JPH10284359A - ウエハの認識装置及びウエハの認識方法 - Google Patents
ウエハの認識装置及びウエハの認識方法Info
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- JPH10284359A JPH10284359A JP9093675A JP9367597A JPH10284359A JP H10284359 A JPH10284359 A JP H10284359A JP 9093675 A JP9093675 A JP 9093675A JP 9367597 A JP9367597 A JP 9367597A JP H10284359 A JPH10284359 A JP H10284359A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ表面に刻字された刻字内容を、ウエハ
上に酸化膜等が成膜された場合であっても確実に読み取
ることができるようなウエハ認識装置を得る。 【解決手段】 酸化膜３が成膜されたウエハ１をウエハ
ステージ２上に設置し、酸化膜３の表面に、レーザー光
照射部４によってレーザー光を照射する。すると、凹部
１３が形成されている領域に照射されたレーザー光は、
凹部１３の呈する段差に起因して酸化膜３の表面で散乱
される。従って、レーザー光照射を走査させることによ
って、凹部１３に起因する散乱光を散乱光受光部５で受
光することができる。次に、散乱光受光部５で受光した
散乱光の分布に関する情報を電位に変換し、この電位分
布をＯＣＲ処理部６でＯＣＲ処理することにより、酸化
膜３の表面に形成されている凹部１３の形状を文字情報
として読み取ることができる。
上に酸化膜等が成膜された場合であっても確実に読み取
ることができるようなウエハ認識装置を得る。 【解決手段】 酸化膜３が成膜されたウエハ１をウエハ
ステージ２上に設置し、酸化膜３の表面に、レーザー光
照射部４によってレーザー光を照射する。すると、凹部
１３が形成されている領域に照射されたレーザー光は、
凹部１３の呈する段差に起因して酸化膜３の表面で散乱
される。従って、レーザー光照射を走査させることによ
って、凹部１３に起因する散乱光を散乱光受光部５で受
光することができる。次に、散乱光受光部５で受光した
散乱光の分布に関する情報を電位に変換し、この電位分
布をＯＣＲ処理部６でＯＣＲ処理することにより、酸化
膜３の表面に形成されている凹部１３の形状を文字情報
として読み取ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ウエハの認識装
置及びウエハの認識方法に関するものである。
置及びウエハの認識方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の生産管理やデータ管理をウ
エハ又はロットごとに行う場合には、半導体装置の基礎
となるウエハを個々に区別しておく必要がある。その
際、標識たるロット番号やウエハ番号を、例えばレーザ
ーを用いてウエハの表面に刻字することによってウエハ
を区別することが一般的に行われている。
エハ又はロットごとに行う場合には、半導体装置の基礎
となるウエハを個々に区別しておく必要がある。その
際、標識たるロット番号やウエハ番号を、例えばレーザ
ーを用いてウエハの表面に刻字することによってウエハ
を区別することが一般的に行われている。
【０００３】従来、ウエハの表面に刻字されたロット番
号やウエハ番号を読み取るにあたっては、まず刻字部を
ＣＣＤカメラによって直接観察することによって刻字内
容を図形情報として読み取り、次に、この図形情報を文
字情報として識別する処理（以下「ＯＣＲ処理」と表記
する。）を施すことにより、個々のウエハを認識してい
た。
号やウエハ番号を読み取るにあたっては、まず刻字部を
ＣＣＤカメラによって直接観察することによって刻字内
容を図形情報として読み取り、次に、この図形情報を文
字情報として識別する処理（以下「ＯＣＲ処理」と表記
する。）を施すことにより、個々のウエハを認識してい
た。
【０００４】図９は、ウエハの表面に、標識たるロット
番号やウエハ番号をレーザーを用いて刻字したときのウ
エハの状態を部分的に示す断面図である。図９に示すよ
うに、刻字部７はウエハ１の表面から例えば０．２μｍ
程度の深さに形成される。このように、ウエハ１の表面
から０．２μｍ程度以上の深さにロット番号等を刻字す
れば、その刻字内容をＣＣＤカメラによって直接読み取
ることができる。
番号やウエハ番号をレーザーを用いて刻字したときのウ
エハの状態を部分的に示す断面図である。図９に示すよ
うに、刻字部７はウエハ１の表面から例えば０．２μｍ
程度の深さに形成される。このように、ウエハ１の表面
から０．２μｍ程度以上の深さにロット番号等を刻字す
れば、その刻字内容をＣＣＤカメラによって直接読み取
ることができる。
【０００５】また、図１０は、図９に示すウエハ１の表
面上に酸化膜３を成膜したときの、ウエハ１及び酸化膜
３の状態を部分的に示す断面図である。半導体装置の製
造工程においては、ウエハ１の表面上に酸化膜３等が成
膜されることが多く、この場合、図１０に示すように、
酸化膜３の表面のうち刻字部７の上方に存在する領域に
は刻字部７の呈する段差に起因して凹部１３が生じる
が、他の領域には凹部１３は生じない。
面上に酸化膜３を成膜したときの、ウエハ１及び酸化膜
３の状態を部分的に示す断面図である。半導体装置の製
造工程においては、ウエハ１の表面上に酸化膜３等が成
膜されることが多く、この場合、図１０に示すように、
酸化膜３の表面のうち刻字部７の上方に存在する領域に
は刻字部７の呈する段差に起因して凹部１３が生じる
が、他の領域には凹部１３は生じない。
【０００６】図１１は、従来のウエハの認識装置の一例
を示す断面図である。刻字部７が設けられたウエハ１の
表面に、刻字部７の斜め上方から光照射部８によって光
を照射する。一方、正反射光Ｌａの方向から受光軸が外
れるようＣＣＤカメラ１０を配置して、刻字部７で反射
した反射光ＬｂのみをこのＣＣＤカメラ１０によって受
光する。このように正反射光Ｌａの方向からＣＣＤカメ
ラ１０の受光軸を外すことによって、刻字部７とその周
辺部との間に強いコントラストを付けることができ、光
を照射することなくＣＣＤカメラ１０によって単に刻字
部７の内容を読み取る場合と比較すると、その読み取り
性能の向上を図ることができる。
を示す断面図である。刻字部７が設けられたウエハ１の
表面に、刻字部７の斜め上方から光照射部８によって光
を照射する。一方、正反射光Ｌａの方向から受光軸が外
れるようＣＣＤカメラ１０を配置して、刻字部７で反射
した反射光ＬｂのみをこのＣＣＤカメラ１０によって受
光する。このように正反射光Ｌａの方向からＣＣＤカメ
ラ１０の受光軸を外すことによって、刻字部７とその周
辺部との間に強いコントラストを付けることができ、光
を照射することなくＣＣＤカメラ１０によって単に刻字
