び投影光学系内での反射光の経路について説明する。図
３は縮小投影露光装置６のレチクル１とレンズ７ａとの
関係を示す部分図である。レチクル１の上方の光源（図
示せず）よりガラス基板２に対して垂直に光が入射す
る。入射した光は、レチクルのパターン３に遮られた部
分を除き、ペリクル膜５を透過してレンズ７ａに入射す
るが、一部の光はレンズ７ａの表面で反射する。レンズ
７ａの表面は曲面となっており、光が入射する位置によ
り反射角が異なる。すなわち、光軸１０に近づくほど反
射角は直角に近づく。例えば、レチクル１周縁部付近で
ガラス基板２に対してほぼ垂直に入射した入射光１１ａ
は、レンズ７ａ表面に対しては入射点の接線に対してθ
１の入射角で入射し、θ１と等しい反射角で反射する。
従って、レチクル１周縁部付近で入射した光は入射角及
び反射角が比較的小さいため、光軸付近から分散しやす
い。これに対して光軸１０付近では、ガラス基板２に対
してほぼ垂直に入射した入射光１２ａは、レンズ７ａ表
面の光軸１０付近でレンズ７ａ表面に対しほぼ垂直に入
射する。その光の一部が反射光１２ｂとなりレンズ７ａ
表面で直角に近い反射角で反射する。対向するペリクル
膜が、光軸１０に対し直角の場合は、レンズ７ａ表面で
反射した反射光はペリクル膜に対して直角に近い角度で
入射するため、光軸１０付近で多重反射が生じるが、本
発明ではペリクル膜５がガラス基板２に対して傾斜して
いるため、レンズ７ａ表面で反射した反射光１２ｂはペ
リクル膜５に対して低い角度で入射する。従って、入射
角と等しい角度でペリクル膜５で反射し光軸１０付近か
ら分散する。すなわち、ペリクル膜５を傾斜させている
ことにより、反射光１２ｂの反射経路の途中で反射角を
減少させて、光軸１０付近の多重反射を分散させてい
る。これにより、光軸１０周辺部から入射した光の反射
光１２ｂは光軸１０周辺部から分散し、半導体基板８の
の光軸１０付近に反射光１２ｂが集中しないため、反射
光１２ｂによって光軸１０付近が集中的に感光しない。
従って、現像後のレジスト残膜の厚さのバラツキを減少
させることができる。
び投影光学系内での反射光の経路について説明する。図
３は縮小投影露光装置６のレチクル１とレンズ７ａとの
関係を示す部分図である。レチクル１の上方の光源（図
示せず）よりガラス基板２に対して垂直に光が入射す
る。入射した光は、レチクルのパターン３に遮られた部
分を除き、ペリクル膜５を透過してレンズ７ａに入射す
るが、一部の光はレンズ７ａの表面で反射する。レンズ
７ａの表面は曲面となっており、光が入射する位置によ
り反射角が異なる。すなわち、光軸１０に近づくほど反
射角は直角に近づく。例えば、レチクル１周縁部付近で
ガラス基板２に対してほぼ垂直に入射した入射光１１ａ
は、レンズ７ａ表面に対しては入射点の接線に対してθ
１の入射角で入射し、θ１と等しい反射角で反射する。
従って、レチクル１周縁部付近で入射した光は入射角及
び反射角が比較的小さいため、光軸付近から分散しやす
い。これに対して光軸１０付近では、ガラス基板２に対
してほぼ垂直に入射した入射光１２ａは、レンズ７ａ表
面の光軸１０付近でレンズ７ａ表面に対しほぼ垂直に入
射する。その光の一部が反射光１２ｂとなりレンズ７ａ
表面で直角に近い反射角で反射する。対向するペリクル
膜が、光軸１０に対し直角の場合は、レンズ７ａ表面で
反射した反射光はペリクル膜に対して直角に近い角度で
入射するため、光軸１０付近で多重反射が生じるが、本
発明ではペリクル膜５がガラス基板２に対して傾斜して
いるため、レンズ７ａ表面で反射した反射光１２ｂはペ
リクル膜５に対して低い角度で入射する。従って、入射
角と等しい角度でペリクル膜５で反射し光軸１０付近か
ら分散する。すなわち、ペリクル膜５を傾斜させている
ことにより、反射光１２ｂの反射経路の途中で反射角を
減少させて、光軸１０付近の多重反射を分散させてい
る。これにより、光軸１０周辺部から入射した光の反射
光１２ｂは光軸１０周辺部から分散し、半導体基板８の
の光軸１０付近に反射光１２ｂが集中しないため、反射
光１２ｂによって光軸１０付近が集中的に感光しない。
従って、現像後のレジスト残膜の厚さのバラツキを減少
させることができる。
【００１１】次に本発明の作用効果について説明する。
【００１２】（１）マスクのパターン形成部を覆うペリ
クル膜にガラス基板に対して傾斜をつけることにより、
光軸周辺部を基板に対して直角に近い入射角で入射した
光が、レンズ表面で直角に近い反射角で反射し、その反
射光がペリクル膜に入射しても、傾斜したペリクル膜へ
の入射角はマスク表面への入射角より小さくなるため、
ペリクル膜での反射角は小さくなる。従って、光軸周辺
部から入射した光の反射光を光軸周辺部から分散させる
ことができる。
クル膜にガラス基板に対して傾斜をつけることにより、
光軸周辺部を基板に対して直角に近い入射角で入射した
光が、レンズ表面で直角に近い反射角で反射し、その反
射光がペリクル膜に入射しても、傾斜したペリクル膜へ
の入射角はマスク表面への入射角より小さくなるため、
ペリクル膜での反射角は小さくなる。従って、光軸周辺
部から入射した光の反射光を光軸周辺部から分散させる
ことができる。
【００１３】（２）光軸周辺部から入射した光の反射光
を光軸周辺部から分散させるので、半導体基板上のホト
レジストの光軸周辺部が反射光によって集中的に感光し
ない。従って現像後のホトレジスト残膜の厚さのバラツ
