JP5396703B2 - 熱処理装置及び方法、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

熱処理装置及び方法、並びに半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5396703B2
JP5396703B2 JP2007263720A JP2007263720A JP5396703B2 JP 5396703 B2 JP5396703 B2 JP 5396703B2 JP 2007263720 A JP2007263720 A JP 2007263720A JP 2007263720 A JP2007263720 A JP 2007263720A JP 5396703 B2 JP5396703 B2 JP 5396703B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light source
semiconductor substrate
irradiation
reflectance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007263720A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009094301A (ja
Inventor
智裕 久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Semiconductor Ltd
Original Assignee
Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Semiconductor Ltd filed Critical Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority to JP2007263720A priority Critical patent/JP5396703B2/ja
Priority to US12/246,055 priority patent/US7927892B2/en
Publication of JP2009094301A publication Critical patent/JP2009094301A/ja
Priority to US13/048,039 priority patent/US8304261B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5396703B2 publication Critical patent/JP5396703B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4738Diffuse reflection, e.g. also for testing fluids, fibrous materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、被処理体を光照射により熱処理する熱処理装置及び方法に関し、特に被処理体を半導体基板として、導入された不純物を活性化するアニール処理を含む半導体装置の製造方法に適用して好適である。
トランジスタの高性能化を図るために、トランジスタの微細化が進んでいる。また、ソース/ドレイン領域に重畳して形成されるエクステンション領域における寄生抵抗を低減化することも行われている。この寄生抵抗の低減化を実現するには、浅く、低抵抗で且つ不純物(ドーパント)の濃度プロファイルが急峻となるように、エクステンション領域を形成する必要がある。
導入された不純物を活性化させるには、半導体基板のアニール処理が必要である。通常、エクステンション領域のアニール処理には、処理時間が10秒間程度の急速アニール(Rapid Thermal Annealing:RTA)処理が用いられる。しかしながらこの場合、導入された不純物の熱拡散が生じ、エクステンション領域の接合が深く形成されてしまう。この熱拡散を抑制するには、アニール温度を低く抑える必要がある。ところがこの場合、不純物の活性化率が低下し、シート抵抗が上昇してしまう。
そこで近年では、上記のRTA処理に代わり、処理時間が0.1秒間〜1秒間程度のスパイクアニール(Spike Annealing)処理や、フラッシュランプアニール(Flash Lamp Annealing)処理及びレーザアニール(Laser Annealing)処理のような1m秒間程度の極短の処理時間で1200℃を越える温度に加熱することができるアニール処理(以下、msecアニール処理とする。)が、半導体装置の製造方法に採用され始めている。
特開2007−13047号公報 特開2005−39213号公報 特開2005−207997号公報
しかしながら、半導体基板はその表面に所定のパターンが形成された状態で上記のアニール処理が施されるため、パターンに起因する光の屈折、反射等によりパターンによってエネルギーの実効的な吸収率が異なる。そのため、半導体基板の表面状態が異なれば、同じエネルギーの光を半導体基板の表面に照射しても同じ温度にならない。
特許文献1〜3には、アニール処理に先立って、処理対象である半導体基板の表面の光反射率を算出し、この反射率を利用してアニール処理の光照射を制御する技術が開示されている。ここで、半導体基板の表面の光反射率を算出する際に、特許文献1,2では当該表面に垂直の反射光のみ、特許文献3では当該表面に対して所定角度の照射光に対応した所定角度の反射光のみを検出している。しかしながら、アニール処理に用いる光源の照射光は平行光ではなく幅広い角度成分を有する光であることから、特許文献1〜3のように一方向の反射光のみの検出では、表面に様々なパターンが形成される半導体基板に適宜対応した正確な光反射率を得ることはできない。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、例えば表面に様々なパターンが形成される被処理体に適宜対応した正確な光反射率を得ることができ、この光反射率に基づいて被処理体の温度を所望に保持する熱処理を可能とする熱処理装置及び方法を提供することを目的とする。
本発明の熱処理装置は、非平行光光源である第1の光源と、前記第1の光源により被処理体に光を照射して、前記被処理体の光反射率を求める反射率測定部と、非平行光光源である第2の光源を用いて前記被処理体に光を照射して、前記被処理体を加熱処理する熱処理部とを含み、前記反射率測定部は、前記第1の光源の照射光が前記被処理体の表面から反射され、所定領域に入射される反射光の合計値を検出する検出部を有しており、前記第1の光源の照射光の角度強度分布と、前記第2の光源の照射光の角度強度分布とが等しい
本発明の熱処理方法は、非平行光の光源である第1の光源により被処理体の表面に光照射して、前記被処理体の光反射率を求める第1のステップと、非平行光の光源である第2の光源により前記被処理体の表面に光照射して、前記被処理体を加熱処理する第2のステップとを含み、前記第1のステップにおいて、積分球を用いて、前記第1の光源の照射光が前記半導体基板の表面から複数の異なる方向に反射してなる反射光を検出し、前記第1の光源の照射光の角度強度分布と、前記第2の光源の照射光の角度強度分布とが等しい
