KR100566096B1 - 노광 장치 - Google Patents

노광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100566096B1
KR100566096B1 KR1020040096680A KR20040096680A KR100566096B1 KR 100566096 B1 KR100566096 B1 KR 100566096B1 KR 1020040096680 A KR1020040096680 A KR 1020040096680A KR 20040096680 A KR20040096680 A KR 20040096680A KR 100566096 B1 KR100566096 B1 KR 100566096B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
mirror
mask
wafer
exposure apparatus
Prior art date
Application number
KR1020040096680A
Other languages
English (en)
Inventor
김상기
이주욱
박종문
유성욱
박건식
윤용선
배윤규
임병원
구진근
김보우
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020040096680A priority Critical patent/KR100566096B1/ko
Priority to US11/249,783 priority patent/US7190432B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100566096B1 publication Critical patent/KR100566096B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에 사용되는 웨이퍼 노광 장치에 관한 것으로, 광원으로부터 제공되는 광을 반사시키는 반사경, 상기 반사경으로부터 제공되는 광의 경로를 변환시키는 광 경로 변환부, 상기 광 경로 변환부의 양측에 각각 설치되며, 상기 광의 경로를 변화시키는 제 1 거울, 시료의 양측에 각각 설치되며, 광의 경로를 변화시키는 제 2 거울, 마스크의 양측에 각각 설치되며, 상기 제 1 거울에 반사된 광을 상기 마스크로 입사시키거나, 상기 마스크를 통과한 광을 상기 제 2 거울로 입사시키는 제 3 거울을 포함하며, 한번 웨이퍼를 정렬시킨 상태에서 웨이퍼의 일면 또는 양면이나 특정 면을 연속적으로 노광시킬 수 있다.
노광 장치, 양면 노광, 광 경로 변환부, 거울, 회전수단

