JP2001265000A - レーザー露光装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 3
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハー等の対象物上に、視認性良好な識別
コードを露光するレーザー露光装置を提供する。 【解決手段】 円形ビームを発振するレーザー発振器
と、発振されたレーザービームを拡大するビームエキス
パンダーと、拡大された円形ビームを矩形に整形する矩
形マスクと、矩形にしたレーザービームを縮小する光学
系とから成るレーザー露光装置。
コードを露光するレーザー露光装置を提供する。 【解決手段】 円形ビームを発振するレーザー発振器
と、発振されたレーザービームを拡大するビームエキス
パンダーと、拡大された円形ビームを矩形に整形する矩
形マスクと、矩形にしたレーザービームを縮小する光学
系とから成るレーザー露光装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は対象物上に識別コー
ドを露光する装置に関するものである。更に詳しくは半
導体製造工程などで使用されるウェハーに対しプロセス
毎の履歴管理や品質管理を行うために使用する識別コー
ドを露光する露光装置に関するものである。
ドを露光する装置に関するものである。更に詳しくは半
導体製造工程などで使用されるウェハーに対しプロセス
毎の履歴管理や品質管理を行うために使用する識別コー
ドを露光する露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶パネル製造工程では、既に識別コー
ドによる製造プロセス毎の履歴管理や品質管理が行われ
ているが、識別コードとして2次元コードや文字が用い
られている。液晶パネルにかかる識別コードを露光する
際、対象物である液晶パネル自体がそれ程小さいもので
はないので、識別コードも微小にする必要はない。
ドによる製造プロセス毎の履歴管理や品質管理が行われ
ているが、識別コードとして2次元コードや文字が用い
られている。液晶パネルにかかる識別コードを露光する
際、対象物である液晶パネル自体がそれ程小さいもので
はないので、識別コードも微小にする必要はない。
【0003】しかるに、半導体製造工程等で使用される
ウェハーに、液晶パネルと同様にプロセス毎の履歴管理
や品質管理に識別コードをマーキングするとなると、次
のような問題が生じる。
ウェハーに、液晶パネルと同様にプロセス毎の履歴管理
や品質管理に識別コードをマーキングするとなると、次
のような問題が生じる。
【0004】先ず、ウェハーに識別コードをマーキング
する手法として、レーザーマーカーを用いてウェハーの
裏面にバーコード、2次元コード、又は文字を描く方法
が一般的であり、各工程でのコード読み取りは必然的に
ウェハーの裏面から行わなければならず、読み取り装置
の配置に工夫が必要である。
する手法として、レーザーマーカーを用いてウェハーの
裏面にバーコード、2次元コード、又は文字を描く方法
が一般的であり、各工程でのコード読み取りは必然的に
ウェハーの裏面から行わなければならず、読み取り装置
の配置に工夫が必要である。
【0005】また、チップ毎の識別コードが必要な場合
等でウェハーの表面にマーキングが必要な場合、従来の
レーザーマーカーでマーキングするとウェハー面上のフ
ォトレジストを削ってしまい、半導体製造工程で最も嫌
われる塵埃が発生してしまう。
等でウェハーの表面にマーキングが必要な場合、従来の
レーザーマーカーでマーキングするとウェハー面上のフ
ォトレジストを削ってしまい、半導体製造工程で最も嫌
われる塵埃が発生してしまう。
【0006】更に、従来のレーザーマーカーでマーキン
グする識別コードを形成するドットは円形であり、コー
ド読み取りの際の視認性が良くない。この事実を図1〜
図4に基づいて説明する。
グする識別コードを形成するドットは円形であり、コー
ド読み取りの際の視認性が良くない。この事実を図1〜
図4に基づいて説明する。
【0007】例えば、カメラによる2次元コード読み取
りの際に2次元コードの各行を走査しながら白黒の判別
を行う場合、図1のように正方形のドットで形成された
2次元コードでは走査線A〜Eのいずれも白と黒を正し
く捕らえている。ところが、図2のような丸ドットで形
成されている2次元コードでは走査線B、C、Eのよう
に隣接するドットのところで本来は無い白ドットがあた
かもあるかのように判定されてしまう。これは、フィル
ター処理等で回避できる場合もあるが処理時間がかかる
等の問題が生じる。
りの際に2次元コードの各行を走査しながら白黒の判別
を行う場合、図1のように正方形のドットで形成された
2次元コードでは走査線A〜Eのいずれも白と黒を正し
く捕らえている。ところが、図2のような丸ドットで形
成されている2次元コードでは走査線B、C、Eのよう
に隣接するドットのところで本来は無い白ドットがあた
かもあるかのように判定されてしまう。これは、フィル
ター処理等で回避できる場合もあるが処理時間がかかる
等の問題が生じる。
【0008】上記のような比較的白と黒のコントラスト
がとれる2次元コードでは別の方式で読み取り可能な場
合もある。
がとれる2次元コードでは別の方式で読み取り可能な場
合もある。
【0009】ところが、2次元コードの上に金属膜が成
膜された場合などで白黒のコントラストが著しく悪い場
合、ドットの輪郭を捕らえる読み取りを行わざるを得な
い。図1および図2の2次元コード上に金属が成膜され
た時の2次元コードのイメージ図が図3および図4であ
る。
膜された場合などで白黒のコントラストが著しく悪い場
合、ドットの輪郭を捕らえる読み取りを行わざるを得な
い。図1および図2の2次元コード上に金属が成膜され
た時の2次元コードのイメージ図が図3および図4であ
る。
【0010】カメラによる走査を実施した場合、ドット
が正方形であれば図3のように白と黒の境界のみをある
信号レベルとして捕らえることが可能である。走査を白
からスタートしたとすれば、次に信号があったところで
黒、その次の信号で白というように信号の度に白と黒が
反転するのですべてのドットの白黒判別が可能となる。
が正方形であれば図3のように白と黒の境界のみをある
信号レベルとして捕らえることが可能である。走査を白
からスタートしたとすれば、次に信号があったところで
黒、その次の信号で白というように信号の度に白と黒が
反転するのですべてのドットの白黒判別が可能となる。
【0011】もしドットが図4のように丸形状であれ
ば、例え隣接したの2個のドットであっても走査した結
果は2個以上の信号が発生してしまう。しかも走査する
位置により、その発生信号の数は異なってしまい、ます
ますドットの白黒判別が不可能となる。
ば、例え隣接したの2個のドットであっても走査した結
果は2個以上の信号が発生してしまう。しかも走査する
位置により、その発生信号の数は異なってしまい、ます
ますドットの白黒判別が不可能となる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は識別
コード読み取りの際の視認性を良くするマーキングが可
能で、且つチップ単位での識別コードが必要な場合にも
対応し得る微小識別コードの形成が可能なレーザー露光
装置を提供せんとするものである。
コード読み取りの際の視認性を良くするマーキングが可
能で、且つチップ単位での識別コードが必要な場合にも
対応し得る微小識別コードの形成が可能なレーザー露光
装置を提供せんとするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は円形ビー
ムを発振するレーザー発振器と、発振されたレーザービ
ームを拡大するビームエキスパンダーと、拡大された円
形ビームを矩形に整形する矩形マスクと、矩形にしたレ
ーザービームを縮小する光学系とから成るレーザー露光
装置である。
ムを発振するレーザー発振器と、発振されたレーザービ
ームを拡大するビームエキスパンダーと、拡大された円
形ビームを矩形に整形する矩形マスクと、矩形にしたレ
ーザービームを縮小する光学系とから成るレーザー露光
装置である。
【0014】そして、前記光学系の途中又は後にスキャ
ン機構、例えば、スキャナー、又はポリゴンミラーを設
ければ、ウェハー上に任意のパターンである識別コード
を形成し得る。
ン機構、例えば、スキャナー、又はポリゴンミラーを設
ければ、ウェハー上に任意のパターンである識別コード
を形成し得る。
【0015】また、前記スキャン機構の後に、fθレン
ズ等の補正レンズ系を設けると、像の歪みと光路長を補
正し得る。
ズ等の補正レンズ系を設けると、像の歪みと光路長を補
正し得る。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って、本発明
に係るレーザー露光装置の好ましい実施の形態について
説明する。
に係るレーザー露光装置の好ましい実施の形態について
説明する。
【0017】1は光源となるレーザー発振器で、3はレ
ーザービーム2を遮断するためのシャッター機構であ
り、4はレーザービーム2を広げるためのビームエキス
パンダーである。6は円形のレーザービーム5を矩形に
するための矩形マスクで、矩形に切り取られたビームは
結像レンズ8と対物レンズ10により、縮小される。な
お、9は矩形像をリレーするためのリレーレンズであ
り、11はウェハー、12、13はスキャナーである。
ーザービーム2を遮断するためのシャッター機構であ
り、4はレーザービーム2を広げるためのビームエキス
パンダーである。6は円形のレーザービーム5を矩形に
するための矩形マスクで、矩形に切り取られたビームは
結像レンズ8と対物レンズ10により、縮小される。な
お、9は矩形像をリレーするためのリレーレンズであ
り、11はウェハー、12、13はスキャナーである。
【0018】なお、スキャナーは必須というわけではな
く、スキャナーを使用する替わりにウェハー側をマーキ
ングパターンにあわせて動かしてもよい。
く、スキャナーを使用する替わりにウェハー側をマーキ
ングパターンにあわせて動かしてもよい。
【0019】また、適当な場所にミラーやプリズムを入
れて光路を曲げてもよい。さらに、スキャナーの後に像
の歪みや光路長を補正するためのfθレンズを追加する
こと、及び光軸調整や露光状態確認のために光路の途中
に露光光源用レーザーとは別のレーザーを入れることも
可能である。観察のためにカメラ等を入れてもよい。
れて光路を曲げてもよい。さらに、スキャナーの後に像
の歪みや光路長を補正するためのfθレンズを追加する
こと、及び光軸調整や露光状態確認のために光路の途中
に露光光源用レーザーとは別のレーザーを入れることも
可能である。観察のためにカメラ等を入れてもよい。
【0020】シャッター機構は機械的なシャッターでも
よいし、音響光学素子等をもちいた変調器等でもよい。
またシャッター機構を挿入する替わりにレーザー発振自
身をON・OFF制御してもよい。
よいし、音響光学素子等をもちいた変調器等でもよい。
またシャッター機構を挿入する替わりにレーザー発振自
身をON・OFF制御してもよい。
【0021】次に、本発明のレーザー露光装置による露
光方法を説明することにする。光源となるレーザー発振
機1から出たレーザービーム2はほぼ平行光で、通常断
面は円形であり、レーザーパワーは中心部が最も強く周
辺部は極端に悪い。そのレーザービーム2をビームエキ
スパンダー4により平行光のまま断面積を広げレーザー
ビーム5を得る。ここでレーザービーム5はまだ円形の
段面形状をしておりパワーは中心部が強い。露光に必要
な矩形でしかもパワー分布が均一なレーザービームを得
るためにマスク6によってレーザビーム5のパワーの強
い中心部のみを矩形に切り取る。
光方法を説明することにする。光源となるレーザー発振
機1から出たレーザービーム2はほぼ平行光で、通常断
面は円形であり、レーザーパワーは中心部が最も強く周
辺部は極端に悪い。そのレーザービーム2をビームエキ
スパンダー4により平行光のまま断面積を広げレーザー
ビーム5を得る。ここでレーザービーム5はまだ円形の
段面形状をしておりパワーは中心部が強い。露光に必要
な矩形でしかもパワー分布が均一なレーザービームを得
るためにマスク6によってレーザビーム5のパワーの強
い中心部のみを矩形に切り取る。
【0022】マスク6によって切り取られた矩形レーザ
ービーム7は結像レンズ8、リレーレンズ9を介し対物
レンズ10により所定のサイズの矩形像に縮小されウェ
ハー面11に像を結ぶ。この矩形像を任意のパターンに
振るためにスキャナー12と13があり、このスキャナ
ー12,13とシャッター機構3が同期して動作するこ
とにより識別コードや文字をウェハー面11に描くこと
ができる。例えば、1mm平方の矩形マスク6を用い、
光学系で100分の1に縮小すれば10ミクロン平方の
微小ドットをウェハー面に描くことができる。
ービーム7は結像レンズ8、リレーレンズ9を介し対物
レンズ10により所定のサイズの矩形像に縮小されウェ
ハー面11に像を結ぶ。この矩形像を任意のパターンに
振るためにスキャナー12と13があり、このスキャナ
ー12,13とシャッター機構3が同期して動作するこ
とにより識別コードや文字をウェハー面11に描くこと
ができる。例えば、1mm平方の矩形マスク6を用い、
光学系で100分の1に縮小すれば10ミクロン平方の
微小ドットをウェハー面に描くことができる。
【0023】
【発明の効果】本発明のレーザー露光装置によって得ら
れた識別コード(2次元コード)は、微小であるため、
ウェハー上の極狭いエリアにもマーキング可能であり、
現在のところおこなわれていない、チップ毎にマーキン
グをし、管理することも可能になる。
れた識別コード(2次元コード)は、微小であるため、
ウェハー上の極狭いエリアにもマーキング可能であり、
現在のところおこなわれていない、チップ毎にマーキン
グをし、管理することも可能になる。
【0024】また、そのコードを形成するドットが矩形
のため、コード認識の際に視認性がよく、従来の円形ド
ットに比較して読み取り率が向上する。また、半導体製
造工程ではマーキングされた2次元コードの上に何層も
成膜が予想されるが、透過式でコード読み取りできない
ため反射方式でコード読み取りを行うのが普通で、矩形
ドットで構成された2次元コードではドットの輪郭をと
らえるエッジ検出が可能であるのでコード上に成膜され
ていても読み取ることが可能である。
のため、コード認識の際に視認性がよく、従来の円形ド
ットに比較して読み取り率が向上する。また、半導体製
造工程ではマーキングされた2次元コードの上に何層も
成膜が予想されるが、透過式でコード読み取りできない
ため反射方式でコード読み取りを行うのが普通で、矩形
ドットで構成された2次元コードではドットの輪郭をと
らえるエッジ検出が可能であるのでコード上に成膜され
ていても読み取ることが可能である。
【図1】正方形ドットで形成された2次元コードの白黒
をサーチする信号レベルを示す説明図である。
をサーチする信号レベルを示す説明図である。
【図2】丸ドットで形成された2次元コードの白黒をサ
ーチする信号レベルを示す説明図である。
ーチする信号レベルを示す説明図である。
【図3】正方形ドットで形成された2次元コードの上に
金属膜が成膜された場合の輪郭をサーチする信号レベル
を示す説明図である。
金属膜が成膜された場合の輪郭をサーチする信号レベル
を示す説明図である。
【図4】丸ドットで形成された2次元コードの上に金属
膜が成膜された場合の輪郭をサーチする信号レベルを示
す説明図である。
膜が成膜された場合の輪郭をサーチする信号レベルを示
す説明図である。
【図5】本発明のレーザー露光装置の概略図である。
1 レーザー発振器 2 レーザービーム 4 ビームエキスパンダー 6 マスク 8 結像レンズ 9 リレーレンズ 10 対物レンズ 11 ウェハー
Claims (3)
- 【請求項1】 円形ビームを発振するレーザー発振器
と、発振されたレーザービームを拡大するビームエキス
パンダーと、拡大された円形ビームを矩形に整形する矩
形マスクと、矩形にしたレーザービームを縮小する光学
系とから成るレーザー露光装置。 - 【請求項2】 前記光学系の途中又は後にスキャン機構
を設けたことを特徴とする請求項1に記載のレーザー露
光装置。 - 【請求項3】 前記スキャン機構の後に、fθレンズ等
の補正用レンズ系を設けたことを特徴とする請求項2に
記載のレーザー露光装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000074709A JP2001265000A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | レーザー露光装置 |
KR1020017013530A KR20020026152A (ko) | 2000-03-16 | 2001-03-12 | 레이저 노광장치 |
PCT/JP2001/001906 WO2001069661A1 (fr) | 2000-03-16 | 2001-03-12 | Dispositif d'exposition a laser |
US09/959,633 US6700642B2 (en) | 2000-03-16 | 2001-03-12 | Laser exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000074709A JP2001265000A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | レーザー露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001265000A true JP2001265000A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18592712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000074709A Pending JP2001265000A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | レーザー露光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6700642B2 (ja) |
JP (1) | JP2001265000A (ja) |
KR (1) | KR20020026152A (ja) |
WO (1) | WO2001069661A1 (ja) |
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US9121873B2 (en) | 2010-07-29 | 2015-09-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Electronic circuit component authenticity determination method |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4092927B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2008-05-28 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体、iii族窒化物系化合物半導体素子及びiii族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 |
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US8811715B2 (en) * | 2012-10-03 | 2014-08-19 | Cognex Corporation | Wafer identification fault recovery |
Family Cites Families (9)
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-
2000
- 2000-03-16 JP JP2000074709A patent/JP2001265000A/ja active Pending
-
2001
- 2001-03-12 KR KR1020017013530A patent/KR20020026152A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-03-12 US US09/959,633 patent/US6700642B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-12 WO PCT/JP2001/001906 patent/WO2001069661A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020158964A1 (en) | 2002-10-31 |
WO2001069661A1 (fr) | 2001-09-20 |
US6700642B2 (en) | 2004-03-02 |
KR20020026152A (ko) | 2002-04-06 |
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