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に不純物を導入する工程と、前記半導体基板を熱処理して、前記不純物を活性化する工程とを含み、前記熱処理は、非平行光光源である第1の光源により前記半導体基板を光照射して、前記半導体基板の光反射率を求める第1のステップと、非平行光光源である第2の光源により前記半導体基板を光照射して、前記半導体基板を加熱処理する第2のステップとを有し、前記第1のステップにおいて、積分球を用いて、前記第1の光源の照射光が前記半導体基板の表面から複数の異なる方向に反射してなる反射光を検出し、前記第1の光源の照射光の角度強度分布と、前記第2の光源の照射光の角度強度分布とが等しい
本発明によれば、例えば表面に様々なパターンが形成される被処理体に適宜対応した正確な光反射率を得ることができ、この光反射率に基づいて被処理体の温度を所望に保持する熱処理が可能となる。
―本発明の基本骨子―
本発明者は、半導体基板の表面状態に起因する、スパイクアニール処理、及びmsecアニール処理(レーザアニール処理及びフラッシュランプアニール処理等)における照射光の実効的な光吸収率(以下、単に実効吸収率と称する。)について考察した。
以下、記載の便宜上、実効的な光吸収率を単に実効吸収率と称する。なお、実効吸収率を求めることは、実効的な光反射率(以下、単に実効反射率と称する。)を求めることと等価である。
具体的に、半導体基板の表面状態として、当該表面に溝(例えばSTI素子分離法による、絶縁物が充填される分離溝)が形成された場合を例に採る。この溝の深さを0〜400nmまで変化させたときの、光照射によるRTA処理で半導体基板の温度を所定温度、ここでは1000℃に保つために必要な照射光のエネルギー(ランプパワー)と、スパイクアニール処理における半導体基板の最高到達温度とを調べた。前者を図1に、後者を図2にそれぞれ示す。
図1に示すように、溝が深くなる程、半導体基板の温度を1000℃に温度を保つために必要なランプパワーが小さくなることが判る。このことは換言すれば、半導体基板における照射光の実効吸収率が大きくなる(実効反射率が小さくなる)ことを意味する。
また、図2に示すように、溝が深くなる程、スパイクアニール処理における半導体基板の最高到達温度が低下することが判る。このことは換言すれば、半導体基板の表面における溝の深さに依存して照射光の実効吸収率(実効反射率)が変化すると、スパイクアニール処理における半導体基板の最高到達温度も変化することを意味する。
次に、フラッシュランプアニール処理において、半導体基板表面の溝の深さを0(ブランケット基板)、150nm、400nmとした場合における、照射光のエネルギー(パワー)密度とサーマウェーブ信号(Thermawave Signal)との関係について調べた。その結果を図3に示す。ここで、溝の深さが 150nm及び400mの溝に囲まれた一辺が1um×1umの半導体基板表面が格子状に並んだ半導体基板の表面中に配置された5μm×10μmの広さの基板表面のサーマウェーブ信号をそれぞれ示す。
詳細には半導体基板の表面に0,150nm,400nmの溝を形成した後に、全面にダメージを形成するためのイオン注入を行う。そしてフラッシュランプアニール処理を実行し、その後の残留ダメージ量をサーマウェーブで測定した。 半導体基板の表面が高温になる程、イオン注入の残留ダメージが回復して、サーマウェーブ信号が小さくなることが判る。ここで、溝が深い程、フラッシュランプアニール処理における光照射のパワー密度が低くてもイオン注入ダメージが回復することが判る。即ち、実効吸収率が増大している。ブランケット基板に対して、溝の深さが150nmの場合で1.08倍、400nmの場合で1.15倍に、実効吸収率が大きくなっている。
上記のように、半導体基板の表面状態に起因して、アニール処理における照射光の実効的な吸収率が変化するのは、以下のような事情を原因とすると考えられる。
例えば、図4(a)に示すように、レーザ光のような平行光を半導体基板10の表面10aに対して垂直な方向から照射すると、半導体基板10の表面10aに溝10bが形成されている場合でも、照射光の実効吸収率は殆ど変化しない。
これに対して、図4(b)に示すように、タングステンのハロゲンランプやフラッシュランプのように光拡散する性質の光(本明細では、レーザ光のような平行光と対比させて、非平行光と呼ぶ)を半導体基板10の表面10aに照射すると、半導体基板10の表面10aに溝10bが形成されている場合には、当該照射光が様々な方向から表面10aに入射するため、溝10bの内壁面に対する光反射の回数に比例して実効吸収率が増加する。例えば内壁面における照射光の吸収率をαとすると、溝10b内における光反射回数に応じて、実効吸収率は、
α+α(1−α)+α(1−α)2+・・・
のように増加する。
このように、アニール処理に光拡散する性質の光を用いる場合には、半導体基板の表面に対して垂直方向の光照射のみを考慮したのでは、実効吸収率を正確に把握することはできない。このことは、半導体基板の表面に対する所定角度の照射光のみを考慮した場合でも同様である。
以上説明したように、ハロゲンランプやフラッシュランプのように光拡散する光の光源を用いた半導体基板のアニール処理では、半導体基板の表面状態に起因して、アニール処理における照射光の実効吸収率(実効反射率)が大きく変化する。これに伴い、アニール処理における半導体基板の最高到達温度も変化する。従って、アニール処理における光照射の適正を図るべく半導体基板表面の光反射率を得ようとした場合、一方向の反射光のみの検出では、表面に様々なパターンが形成される半導体基板に適宜対応した正確な光吸収率(光反射率)を得ることはできない。
本発明者は、上記の事実に鑑み、半導体基板の表面における実効吸収率(実効反射率)を、当該アニール処理との関係で正確に求めるには、光拡散する光の強度の角度分布を把握する必要があることに想到した。
ここで、半導体基板の表面に垂直な方向を基準(このときの光源から当該表面までの距離をL、照射光の強度成分I0)として、入射角をθとした場合の照射光の強度成分I(θ)は、
I(θ)=I0cosθ/4π(L/cosθ)2
=(I0/4πL2)・(cosθ)3 ・・・(1)
となる。このときの入射角θと照射光の強度成分(及びcosθ)との関係を図5(a)に示す。また、このときの全角度の照射強度の積分値に対する、垂直方向(θ=からある角度θまでの照射強度の積分値の比率の関係を図5(b)に示す。
本発明では、半導体基板の表面における実効吸収率(実効反射率)を正確に求めるべく、当該実効吸収率の算出(反射光の検出)に用いる第1の光源による照射光強度の角度分布(角度強度分布)を、アニール処理に用いる第2の光源による角度強度分布(例えば図5(a))に適合させる。
具体的には、第1の光源として、第2の光源と同等の光照射機能を有するもの(同一種の光源)を用いたり、その照射光の波長領域が第2の光源の照射光の波長領域と同等であるものを用いることが好適である。
このように第1の光源を第2の光源と同等のものとして、第1の光源の照射光の光照射角度に対する光強度分布に依存した半導体基板の表面における光反射率、即ち実効反射率を求める。この構成を採ることにより、例えば表面に様々なパターンが形成される半導体基板に適宜対応した正確な実効反射率を得ることができる。
そして、本発明では、上記のように求められた半導体基板の表面における実効反射率に基づいて、半導体基板の表面をパターンに依存することなく所望の温度に加熱するように、第2の光源の照射光強度(照射光エネルギー)を制御する。この構成を採ることにより、半導体基板の表面において、形成されたパターンに応じて実効反射率が変化しても、アニール処理時において半導体基板の最高到達温度を所望の一定温度に保持することが可能となる。
―本発明を適用した好適な実施形態―