キを減少させることができる。
を光軸周辺部から分散させるので、半導体基板上のホト
レジストの光軸周辺部が反射光によって集中的に感光し
ない。従って現像後のホトレジスト残膜の厚さのバラツ
キを減少させることができる。
【００１４】（３）ホトレジスト残膜の厚さのバラツキ
を減少させるので、ホトリソグラフィ工程での歩留を向
上させることができる。
を減少させるので、ホトリソグラフィ工程での歩留を向
上させることができる。
【００１５】以上、本発明者によって、なされた発明を
実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることは言うまでもない。上記実
施例では、ペリクル膜を１方向に傾斜させていたが、反
射光が光軸周辺部から分散する方向であれば、複数方向
に傾斜させてもよい。例えば、２方向に傾斜させる場合
は、図８に示すようにペリクル膜２５を光軸３１を境と
して２方向対称に傾斜させると、傾斜角度を大きくする
ことができ、反射光３２ｂをより効果的に分散させるこ
とができる。
実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることは言うまでもない。上記実
施例では、ペリクル膜を１方向に傾斜させていたが、反
射光が光軸周辺部から分散する方向であれば、複数方向
に傾斜させてもよい。例えば、２方向に傾斜させる場合
は、図８に示すようにペリクル膜２５を光軸３１を境と
して２方向対称に傾斜させると、傾斜角度を大きくする
ことができ、反射光３２ｂをより効果的に分散させるこ
とができる。
【００１６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００１７】すなわち、マスクのパターン形成部を覆う
ペリクル膜にガラス基板に対して傾斜をつけることによ
り、光学系の光軸周辺部から入射した光の反射光を光軸
周辺部から分散させることができるので、半導体基板上
のホトレジストの光軸周辺部が反射光によって集中的に
感光せず、現像後のホトレジスト残膜の厚さのバラツキ
を減少させることができる。従ってホトリソグラフィ工
程での歩留を向上させることができる。
ペリクル膜にガラス基板に対して傾斜をつけることによ
り、光学系の光軸周辺部から入射した光の反射光を光軸
周辺部から分散させることができるので、半導体基板上
のホトレジストの光軸周辺部が反射光によって集中的に
感光せず、現像後のホトレジスト残膜の厚さのバラツキ
を減少させることができる。従ってホトリソグラフィ工
程での歩留を向上させることができる。
【００１８】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施例であるレチクルの
斜視図である。（ｂ）は、本発明の一実施例であるレチ
クルの側面図である。
斜視図である。（ｂ）は、本発明の一実施例であるレチ
クルの側面図である。
【図２】本発明の一実施例であるレチクルを縮小投影露
光装置にセットした場合のレチクル、レンズ系、および
半導体基板の位置関係の概略を示す図である。
光装置にセットした場合のレチクル、レンズ系、および
半導体基板の位置関係の概略を示す図である。
【図３】本発明の一実施例であるレチクルを縮小投影露
光装置にセットした場合のレチクル、レンズ、入射光及
び反射光との関係を示す部分図である。
光装置にセットした場合のレチクル、レンズ、入射光及
び反射光との関係を示す部分図である。
【図４】従来のマスクの構造断面図である。
【図５】従来のマスクを露光装置にセットした場合のマ
スク、レンズ、および半導体基板の位置関係の概略を示
す図である。
スク、レンズ、および半導体基板の位置関係の概略を示
す図である。
【図６】従来のマスクを露光装置にセットした場合のマ
スク、レンズ、入射光及び反射光との関係を示す部分図
である。
スク、レンズ、入射光及び反射光との関係を示す部分図
である。
【図７】（ａ）は従来のマスクを用いた露光処理の、半
導体基板での光の入射状態を示す図である。（ｂ）は従
来のマスクを用いた露光処理における現像後のレジスト
残膜の状態を示す図である。
導体基板での光の入射状態を示す図である。（ｂ）は従
来のマスクを用いた露光処理における現像後のレジスト
残膜の状態を示す図である。
【図８】本発明の他の実施例であるレチクルを縮小投影
露光装置にセットした場合のレチクル、レンズ、入射光
及び反射光との関係を示す部分図である。
露光装置にセットした場合のレチクル、レンズ、入射光
及び反射光との関係を示す部分図である。
１……レチクル，２……ガラス基板，３……パターン，
４……フレーム，５……ペリクル膜，６……縮小投影露
光装置，７……レンズ系，７ａ……レンズ，８……半導
体基板，９……ホトレジスト，１０……光軸，１１ａ…
…入射光，１１ｂ……反射光，１２ａ……入射光，１２
ｂ……反射光，１３……マスク，１４……ガラス基板，
１５……パターン，１６……フレーム，１７……ペリク
ル膜，１８……露光装置，１９……光軸，２０……半導
体基板，２１……ホトレジスト，２１ａ……レジスト残
膜予定部，２１ｂ……レジスト残膜，２２……レンズ，
２３……入射光，２４……反射光，２５……レチクル，
２６……ガラス基板，２７……パターン，２８……フレ
ーム，２９……ペリクル膜，３０……レンズ，３１……
光軸，３２ａ……入射光 ３２ｂ……反射光
