KR100258895B1 - 웨이퍼의 인식장치 및 웨이퍼의 인식방법 - Google Patents

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다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시
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Abstract

웨이퍼 표면에 각자(刻字)된 각자내용을 웨이퍼상에 산화막등이 성막된 경우에도 확실하게 판독할 수 있는 웨이퍼 인식장치를 얻는다.
산화막3이 성막된 웨이퍼1를 웨이퍼 스테이지2상에 설치하여, 산화막3의 표면에 레이저광 조사부4에 의해서 레이저광을 조사한다. 그렇게 하면 오목부13가 형성되어 있는 영역에 조사된 레이저광은, 오목부13가 나타내는 단차에 의하여 산화막3의 표면에서 산란(散亂)된다. 따라서, 레이저광 조사를 주사(走査)시킴으로써, 오목부13에 의한 산란광을 산란광 수광부5에서 수광할 수 있다. 다음에, 산란광 수광부5에서 수광한 산란광의 분포에 관한 정보를 전위로 변환하여, 이 전위분포를 OCR 처리부6에서 OCR 처리함으로써, 산화막3의 표면에 형성되어 있는 오목부13의 형상을 문자정보로서 판독할 수가 있다.

Description

웨이퍼의 인식장치 및 웨이퍼의 인식방법
본 발명은 웨이퍼의 인식장치 및 웨이퍼의 인식방법에 관한 것이다.
반도체장치의 생산관리나 데이터관리를 웨이퍼 또는 로트마다 행하는 경우에는, 반도체장치의 기초가 되는 웨이퍼를 따로따로 구별하여 놓을 필요가 있다. 그 때, 표지인 로트번호나 웨이퍼번호를, 예컨대 레이저를 사용하여 웨이퍼의 표면에 각자함으로써 웨이퍼를 구별하는 것이 일반적으로 행해지고 있다.
종래, 웨이퍼의 표면에 각자된 로트번호나 웨이퍼번호를 판독하는데는, 우선 각자부를 CCD 카메라에 의해서 직접 관찰함으로써 각자내용을 도형정보로서 판독하고, 다음에 이 도형정보를 문자정보로서 식별하는 처리(이하, OCR 처리라고 표기한다.)를 함으로써, 개개의 웨이퍼를 인식하고 있었다.
도 9는, 웨이퍼의 표면에 표지인 로트번호나 웨이퍼번호를 레이저를 사용하여 각자할 때의 웨이퍼의 상태를 부분적으로 나타내는 단면도이다. 도 9에 도시한 바와 같이, 각자부7는 웨이퍼1의 표면에서 예컨대 0.2㎛정도의 깊이로 형성된다. 이와 같이 웨이퍼1의 표면에서 0.2㎛ 정도 이상의 깊이로 로트번호등을 각자하면, 그 각자내용을 CCD 카메라에 의해서 직접 판독할 수 있다.
또한, 도 10은 도 9에 나타내는 웨이퍼1의 표면상에 산화막3을 성막했을 때의, 웨이퍼1및 산화막3의 상태를 부분적으로 나타내는 단면도이다. 반도체장치의 제조공정에서는, 웨이퍼1의 표면상에 산화막3등이 성막되는 일이 많고, 이 경우, 도 10에 나타나는 바와 같이, 산화막 3의 표면중 각자부7의 윗쪽에 존재하는 영역에는 각자부7가 나타내는 단차에 의하여 오목부13가 생기지만, 다른 영역에는 오목부13는 생기지 않는다.
도 11은 종래의 웨이퍼 인식장치의 일례를 나타내는 단면도이다. 각자부7가 설정된 웨이퍼1의 표면에 각자부7의 경사윗쪽으로부터 광조사부8에 의해서 빛을 조사한다. 한편, 정반사광La의 방향에서 수광축이 벗어나도록 CCD 카메라10를 배치하여, 각자부7로 반사한 반사광Lb만을 이 CCD 카메라10에 의해서 수광한다. 이와 같이 정반사광La의 방향에서 CCD 카메라10의 수광축을 벗어남으로써, 각자부7와 그 주변부와의 사이에 강한 콘트라스트를 붙일 수가 있고, 빛을 조사하지 않고 CCD 카메라10에 의해서 단지 각자부7의 내용을 판독하는 경우와 비교하면, 그 판독성능의 향상을 꾀할 수 있다.
그러나, 도 10에 도시한 바와 같이 웨이퍼1의 표면상에 산화막3을 성막한 경우에는, 가령 각자부7를 웨이퍼1의 표면에서 깊이 0.2㎛정도로 형성하였다고 해도, 오목부13의 깊이는 이것보다도 얕아지기 때문에, CCD 카메라에 의해서 단지 오목부13의 표면형상을 직접 판독하는 경우는 물론이고, 도 11에 나타내는 웨이퍼의 인식장치를 사용한 경우라도, 오목부13와 그 주변부의 사이에 충분한 콘트라스트를 붙일수가 없고, 그 결과 웨이퍼를 인식할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
또, 웨이퍼1의 표면상에 산화막3등을 성막하면 오목부13의 깊이가 얕아지는 것을 고려하여, 처음부터 웨이퍼1의 표면에 깊게 각자하는 것도 생각할 수 있지만, 각자부7를 형성할 때의 먼지가 증가하여 웨이퍼1의 표면에 부착된다든지, 반도체장치의 제조공정에서 사용하는 약품등이 각자부7에 고이는 등의 폐해가 생길 수 있기 때문에때문에, 무제한으로 깊게 각자할 수는 없다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 먼지의 증가나 액체가 고이는 등의 일이 생기지 않은 범위의 깊이에 각자된 각자내용을, 각자부가 형성된 웨이퍼의 표면상에 산화막등이 성막된 경우라도 확실하게 판독할 수 있는 웨이퍼의 인식장치 및 웨이퍼의 인식방법을 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명중 청구항1에 관계되는 웨이퍼의 인식장치는, 단차에 의해 표지가 부착된 표면을 가지는 웨이퍼의 표면에 빛을 조사하는 광조사부와, 표면에서의 빛의 산란광을 수광함에 의해 표지를 판독하는 수광부를 구비하는 것이다.
또한, 본 발명중 청구항2에 관계되는 웨이퍼의 인식장치는, 단차에 의해 표지가 부착된 표면을 가지는 웨이퍼의 표면에 빛을 조사하는 광조사부와, 표면에서의 빛의 반사광의 패턴을 비치는 수광면과, 수광면에 비치는 패턴을 인식하는 수광부를 구비하는 것이다.
또한, 본 발명중 청구항3에 관계되는 웨이퍼의 인식방법은, (a) 단차에 의해서 표지가 부착된 표면을 가지는 웨이퍼의 표면에 대해서 레이저광을 주사하는 공정과, (b) 표면에서의 레이저광의 산란광을 수광하는 공정을 구비하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 관한 웨이퍼의 인식장치의 구성을 나타내는 단면도.
도 2는 마경(魔鏡)의 원리를 설명하는 단면도.
도 3은 본 발명의 실시의 형태 2에 관계되는 웨이퍼 인식장치의 구성을 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 실시의 형태 2에 관계되는 웨이퍼의 인식장치의 구성을 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 실시의 형태 3에 관계되는 웨이퍼의 인식방법의 측정시퀀스를 나타내는 플로우차트.
도 6은 본 발명의 실시의 형태 4에 관계되는 웨이퍼의 인식방법의 측정시퀀스를 나타내는 플로우차트.
도 7은 본 발명의 실시의 형태 5에 관계되는 웨이퍼의 인식장치의 구성을 나타내는 단면도.
도 8은 본 발명의 실시의 형태 5에 관계되는 웨이퍼의 인식방법의 측정시퀀스를 나타내는 플로우차트.
도 9는 레이저에 의해서 표면에 각자부가 형성될 때의 웨이퍼의 상태를 나타내는 단면도.
도 10은 웨이퍼상에 산화막이 성막될 때의 웨이퍼 및 산화막의 상태를 나타내는 단면도.
도 11은 종래의 웨이퍼의 인식장치의 일례를 나타내는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 웨이퍼 2 : 웨이퍼스테이지
3 : 산화막 4 : 레이저광 조사부
5 : 산란광 수광부 6 : OCR처리부
7 : 각자부 8 : 광조사부
9 : 반사광 수광부 10 : CCD카메라
11a∼11d : 필터 12a∼12d : 필터제거기구
13 : 오목부 51,91 : 수광면
(실시의 형태 1)
도 1은, 본 발명의 실시의 형태 1에 관계되는 웨이퍼 인식장치의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이 본 실시의 형태 1에 관계되는 웨이퍼의 인식장치는, 웨이퍼 스테이지2와, 레이저광조사부4와, 수광면51을 가지는 산란광 수광부5와, OCR처리부6를 구비하고 있다. 또한, 웨이퍼 스테이지2상에 설치되는 웨이퍼1의 표면에는, 표지인 로트번호나 웨이퍼번호가 각자된 각자부7가 형성되어 있다. 또, 각자부7가 형성된 측의 웨이퍼1의 표면상에 산화막3이 성막되어, 산화막3의 표면에 생기는 오목부13의 깊이가 CCD 카메라에 의해서 직접 판독할 수 있는 깊이인 0.2㎛보다도 얕게 되어있어도 된다.
이하, 본 실시의 형태 1에 관계되는 웨이퍼의 인식장치를 사용한 웨이퍼의 인식방법에 관해서 차례로 설명한다. 우선, 웨이퍼 스테이지2상에 웨이퍼1를 설치하고, 각자부7가 형성된 측의 웨이퍼1의 표면에 레이저광 조사부4에 의해서 레이저광을 조사한다. 그렇게 하면, 각자부7가 형성되어 있는 영역이외로 조사된 레이저광은, 웨이퍼1 또는 산화막3의 표면에서 정반사하여 도 1중의 반사광이 되지만, 각자부7가 형성되어 있는 영역에 조사된 레이저광은, 각자부7 또는 오목부13가 나타내는 단차에 의하여 산란되어, 도 1중의 산란광으로 해서 얻어진다. 따라서, 웨이퍼1를 고정하여 레이저광조사부4를 차례로 이동하거나, 또는 레이저광조사부4를 고정시켜서 웨이퍼 스테이지2마다 웨이퍼1를 차례로 이동함으로써, 즉 레이저광조사를 주사시킴으로써, 각자부7또는 오목부13에 의한 산란광을 산란광 수광부5가 가지는 수광면51에서 수광할 수가 있다.
다음에, 수광면51으로 수광한 산란광의 분포에 대한 정보를 전위에 변환한다. 이에 의해, 산란광의 분포에 따른 이차원적인 전위분포를 얻을 수 있다. 다음에, 이 전위분포를 OCR 처리부6에서 OCR 처리함에 의해, 각자부7 또는 오목부13의 형상을 문자정보로서 판독할 수 있다.
이와 같이, 본 실시의 형태 1에 관계되는 웨이퍼의 인식장치에 의하면, CCD 카메라에 의해서 직접 수광하여 판독할 수 없는 각자부7 또는 오목부13의 형상도 판독할 수 있고, 웨이퍼를 인식할 수 있다.
더구나, 본 실시의 형태 1에 관계되는 웨이퍼의 인식장치에 의하면, 산란광의 분포에 관한 정보를 전위로 변환하는 공정을 구비하기 때문에, 그 전위차를 산란광 수광부5에서 증폭하는 것도 가능하다. 따라서, 각자부7를 CCD 카메라에 의해서 직접 수광하여 관찰하는 경우보다도, 용이하게 각자내용을 판독할 수 있다.
(실시의 형태 2)
우선, 거울면의 요철을 인식하는 원리(마경의 원리)에 관해서 설명한다. 도 2는, 마경의 원리를 설명하는 단면도이다. 표면에 요철을 가지는 거울면에 대하여 측방으로부터 입사광을 조사한다. 그렇게 하면, 입사광은 거울면에 의해서 반사되어 그 반사광은 스크린에 비춰진다. 이 때, 거울면의 오목부에서 반사한 반사광은 그 오목형상에 의하여 집광되기 때문에, 스크린에 비춰지는 반사광은 밝아지고, 한 편, 거울면의 볼록부로 반사한 반사광은 발산되기 때문에 어두워진다. 따라서, 스크린에 비춰진 반사광의 명암을 관찰함으로써 거울면의 평탄성을 가시화할 수 있고, 거울면의 요철을 인식할 수 있다.
본 실시의 형태 2는, 이 마경의 원리를 웨이퍼의 인식장치에 응용한 것이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시의 형태 2에 관계되는 웨이퍼의 인식장치의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 본 실시의 형태 2에 관계되는 웨이퍼의 인식장치는, 웨이퍼스테이지2와, 광조사부8와, 수광면91을 가지는 반사광수광부9와, CCD 카메라10와, OCR 처리부6를 구비하고 있다. 또, 실시의 형태 1의 경우와 같이, 웨이퍼스테이지2상에 설치되는 웨이퍼1의 표면에는 각자부7가 형성되어 있다. 또한, 각자부7가 형성되어 있는 측의 웨이퍼1의 표면상에 산화막3이 성막되어 있어도 되며 이 경우는 산화막13의 표면에 오목부13가 형성된다.
이하, 본 실시의 형태 2에 관계되는 웨이퍼의 인식장치를 사용한 웨이퍼의 인식방법에 관해서 차례로 설명한다. 우선, 웨이퍼스테이지2상에 웨이퍼1를 설치하여, 각자부7가 설정된 측의 표면에 광조사부8에 의해서 측방으로부터 빛을 조사한다. 그리고, 그 반사광을 반사광수광부9가 가지는 수광면91에 비친다 (도 3). 그렇게 하면, 상술의 마경의 원리에 의해, 각자부7 또는 오목부13가 나타내는 오목형상에 의해서, 반사광수광부9에는 각자부7 또는 오목부13의 형상이 명암으로서 비춰진다.
다음에, 수광면91에 비춰진 각자부7 또는 오목부13의 형상에 관한 정보를 CCD 카메라10에 의해서 잡아, 다시 이것을 OCR 처리부6에서 OCR 처리한다 (도 4). 이에 의해 각자부7 또는 오목부13의 형상을 문자정보로 해서 인식할 수가 있다.
이와 같이, 본 실시의 형태 2에 관계되는 웨이퍼의 인식장치에 의하면, CCD 카메라에 의해서 직접 수광하여 판독할 수 없는 각자부7 또는 오목부13의 형상도 판독할 수가 있고, 웨이퍼를 인식할 수 있다.
(실시의 형태 3)
실시의 형태 1 또는실시의 형태 2에서 설명한 웨이퍼의 인식장치를 이용하면, CCD 카메라로 직접 수광하여 판독할 수 없었던 얕은 각자부7 또는 오목부13의 형상을 판독할 수가 있다. 그러나, 레이저광 또는 빛을 조사하여, 그 산란광이나 반사광의 명암을 얻을 필요가 있기 때문에, 웨이퍼를 인식하기 위해서 요하는 처리시간이 CCD 카메라로 각자부7 또는 오목부13의 형상을 직접 판독하는 경우보다도 길어진다. 이 때문에, CCD 카메라로 직접 수광하여 이들 형상을 판독할 수 없을 경우에만, 실시의 형태 1 또는실시의 형태 2에 나타낸 기술을 적용할 수 있으면 바람직하다. 도 5는, 본 발명의 실시의 형태 3에 관계되는 웨이퍼 인식방법의 측정시퀀스를 나타내는 플로우차트이다. 우선 제 1단계에서는, 각자부7 또는 오목부13의 형상을 CCD 카메라로 직접 판독함으로써 웨이퍼의 인식을 시도한다. 이것은 즉, 각자부7 또는 오목부13로부터의 반사광을 직접 수광하여 표지를 인식하는 것을 의미한다. 이 제 1단계에서 웨이퍼를 인식할 수 있을 경우는 그대로 처리를 완료하고, 한편, 웨이퍼를 인식할 수 없을 경우는 실시의 형태 1 또는 실시의 형태 2에 관계되는 웨이퍼의 인식장치를 사용하여 웨이퍼의 인식을 행한다.
이와 같이, 본 실시의 형태 3에 관계되는 웨이퍼의 인식방법에 의하면, CCD 카메라로 직접 수광하여 웨이퍼를 인식할 수 없을 경우에만, 실시의 형태 1 또는 실시의 형태 2에 관계되는 웨이퍼의 인식장치를 사용한다. 즉, CCD 카메라에 의한 직접 판독으로 웨이퍼를 인식할 수 있는 깊은 각자부 또는 오목부에 관해서까지 실시의 형태 1 또는 실시의 형태 2에 관계되는 웨이퍼의 인식장치를 사용하는 것은 아니다. 따라서, 웨이퍼를 인식하기까지 요하는 처리시간을 불필요하게 연장하는 것을 회피할 수 있다.
(실시의 형태 4)
실시의 형태 1에 관계되는 웨이퍼의 인식장치를 사용하는 경우, 산란광의 강도가 약하면 산란광수광부5에서 충분한 산란광을 수광할 수 없고, 각자부7 또는 오목부13의 형상을 읽어낼 수 없는 경우도 일어날 수 있다. 본 실시의 형태 4에 관계되는 웨이퍼의 인식방법은, 이러한 경우에 산란광수광부5의 검출감도를 단계적으로 증대시키고, 웨이퍼를 인식할 수 있을 때까지 측정을 반복하는 방법이다.
도 6은, 본 발명의 실시의 형태 4에 관계되는 웨이퍼 인식방법의 측정시퀀스를 나타내는 플로우차트이다. 우선 제 1단계(카운터 n=0)에서는, 실시의 형태 1에서 나타낸 방법에 의해 레이저광을 주사하여 표지의 인식, 즉 웨이퍼의 인식을 시도한다. 이 제 1단계에서 웨이퍼를 인식할 수 있을 경우는 그대로 처리를 완료하고, 한 편, 웨이퍼를 인식할 수 없을 경우는 산란광수광부5의 검출감도를 올린다. 구체적으로는, 산란광수광부5로서 광전자증가배관을 사용하여, 제 1단계에서 광전자증가배관에 의해서 얻을 수 있는 화상정보를 축적하여 놓는다. 다음에, 제 2단계(카운터 n=1)에서도 마찬가지로 레이저광의 주사을 행하고, 제 2단계에서 얻을 수 있는 화상정보를 제 1단계에서 얻을 수 있는 화상정보와 서로 겹친다. 이 제 2단계에서 웨이퍼를 인식할 수 있을 경우는 처리를 완료하고, 한 편, 웨이퍼를 인식할 수 없을 경우는, 상기와 같은 처리를 웨이퍼를 인식할 수 있을 때까지 반복한다. 이와 같이 차례로 겹쳐진 화상정보의 판독은, 각각의 단계에서 얻어지는 개개의 화상정보의 판독보다도 용이해진다.
또한, 검출감도를 변화시킨 회수인 카운터 n의 값을 기억해 놓고, 카운터 n의 값이 어느 설정회수m을 넘으면, 즉 n≥m 이 되면 웨이퍼를 인식할 수 없다고 판단하여 에러를 표시시켜도 된다.
이와 같이, 본 실시의 형태 4에 관계되는 웨이퍼의 인식방법에 의하면, 실시의 형태 1에 관계되는 웨이퍼의 인식장치를 사용하여 웨이퍼를 인식할 수 없는 경우라도, 자동적으로 산란광 수광부5의 검출감도를 올림으로써, 보다 확실하게 웨이퍼를 인식할 수 있다.
(실시의 형태 5)
상술한 바와 같이, 실시의 형태 1에 관계되는 웨이퍼의 인식장치를 사용하는 경우, 산란광의 강도가 약하면 산란광수광부5에서 충분한 산란광을 수광할 수 없고, 웨이퍼를 인식할 수 없는 경우도 생길 수 있다. 이 경우, 실시의 형태 4에서 도시한 바와 같이, 산란광수광부5의 검출감도를 높이는 것에 의해 웨이퍼를 인식할 수 있지만, 하드상의 이유등에 의해 산란광수광부5의 검출감도를 변화시킬 수 없는 경우에는, 레이저광 조사부4로부터 조사되는 레이저광의 강도를 높여도 된다.
이 경우, 레이저광 조사부4로부터 조사되는 레이저광의 강도가 강해지면 산란광의 강도도 강해지지만, 레이저광의 강도가 지나치게 강한 경우는 반사광의 강도도 증대하기 때문에, 이 반사광에 가려서 산란광수광부5에서의 산란광의 수광이 곤란해지는 경우도 있다. 따라서, 가능한 한 강도가 약한 레이저광을 조사함으로써 웨이퍼를 인식할 수 있으면 좋다. 그 때문에, 갑자기 강도가 강한 레이저광을 조사하는 것은 아니고, 강도가 약한 레이저광으로부터 단계적으로 레이저광의 강도를 높여가는것이 바람직하다.
본 발명의 실시의 형태 5에 관계되는 웨이퍼의 인식장치는 이것을 실현하기 위한 장치이다. 도 7은, 본 발명의 실시의 형태 5에 관계되는 웨이퍼의 인식장치의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 본 실시의 형태 5에 관계되는 웨이퍼의 인식장치는 실시의 형태 1에서 나타낸 웨이퍼의 인식장치를 기초로 해서 구성되어 있지만, 여기에 덧붙여, 레이저광조사부4와 산화막3의 표면과의 사이에서의 레이저광의 광축상에 배치된 레이저광의 강도를 감쇠시키기 위한 복수의 필터11a∼11d와, 필터11a∼11d를 각각 개별적으로 제거하기 위한 필터제거기구12a∼12d를 구비하고 있다. 이 때 레이저광조사부4에서는, 산란광의 수광이 반사광에 의해서 영향을 받지 않은 범위내에서 최대의 강도를 가지는 레이저광을 조사한다.
또 도 8은, 본 발명의 실시의 형태 5에 관계되는 웨이퍼의 인식장치를 이용한 웨이퍼의 인식방법의 측정시퀀스를 나타내는 플로우차트이다. 우선 필터11a∼11d를 모두 삽입한 상태에서, 즉 산화막3의 표면에 조사되는 레이저광의 강도가 가장 약한 상태에서 레이저광을 조사하여 웨이퍼의 인식을 시도한다 (카운터 n=0). 이 단계에서 웨이퍼를 인식할 수 있을 경우는 그대로 처리를 완료하고, 한 편, 웨이퍼를 인식할 수 없을 경우는 필터제거기구12a에 의해서 필터11a를 제거하고, 산화막3의 표면에 조사되는 레이저광의 강도를 높여서 다시 웨이퍼 인식을 시도한다 (카운터 n=1). 이 단계에서도 웨이퍼를 인식할 수 없을 경우는 필터제거기구12b에 의해서 필터11b를 제거하고, 다시 레이저광의 강도를 높여서 웨이퍼의 인식을 시도한다 (카운터 n=2). 이상의 처리를 웨이퍼를 인식할 수 있을 때까지 반복한다.
또한, 제거한 필터의 매수인 카운터 n의 값을 기억해 놓고, 카운터 n의 값이 미리 삽입되어 있던 필터의 매수 m에 달하면, 즉 n=m 이 되면 웨이퍼를 인식할 수 없다고 판단하여 에러를 표시시킨다.
이와 같이 본 실시의 형태 5에 관계되는 웨이퍼의 인식장치 및 웨이퍼의 인식방법에 의하면, 필터11a∼11d에 의해서 산화막3의 표면에 조사되는 레이저광의 강도를 감쇠시켜놓고, 웨이퍼를 인식할 수 없을 경우에는 필터제거기구12a∼12d에 의해서 필터11a∼11d를 한 매씩 기계적으로 자동으로 제거한다. 따라서, 산란광의 수광이 반사광에 의해서 영향을 받지 않는 범위내에서 레이광의 강도를 단계적으로 높여갈 수가 있고, 실시의 형태 1에 관계되는 웨이퍼의 인식장치를 사용하여 웨이퍼를 인식할 수 없을 경우에도, 자동적으로 레이저광의 강도를 높임으로써, 보다 확실하게 웨이퍼를 인식할 수가 있다.
광조사부에서 웨이퍼의 표면에 조사된 빛은, 웨이퍼의 표면중, 단차에 의해 부착된 표지에서만 산란된다. 따라서 본 발명중, 청구항1에 관계되는 웨이퍼의 인식장치에 의하면, 단차가 적고, 단지 반사광을 CCD 카메라로 직접 수광함으로써 표지를 판독할 수 없울 경우에도, 표지를 판독할 수가 수 있고, 이에 의해 웨이퍼를 인식할 수가 있다.
또한 본 발명중, 청구항2에 관계되는 웨이퍼의 인식장치에 의하면, 수광면에는 웨이퍼 표면에서의 빛의 반사광이 나타내는 패턴이 비춰지지만, 이 때 단차의 오목부에서 반사된 반사광은 그 오목형상에 의해서 집광되기 때문에, 다른 영역보다도 수광면에서 밝게 비춰지고 있다. 따라서, 수광면에 비치는 반사광의 패턴을 수광부에 의해서 용이하게 인식할 수 있어, 용이하게 표지를 판독하여 웨이퍼를 인식할 수 있다.
웨이퍼의 표면에 조사된 빛은, 웨이퍼의 표면중 단차에 의해 부착된 표지에서만 산란된다. 따라서 본 발명중, 청구항3에 관계되는 웨이퍼의 인식방법에 의하면, 단차가 적고 단지 반사광을 CCD 카메라로 직접 수광하는 것에 의해서는 표지를 읽어낼 수 없을 경우에도, 표지를 판독할 수가 있고, 이에 의해 웨이퍼를 인식할 수 있다.

Claims (3)

  1. 단차에 의해 표지가 부착된 표면을 가지는 웨이퍼의 상기 표면에 빛을 조사하는 광조사부와,
    상기 표면에서의 상기 빛의 산란광을 수광함에 의해, 상기 표지를 읽어내는 수광부를 구비하는 웨이퍼의 인식장치.
  2. 단차에 의해 표지가 첨부된 표면을 가지는 웨이퍼의 상기 표면에 빛을 조사하는 광조사부와, 상기 표면에서의 상기 빛의 반사광의 패턴을 비추는 수광면과, 상기 수광면에 비치는 상기 패턴을 인식하는 수광부를 구비하는 웨이퍼의 인식장치.
  3. (a)단차에 의해 표지가 첨부된 표면을 가지는 웨이퍼의 상기 표면에 대해서 레이저광을 주사하는 공정과,
    (b)상기 표면으로부터의 상기 레이저광의 산란광을 수광하는 공정을 구비하는 웨이퍼의 인식방법.
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