以下、上記の基本骨子を踏まえ、本発明を適用した好適な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
(第1の実施形態)
本実施形態では、被処理体として半導体基板を加熱処理する熱処理装置及び方法を開示する。
図6は、第1の実施形態による熱処理装置の概略構成を示すブロック図である。
この熱処理装置は、第1の光源を備え、第1の光源により被処理体、ここでは半導体基板の表面に光照射して、半導体基板の表面における実効反射率を求める反射率測定部1と、第2の光源を備え、第2の光源により半導体基板の表面に光照射して、半導体基板の表面を加熱処理するアニール処理部2と、反射率測定部1により求められた半導体基板の表面における実効反射率に基づいて、アニール処理部2における第2の光源の照射光強度(照射光エネルギー)を制御する制御部3とを備えて構成されている。
アニール処理部2では、不図示の処理チャンバー内において、例えば図7に示すように、第2の光源21に対して、半導体基板10が表面で対向するように設置される。第2の光源21は、RTAもしくはスパイクアニール用としてはタングステンランプが、msecアニール用としてはXeフラッシュランプやArフラッシュランプが用いられており、これらは照射光に広い角度分布を有するランプである。第2の光源21において、入射角をθとした場合の照射光の強度成分I(θ)は、上記の(1)式で示される。
反射率測定部1では、例えば図8で原理的に示すように、第1の光源11に対して、半導体基板10が表面で対向するように設置される。第1の光源11は、(1)式で示される照射光の強度成分I(θ)が同等、即ち図9に示すように、その照射光の角度強度分布が第2の光源21の照射光の角度強度分布と同等とされている。ここでは、第1の光源11として、第2の光源21と同等の光照射機能を有するランプ(同一種の光源)、または、その照射光の波長領域が第2の光源21の照射光の波長領域と同等であるランプが用いられる。なお、参考として、半導体基板の表面に対して垂直な方向から照射する、特許文献1による反射率測定用の光の角度強度分布を図9に付記する。
第1の光源11としては、第2の光源21よりもその照射光の発光スペクトルが広いものを用いても良い。但しこの場合、各波長における光反射率を測定し、第2の光源21の発光スペクトルで重み付けして積算(平均化)する必要がある。
具体的に、反射率測定部1は、図10に示すように、第1の光源11と、ハーフミラー12と、ハーフミラー12により反射した第1の光源11の照射光の強度を測定する入射光センサ13と、積分球機構14と、積分球機構14の出射口に設けられた反射光の強度を求める拡散反射光センサ15と、拡散反射光センサ15で求められた反射光強度と入射光センサー13で求められた照射光強度に基づいて、半導体基板10の表面における実効反射率を算出する実効反射率算出部16とを備えて構成されている。
ここで、第1の光源11、ハーフミラー12及び入射光センサ13を備えて入射光測定部が構成されている。
積分球は、内面がミラー構成とされており、光反射率を測定する対象の表面が粗であり、拡散した反射光をモニターする場合に一般的に用いられるものである。積分球では、球内の拡散反射光を空間的に積分して内壁全面の光強度を求めることができる。積分球の大きさに対して、光の出射口が十分小さければ、この出射口面も他の場所と同様に、光源の光強度に比例した均一強度分布となるため、測定対象の拡散反射率の正確な測定が可能となる。
積分球機構14は、内面がミラー構成とされた球殻41を有し、当該球殻41に入射口41a及び出射口41bと、設置された半導体基板10の表面へ光照射するための開口41cとが形成されている。球殻41内には、凸面ミラー42及び凹面ミラー43が設けられている。これらの構成により、開口41cに複数の方向から光を照射することができる。凸面ミラー42及び凹面ミラー43は、第1の光源11の角度強度分布がアニール処理部2における第2の光源21の照射光の角度強度分布と一致するのが好ましく、その設置位置が調節されて配置される。
反射率測定部1では、第1の光源11からの照射光がハーフミラー12に入射する。ハーフミラー12において、反射した光が入射光センサ13で検出され、入射光センサ13においてその光強度が求められる。
一方、ハーフミラー12を透過した光は、入射口41aから球殻41内へ照射され、凸面ミラー42により一旦拡張される。拡張された光は、凹面ミラー43により集光され、開口41cを通って半導体基板10の表面に照射される。半導体基板10の表面で拡散反射された光は、球殻41内で反射することにより均一化され、当該反射光が拡散反射光センサ15で検出される。この反射光は、全反射光の強度に比例した強度の光として拡散反射光センサ15で光強度が求められる。
実効反射率算出部16では、入射光センサ13で求められた照射光強度と拡散反射光センサ15で求められた反射光強度に基づき、以下のように実効反射率が算出される。入射光センサ13で求められた照射光強度をI0、拡散反射光センサ15で求められた反射光強度をIr、ハーフミラー12における光透過率等を考慮した比例定数をβとして、実効反射率reffは、
eff=βIr/I0 ・・・(2)
となる。
制御部3は、反射率測定部1で算出された半導体基板10の表面における実効反射率に基づいて、半導体基板10の最高到達温度を所望の一定温度に保持するように、アニール処理部2における第2の光源21の照射光エネルギーを補正する。補正前の第2の光源21の照射光エネルギーをE0とし、(2)式を用いて、補正後の第2の光源21の照射光エネルギーEは、
E=E0/(1−reff
となる。
上記した熱処理装置を用いた半導体基板10のアニール処理プロセスを図11に示す。
先ず、反射率測定部1において、半導体基板10を、その表面における測定部が積分球機構14の球殻41の開口41cから露出するように設置する(ステップS1)。
続いて、第1の光源11から半導体基板10の表面10aに光照射し、入射光センサ13及び拡散反射光センサ15においてそれぞれ光強度が求められる(ステップS2)。
続いて、ステップS2で求めた各光強度に基づいて、実効反射率算出部16により実効反射率が算出される(ステップS3)。
続いて、ステップS3で算出された実効反射率に基づいて、制御部3により、半導体基板10の最高到達温度を所望の一定温度に保持するように、アニール処理部2における第2の光源21の照射光エネルギーが補正される(ステップS4)。
続いて、半導体基板10をアニール処理部2に設置する(ステップS5)。
そして、第2の光源21により、ステップS4で補正調節された照射光エネルギーの照射光を半導体基板10の表面に照射し、半導体基板10をアニール処理する(ステップS6)。
以上説明したように、第1の実施形態によれば、表面に様々なパターンが形成された半導体基板に適宜対応した正確な実効反射率を得ることができ、この実効反射率に基づいて半導体基板の最高到達温度を所望に保持するアニール処理が可能となる。
(変形例)
以下、第1の実施形態の変形例について説明する。この変形例では、第1の実施形態の熱処理装置とほぼ同様の装置構成でアニール処理を行うが、反射率測定部1の積分球機構が若干異なる点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態と同一の構成部材等については、同符号を付して説明を省略する。
図12は、第1の実施形態の変形例における熱処理装置の反射率測定部の概略構成を示す模式図である。