４……フレーム，５……ペリクル膜，６……縮小投影露
光装置，７……レンズ系，７ａ……レンズ，８……半導
体基板，９……ホトレジスト，１０……光軸，１１ａ…
…入射光，１１ｂ……反射光，１２ａ……入射光，１２
ｂ……反射光，１３……マスク，１４……ガラス基板，
１５……パターン，１６……フレーム，１７……ペリク
ル膜，１８……露光装置，１９……光軸，２０……半導
体基板，２１……ホトレジスト，２１ａ……レジスト残
膜予定部，２１ｂ……レジスト残膜，２２……レンズ，
２３……入射光，２４……反射光，２５……レチクル，
２６……ガラス基板，２７……パターン，２８……フレ
ーム，２９……ペリクル膜，３０……レンズ，３１……
光軸，３２ａ……入射光 ３２ｂ……反射光
Claims (3)
- 【請求項１】光透過性の基板の表面に遮光材料によって
所望のパターンが形成され、光を透過させることにより
所望のパターンを感光材料に投影させるための露光用マ
スクであって、前記基板のパターン形成面にパターン形
成領域を囲むフレームが装着され、該フレームの上部に
は前記パターン形成領域を覆う光透過性の膜が取り付け
られており、該膜は、前記基板に対し傾斜していること
を特徴とする露光用マスク。 - 【請求項２】前記フレームの膜装着部は、前記基板に対
し傾斜していることを特徴とする請求項１記載の露光用
マスク。 - 【請求項３】前記露光用マスクは縮小投影露光装置で用
いるレチクルであることを特徴とする請求項１または２
記載の露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14033993A JPH06347999A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14033993A JPH06347999A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347999A true JPH06347999A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15266536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14033993A Pending JPH06347999A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347999A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007009543A1 (en) * | 2005-07-18 | 2007-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Pellicle for use in a microlithographic exposure apparatus |
| WO2007093194A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of patterning a layer using a pellicle |
| EP1843201A1 (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithographiy |
| JP2008304840A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Nikon Corp | マスク保護装置、マスク、露光方法、デバイス製造方法、及び搬送方法 |
-
1993
- 1993-06-11 JP JP14033993A patent/JPH06347999A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007009543A1 (en) * | 2005-07-18 | 2007-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Pellicle for use in a microlithographic exposure apparatus |
| WO2007093194A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of patterning a layer using a pellicle |
| US7935547B2 (en) | 2006-02-17 | 2011-05-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of patterning a layer using a pellicle |
| EP1843201A1 (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for lithographiy |
| JP2008304840A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Nikon Corp | マスク保護装置、マスク、露光方法、デバイス製造方法、及び搬送方法 |
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