Description

노광 장치 {Exposure apparatus}
도 1은 종래의 노광 장치를 설명하기 위한 개략도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 노광 장치를 설명하기 위한 개략도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 11: 광원
2, 12: 반사경
3, 5, 41, 42, 44, 46, 51, 56: 거울
4: 광학계
6, 21, 23: 렌즈
7, 22: 마스크
8, 31: 웨이퍼
9: 웨이퍼 척
13: 광 경로 변환부
14, 43, 45: 회전수단
32: 홀더
33: 가이드 링
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에 사용되는 웨이퍼 노광 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼를 정렬시킨 상태에서 전면과 후면 또는 특정 면을 연속적으로 노광시킬 수 있는 노광 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정에서 웨이퍼(시료) 상에 소정의 패턴을 형성하기 위해서는 소정의 층을 형성한 후 사진 및 식각 공정을 통해 패터닝한다. 이 때 사진 공정은 감광막을 이용하여 패턴을 형성하는 노광 및 현상 공정으로 이루어진다.
노광 공정은 감광막이 형성된 웨이퍼를 노광 장치에 장착한 후 소정의 마스크를 이용하여 감광막을 노광시키는 공정으로, 노광 장치의 형태에 따라 웨이퍼와 마스크가 집적 접촉된 상태에서 노광하는 콘택 얼라인, 마스크와 웨이퍼가 일정 간격 이격된 상태에서 노광하는 프락시미티 얼라인, 미세 패턴이나 정밀한 패턴을 반복하여 노광하는 스텝퍼 얼라인 방법 등이 있다.
도 1은 프락시미티 얼라인 방법을 이용하는 종래 노광 장치의 개략도로서, 광원(1)으로부터 제공되는 광이 반사경(2)에 반사되어 거울(3)로 모아진다. 상기 거울(3)에 반사된 광은 다수의 렌즈로 이루어진 광학계(4)를 통해 진행한 후 거울(5)에 의해 다시 반사되고, 렌즈(6)를 통해 홀더 또는 척(chuck)(9)에 고정된 웨이퍼(8)로 조사된다. 이 때 상기 웨이퍼(8) 상부에 위치되며, 패턴이 형성된 마스크(7)에 의해 선택적으로 광이 통과하여 감광막의 원하는 부분만을 노광시킨다.
상기와 같이 구성된 종래의 노광 장치는 대개 웨이퍼가 수평으로 정렬된 상태에서 한 면만을 노광시키도록 구성되며, 다른 면을 노광시키기 위해서는 웨이퍼를 다시 장착하여야 한다. 따라서 다른 면을 노광하기 위해서는 웨이퍼를 탈착하여야 하기 때문에 공정의 단계가 증가하고 번거로우며, 웨이퍼 탈착시 웨이퍼 뒷면이 척에 닿기 때문에 표면에 긁힘(스크러치) 등 많은 손상(자국)이 남게 된다. 특히, 공정이 진행된 웨이퍼는 단차를 가지기 때문에 웨이퍼 장착이 어려우며, 공정이 진행된 면이 많은 손상을 입게 될 뿐 아니라 정렬 오차가 발생될 수도 있다.
따라서 본 발명은 한번 웨이퍼를 정렬시킨 상태에서 웨이퍼의 일면 또는 양면이나 특정 면을 연속적으로 용이하게 노광시킬 수 있는 웨이퍼 노광 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 노광 장치는 광원, 소정의 패턴이 형성된 마스크, 노광을 위해 홀더에 장착된 시료, 상기 광원으로부터 제공되는 광을 반사시키는 반사경, 상기 반사경으로부터 제공되는 광의 경로를 변환시키는 광 경로 변환부, 상기 광 경로 변환부의 양측에 각각 설치되며, 상기 광의 경로를 변화시키는 제 1 거울, 상기 시료의 양측에 각각 설치되며, 광의 경로를 변화시키는 제 2 거울, 상기 마스크의 양측에 각각 설치되며, 상기 제 1 거울에 반사된 광을 상기 마스크로 입사시키거나, 상기 마스크를 통과한 광을 상기 제 2 거울로 입사시키는 제 3 거울을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 마스크와 상기 제 3 거울 사이에 각각 설치된 렌즈를 더 포함하며, 상 기 광 경로의 변환을 위해 상기 광 경로 변환부를 회전시키는 회전수단을 더 구비하고, 상기 제 1 거울에 반사된 광을 상기 마스크로 입사시키거나, 상기 마스크를 통과한 광을 상기 제 2 거울로 입사시키기 위해 상기 제 3 거울을 회전시키는 회전수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 광 경로 변환부는 일면 또는 양면이 반사면으로 이루어진 거울 또는 빔 스플리터로 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 거울은 일면이 반사면으로 구성되고, 상기 제 3 거울은 양면이 반사면으로 구성된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 장치를 설명하기 위한 개략도로서,노광을 위한 광을 제공하는 광원(11), 소정의 패턴이 형성된 마스크(22), 노광을 위해 홀더(32)에 장착된 웨이퍼(31), 상기 광원(11)으로부터 제공되는 광을 반사시키는 반사경(12), 상기 반사경(12)으로부터 제공되는 광의 경로를 변환시키는 광 경로 변환부(13), 상기 광 경로 변환부(13)의 양측에 각각 설치되며, 상기 광의 경로를 변화시키는 거울(41 및 51), 상기 웨이퍼(31)의 양측에 각각 설치되며, 광의 경로를 변화시키는 거울(46 및 56), 상기 마스크(22)의 양측에 각각 설치되며, 상기 거울(41 및 51)에 반사된 광을 상기 마스크(22)로 입사시키거나, 상기 마스크 (22)를 통과한 광을 상기 거울(46 및 56)로 입사시키는 거울(42 및 44) 및 상기 마스크(22)와 상기 거울(42 및 44) 사이에 각각 설치된 렌즈(21 및 23)를 포함한다.