反射率測定部31は、第1の光源11と、ハーフミラー12と、ハーフミラー12により反射した第1の光源11の照射光の強度を測定する入射光センサ13と、積分球機構32と、積分球機構32の出射口に設けられた反射光の強度を求める拡散反射光センサ15と、入射光センサ13で求められた照射光強度と拡散反射光センサ15で求められた各入射角ごとの反射光強度に基づいて、半導体基板10の表面における実効反射率を算出する実効反射率算出部33とを備えて構成されている。
積分球機構32は、内面がミラー構成とされた球殻44を有し、当該球殻41に入射口44a及び出射口44bと、設置された半導体基板10の表面へ光照射するための開口44cとが形成されている。球殻44は、その入射口44aが、第1の光源11、ハーフミラー12、及び入射光センサ13(図12中、破線で囲む入射光測定部)と共にこれらと連動して回転移動(回動)自在とされている。ここで、回動は球殻44の中心位置を中心として行われる。また、出射口44b、開口44c及び拡散反射光センサ15は位置固定されており、入射口44aが回動してもこれらは不動とされる。
先ず、球殻44の入射口44a、第1の光源11、ハーフミラー12、及び入射光センサ13を回動させ、所定の入射角に固定される。
反射率測定部1では、第1の光源11からの照射光がハーフミラー12に入射する。ハーフミラー12において、反射した光が入射光センサ13で検出され、入射光センサ13においてその光強度が求められる。
一方、ハーフミラー12を透過した光は、入射口41aから当該所定の入射角で球殻41内へ照射され、開口41cを通って半導体基板10の表面に照射される。半導体基板10の表面で拡散反射された光は、球殻41内で反射することにより均一化され、当該反射光が拡散反射光センサ15で検出され、光強度が求められる。
上記の作業は、球殻44の入射口44a、第1の光源11、ハーフミラー12、及び入射光センサ13の入射角を変えて各入射角ごとに行われ、拡散反射光センサ15によりそれぞれ光強度が求められる。
実効反射率算出部33では、第1の実施形態における(2)式を用いて各入射角ごとの拡散反射率を算出する。入射光センサ13で求められた入射角θにおける照射光強度をI0(θ)、拡散反射光センサ15で求められた入射角θにおける反射光強度をIr(θ)、ハーフミラー12における光透過率等を考慮した比例定数をβとして、入射角θにおける拡散反射率r(θ)は、
r(θ)=βIr(θ)/I0(θ) ・・・(2)'
となる。
実効反射率算出部33では、各入射角ごとの拡散反射率をアニール処理部2における第2の光源21の照射光の角度強度分布で重み付けして全入射角にわたって積算(平均化)する。これにより、実効反射率が求められる。
そして、制御部3は、反射率測定部31で算出された半導体基板10の表面における実効反射率に基づいて、半導体基板10の最高到達温度を所望の一定温度に保持するように、アニール処理部2における第2の光源21の照射光エネルギーを補正する。
上記した熱処理装置を用いた半導体基板10のアニール処理プロセスを図13に示す。
先ず、反射率測定部1において、半導体基板10を、その表面における測定部が積分球機構32の球殻44の開口44cから露出するように設置する(ステップS11)。
続いて、球殻44の入射口44a、第1の光源11、ハーフミラー12、及び入射光センサ13を所定の入射角に固定する(ステップS12)。
続いて、第1の光源11から光照射し、入射光センサ13及び拡散反射光センサ15においてそれぞれ光強度が求められる(ステップS13)。
ステップS12,S13を各入射角ごとに繰り返し実行する(ステップS14)
続いて、ステップS14を経て求めた各入射角ごとの光強度(拡散反射光センサ15で求められた各光強度)に基づいて、実効反射率算出部16により実効反射率が算出される(ステップS15)。
続いて、ステップS15で算出された実効反射率に基づいて、制御部3により、半導体基板10の最高到達温度を所望の一定温度に保持するように、アニール処理部2における第2の光源21の照射光エネルギーが補正される(ステップS16)。
続いて、半導体基板10をアニール処理部2に設置する(ステップS17)。
そして、第2の光源21により、ステップS4で補正調節された照射光エネルギーの照射光を半導体基板10の表面に照射し、半導体基板10をアニール処理する(ステップS18)。
以上説明したように、本例によれば、表面に様々なパターンが形成された半導体基板に適宜対応した正確な実効反射率を得ることができ、この実効反射率に基づいて半導体基板の最高到達温度を所望に保持するアニール処理が可能となる。
(第2の実施形態)
以下、本発明による第2の実施形態について説明する。本実施形態では、第1の実施形態によるアニール処理を適用した半導体装置の製造方法を開示する。ここでは一例として、MOSトランジスタの製造方法を示すが、これに限定されることなく、各種の半導体メモリ等、熱工程を有する半導体装置に適用可能である。
図14は、第2の実施形態によるMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、図14(a)に示すように、半導体基板10の表面10aにSTI素子分離法により素子分離構造101を形成して活性領域を画定する。
続いて、図14(b)に示すように、半導体基板10の表面を熱酸化する事によりゲート絶縁膜102を形成した後、多結晶シリコン膜(不図示)をCVD法等により堆積する。そして、この多結晶シリコン膜及びゲート絶縁膜102をリソグラフィー及びドライエッチングにより加工して、活性領域上でゲート絶縁膜102を介して延在するゲート電極103を形成する。
続いて、図14(c)に示すように、ゲート電極103をマスクとして、ゲート電極103の両側における活性領域に不純物104aをイオン注入する。ここで、不純物104aとしては、作製するMOSトランジスタがp型である場合には例えばホウ素(B+)を、n型である場合には例えば砒素(As+)を用いる。前者の場合には、例えばドーズ量1×1014〜2×1015/cm2、加速エネルギー1keV以下でイオン注入する。後者の場合には、例えばドーズ量1×1014〜2×1015/cm2、加速エネルギー0.5〜5keVでイオン注入する。
続いて、図14(d)に示すように、第1の実施形態で示したアニール処理、ここではフラッシュランプアニール処理により、例えば処理時間約1ミリ秒で半導体基板1の表面を加熱する。このアニール処理により、活性領域に導入された不純物104aが活性化され、低抵抗で不純物の濃度プロファイルが急峻な浅い接合である一対のエクステンション領域104が形成される。
続いて、図14(e)に示すように、ゲート電極103上を含む全面にシリコン酸化膜を堆積し、その全面を異方性ドライエッチング(エッチバック)することにより、ゲート電極103の両側面のみにシリコン酸化膜を残し、サイドウォール絶縁膜105を形成する。
続いて、図14(f)に示すように、ゲート電極103及びサイドウォール絶縁膜105をマスクとして、ゲート電極103の両側における活性領域に不純物をイオン注入する。ここで、不純物としては、作製するMOSトランジスタがp型である場合には例えばホウ素(B+)を、n型である場合には例えば燐(P+)を用いる。前者の場合には、例えばドーズ量2×1015〜1×1016/cm2、加速エネルギー2〜5keVでイオン注入する。後者の場合には、例えばドーズ量2×1015〜1×1016/cm2、加速エネルギー1keV〜20keVでイオン注入する。
そして、半導体基板10の表面をアニール処理することにより、エクステンション領域104と一部重畳されてなる、エクステンション領域104よりも深い接合であるソース/ドレイン領域106が形成される。