部７の内容を読み取る場合と比較すると、その読み取り
性能の向上を図ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１０に示す
ようにウエハ１の表面上に酸化膜３を成膜した場合は、
たとえ刻字部７をウエハ１の表面から深さ０．２μｍ程
度に形成したとしても、凹部１３の深さはこれよりも浅
くなるため、ＣＣＤカメラによって単に凹部１３の表面
形状を直接読み取る場合はもちろんのこと、図１１に示
すウエハの認識装置を用いた場合であっても凹部１３と
その周辺部との間に十分なコントラストを付けることが
できず、その結果ウエハを認識できないという問題があ
った。
ようにウエハ１の表面上に酸化膜３を成膜した場合は、
たとえ刻字部７をウエハ１の表面から深さ０．２μｍ程
度に形成したとしても、凹部１３の深さはこれよりも浅
くなるため、ＣＣＤカメラによって単に凹部１３の表面
形状を直接読み取る場合はもちろんのこと、図１１に示
すウエハの認識装置を用いた場合であっても凹部１３と
その周辺部との間に十分なコントラストを付けることが
できず、その結果ウエハを認識できないという問題があ
った。
【０００８】なお、ウエハ１の表面上に酸化膜３等を成
膜すると凹部１３の深さが浅くなることを考慮して、最
初からウエハ１の表面に深く刻字することも考えられる
が、刻字部７を形成する際の発塵が増加してウエハ１の
表面に付着したり、半導体装置の製造工程で用いる薬品
等が刻字部７に液溜まりする等の弊害が生じ得るため、
無制限に深く刻字することはできない。
膜すると凹部１３の深さが浅くなることを考慮して、最
初からウエハ１の表面に深く刻字することも考えられる
が、刻字部７を形成する際の発塵が増加してウエハ１の
表面に付着したり、半導体装置の製造工程で用いる薬品
等が刻字部７に液溜まりする等の弊害が生じ得るため、
無制限に深く刻字することはできない。
【０００９】本発明はこのような問題を解決するために
なされたものであり、発塵の増加や液溜まり等が生じな
い範囲の深さに刻字された刻字内容を、刻字部が形成さ
れたウエハの表面上に酸化膜等が成膜された場合であっ
ても確実に読み取ることができるようなウエハの認識装
置、及びウエハの認識方法を得ることを目的とする。
なされたものであり、発塵の増加や液溜まり等が生じな
い範囲の深さに刻字された刻字内容を、刻字部が形成さ
れたウエハの表面上に酸化膜等が成膜された場合であっ
ても確実に読み取ることができるようなウエハの認識装
置、及びウエハの認識方法を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項１
に係るウエハの認識装置は、段差を以て標識が付された
表面を有するウエハの表面に光を照射する光照射部と、
表面からの光の散乱光を受光することにより、標識を読
み取る受光部とを備えるものである。
に係るウエハの認識装置は、段差を以て標識が付された
表面を有するウエハの表面に光を照射する光照射部と、
表面からの光の散乱光を受光することにより、標識を読
み取る受光部とを備えるものである。
【００１１】また、この発明のうち請求項２に係るウエ
ハの認識装置は、請求項１に係るウエハの認識装置であ
って、光はレーザー光であることを特徴とするものであ
る。
ハの認識装置は、請求項１に係るウエハの認識装置であ
って、光はレーザー光であることを特徴とするものであ
る。
【００１２】また、この発明のうち請求項３に係るウエ
ハの認識装置は、請求項２に係るウエハの認識装置であ
って、光照射部と表面との間においてレーザー光の光軸
上に配置され、レーザー光の強度を減衰するためのフィ
ルターと、フィルターを除去するためのフィルター除去
手段とを更に備えることを特徴とするものである。
ハの認識装置は、請求項２に係るウエハの認識装置であ
って、光照射部と表面との間においてレーザー光の光軸
上に配置され、レーザー光の強度を減衰するためのフィ
ルターと、フィルターを除去するためのフィルター除去
手段とを更に備えることを特徴とするものである。
【００１３】また、この発明のうち請求項４に係るウエ
ハ認識装置は、段差を以て標識が付された表面を有する
ウエハの表面に光を照射する光照射部と、表面からの光
の反射光のパターンを映し出す受光面と、受光面に映る
パターンを認識する受光部とを備えるものである。
ハ認識装置は、段差を以て標識が付された表面を有する
ウエハの表面に光を照射する光照射部と、表面からの光
の反射光のパターンを映し出す受光面と、受光面に映る
パターンを認識する受光部とを備えるものである。
【００１４】また、この発明のうち請求項５に係るウエ
ハの認識方法は、（ａ）段差を以て標識が付された表面
を有するウエハの表面についてレーザー光を走査する工
程と、（ｂ）表面からのレーザー光の散乱光を受光する
工程とを備えるものである。
ハの認識方法は、（ａ）段差を以て標識が付された表面
を有するウエハの表面についてレーザー光を走査する工
程と、（ｂ）表面からのレーザー光の散乱光を受光する
工程とを備えるものである。
【００１５】また、この発明のうち請求項６に係るウエ
ハの認識方法は、（ａ）段差を以て標識が付された表面
を有するウエハの表面に光を照射する工程と、（ｂ）表
面からの光の反射光のパターンを受光面に映し出す工程
と、（ｃ）受光面に映るパターンを認識する工程とを備
えるものである。
ハの認識方法は、（ａ）段差を以て標識が付された表面
を有するウエハの表面に光を照射する工程と、（ｂ）表
面からの光の反射光のパターンを受光面に映し出す工程
と、（ｃ）受光面に映るパターンを認識する工程とを備
えるものである。
【００１６】また、この発明のうち請求項７に係るウエ
ハの認識方法は、請求項５又は請求項６に係るウエハの
認識方法であって、（ｄ）工程（ａ）に先立って実行さ
れ、表面からの反射光を直接受光する工程を更に備え、
工程（ｄ）によって標識を読み取ることができなかった
場合にのみ工程（ａ）に移行することを特徴とするもの
である。
ハの認識方法は、請求項５又は請求項６に係るウエハの
認識方法であって、（ｄ）工程（ａ）に先立って実行さ
れ、表面からの反射光を直接受光する工程を更に備え、
工程（ｄ）によって標識を読み取ることができなかった
場合にのみ工程（ａ）に移行することを特徴とするもの
である。
【００１７】また、この発明のうち請求項８に係るウエ
ハの認識方法は、請求項５に係るウエハの認識方法であ
って、工程（ａ）及び（ｂ）は、標識を読み取ることが
できるまで繰り返し実行されることを特徴とするもので
ある。
ハの認識方法は、請求項５に係るウエハの認識方法であ
って、工程（ａ）及び（ｂ）は、標識を読み取ることが
できるまで繰り返し実行されることを特徴とするもので
ある。
【００１８】
実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１に係るウ
エハの認識装置の構成を示す断面図である。図１に示す
ように本実施の形態１に係るウエハの認識装置は、ウエ
ハステージ２と、レーザー光照射部４と、受光面５１を
有する散乱光受光部５と、ＯＣＲ処理部６とを備えてい
る。また、ウエハステージ２上に設置されるウエハ１の
表面には、標識たるロット番号やウエハ番号が刻字され
た刻字部７が形成されている。なお、刻字部７が形成さ
れた側のウエハ１の表面上に酸化膜３が成膜され、酸化
膜３の表面に生じる凹部１３の深さが、ＣＣＤカメラに
よって直接読み取ることができる深さである０．２μｍ
よりも浅くなっていてもよい。
エハの認識装置の構成を示す断面図である。図１に示す
ように本実施の形態１に係るウエハの認識装置は、ウエ
ハステージ２と、レーザー光照射部４と、受光面５１を
有する散乱光受光部５と、ＯＣＲ処理部６とを備えてい
る。また、ウエハステージ２上に設置されるウエハ１の
表面には、標識たるロット番号やウエハ番号が刻字され
た刻字部７が形成されている。なお、刻字部７が形成さ
れた側のウエハ１の表面上に酸化膜３が成膜され、酸化
膜３の表面に生じる凹部１３の深さが、ＣＣＤカメラに
よって直接読み取ることができる深さである０．２μｍ
よりも浅くなっていてもよい。
【００１９】以下、本実施の形態１に係るウエハの認識
装置を用いたウエハの認識方法について順に説明する。
まず、ウエハステージ２上にウエハ１を設置し、刻字部
７が形成された側のウエハ１の表面に、レーザー光照射
部４によってレーザー光を照射する。すると、刻字部７
が形成されている領域以外に照射されたレーザー光は、
ウエハ１あるいは酸化膜３の表面で正反射し図１中の反
射光となるが、刻字部７が形成されている領域に照射さ
れたレーザー光は、刻字部７あるいは凹部１３の呈する
段差に起因して散乱され、図１中の散乱光として得られ
る。従って、ウエハ１を固定してレーザー光照射部４を
順次移動する、又はレーザー光照射部４を固定してウエ
ハステージ２ごとウエハ１を順次移動することによっ
て、即ちレーザー光照射を走査させることによって、刻
字部７あるいは凹部１３に起因する散乱光を散乱光受光
部５の有する受光面５１で受光することができる。
装置を用いたウエハの認識方法について順に説明する。
まず、ウエハステージ２上にウエハ１を設置し、刻字部
７が形成された側のウエハ１の表面に、レーザー光照射
部４によってレーザー光を照射する。すると、刻字部７
が形成されている領域以外に照射されたレーザー光は、
ウエハ１あるいは酸化膜３の表面で正反射し図１中の反
射光となるが、刻字部７が形成されている領域に照射さ
れたレーザー光は、刻字部７あるいは凹部１３の呈する
段差に起因して散乱され、図１中の散乱光として得られ
る。従って、ウエハ１を固定してレーザー光照射部４を
順次移動する、又はレーザー光照射部４を固定してウエ
ハステージ２ごとウエハ１を順次移動することによっ
て、即ちレーザー光照射を走査させることによって、刻
字部７あるいは凹部１３に起因する散乱光を散乱光受光
部５の有する受光面５１で受光することができる。
【００２０】次に、受光面５１で受光した散乱光の分布
に関する情報を電位に変換する。これにより、散乱光の
分布に応じた二次元的な電位分布が得られる。次に、こ
の電位分布をＯＣＲ処理部６でＯＣＲ処理することによ
り、刻字部７あるいは凹部１３の形状を文字情報として
読み取ることができる。
に関する情報を電位に変換する。これにより、散乱光の
分布に応じた二次元的な電位分布が得られる。次に、こ
の電位分布をＯＣＲ処理部６でＯＣＲ処理することによ
り、刻字部７あるいは凹部１３の形状を文字情報として
読み取ることができる。
【００２１】このように、本実施の形態１に係るウエハ
の認識装置によれば、ＣＣＤカメラによって直接受光し
て読み取ることができない刻字部７あるいは凹部１３の
形状をも読み取ることができ、ウエハを認識することが
できる。
の認識装置によれば、ＣＣＤカメラによって直接受光し
て読み取ることができない刻字部７あるいは凹部１３の
形状をも読み取ることができ、ウエハを認識することが
できる。
【００２２】しかも、本実施の形態１に係るウエハの認
識装置によれば、散乱光の分布に関する情報を電位に変
換する工程を備えるため、その電位差を散乱光受光部５
で増幅することも可能である。従って、刻字部７をＣＣ
Ｄカメラによって直接受光して観察する場合よりも、容
易に刻字内容を読み取ることができる。
識装置によれば、散乱光の分布に関する情報を電位に変
換する工程を備えるため、その電位差を散乱光受光部５
で増幅することも可能である。従って、刻字部７をＣＣ
Ｄカメラによって直接受光して観察する場合よりも、容
易に刻字内容を読み取ることができる。
【００２３】実施の形態２．まず、鏡面の凹凸を認識す
る原理（魔鏡の原理）について説明する。図２は、魔鏡
の原理を説明する断面図である。表面に凹凸を有する鏡
面に対して側方から入射光を照射する。すると、入射光
は鏡面によって反射され、その反射光はスクリーンに映
し出される。このとき、鏡面の凹部で反射した反射光は
その凹形状に起因して集光されるためスクリーンに映し
出される反射光は明るくなり、一方、鏡面の凸部で反射
した反射光は発散されるため暗くなる。従って、スクリ
ーンに映し出された反射光の明暗を観察することによ
り、鏡面の平坦性を可視化でき、鏡面の凹凸を認識する
ことができる。
る原理（魔鏡の原理）について説明する。図２は、魔鏡
の原理を説明する断面図である。表面に凹凸を有する鏡
面に対して側方から入射光を照射する。すると、入射光
は鏡面によって反射され、その反射光はスクリーンに映
し出される。このとき、鏡面の凹部で反射した反射光は
その凹形状に起因して集光されるためスクリーンに映し
出される反射光は明るくなり、一方、鏡面の凸部で反射
した反射光は発散されるため暗くなる。従って、スクリ
ーンに映し出された反射光の明暗を観察することによ
り、鏡面の平坦性を可視化でき、鏡面の凹凸を認識する
ことができる。
【００２４】本実施の形態２は、この魔鏡の原理をウエ
ハの認識装置に応用したものである。図３及び図４は、
本発明の実施の形態２に係るウエハの認識装置の構成を
示す断面図である。図３及び図４に示すように本実施の
形態２に係るウエハの認識装置は、ウエハステージ２
と、光照射部８と、受光面９１を有する反射光受光部９
と、ＣＣＤカメラ１０と、ＯＣＲ処理部６とを備えてい
る。なお、実施の形態１の場合と同様に、ウエハステー
ジ２上に設置されるウエハ１の表面には刻字部７が形成
されている。また、刻字部７が形成されている側のウエ
ハ１の表面上に酸化膜３が成膜されていてもよく、この
場合は酸化膜１３の表面に凹部１３が形成される。
ハの認識装置に応用したものである。図３及び図４は、
本発明の実施の形態２に係るウエハの認識装置の構成を
示す断面図である。図３及び図４に示すように本実施の
形態２に係るウエハの認識装置は、ウエハステージ２
と、光照射部８と、受光面９１を有する反射光受光部９
と、ＣＣＤカメラ１０と、ＯＣＲ処理部６とを備えてい
る。なお、実施の形態１の場合と同様に、ウエハステー
ジ２上に設置されるウエハ１の表面には刻字部７が形成
されている。また、刻字部７が形成されている側のウエ
ハ１の表面上に酸化膜３が成膜されていてもよく、この
場合は酸化膜１３の表面に凹部１３が形成される。
【００２５】以下、本実施の形態２に係るウエハの認識
装置を用いたウエハの認識方法について順に説明する。
まず、ウエハステージ２上にウエハ１を設置し、刻字部
７が設けられた側の表面に、光照射部８によって側方か
ら光を照射する。そして、その反射光を反射光受光部９
の有する受光面９１に映し出す（図３）。すると、上述
の魔鏡の原理により、刻字部７あるいは凹部１３の呈す
る凹形状に起因して、反射光受光部９には刻字部７ある
いは凹部１３の形状が明暗として映し出される。
装置を用いたウエハの認識方法について順に説明する。
まず、ウエハステージ２上にウエハ１を設置し、刻字部
７が設けられた側の表面に、光照射部８によって側方か
ら光を照射する。そして、その反射光を反射光受光部９
の有する受光面９１に映し出す（図３）。すると、上述
の魔鏡の原理により、刻字部７あるいは凹部１３の呈す
る凹形状に起因して、反射光受光部９には刻字部７ある
いは凹部１３の形状が明暗として映し出される。
【００２６】次に、受光面９１に映し出された刻字部７
あるいは凹部１３の形状に関する情報をＣＣＤカメラ１
０によってとらえ、さらにこれをＯＣＲ処理部６でＯＣ
Ｒ処理する（図４）。これにより、刻字部７あるいは凹
部１３の形状を文字情報として認識することができる。
あるいは凹部１３の形状に関する情報をＣＣＤカメラ１
０によってとらえ、さらにこれをＯＣＲ処理部６でＯＣ
Ｒ処理する（図４）。これにより、刻字部７あるいは凹
部１３の形状を文字情報として認識することができる。
【００２７】このように、本実施の形態２に係るウエハ
の認識装置によれば、ＣＣＤカメラによって直接受光し
て読み取ることができない刻字部７あるいは凹部１３の
形状をも読み取ることができ、ウエハを認識することが
できる。
の認識装置によれば、ＣＣＤカメラによって直接受光し
て読み取ることができない刻字部７あるいは凹部１３の
形状をも読み取ることができ、ウエハを認識することが
できる。
【００２８】実施の形態３．実施の形態１又は実施の形
態２で述べたウエハの認識装置を用いると、ＣＣＤカメ
ラで直接受光して読み取ることができなかった、浅い刻
字部７あるいは凹部１３の形状を読み取ることができ
る。しかし、レーザー光又は光を照射し、その散乱光や
反射光の明暗を得る必要があるため、ウエハを認識する
ために要する処理時間がＣＣＤカメラで刻字部７あるい
は凹部１３の形状を直接読み取る場合よりも長くなる。
このため、ＣＣＤカメラで直接受光してこれらの形状を
読み取ることができなかった場合にのみ、実施の形態１
又は実施の形態２に示した技術を適用することができれ
ば望ましい。
態２で述べたウエハの認識装置を用いると、ＣＣＤカメ
ラで直接受光して読み取ることができなかった、浅い刻
字部７あるいは凹部１３の形状を読み取ることができ
る。しかし、レーザー光又は光を照射し、その散乱光や
反射光の明暗を得る必要があるため、ウエハを認識する
ために要する処理時間がＣＣＤカメラで刻字部７あるい
は凹部１３の形状を直接読み取る場合よりも長くなる。
このため、ＣＣＤカメラで直接受光してこれらの形状を
読み取ることができなかった場合にのみ、実施の形態１
又は実施の形態２に示した技術を適用することができれ
ば望ましい。
【００２９】図５は、本発明の実施の形態３に係るウエ
ハの認識方法の測定シーケンスを示すフローチャートで
ある。まず第１段階では、刻字部７あるいは凹部１３の
形状をＣＣＤカメラで直接読み取ることによりウエハの
認識を試みる。これはつまり、刻字部７あるいは凹部１
３からの反射光を直接受光して標識を認識することを意
味する。この第１段階でウエハを認識できた場合はその
まま処理を完了し、一方、ウエハを認識できなかった場
合は実施の形態１又は実施の形態２に係るウエハの認識
装置を用いてウエハの認識を行う。
ハの認識方法の測定シーケンスを示すフローチャートで
ある。まず第１段階では、刻字部７あるいは凹部１３の
形状をＣＣＤカメラで直接読み取ることによりウエハの
認識を試みる。これはつまり、刻字部７あるいは凹部１
３からの反射光を直接受光して標識を認識することを意
味する。この第１段階でウエハを認識できた場合はその
まま処理を完了し、一方、ウエハを認識できなかった場
合は実施の形態１又は実施の形態２に係るウエハの認識
装置を用いてウエハの認識を行う。
【００３０】このように、本実施の形態３に係るウエハ
の認識方法によると、ＣＣＤカメラで直接受光してウエ
ハを認識できなかった場合にのみ、実施の形態１又は実
施の形態２に係るウエハの認識装置を用いる。即ち、Ｃ
ＣＤカメラによる直接の読み取りでウエハを認識できる
ような深い刻字部あるいは凹部についてまで実施の形態
１又は実施の形態２に係るウエハの認識装置を用いるこ
とはない。従って、ウエハを認識するまでに要する処理
時間を不要に延長することを回避することができる。
の認識方法によると、ＣＣＤカメラで直接受光してウエ
ハを認識できなかった場合にのみ、実施の形態１又は実
施の形態２に係るウエハの認識装置を用いる。即ち、Ｃ
ＣＤカメラによる直接の読み取りでウエハを認識できる
ような深い刻字部あるいは凹部についてまで実施の形態
１又は実施の形態２に係るウエハの認識装置を用いるこ
とはない。従って、ウエハを認識するまでに要する処理
時間を不要に延長することを回避することができる。
【００３１】実施の形態４．実施の形態１に係るウエハ
の認識装置を用いる場合、散乱光の強度が弱いと、散乱
光受光部５で十分な散乱光を受光することができず、刻
字部７あるいは凹部１３の形状を読み取ることができな
い場合も起こり得る。本実施の形態４に係るウエハの認
識方法は、このような場合に散乱光受光部５の検出感度
を段階的に増大させ、ウエハを認識できるまで測定を繰
り返す方法である。
の認識装置を用いる場合、散乱光の強度が弱いと、散乱
光受光部５で十分な散乱光を受光することができず、刻
字部７あるいは凹部１３の形状を読み取ることができな
い場合も起こり得る。本実施の形態４に係るウエハの認
識方法は、このような場合に散乱光受光部５の検出感度
を段階的に増大させ、ウエハを認識できるまで測定を繰
り返す方法である。
【００３２】図６は、本発明の実施の形態４に係るウエ
ハの認識方法の測定シーケンスを示すフローチャートで
ある。まず、第１段階（カウンターｎ＝０）では、実施
の形態１で示した方法によりレーザー光を走査して標識
の認識、即ちウエハの認識を試みる。この第１段階でウ
エハを認識できた場合はそのまま処理を完了し、一方、
ウエハを認識できなかった場合は散乱光受光部５の検出
感度を上げる。具体的には、散乱光受光部５として光電
子増倍管を用い、第１段階で光電子増倍管によって得ら
れる画像情報を蓄積しておく。次に、第２段階（カウン
ターｎ＝１）でも同様にレーザー光の走査を行い、第２
段階で得られる画像情報を第１段階で得られた画像情報
と重ね合わせる。この第２段階でウエハを認識できた場
合は処理を完了し、一方、ウエハを認識できなかった場
合は、上記と同様の処理をウエハを認識できるまで繰り
返す。このように順次重ね合わされた画像情報の読み取
りは、それぞれの段階で得られる個々の画像情報の読み
取りよりも容易となる。
ハの認識方法の測定シーケンスを示すフローチャートで
ある。まず、第１段階（カウンターｎ＝０）では、実施
の形態１で示した方法によりレーザー光を走査して標識
の認識、即ちウエハの認識を試みる。この第１段階でウ
エハを認識できた場合はそのまま処理を完了し、一方、
ウエハを認識できなかった場合は散乱光受光部５の検出
感度を上げる。具体的には、散乱光受光部５として光電
子増倍管を用い、第１段階で光電子増倍管によって得ら
れる画像情報を蓄積しておく。次に、第２段階（カウン
ターｎ＝１）でも同様にレーザー光の走査を行い、第２
段階で得られる画像情報を第１段階で得られた画像情報
と重ね合わせる。この第２段階でウエハを認識できた場
合は処理を完了し、一方、ウエハを認識できなかった場
合は、上記と同様の処理をウエハを認識できるまで繰り
返す。このように順次重ね合わされた画像情報の読み取
りは、それぞれの段階で得られる個々の画像情報の読み
取りよりも容易となる。
【００３３】また、検出感度を変化させた回数であるカ
ウンターｎの値を記憶しておき、カウンターｎの値があ
る設定回数ｍを超えれば、即ちｎ≧ｍとなればウエハを
認識することができないと判断してエラーを表示させて
もよい。
ウンターｎの値を記憶しておき、カウンターｎの値があ
る設定回数ｍを超えれば、即ちｎ≧ｍとなればウエハを
認識することができないと判断してエラーを表示させて
もよい。
【００３４】このように、本実施の形態４に係るウエハ
の認識方法によれば、実施の形態１に係るウエハの認識
装置を用いてウエハを認識できない場合であっても、自
動的に散乱光受光部５の検出感度を上げることによっ
て、より確実にウエハを認識することができる。
の認識方法によれば、実施の形態１に係るウエハの認識
装置を用いてウエハを認識できない場合であっても、自
動的に散乱光受光部５の検出感度を上げることによっ
て、より確実にウエハを認識することができる。
【００３５】実施の形態５．上述のごとく、実施の形態
１に係るウエハの認識装置を用いる場合、散乱光の強度
が弱いと、散乱光受光部５で十分な散乱光を受光するこ
とができず、ウエハを認識できない場合も起こり得る。
この場合、実施の形態４で示したように散乱光受光部５
の検出感度を上げることによりウエハを認識することが
できるが、ハード上の理由等により散乱光受光部５の検
出感度を変化できない場合には、レーザー光照射部４か
ら照射されるレーザー光の強度を上げてもよい。
１に係るウエハの認識装置を用いる場合、散乱光の強度
が弱いと、散乱光受光部５で十分な散乱光を受光するこ
とができず、ウエハを認識できない場合も起こり得る。
この場合、実施の形態４で示したように散乱光受光部５
の検出感度を上げることによりウエハを認識することが
できるが、ハード上の理由等により散乱光受光部５の検
出感度を変化できない場合には、レーザー光照射部４か
ら照射されるレーザー光の強度を上げてもよい。
【００３６】この場合、レーザー光照射部４から照射さ
れるレーザー光の強度が強くなればなるほど散乱光の強
度も強くなるが、レーザー光の強度があまりに強すぎた
場合は反射光の強度も増大するため、この反射光に隠れ
て散乱光受光部５における散乱光の受光が困難となる場
合もある。従って、できる限り強度の弱いレーザー光を
照射することによってウエハを認識できれば都合がよ
い。そのため、いきなり強度の強いレーザー光を照射す
るのではなく、強度の弱いレーザー光から段階的にレー
ザー光の強度を上げていくことが望ましい。
れるレーザー光の強度が強くなればなるほど散乱光の強
度も強くなるが、レーザー光の強度があまりに強すぎた
場合は反射光の強度も増大するため、この反射光に隠れ
て散乱光受光部５における散乱光の受光が困難となる場
合もある。従って、できる限り強度の弱いレーザー光を
照射することによってウエハを認識できれば都合がよ
い。そのため、いきなり強度の強いレーザー光を照射す
るのではなく、強度の弱いレーザー光から段階的にレー
ザー光の強度を上げていくことが望ましい。
【００３７】本発明の実施の形態５に係るウエハの認識
装置はこれを実現するための装置である。図７は、本発
明の実施の形態５に係るウエハの認識装置の構成を示す
断面図である。図７に示すように、本実施の形態５に係
るウエハの認識装置は実施の形態１で示したウエハの認
識装置を基礎として構成されているが、これに加えて、
レーザー光照射部４と酸化膜３の表面との間におけるレ
ーザー光の光軸上に配置された、レーザ光の強度を減衰
するための複数のフィルター１１ａ〜１１ｄと、フィル
ター１１ａ〜１１ｄをそれぞれ個別に除去するためのフ
ィルター除去機構１２ａ〜１２ｄとを備えている。この
ときレーザー光照射部４からは、散乱光の受光が反射光
によって影響を受けない範囲内で最大の強度を持つレー
ザー光を照射する。
装置はこれを実現するための装置である。図７は、本発
明の実施の形態５に係るウエハの認識装置の構成を示す
断面図である。図７に示すように、本実施の形態５に係
るウエハの認識装置は実施の形態１で示したウエハの認
識装置を基礎として構成されているが、これに加えて、
レーザー光照射部４と酸化膜３の表面との間におけるレ
ーザー光の光軸上に配置された、レーザ光の強度を減衰
するための複数のフィルター１１ａ〜１１ｄと、フィル
ター１１ａ〜１１ｄをそれぞれ個別に除去するためのフ
ィルター除去機構１２ａ〜１２ｄとを備えている。この
ときレーザー光照射部４からは、散乱光の受光が反射光
によって影響を受けない範囲内で最大の強度を持つレー
ザー光を照射する。
【００３８】また、図８は、本発明の実施の形態５に係
るウエハの認識装置を用いたウエハの認識方法の測定シ
ーケンスを示すフローチャートである。まずフィルター
１１ａ〜１１ｄを全て挿入した状態で、即ち酸化膜３の
表面に照射されるレーザー光の強度が最も弱い状態でレ
ーザー光を照射してウエハの認識を試みる（カウンター
ｎ＝０）。この段階でウエハを認識できた場合はそのま
ま処理を完了し、一方、ウエハを認識できなかった場合
はフィルタ除去機構１２ａによってフィルター１１ａを
除去し、酸化膜３の表面に照射されるレーザー光の強度
を上げて再度ウエハの認識を試みる（カウンターｎ＝
１）。この段階でもウエハを認識できなかった場合はフ
ィルタ除去機構１２ｂによってフィルター１１ｂを除去
し、さらにレーザー光の強度を上げてウエハの認識を試
みる（カウンターｎ＝２）。以上の処理をウエハを認識
できるまで繰り返す。
るウエハの認識装置を用いたウエハの認識方法の測定シ
ーケンスを示すフローチャートである。まずフィルター
１１ａ〜１１ｄを全て挿入した状態で、即ち酸化膜３の
表面に照射されるレーザー光の強度が最も弱い状態でレ
ーザー光を照射してウエハの認識を試みる（カウンター
ｎ＝０）。この段階でウエハを認識できた場合はそのま
ま処理を完了し、一方、ウエハを認識できなかった場合
はフィルタ除去機構１２ａによってフィルター１１ａを
除去し、酸化膜３の表面に照射されるレーザー光の強度
を上げて再度ウエハの認識を試みる（カウンターｎ＝
１）。この段階でもウエハを認識できなかった場合はフ
ィルタ除去機構１２ｂによってフィルター１１ｂを除去
し、さらにレーザー光の強度を上げてウエハの認識を試
みる（カウンターｎ＝２）。以上の処理をウエハを認識
できるまで繰り返す。
【００３９】また、除去したフィルターの枚数であるカ
ウンターｎの値を記憶しておき、カウンターｎの値が予
め挿入されていたフィルターの枚数ｍに達せば、即ちｎ
＝ｍとなればウエハを認識することができないと判断し
てエラーを表示させる。
ウンターｎの値を記憶しておき、カウンターｎの値が予
め挿入されていたフィルターの枚数ｍに達せば、即ちｎ
＝ｍとなればウエハを認識することができないと判断し
てエラーを表示させる。
【００４０】このように本実施の形態５に係るウエハの
認識装置及びウエハの認識方法によれば、フィルター１
１ａ〜１１ｄによって酸化膜３の表面に照射されるレー
ザー光の強度を減衰しておき、ウエハを認識できない場
合には、フィルター除去機構１２ａ〜１２ｄによってフ
ィルター１１ａ〜１１ｄを一枚ずつ機械的に自動で除去
する。従って、散乱光の受光が反射光によって影響を受
けない範囲内でレーザー光の強度を段階的に上げていく
ことができ、実施の形態１に係るウエハの認識装置を用
いてウエハを認識できない場合であっても、自動的にレ
ーザー光の強度を上げることによって、より確実にウエ
ハを認識することができる。
認識装置及びウエハの認識方法によれば、フィルター１
１ａ〜１１ｄによって酸化膜３の表面に照射されるレー
ザー光の強度を減衰しておき、ウエハを認識できない場
合には、フィルター除去機構１２ａ〜１２ｄによってフ
ィルター１１ａ〜１１ｄを一枚ずつ機械的に自動で除去
する。従って、散乱光の受光が反射光によって影響を受
けない範囲内でレーザー光の強度を段階的に上げていく
ことができ、実施の形態１に係るウエハの認識装置を用
いてウエハを認識できない場合であっても、自動的にレ
ーザー光の強度を上げることによって、より確実にウエ
ハを認識することができる。
【００４１】
【発明の効果】光照射部からウエハの表面へ照射された
光は、ウエハの表面のうち、段差を以て付された標識に
おいてのみ散乱される。従って、この発明のうち請求項
１に係るウエハの認識装置によれば、段差が浅く、単に
反射光をＣＣＤカメラで直接受光することによっては標
識を読み取ることができない場合であっても、標識を読
み取ることができ、これによりウエハを認識することが
できる。
光は、ウエハの表面のうち、段差を以て付された標識に
おいてのみ散乱される。従って、この発明のうち請求項
１に係るウエハの認識装置によれば、段差が浅く、単に
反射光をＣＣＤカメラで直接受光することによっては標
識を読み取ることができない場合であっても、標識を読
み取ることができ、これによりウエハを認識することが
できる。
【００４２】レーザー光はそのコヒーレンスが高いた
め、段差に対する散乱が顕著に現れる。従って、この発
明のうち請求項２に係るウエハの認識装置によれば、散
乱光から容易に標識を読み取ることができる。
め、段差に対する散乱が顕著に現れる。従って、この発
明のうち請求項２に係るウエハの認識装置によれば、散
乱光から容易に標識を読み取ることができる。
【００４３】また、この発明のうち請求項３に係るウエ
ハの認識装置によれば、フィルター除去手段を用いてフ
ィルターを除去することにより、光照射部から照射され
るレーザー光の強度を一定に保ったまま、ウエハの表面
に照射されるレーザー光の強度を上げることができる。
ハの認識装置によれば、フィルター除去手段を用いてフ
ィルターを除去することにより、光照射部から照射され
るレーザー光の強度を一定に保ったまま、ウエハの表面
に照射されるレーザー光の強度を上げることができる。
【００４４】また、この発明のうち請求項４に係るウエ
ハの認識装置によれば、受光面にはウエハの表面からの
光の反射光の呈するパターンが映し出されるが、このと
き段差の凹部で反射された反射光は、その凹形状に起因
して集光するため、他の領域よりも受光面で明るく映し
出されている。従って、受光面に映る反射光のパターン
を受光部によって容易に認識することができ、容易に標
識を読み取ってウエハを認識することができる。
ハの認識装置によれば、受光面にはウエハの表面からの
光の反射光の呈するパターンが映し出されるが、このと
き段差の凹部で反射された反射光は、その凹形状に起因
して集光するため、他の領域よりも受光面で明るく映し
出されている。従って、受光面に映る反射光のパターン
を受光部によって容易に認識することができ、容易に標
識を読み取ってウエハを認識することができる。
【００４５】ウエハの表面へ照射された光は、ウエハの
表面のうち、段差を以て付された標識においてのみ散乱
される。従って、この発明のうち請求項５に係るウエハ
の認識方法によれば、段差が浅く、単に反射光をＣＣＤ
カメラで直接受光することによっては標識を読み取るこ
とができない場合であっても、標識を読み取ることがで
き、これによりウエハを認識することができる。
表面のうち、段差を以て付された標識においてのみ散乱
される。従って、この発明のうち請求項５に係るウエハ
の認識方法によれば、段差が浅く、単に反射光をＣＣＤ
カメラで直接受光することによっては標識を読み取るこ
とができない場合であっても、標識を読み取ることがで
き、これによりウエハを認識することができる。
【００４６】また、この発明のうち請求項６に係るウエ
ハの認識方法によれば、受光面にはウエハの表面からの
光の反射光の呈するパターンが映し出されるが、このと
き段差の凹部で反射された反射光は、その凹形状に起因
して集光するため、他の領域よりも受光面で明るく映し
出されている。従って、受光面に映る反射光のパターン
を容易に認識することができ、容易に標識を読み取って
ウエハを認識することができる。
ハの認識方法によれば、受光面にはウエハの表面からの
光の反射光の呈するパターンが映し出されるが、このと
き段差の凹部で反射された反射光は、その凹形状に起因
して集光するため、他の領域よりも受光面で明るく映し
出されている。従って、受光面に映る反射光のパターン
を容易に認識することができ、容易に標識を読み取って
ウエハを認識することができる。
【００４７】また、この発明のうち請求項７に係るウエ
ハの認識方法によれば、ウエハの表面において標識が他
から十分顕在化されている場合にはウエハの表面からの
反射光を直接受光して標識を読み取り、十分顕在化され
ていない場合にのみ工程（ａ）に移行することによって
標識を読み取る。従って、ウエハの表面において十分顕
在化されていない標識についてはともかく、十分顕在化
されており反射光を直接受光することによっても標識を
読み取ることができるような場合にまで工程（ａ）以降
の工程を実行し、処理時間を不要に長くすることを回避
することができる。
ハの認識方法によれば、ウエハの表面において標識が他
から十分顕在化されている場合にはウエハの表面からの
反射光を直接受光して標識を読み取り、十分顕在化され
ていない場合にのみ工程（ａ）に移行することによって
標識を読み取る。従って、ウエハの表面において十分顕
在化されていない標識についてはともかく、十分顕在化
されており反射光を直接受光することによっても標識を
読み取ることができるような場合にまで工程（ａ）以降
の工程を実行し、処理時間を不要に長くすることを回避
することができる。
【００４８】また、この発明のうち請求項８に係るウエ
ハの認識方法によれば、ウエハの表面に形成された標識
を読み取ることができるまで、工程（ａ）及び（ｂ）が
繰り返し実行される。即ち、レーザー光の走査を複数回
繰り返して散乱光の検出感度を上げることにより、１回
の走査だけでは読み取ることができなかった標識をも読
み取ってウエハを認識することができる。
ハの認識方法によれば、ウエハの表面に形成された標識
を読み取ることができるまで、工程（ａ）及び（ｂ）が
繰り返し実行される。即ち、レーザー光の走査を複数回
繰り返して散乱光の検出感度を上げることにより、１回
の走査だけでは読み取ることができなかった標識をも読
み取ってウエハを認識することができる。
【図１】 本発明の実施の形態１に係るウエハの認識装
置の構成を示す断面図である。
置の構成を示す断面図である。
【図２】 魔鏡の原理を説明する断面図である。
【図３】 本発明の実施の形態２に係るウエハの認識装
置の構成を示す断面図である。
置の構成を示す断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態２に係るウエハの認識装
置の構成を示す断面図である。
置の構成を示す断面図である。
【図５】 本発明の実施の形態３に係るウエハの認識方
法の測定シーケンスを示すフローチャートである。
法の測定シーケンスを示すフローチャートである。
【図６】 本発明の実施の形態４に係るウエハの認識方
法の測定シーケンスを示すフローチャートである。
法の測定シーケンスを示すフローチャートである。
【図７】 本発明の実施の形態５に係るウエハの認識装
置の構成を示す断面図である。
置の構成を示す断面図である。
【図８】 本発明の実施の形態５に係るウエハの認識方
法の測定シーケンスを示すフローチャートである。
法の測定シーケンスを示すフローチャートである。
【図９】 レーザーによって表面に刻字部が形成された
ときのウエハの状態を示す断面図である。
ときのウエハの状態を示す断面図である。
【図１０】 ウエハ上に酸化膜が成膜されたときのウエ
ハ及び酸化膜の状態を示す断面図である。
ハ及び酸化膜の状態を示す断面図である。
【図１１】 従来のウエハの認識装置の一例を示す断面
図である。
図である。
１ ウエハ、２ ウエハステージ、３ 酸化膜、４ レ
ーザー光照射部、５散乱光受光部、６ ＯＣＲ処理部、
７ 刻字部、８ 光照射部、９ 反射光受光部、１０
ＣＣＤカメラ、１１ａ〜１１ｄ フィルター、１２ａ〜
１２ｄ フィルター除去機構、１３ 凹部、５１，９１
受光面。
ーザー光照射部、５散乱光受光部、６ ＯＣＲ処理部、
７ 刻字部、８ 光照射部、９ 反射光受光部、１０
ＣＣＤカメラ、１１ａ〜１１ｄ フィルター、１２ａ〜
１２ｄ フィルター除去機構、１３ 凹部、５１，９１
受光面。
Claims (8)
- 【請求項１】 段差を以て標識が付された表面を有する
ウエハの前記表面に光を照射する光照射部と、 前記表面からの前記光の散乱光を受光することにより、
前記標識を読み取る受光部とを備えるウエハの認識装
置。 - 【請求項２】 前記光はレーザー光である、請求項１記
載のウエハの認識装置。 - 【請求項３】 前記光照射部と前記表面との間において
前記レーザー光の光軸上に配置され、前記レーザー光の
強度を減衰するためのフィルターと、 前記フィルターを除去するためのフィルター除去手段と
を更に備える、請求項２記載のウエハの認識装置。 - 【請求項４】 段差を以て標識が付された表面を有する
ウエハの前記表面に光を照射する光照射部と、 前記表面からの前記光の反射光のパターンを映し出す受
光面と、 前記受光面に映る前記パターンを認識する受光部とを備
えるウエハの認識装置。 - 【請求項５】 （ａ）段差を以て標識が付された表面を
有するウエハの前記表面についてレーザー光を走査する
工程と、 （ｂ）前記表面からの前記レーザー光の散乱光を受光す
る工程とを備えるウエハの認識方法。 - 【請求項６】 （ａ）段差を以て標識が付された表面を
有するウエハの前記表面に光を照射する工程と、 （ｂ）前記表面からの前記光の反射光のパターンを受光
面に映し出す工程と、 （ｃ）前記受光面に映る前記パターンを認識する工程と
を備えるウエハの認識方法。 - 【請求項７】 （ｄ）前記工程（ａ）に先立って実行さ
れ、前記表面からの反射光を直接受光する工程を更に備
え、 前記工程（ｄ）によって前記標識を読み取ることができ
なかった場合にのみ前記工程（ａ）に移行する、請求項
５又は６に記載のウエハの認識方法。 - 【請求項８】 前記工程（ａ）及び（ｂ）は、前記標識
を読み取ることができるまで繰り返し実行される、請求
項５記載のウエハの認識方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9093675A JPH10284359A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | ウエハの認識装置及びウエハの認識方法 |
| KR1019970042107A KR100258895B1 (ko) | 1997-04-11 | 1997-08-28 | 웨이퍼의 인식장치 및 웨이퍼의 인식방법 |
| US08/925,652 US5942763A (en) | 1997-04-11 | 1997-09-09 | Apparatus and method for identifying an identification mark of a wafer |
| DE19752663A DE19752663A1 (de) | 1997-04-11 | 1997-11-27 | Wafer-Identifizierungsvorrichtung und Wafer-Identifizierungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9093675A JPH10284359A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | ウエハの認識装置及びウエハの認識方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284359A true JPH10284359A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=14088990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9093675A Pending JPH10284359A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | ウエハの認識装置及びウエハの認識方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5942763A (ja) |
| JP (1) | JPH10284359A (ja) |
| KR (1) | KR100258895B1 (ja) |
| DE (1) | DE19752663A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104253113A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种测量时使用的定位标记及其识别方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19733412B4 (de) * | 1997-08-01 | 2005-08-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur automatischen Nachbeschriftung von Wafern. |
| JP2001101337A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-04-13 | Komatsu Ltd | ドットマークの読取り装置と読取り方法 |
| DE19939825A1 (de) * | 1999-08-21 | 2001-03-01 | Bosch Gmbh Robert | Bauelement mit einem optisch erkennbaren Marker |
| JP2001118232A (ja) | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Tdk Corp | 記号読取方法および装置 |
| FR2809541B1 (fr) * | 2000-05-24 | 2005-06-10 | Komatsu Mfg Co Ltd | Forme de micropoint forme par faisceau laser et procede de marquage de micropoints |
| EP1300872A1 (en) * | 2001-10-08 | 2003-04-09 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Semiconductor device identification apparatus |
| JP5396703B2 (ja) * | 2007-10-09 | 2014-01-22 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 熱処理装置及び方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| IT1394647B1 (it) * | 2009-06-22 | 2012-07-05 | Applied Materials Inc | Sistema di visione migliorato per l'allineamento di uno schema di stampa serigrafica |
| JP5615837B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2014-10-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | スクリーン印刷パターンの位置合せのための強化された視覚システム |
| US20140015944A1 (en) * | 2011-12-13 | 2014-01-16 | Thomas O'Donnell | Part number recovery system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3246811B2 (ja) * | 1993-10-18 | 2002-01-15 | 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 | 半導体ウエハ検査装置 |
| JPH07141461A (ja) * | 1993-11-16 | 1995-06-02 | Sony Corp | 半導体ウエハのような平面基板の認識記号の読取り方法、認識記号読取り装置及び高速ウエハ移載装置 |
-
1997
- 1997-04-11 JP JP9093675A patent/JPH10284359A/ja active Pending
- 1997-08-28 KR KR1019970042107A patent/KR100258895B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-09-09 US US08/925,652 patent/US5942763A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-27 DE DE19752663A patent/DE19752663A1/de not_active Ceased
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN104253113A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种测量时使用的定位标记及其识别方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100258895B1 (ko) | 2000-06-15 |
| US5942763A (en) | 1999-08-24 |
| DE19752663A1 (de) | 1998-10-22 |
| KR19980079332A (ko) | 1998-11-25 |
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