상기 광 경로 변환부(13)는 일면 또는 양면이 반사면으로 이루어진 거울이나, 빔스플리터 등으로 구성되며, 광의 경로 변환을 위해 상기 광 경로 변환부(13)를 회전시키는 회전수단(14)을 구비한다. 또한, 상기 거울(42 및 44)은 상기 거울(41 및 51)에 반사된 광을 상기 마스크(22)로 입사시키거나, 상기 마스크(22)를 통과한 광을 상기 거울(46 및 56)로 입사시키기 위해 회전수단(43 및 45)을 구비한다.
상기 거울(42 및 44)은 일면 또는 양면이 반사면으로 구성되고, 상기 거울(41, 46, 51 및 56)은 일면이 반사면으로 구성되지만, 구성이나 용도에 따라 다르게 만들 수 있다. 양면을 반사면으로 구성하면 회전수단의 축이 거울의 중심에 있도록 해야 하고, 일면만을 반사면으로 구성하면 회전수단의 축이 거울 뒷면의 아래 부분에 있어야 한다.
상기 웨이퍼(31)는 홀더(32)에 의해 가장자리부가 고정되며, 따라서 레이저 정렬 장치를 이용하면 상기 웨이퍼(31)의 각도를 용이하게 조절하여 상기 웨이퍼(31)에 광이 항상 수직으로 입사되도록 할 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼(31)의 둘레에는 내면이 검은색으로 이루어진 경통 형태의 가이드 링(33)을 설치하여 웨이퍼(31)로 입사되는 광의 회절이나 퍼짐 또는 회절된 광에 의한 다른 면의 노광을 최소화시킬 수 있다.
그러면 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 노광 장치의 동작을 설명하기로 한다.
광원(11)으로부터 제공되는 광은 반사경(12)에 반사되어 광 경로 변환부(13)로 입사된다. 상기 광 경로 변환부(13)는 회전수단(14)에 의해 양 방향으로 90도 회전이 가능하도록 구성되어 상기 광원(11)으로부터 제공되는 광의 경로를 예를 들어, 좌측 또는 우측으로 변환시킨다.
먼저, 상기 광 경로 변환부(13)에 의해 좌측으로 광 경로가 변환된 경우를 설명하면 다음과 같다.
상기 광 경로 변환부(13)에 의해 좌측으로 경로가 변환된 광은 거울(41)에 의해 수직으로 반사되고, 거울(42)에 의해 다시 수직으로 반사되어 렌즈(21)를 통해 마스크(22)로 입사된다. 상기 마스크(22)를 투과한 광 즉, 상기 마스크(22)에 의해 형성된 광 패턴은 렌즈(23)를 통해 거울(44)로 입사되고, 거울(44)에 의해 수직으로 반사된 후 거울(46)에 의해 다시 수직으로 반사되어 웨이퍼(31)로 조사된다.
다음으로, 상기 광 경로 변환부(13)에 의해 우측으로 광 경로가 변환된 경우를 설명하면 다음과 같다.
상기 회전수단(14)의 구동에 의해 상기 광 경로 변환부(13)가 90도 회전되고, 회전수단(43 및 45)의 구동에 의해 상기 거울(42 및 44)이 90도 회전된 상태에서 상기 광 경로 변환부(13)에 의해 우측으로 경로가 변환된 광은 거울(51)에 의해 수직으로 반사되고, 거울(44)에 의해 다시 수직으로 반사되어 렌즈(23)를 통해 마스크(22)로 입사된다. 상기 마스크(22)를 투과한 광 즉, 상기 마스크(22)에 의해 형성된 광 패턴은 렌즈(21)를 통해 거울(42)로 입사되고, 거울(42)에 의해 수직으로 반사된 후 거울(56)에 의해 다시 수직으로 반사되어 웨이퍼(31)로 조사된다.
상기 실시예에서는 설명의 편의를 위해 웨이퍼(31)가 수직으로 장착되는 경우를 설명하였지만, 웨이퍼를 수평 방향으로 장착하고, 웨이퍼의 위치에 맞도록 거울, 렌즈 및 마스크를 배열할 수 있다. 이 경우 광 세기의 균일도가 유지되며 광 경로의 차이가 최소화되도록 해야 한다. 레이저 정렬 장치를 이용하면 위치 지지대(포지션너)를 조절하여 웨이퍼를 수직, 수평 혹은 원하는 각도로 정확히 조정할 수 있다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예를 개시하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명은 광 경로 변환부를 이용하여 광의 경로를 양 방향으로 변환시키고, 회전수단를 이용하여 광의 경로를 선택적으로 조절함으로써 한번 웨이퍼를 정렬시킨 상태에서 웨이퍼의 일면 또는 양면이나 특정 면을 연속적으로 노광시킬 수 있다. 따라서 웨이퍼 재 장착 과정을 거치지 않고 웨이퍼의 양면을 용이하게 노광시킬 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼 장착 과정에서 발생되는 웨이퍼 손상이나 공정 단계의 증가가 방지된다.
본 발명의 노광 장치는 마이크로머신(MEMS), 디스플레이, 감지센서 등의 제작 과정에서 웨이퍼 표면의 손상을 방지하며, 웨이퍼 양면 공정을 용이하게 진행할 수 있도록 한다. 최근 융합 기술이 필요한 각종 반도체 부품 제조 공정에도 적용될 수 있다.

Claims (8)

  1. 광원,
    소정의 패턴이 형성된 마스크,
    노광을 위해 홀더에 장착된 시료,
    상기 광원으로부터 제공되는 광을 반사시키는 반사경,
    상기 반사경으로부터 제공되는 광의 경로를 변환시키는 광 경로 변환부,
    상기 광 경로 변환부의 양측에 각각 설치되며, 상기 광의 경로를 변화시키는 제 1 거울,
    상기 시료의 양측에 각각 설치되며, 광의 경로를 변화시키는 제 2 거울,
    상기 마스크의 양측에 각각 설치되며, 상기 제 1 거울에 반사된 광을 상기 마스크로 입사시키거나, 상기 마스크를 통과한 광을 상기 제 2 거울로 입사시키는 제 3 거울을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 마스크와 상기 제 3 거울 사이에 각각 설치된 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 광 경로 변환부는 일면 또는 양면이 반사면으로 이루어진 거울 또는 빔 스플리터로 구성된 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 광 경로의 변환을 위해 상기 광 경로 변환부를 회전시키는 회전수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 거울에 반사된 광을 상기 마스크로 입사시키거나, 상기 마스크를 통과한 광을 상기 제 2 거울로 입사시키기 위해 상기 제 3 거울을 회전시키는 회전수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 거울은 일면이 반사면으로 구성되고, 상기 제 3 거울은 양면이 반사면으로 구성된 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 홀더에 상기 웨이퍼의 가장자리부가 장착된 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 둘레에 광의 회절이나 퍼짐을 방지하기 위한 가이드 링이 더 구비된 것을 특징으로 하는 노광 장치.
KR1020040096680A 2004-11-24 2004-11-24 노광 장치 KR100566096B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040096680A KR100566096B1 (ko) 2004-11-24 2004-11-24 노광 장치
US11/249,783 US7190432B2 (en) 2004-11-24 2005-10-13 Exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040096680A KR100566096B1 (ko) 2004-11-24 2004-11-24 노광 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100566096B1 true KR100566096B1 (ko) 2006-03-31

Family

ID=36460627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040096680A KR100566096B1 (ko) 2004-11-24 2004-11-24 노광 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7190432B2 (ko)
KR (1) KR100566096B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015174677A1 (ko) * 2014-05-12 2015-11-19 동우 화인켐 주식회사 대면적 근접 노광 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006032810A1 (de) * 2006-07-14 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, mikrolithografisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT393925B (de) 1987-06-02 1992-01-10 Ims Ionen Mikrofab Syst Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind
JPH0567558A (ja) 1991-09-06 1993-03-19 Nikon Corp 露光方法
JPH06310400A (ja) 1993-04-12 1994-11-04 Svg Lithography Syst Inc 軸上マスクとウェーハ直線配列システム
US6229595B1 (en) 1995-05-12 2001-05-08 The B. F. Goodrich Company Lithography system and method with mask image enlargement
US5923403A (en) 1997-07-08 1999-07-13 Anvik Corporation Simultaneous, two-sided projection lithography system
US6211942B1 (en) * 2000-03-10 2001-04-03 Howa Machinery Ltd. Double-sided exposure system
JP2001265000A (ja) 2000-03-16 2001-09-28 Toray Eng Co Ltd レーザー露光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015174677A1 (ko) * 2014-05-12 2015-11-19 동우 화인켐 주식회사 대면적 근접 노광 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US7190432B2 (en) 2007-03-13
US20060109444A1 (en) 2006-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100480620B1 (ko) 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
JP5390691B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
TWI406107B (zh) 曝光設備和半導體裝置製造方法
JP3413160B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた走査型露光装置
CN102236265A (zh) 光刻设备和制造物品的方法
JPWO2008007632A1 (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
KR100973753B1 (ko) 리소그래피 방법 및 이에 의해 제조되는 디바이스
KR100871016B1 (ko) 조명장치, 당해 조명장치를 구비한 노광장치 및 디바이스제조방법
TWI269119B (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI439816B (zh) 光學積分器、照明光學裝置、曝光裝置以及元件製造方法
TW200825634A (en) Diffractive optical element, exposure apparatus and device manufacturing method
KR100566096B1 (ko) 노광 장치
US6151103A (en) Method and system for improved optical imaging in microlithography
JP2004334184A (ja) 三次元構造物形成方法および露光装置
JP3358109B2 (ja) 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2007287885A (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
KR100677985B1 (ko) 반도체 제조용 노광장치
JP2010114344A (ja) 露光装置、およびデバイス製造方法
KR20030085896A (ko) 노광 장치의 투영렌즈계의 수차 평가용 마스크
JP2937942B2 (ja) アクティブマトリックス形液晶表示素子の製造方法およびその装置
JP3080694B2 (ja) 露光装置
JP2818391B2 (ja) 露光装置
KR100474590B1 (ko) 리소그래피정렬오차보정방법
KR20240006149A (ko) 검사 장치 및 검사 방법
JP2747255B2 (ja) 露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130304

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140303

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment
LAPS Lapse due to unpaid annual fee