しかる後、層間絶縁膜や接続孔、各種の配線を形成し、MOSトランジスタを完成させる。
以上説明したように、本実施形態によれば、エクステンション領域104を、シート抵抗を上昇させることなく、低抵抗で不純物の濃度プロファイルが急峻な浅い接合状態に形成することができ、高性能で微細なMOSトランジスタが実現される。
ここでは、半導体基板上に形成されるトランジスタのエクステンション領域の形成工程に、本発明の熱処理方法を適用させて説明した。しかし、本発明はエクステンション領域の形成に限られるものではない。半導体の製造工程には、ウェル注入、ソースドレイン注入、ポケット注入など、多くの不純物注入工程があり、これらの活性化工程にも本発明は適用しうる。また、シリサイドを形成する工程における熱処理においても、正確な温度制御が求められており、本発明が適用できる。さらには、FRAMキャパシタの熱処理工程など、凹凸のある基板を加熱するプロセスに適用することが可能である。
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
(付記1)非平行光光源である第1の光源と、
前記第1の光源により被処理体に光を照射して、前記被処理体の光反射率を求める反射率測定部と、
非平行光光源である第2の光源を用いて前記被処理体に光を照射して、前記被処理体を加熱処理する熱処理部と
を含むことを特徴とする熱処理装置。
(付記2)前記第1の光源の照射光の光照射角度に対する光強度分布が、前記第2の光源の照射光の光照射角度に対する光強度分布と等しいことを特徴とする付記1に記載の熱処理装置。
(付記3)前記反射率測定部は、前記第1の光源の照射光が前記被処理体の表面から反射され、所定領域に入射される反射光の合計値を検出する検出部を有することを特徴とする付記1又は2に記載の熱処理装置。
(付記4)前記検出部は積分球であることを特徴とする付記3に記載の熱処理装置。
(付記5)前記積分球は、前記第1の光源の照射光を反射する凸面部と、前記凸面部からの反射光を前記被処理体の表面へ集光する凹面部とを有していることを特徴とする付記4に記載の熱処理装置。
(付記6)前記積分球は、その前記第1の光源の入射口が前記第1の光源と連動して移動自在とされており、前記移動により前記被処理体の表面に対する前記第1の光源の照射光の光照射角度を変化させて、前記第1の光源の照射光の各光照射角度に対する反射光を検出し、
前記反射率測定部は、前記第1の光源の照射光の各光照射角度に対する反射光の反射率を、前記第2の光源の照射光の光照射角度に対する光強度分布で重み付けして平均化し、前記被処理体の表面における光反射率を求めることを特徴とする付記4に記載の熱処理装置。
(付記7)前記反射率測定部により求められた前記被処理体の光反射率に基づいて、前記熱処理部における前記第2の光源の照射光エネルギーを制御する光照射制御部を更に含むことを特徴とする付記1〜6のいずれか1項に記載の熱処理装置。
(付記8)前記第1の光源は、その照射光の波長領域が前記第2の光源の照射光の波長領域と等しいことを特徴とする付記1〜7のいずれか1項に記載の熱処理装置。
(付記9)非平行光の光源である第1の光源により被処理体の表面に光照射して、前記被処理体の光反射率を求める第1のステップと、
非平行光の光源である第2の光源により前記被処理体の表面に光照射して、前記被処理体を加熱処理する第2のステップと
を含むことを特徴とする熱処理方法。
(付記10)前記第1の光源の照射光の光照射角度に対する光強度分布が、前記第2の光源の照射光の光照射角度に対する光強度分布と等しいことを特徴とする付記9に記載の熱処理方法。
(付記11)前記第1のステップにおいて、積分球を用いて、前記第1の光源の照射光が前記被処理体の表面から複数の異なる方向に反射してなる反射光を検出することを特徴とする付記9に記載の熱処理方法。
(付記12)前記積分球は、前記第1の光源の照射光を反射する凸面部と、前記凸面部からの反射光を前記被処理体の表面へ集光する凹面部とを有していることを特徴とする付記11に記載の熱処理方法。
(付記13)前記積分球は、その前記第1の光源の入射口が前記第1の光源と連動して移動自在とされており、前記移動により前記被処理体の表面に対する前記第1の光源の照射光の光照射角度を変化させて、前記第1の光源の照射光の各光照射角度に対する反射光を検出し、
前記第1のステップにおいて、前記第1の光源の照射光の各光照射角度に対する反射光の反射率を、前記第2の光源の照射光の光照射角度に対する光強度分布で重み付けして平均化し、前記被処理体の表面における光反射率を求めることを特徴とする付記11に記載の熱処理方法。
(付記14)前記第1のステップにおいて求められた前記被処理体の表面における光反射率に基づいて、前記第2の光源の照射光エネルギーを制御する第3のステップを更に含むことを特徴とする付記9〜13のいずれか1項に記載の熱処理方法。
(付記15)前記第1の光源は、その照射光の波長領域が前記第2の光源の照射光の波長領域と等しいことを特徴とする付記9〜14のいずれか1項に記載の熱処理方法。
(付記16)前記被処理体が半導体基板であり、その表面に所定のパターンが形成されてなるものであることを特徴とする付記9〜15のいずれか1項に記載の熱処理方法。
(付記17)半導体基板に不純物を導入する工程と、
前記半導体基板を熱処理して、前記不純物を活性化する工程と
を含み、
前記熱処理は、
非平行光光源である第1の光源により前記半導体基板を光照射して、前記半導体基板の光反射率を求める第1のステップと、
非平行光光源である第2の光源により前記半導体基板を光照射して、前記半導体基板を加熱処理する第2のステップと
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記18)前記第1のステップにおいて、積分球を用いて、前記第1の光源の照射光が前記半導体基板の表面から複数の異なる方向に反射してなる反射光を検出することを特徴とする付記17に記載の半導体装置の製造方法。
(付記19)前記第1のステップにおいて求められた前記半導体基板の表面における光反射率に基づいて、前記第2の光源の照射光エネルギーを制御する第3のステップを更に含むことを特徴とする付記17又は18に記載の半導体装置の製造方法。
(付記20)前記半導体基板に前記不純物を導入する工程は、前記半導体基板に形成されるMOSトランジスタのエクステンション注入工程であることを特徴とする付記17〜19のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
基板の溝深さと、光照射によるスパイクアニール処理で半導体基板の温度を1000℃に保つために必要な照射光のエネルギーとの関係を示す特性図である。 基板の溝深さと、スパイクアニール処理における半導体基板の最高到達温度との関係を示す特性図である。 フラッシュランプアニール処理において、基板の溝深さを変えた際の、照射光のエネルギー密度とサーマウェーブ信号との関係を示す特性図である。 基板の溝が形成されている場合の実効吸収率を説明するための模式図である。 照射光強度の角度分布を説明する特性図である。 第1の実施形態による熱処理装置の概略構成を示すブロック図である。 第1の実施形態におけるアニール処理部を示す模式図である。 第1の実施形態における反射率測定部を原理的に示す模式図である。 アニール処理部及び反射率測定部の各光源における照射光の角度強度分布を示す特性図である。 第1の実施形態における反射率測定部の具体的構成を示す模式図である。 第1の実施形態における熱処理装置を用いた半導体基板のアニール処理プロセスを示すフロー図である。 第1の実施形態の変形例における反射率測定部の具体的構成を示す模式図である。 第1の実施形態の変形例における熱処理装置を用いた半導体基板のアニール処理プロセスを示すフロー図である。 第2の実施形態によるMOSトランジスタの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
符号の説明
1,31 反射率測定部
2 アニール処理部
3 制御部
10 半導体基板
11 第1の光源
12 ハーフミラー
13 入射光センサ
14,32 積分球機構
15 拡散反射光センサ
16,33 実効反射率算出部
21 第2の光源
41,44 球殻
41a,44a 入射口
41b,44b 出射口
41c,44c 開口
101 素子分離構造
102 ゲート絶縁膜
103 ゲート電極
104 エクステンション領域
105 サイドウォール絶縁膜
106 ソース/ドレイン領域

Claims (8)

  1. 非平行光光源である第1の光源と、
    前記第1の光源により被処理体に光を照射して、前記被処理体の光反射率を求める反射率測定部と、
    非平行光光源である第2の光源を用いて前記被処理体に光を照射して、前記被処理体を加熱処理する熱処理部と
    を含み、
    前記反射率測定部は、前記第1の光源の照射光が前記被処理体の表面から反射され、所定領域に入射される反射光の合計値を検出する検出部を有しており、
    前記第1の光源の照射光の角度強度分布と、前記第2の光源の照射光の角度強度分布とが等しいことを特徴とする熱処理装置。
  2. 前記検出部は積分球であることを特徴とする請求項に記載の熱処理装置。
  3. 前記反射率測定部により求められた前記被処理体の光反射率に基づいて、前記熱処理部における前記第2の光源の照射光エネルギーを制御する光照射制御部を更に含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の熱処理装置。
  4. 非平行光の光源である第1の光源により被処理体の表面に光照射して、前記被処理体の光反射率を求める第1のステップと、
    非平行光の光源である第2の光源により前記被処理体の表面に光照射して、前記被処理体を加熱処理する第2のステップと
    を含み、
    前記第1のステップにおいて、積分球を用いて、前記第1の光源の照射光が前記半導体基板の表面から複数の異なる方向に反射してなる反射光を検出し、
    前記第1の光源の照射光の角度強度分布と、前記第2の光源の照射光の角度強度分布とが等しいことを特徴とする熱処理方法。
  5. 前記第1のステップにおいて求められた前記被処理体の表面における光反射率に基づいて、前記第2の光源の照射光エネルギーを制御する第3のステップを更に含むことを特徴とする請求項に記載の熱処理方法。
  6. 半導体基板に不純物を導入する工程と、
    前記半導体基板を熱処理して、前記不純物を活性化する工程と
    を含み、
    前記熱処理は、
    非平行光光源である第1の光源により前記半導体基板を光照射して、前記半導体基板の光反射率を求める第1のステップと、
    非平行光光源である第2の光源により前記半導体基板を光照射して、前記半導体基板を加熱処理する第2のステップと
    を有し、
    前記第1のステップにおいて、積分球を用いて、前記第1の光源の照射光が前記半導体基板の表面から複数の異なる方向に反射してなる反射光を検出し、
    前記第1の光源の照射光の角度強度分布と、前記第2の光源の照射光の角度強度分布とが等しいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 前記第1のステップにおいて求められた前記半導体基板の表面における光反射率に基づいて、前記第2の光源の照射光エネルギーを制御する第3のステップを更に含むことを特徴とする請求項に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 前記半導体基板に前記不純物を導入する工程は、前記半導体基板に形成されるMOSトランジスタのエクステンション注入工程であることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
JP2007263720A 2007-10-09 2007-10-09 熱処理装置及び方法、並びに半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP5396703B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007263720A JP5396703B2 (ja) 2007-10-09 2007-10-09 熱処理装置及び方法、並びに半導体装置の製造方法
US12/246,055 US7927892B2 (en) 2007-10-09 2008-10-06 Thermal treatment apparatus, thermal treatment method and method of manufacturing semiconductor device
US13/048,039 US8304261B2 (en) 2007-10-09 2011-03-15 Thermal treatment apparatus, thermal treatment method and method of manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007263720A JP5396703B2 (ja) 2007-10-09 2007-10-09 熱処理装置及び方法、並びに半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009094301A JP2009094301A (ja) 2009-04-30
JP5396703B2 true JP5396703B2 (ja) 2014-01-22

Family

ID=40523610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007263720A Expired - Fee Related JP5396703B2 (ja) 2007-10-09 2007-10-09 熱処理装置及び方法、並びに半導体装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7927892B2 (ja)
JP (1) JP5396703B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5472462B2 (ja) * 2010-11-10 2014-04-16 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
JP7013259B2 (ja) * 2018-01-26 2022-01-31 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
KR102099729B1 (ko) * 2018-10-26 2020-04-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4601576A (en) * 1983-12-09 1986-07-22 Tencor Instruments Light collector for optical contaminant and flaw detector
JPS60137027A (ja) * 1983-12-26 1985-07-20 Ushio Inc 光照射加熱方法
EP0396010A3 (en) * 1989-05-05 1991-03-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring growth and etch rates of materials
JPH0513355A (ja) * 1991-07-05 1993-01-22 Hitachi Ltd ランプアニール装置
JP3246811B2 (ja) * 1993-10-18 2002-01-15 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 半導体ウエハ検査装置
US5982542A (en) * 1995-01-06 1999-11-09 W. L. Gore & Associates, Inc. High light diffusive and low light absorbent material and method for making and using same
US6849470B1 (en) * 1996-11-08 2005-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for optical evaluation, apparatus and method for manufacturing semiconductor device, method of controlling apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JPH10284359A (ja) * 1997-04-11 1998-10-23 Mitsubishi Electric Corp ウエハの認識装置及びウエハの認識方法
US5841110A (en) * 1997-08-27 1998-11-24 Steag-Ast Gmbh Method and apparatus for improved temperature control in rapid thermal processing (RTP) systems
US6395563B1 (en) * 1998-12-28 2002-05-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Device for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH11352019A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Sony Corp 光透過型反射防止用光学機能フィルムの表面反射率測定方法とその装置、および、光透過型反射防止用光学機能フィルムの製造方法
US6228277B1 (en) * 1998-10-14 2001-05-08 Lucent Technologies Inc. Etch endpoint detection
US6214734B1 (en) * 1998-11-20 2001-04-10 Vlsi Technology, Inc. Method of using films having optimized optical properties for chemical mechanical polishing endpoint detection
FR2791122B1 (fr) * 1999-03-17 2001-06-08 Valeo Vision Projecteur de vehicule automobile a zone de fond active
US6552778B1 (en) * 1999-08-02 2003-04-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image reading device
JP4643785B2 (ja) * 2000-02-24 2011-03-02 株式会社トプコン 表面検査装置
JP4644329B2 (ja) * 2000-02-24 2011-03-02 株式会社トプコン 表面検査装置
JP4418078B2 (ja) * 2000-04-03 2010-02-17 株式会社トプコン 表面検査装置
US6599818B2 (en) * 2000-10-10 2003-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing method, heat treatment apparatus, and heat treatment method
US6594446B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
US7534977B2 (en) * 2000-12-28 2009-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heat treatment apparatus and method of manufacturing a semiconductor device
WO2002066891A1 (en) * 2001-02-23 2002-08-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminaire
JP3798674B2 (ja) * 2001-10-29 2006-07-19 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および熱処理方法
US7255899B2 (en) * 2001-11-12 2007-08-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus and heat treatment method of substrate
US7236847B2 (en) * 2002-01-16 2007-06-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for closed loop defect reduction
JP2003207391A (ja) * 2002-01-17 2003-07-25 Nissan Motor Co Ltd 赤外線検知素子とその製造方法及びその製造装置
JP4675579B2 (ja) 2003-06-30 2011-04-27 大日本スクリーン製造株式会社 光エネルギー吸収比率の測定方法、光エネルギー吸収比率の測定装置および熱処理装置
US7700382B2 (en) * 2003-09-24 2010-04-20 Panasonic Corporation Impurity introducing method using optical characteristics to determine annealing conditions
MXPA06003823A (es) * 2003-10-07 2006-06-14 Du Pont Metodo y aparato para determinar la orientacion de particulas de efecto en una pelicula o recubrimiento.
JP2005207997A (ja) * 2004-01-26 2005-08-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
EP1712833A4 (en) * 2004-02-04 2009-06-03 Nitto Denko Corp LIGHTING DEVICE AND METHOD OF USE THIS ILLUMINATOR AND METHOD OF MANUFACTURING THESE DEVICES USING THE PROMOTIONAL PRODUCT SURFACE IMAGE
JP2006093302A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Fujitsu Ltd 急速熱処理装置及び半導体装置の製造方法
WO2006031545A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-23 Fusion Optix, Inc. Enhanced lcd backlight
JP4988223B2 (ja) * 2005-06-22 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置およびその方法
JP2007013047A (ja) 2005-07-04 2007-01-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 反射光強度比測定装置、光エネルギー吸収比率の測定装置および熱処理装置
US7319518B2 (en) * 2005-08-24 2008-01-15 Cree, Inc. Double side polished wafer scratch inspection tool
JP4864396B2 (ja) * 2005-09-13 2012-02-01 株式会社東芝 半導体素子の製造方法、及び、半導体素子の製造装置
US7886979B2 (en) * 2006-09-19 2011-02-15 Microscan Systems, Inc. Methods for illuminating barcodes

Also Published As

Publication number Publication date
US20090093071A1 (en) 2009-04-09
US20110165703A1 (en) 2011-07-07
US7927892B2 (en) 2011-04-19
US8304261B2 (en) 2012-11-06
JP2009094301A (ja) 2009-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7645665B2 (en) Semiconductor device having shallow b-doped region and its manufacture
US7833866B2 (en) Manufacture of semiconductor device
US20110034015A1 (en) Heat treatment apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP6019127B2 (ja) スパイクアニールプロセスを制御する方法及びシステム
JP5396703B2 (ja) 熱処理装置及び方法、並びに半導体装置の製造方法
US6656749B1 (en) In-situ monitoring during laser thermal annealing
US7560367B2 (en) Method for thermal processing with a RTP process using temperature spaces in radiation equilibrium
WO2001059823A1 (fr) Dispositif de recuit pour lampe et substrat du dispositif d'affichage
US8420555B2 (en) Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing apparatus for semiconductor device
KR100616379B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
TW200402762A (en) Method for controlling the extent of notch or undercut in an etched profile using optical reflectometry
US20100019329A1 (en) Method and apparatus to reduce thermal variations within an integrated circuit die using thermal proximity correction
JP4636844B2 (ja) 電子デバイスの製造方法
US20020004318A1 (en) System and method for selectively increasing surface temperature of an object
US7259056B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2008027988A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2006093302A (ja) 急速熱処理装置及び半導体装置の製造方法
US20040023421A1 (en) Temperature measuring method, heat treating method, and semiconductor device manufacturing method
KR100271771B1 (ko) 반도체소자 제조용 박막의 불순물 도핑농도의 분석장치 및 이를이용한 분석방법
JP4481528B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP4712371B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20150122711A (ko) 구조물 처리 방법
JP5010352B2 (ja) 半導体装置の製造方法
Noël et al. Impact of ultraviolet light during rapid thermal diffusion
US6812506B1 (en) Polysilicon linewidth measurement structure with embedded transistor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100706

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121225

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130924

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131007

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees