JPH10247613A - 識別パターン付き基板および識別パターン読取方法並びに装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 識別パターンを背景の如何に関わらず読み取
る。 【解決手段】 ウエハ１の第１主面２に予め形成される
ＩＤパターン６は、大きさがこのＩＤパターン６よりも
小さい小パターン部であるセグメント７の多数の集合に
よって構成される。ＩＤパターン６はウエハ１を透過可
能な赤外線Ｒをウエハ１の第２主面側からＩＤパターン
６に斜めに照射し、赤外線Ｒのセグメント７における散
乱光Ｒａを検出することにより読み取られる。 【効果】 ウエハの第２主面側から背景に影響されずに
ＩＤパターンを読み取ることにより、半導体プロセスを
経るに従ってウエハの第１主面側に順次形成される薄膜
に影響を受けずにＩＤパターンを読み取ることができる
ため、いずれの半導体プロセスにおいてもＩＤパターン
を正確に読み取ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、識別パターン付き
基板および識別パターン読取技術に関し、例えば、半導
体装置の製造工程において、半導体ウエハ（以下、ウエ
ハという。）やウエハ面内に形成する半導体ペレットを
個々に識別するための技術に利用して有効なものに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程における所謂前工
程においては、個々のウエハを識別するための識別（ｉ
ｄｅｎｔｉｆｉｒｅ）パターン（以下、ＩＤパターンと
いう。）を予め付しておき、各製造工程や検査工程の通
過時等に個々のウエハのＩＤパターンを適時に読み取っ
て個々のウエハを識別することにより、各ウエハ毎に生
産管理データや電気的特性に関する測定値等のデータを
管理し、もって、生産管理や製品の特性解析、不良解析
および異物解析や歩留り等を向上させる半導体装置の生
産方法が採用されている。

【０００３】従来のこの種のＩＤパターン読取方法を述
べてある例として、特開平１−９６９２０号公報があ
る。すなわち、第１主面にＩＤパターンが予め形成され
たウエハに第２主面側から赤外線が照射され、ＩＤパタ
ーンにおいて全反射した反射光が第２主面側に配設され
た赤外線検出器によって検出され、この検出に基づいて
ＩＤパターンが読み取られる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たＩＤパターン読取方法においては、ウエハの第１主面
に形成されたＩＤパターンの上にＩＤパターンの材料と
同質の薄膜が形成されると、第２主面側から照射された
赤外線が背景を構成する当該薄膜において全反射する状
態になるため、ＩＤパターンを検出することができない
という問題点があることが、本発明者によって明らかに
された。

【０００５】本発明の目的は、背景の如何に関わらず読
み取ることができる識別パターンおよびその読取技術を
提供することにある。

【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面により以下に
述べる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００８】すなわち、基板の第１主面に予め形成され
る識別パターンは、大きさがこの識別パターンよりも小
さい小パターン部の多数の集合によって構成される。

【０００９】前記識別パターンは、前記基板を透過可能
な光を前記基板の第２主面側から前記識別パターンに照
射し、この光の照射による前記各小パターン部における
散乱光を検出することにより、読み取られる。このよう
に前記識別パターンは全反射光でなく小パターン部にお
ける散乱光によって検出されるため、その読み取り精度
は背景に影響されない。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
ＩＤパターン読取方法を示しており、（ａ）はＩＤパタ
ーン付きウエハの斜視図、（ｂ）はＩＤパターンの拡大
斜視図、（ｃ）はＩＤパターン読取方法を説明するため
の拡大部分断面図である。図２は本発明の一実施形態で
あるＩＤパターン読取装置を示す模式図である。

【００１１】本実施形態において、本発明に係る識別パ
ターン読取装置は、シリコンウエハ（以下、ウエハとい
う。）に付されたＩＤパターンを読み取るＩＤパターン
読取装置として構成されている。識別パターン付き基板
としてのウエハ１の第１主面２には、半導体素子を含む
集積回路（図示せず）が複数個のペレット部４毎に形成
される。ウエハ１の第１主面２において、ペレット部４
群はオリエンテーションフラット（以下、オリフラとい
う。）３に対応して縦横に規則的に配列される。ウエハ
１の第１主面２におけるオリフラ３の近傍には識別コー
ド５が、オリフラ３と平行に整列されて形成されてい
る。識別コード５は複数個のＩＤパターン６の組み合わ
せによって構成されており、各ＩＤパターン６はアルフ
ァベットおよび数字（パターン）によってそれぞれ構成
されている。ここでは、識別コード５はロット番号とウ
エハ番号とから構成されており、アルファベットのＩＤ
パターン６によってウエハ１のロット番号が表示され、
数字のＩＤパターン６によって当該ロット内の個々のウ
エハ番号が表示されている。

【００１２】図１（ｂ）に示されているように、ＩＤパ
ターン６はＩＤパターン６の大きさよりも充分に小さい
小パターン部（以下、セグメントという。）７の集合に
よって構成されている。セグメント７は円形、四角形や
三角形の微小の平板形状に形成されており、多数個が隣
接するように配置されている。ＩＤパターン６は多数個
のセグメント７が集合されて構成されているため、無数
の凹凸部および無数のエッジを内在した状態になってい
る。

【００１３】多数個のセグメント７の集合体であるＩＤ
パターン６および複数個のＩＤパターン６の組み合わせ
である識別コード５は、ウエハ１の第１主面２に対する
ペレット部４のパターニングと同様にリソグラフィー処
理およびエッチング処理によって形成される。すなわ
ち、ウエハ１の第１主面２の上に、シリコンウエハと反
射率または吸収率が異なる材料である高濃度多結晶シリ
コンの薄膜が０．１μｍの厚さに形成される。次いで、
多数個のセグメント７の集合体であるＩＤパターン６お
よび複数個のＩＤパターン６の組み合わせである識別コ
ード５が、リソグラフィー処理およびエッチング処理に
よってパターニングされる。図１に示されているＩＤパ
ターン６は、厚さが０．１μｍで幅Ｗが２０μｍのセグ
メント７が、４０μｍのピッチをもって整列されて構成
されている。

【００１４】なお、図１（ｃ）に示されているように、
ＩＤパターン６が形成されたウエハ１の第１主面２の上
にはシリコン酸化膜８が形成され、そのシリコン酸化膜
８の上には高濃度多結晶シリコン膜９が形成されてい
る。

【００１５】本実施形態に係るＩＤパターン読取装置１
１は読取ステージ１２を備えており、読取ステージ１２
はウエハ１を第１主面２を上側に配置した状態で水平に
保持し得るように構成されている。読取ステージ１２の
下方には赤外線照射装置１３が設備されており、赤外線
照射装置１３は光通信等で一般的に広く使用されている
１．５５μｍの波長の赤外線Ｒを照射するようになって
いる。ちなみに、シリコンの光の吸収端は約０．９μｍ
である。したがって、これよりも長い波長である１．５
５μｍの赤外線はウエハ１を透過することになる。赤外
線照射装置１３の光学的な前方位置には光ファイバー１
４が、読取ステージ１２のウエハ１を斜光照明するよう
に配設されている。すなわち、赤外線照射装置１３から
照射された赤外線Ｒは光ファイバー１４に誘導されるこ
とにより、読取ステージ１２のウエハ１に斜めから照射
するようになっている。

【００１６】読取ステージ１２の真下には、赤外線Ｒが
ウエハ１で散乱した散乱光Ｒａを受光する赤外線ＣＣＤ
テレビカメラ（以下、テレビカメラという。）１５が設
備されており、テレビカメラ１５は読取ステージ１２に
おいて斜光照明されたウエハ１の識別コード５を暗視野
観察するように構成されている。テレビカメラ１５には
ＩＤパターン認識装置１６が電気的に接続されている。
ＩＤパターン認識装置１６は画像処理装置等から構成さ
れ、テレビカメラ１５からの撮像信号に基づいてウエハ
１に付されたＩＤパターン６を認識し得るように構成さ
れている。ＩＤパターン認識装置１６にはモニタ１７が
接続されており、このモニタ１７によりテレビカメラ１
５の撮映状況がモニタリングされるようになっている。

【００１７】さらに、ＩＤパターン認識装置１６には識
別コード５を逐次記録するための記録手段としてのメモ
リー１８が接続されており、メモリー１８はＩＤパター
ン認識装置１６によって認識されたＩＤパターン６を逐
次記録するように構成されている。メモリー１８はコン
ピュータ等から構築されているデータ処理装置１９に接
続されており、メモリー１８に記録されたデータがデー
タ処理装置１９によって随時読み出されるようになって
いる。なお、メモリー１８はデータ処理装置１９側に装
備してもよい。

【００１８】次に、前記構成に係るＩＤパターン読取装
置１１によって実施される本発明の一実施形態であるＩ
Ｄパターン読取方法を説明する。

【００１９】プリアライメント装置（図示せず）におい
てオリフラ３を使用して位置合わせされたウエハ１は、
ロボット（図示せず）により読取ステージ１２に搬送さ
れ、予め位置合わせされた姿勢をもって読取ステージ１
２上に移載される。読取ステージ１２において、ウエハ
１は読取ステージ１２により水平に支持されるととも
に、識別コード５がテレビカメラ１５に光学的に正対さ
れる。

【００２０】識別コード５がテレビカメラ１５に正対さ
れると、図１（ｃ）に示されているように、赤外線照射
装置１３および光ファイバー１４によって赤外線Ｒがウ
エハ１の第２主面に斜めに照射される。ウエハ１の第２
主面に照射された赤外線Ｒはウエハ１を透過するため、
ウエハ１の第１主面２側に形成されたＩＤパターン６に
照射する状態になる。ＩＤパターン６は高濃度多結晶シ
リコン膜によって形成されているため、ＩＤパターン６
に照射した赤外線Ｒは全反射する。また、ＩＤパターン
６の上に形成されたシリコン酸化膜８を透過してＩＤパ
ターン６の背景を構成する高濃度多結晶シリコン膜９に
照射した赤外線Ｒも全反射する。しかし、赤外線Ｒは斜
めに照射されているため、全反射光Ｒｂはテレビカメラ
１５には全く入射しない。

【００２１】ここで、ＩＤパターン６は多数個のセグメ
ント７の集合によって構成されているため、無数のエッ
ジおよび隙間を有する。ＩＤパターン６に斜めに照射さ
れた赤外線Ｒはこれらエッジに照射することにより、散
乱光Ｒａを形成する。散乱光Ｒａはウエハ１に正対した
テレビカメラ１５に入射する。散乱光ＲａはＩＤパター
ン６の全面のセグメント７群において発生した状態にな
っているため、テレビカメラ１５はＩＤパターン６を全
体的に撮影した状態になる。このとき、ＩＤパターン６
の背景を構成する高濃度多結晶シリコン膜９からの全反
射光Ｒｂはテレビカメラ１５に全く入射しないため、テ
レビカメラ１５はＩＤパターン６だけを鮮明に撮影する
ことになる。

【００２２】テレビカメラ１５によって鮮明に撮影され
たＩＤパターン６の画像は、ＩＤパターン認識装置１６
に送信される。ＩＤパターン認識装置１６は撮影したＩ
Ｄパターン６をパターンマッチング等の手法によって認
識することによって読み取る。そして、ＩＤパターン６
が全て読み取られると、ウエハ１はロボット（図示せ
ず）により読取ステージ１２から下ろされてローダ・ア
ンローダ（図示せず）に搬送され、ローダ・アンローダ
のカセット（図示せず）に収納される。

【００２３】以上のようにして読み取られたＩＤパター
ン６は、ＩＤパターン認識装置１６に接続されているメ
モリー１８に一時的に記録される。そして、この記録デ
ータが適宜利用されることにより、ウエハ１のデータ管
理や物流管理等が実質的にリアルタイムに実行されるこ
とになる。なお、テレビカメラ１５による映像はモニタ
１７に映し出され、作業者によって必要に応じて監視さ
れる。

【００２４】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。 ウエハの第１主面に予め形成されるＩＤパターンを
多数個のセグメントの集合によって構成することによ
り、ＩＤパターンの全体において散乱光を発生させるこ
とができるため、ＩＤパターンの背景に影響されずにＩ
Ｄパターンを光学的に観察することができ、その結果、
ＩＤパターンの読取精度を高めることができる。

【００２５】 ウエハの第１主面に予め形成されるＩ
Ｄパターンを多数個のセグメントの集合によって構成
し、ウエハの第２主面からＩＤパターンを赤外線で斜光
照明するとともに、ウエハの第２主面において散乱光を
採光（暗視野観察）することにより、全反射光の影響を
排除することができるため、ＩＤパターンを鮮明に観察
することができ、その結果、ＩＤパターンの読取精度を
より一層高めることができる。

【００２６】 ウエハの第２主面側から背景に影響さ
れずにＩＤパターンを読み取ることにより、半導体プロ
セスを経るに従ってウエハの第１主面側に順次形成され
る薄膜に影響を受けずにＩＤパターンを読み取ることが
できるため、いずれの半導体プロセスにおいてもＩＤパ
ターンを正確に読み取ることができる。

【００２７】 ＩＤパターンを正確に読み取ることに
より、個々のウエハを正確に識別することができるた
め、半導体装置の製造工程における所謂前工程におい
て、各ウエハ毎に生産管理データや電気的特性に関する
測定値等のデータを管理し、もって、生産管理や製品の
特性解析、不良解析および異物解析や歩留り等を向上さ
せることができる。

【００２８】図３は本発明の他の実施の形態であるＩＤ
パターン読取装置を示す模式図である。

【００２９】本実施形態２が前記実施形態１と異なる点
は、テレビカメラ１５がウエハ１の第１主面２側に配設
されている点にある。本実施形態２においても、ＩＤパ
ターン６は多数個のセグメント７が微小な隙間Ｓをもっ
て配列されて構成されているため、セグメント７に照射
した赤外線Ｒは微小な隙間Ｓにおいて散乱する。この散
乱光Ｒａはテレビカメラ１５によって撮影することがで
きるため、多数個のセグメント７の集合によって構成さ
れたＩＤパターン６は、前記実施形態１と同様に読み取
ることができる。

【００３０】さらに、本実施形態２においては、透過光
Ｒｃを採取するテレビカメラ（以下、透過光用テレビカ
メラという。）１５ＡによってＩＤパターン６を撮影す
ることができる。すなわち、赤外線ＲがＩＤパターン６
の隣合うセグメント７、７の微小な隙間ＳおよびＩＤパ
ターン６の周辺を透過した透過光Ｒｃを透過光用テレビ
カメラ１５Ａによって採取することにより、多数個のセ
グメント７の集合によって構成されたＩＤパターン６
は、前記実施形態１と同様に読み取ることができる。

【００３１】ちなみに、散乱光Ｒａを採取したテレビカ
メラ１５の画像および透過光Ｒｃを採取した透過光用テ
レビカメラ１５Ａの画像は、いずれも同一のＩＤパター
ン６を撮影した画像であるため、ＩＤパターン認識装置
１６において両者の画像を照合することにより、ＩＤパ
ターンの認識精度を高めることができる。

【００３２】但し、第１主面２側のＩＤパターン６の上
層に赤外線Ｒを透過しない材質から成る薄膜、例えば、
金属膜９が形成されている場合には、ＩＤパターン６の
セグメント７における散乱光Ｒａおよび透過光Ｒｃが当
該薄膜を透過することができないため、テレビカメラ１
５および１５Ａは散乱光Ｒａおよび透過光Ｒｃを正確に
撮影することができなくなり、その結果、ＩＤパターン
６の読み取りは不可能となる。

【００３３】なお、本実施形態２においては、ウエハ１
の第１主面２側にテレビカメラ１５および１５Ａが配置
され、ウエハ１の第２主面側に赤外線照射装置１３が配
置されているが、ウエハ１の第１主面２側に赤外線照射
装置１３を配置し、ウエハ１の第２主面側にテレビカメ
ラ１５および１５Ａが配置してもよい。

【００３４】図４は本発明の他の実施形態であるＩＤパ
ターン付きウエハを示しており、（ａ）は全体を示す平
面図、（ｂ）はＩＤパターンの拡大斜視図である。

【００３５】本実施形態に係るＩＤパターン６は縁取り
パターン部１０を有している点が、前記実施形態１と異
なる。この縁取りパターン部１０はＩＤパターン６の輪
郭を強調し、識別精度を向上することに有効である。

【００３６】図５は本発明の別の他の実施形態であるＩ
Ｄパターン付きウエハを示しており、（ａ）は全体を示
す平面図、（ｂ）はペレットコードの部分拡大平面図で
ある。

【００３７】本実施形態に係るウエハには、ＩＤパター
ン６が各ペレット部４毎に形成されており、各ＩＤパタ
ーン６はセグメント７群によって形成されている。

【００３８】本実施形態によれば、同一のウエハ１内の
各ペレット部４に対応させて生産管理データや処理条件
データおよび検査結果データ等の履歴データファイルを
作成することができるため、半導体装置の生産方法にお
ける生産管理や特性解析、不良解析および異物解析の精
度を大幅に向上させることができ、ひいては半導体装置
の生産方法の歩留りや生産効率等を大幅に向上させるこ
とができる。

【００３９】さらに、パッケージング後にペレットに故
障が発見された場合には、故障のペレットに付されたＩ
Ｄパターンから構成されたペレットコードを把握するこ
とにより、個々のペレットの故障原因等の解析を実施す
ることができ、しかも、履歴データファイルには各ウエ
ハ毎でかつ各ペレット部毎に履歴データが整理されてい
るため、各ペレット毎の故障解析が可能になり、高い解
析精度を達成することができる。

【００４０】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４１】例えば、セグメントは微小な平板形状に形
成するに限らず、図６（ａ）に示されているように、ウ
エハ１の第１主面２に没設した穴７Ａによって構成して
もよいし、図６（ｂ）に示されているように、ウエハ１
の第１主面２に突設した凸部７Ｂによって構成してもよ
い。

【００４２】また、セグメントはリソグラフィー処理お
よびエッチング処理によって形成するに限らず、レーザ
ー照射等によって形成してもよい。

【００４３】ＩＤパターンに照射する光は赤外線に限ら
ず、ウエハを透過する光であればよく、例えば、ハロゲ
ンランプのようにブロードな波長領域の光源を使用し
て、ウエハを透過した光を採取するように構成してもよ
い。

【００４４】散乱光および透過光を採取する受光器とし
ては、テレビカメラ等のエリアセンサを使用するに限ら
ず、ラインセンサやホトマル等を使用してもよい。ライ
ンセンサ等が使用される場合には、照射光やラインセン
サ等を走査させてもよい。

【００４５】例えば、ＩＤパターンは英字や数字等によ
って構成するに限らず、バーコードやペリコード等によ
って構成してもよい。

【００４６】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるシリコ
ンウエハの識別技術に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、化合物半導体ウエ
ハの識別技術や液晶パネルの識別技術等の基板の識別技
術全般に適用することができる。

【００４７】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００４８】識別が必要な基板の第１主面に予め形成さ
れる識別パターンを多数個の小パターン部の集合によっ
て構成することにより、識別パターンの全体において散
乱光を発生させることができるため、識別パターンの背
景に影響されずに識別パターンを鮮明に観察することが
でき、その結果、正確に読み取ることができる。

【００４９】識別が必要な基板の第１主面に予め形成さ
れる識別パターンを多数個の小パターン部の集合によっ
て構成し、基板の第２主面から識別パターンを基板を透
過する光で斜め照明するとともに、基板の第２主面にお
いて散乱光を採光することにより、全反射光の影響を排
除することができるため、識別パターンを鮮明に観察す
ることができ、正確に読み取ることができる。

【００５０】識別が必要な基板の第２主面側から背景に
影響されずに識別パターンを読み取ることにより、プロ
セスを経るに従って基板の第１主面側に順次形成される
薄膜に影響を受けずに識別パターンを読み取ることがで
きるため、いずれのプロセスにおいても識別パターンを
正確に読み取ることができる。

【００５１】識別パターンを正確に読み取ることによ
り、個々の基板を正確に識別することができるため、各
基板毎に生産管理データや電気的特性に関する測定値等
のデータを管理し、もって、生産管理や製品の特性解
析、不良解析および異物解析や歩留り等を向上させるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態であるＩＤパターン読取方
法を示しており、（ａ）はＩＤパターン付きウエハの斜
視図、（ｂ）はＩＤパターンの拡大斜視図、（ｃ）はＩ
Ｄパターン読取方法を説明するための一部省略正面図で
ある。

【図２】本発明の一実施形態であるＩＤパターン読取装
置を示す模式図である。

【図３】本発明の他の実施の形態であるＩＤパターン読
取装置を示す模式図である。

【図４】本発明の他の実施形態であるＩＤパターン付き
ウエハを示しており、（ａ）は全体を示す平面図、
（ｂ）はＩＤパターンの拡大斜視図である。

【図５】本発明の別の他の実施形態であるＩＤパターン
付きウエハを示しており、（ａ）は全体を示す平面図、
（ｂ）はペレットコードの部分拡大平面図である。

【図６】（ａ）、（ｂ）は本発明の他の実施形態である
セグメントを示す各拡大部分断面図である。

【符号の説明】

１…ウエハ（識別パターン付き基板）、２…第１主面、
３…オリエンテーションフラット（オリフラ）、４…ペ
レット部、５…識別コード、６…ＩＤパターン（識別パ
ターン）、７…セグメント（小パターン）、７Ａ…穴、
７Ｂ…凸部、８…シリコン酸化膜、９…高濃度多結晶シ
リコン膜（金属膜）、１０…縁取りパターン部、１１…
ＩＤパターン読取装置（識別パターン読取装置）、１２
…読取ステージ、１３…赤外線照射装置、１４…光ファ
イバー、１５…赤外線ＣＣＤテレビカメラ（テレビカメ
ラ）、１５Ａ…透過光用テレビカメラ、１６…ＩＤパタ
ーン認識装置、１７…モニタ、１８…メモリー、１９…
データ処理装置、Ｒ…赤外線（基板を透過可能な光）、
Ｒａ…散乱光、Ｒｂ…全反射光、Ｒｃ…透過光。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１主面に識別のための識別パターンが
   形成されている基板において、 前記識別パターンは大きさが前記識別パターンよりも小
   さい小パターン部の集合によって構成されていることを
   特徴とする識別パターン付き基板。
2. 【請求項２】 前記小パターン部は反射率または吸収率
   が第１主面と異なる材料が使用されて形成されているこ
   とを特徴とする請求項１に記載の識別パターン付き基
   板。
3. 【請求項３】 前記識別パターンの外縁には、縁取りパ
   ターン部が前記小パターン部の集合を取り囲むように形
   成されていることを特徴とする請求項１または２に記載
   の識別パターン付き基板。
4. 【請求項４】 前記識別パターンが複数、前記第１主面
   に規則的に配置されていることを特徴とする請求項１、
   ２または３に記載の識別パターン付き基板。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の識別パターン付き基板
   の前記識別パターンを読み取る識別パターン読取方法で
   あって、 前記基板を透過可能な光が前記基板の第２主面側から前
   記識別パターンに照射され、この光の照射による前記各
   小パターン部における散乱光が検出されて、前記識別パ
   ターンが読み取られることを特徴とする識別パターン読
   取方法。
6. 【請求項６】 前記各小パターン部における散乱光の検
   出が、前記基板の第２主面側において実行されることを
   特徴とする請求項５に記載の識別パターン読取方法。
7. 【請求項７】 前記各小パターン部における散乱光の検
   出が、前記基板の第１主面側において実行されることを
   特徴とする請求項５に記載の識別パターン読取方法。
8. 【請求項８】 請求項１に記載の識別パターン付き基板
   の前記識別パターンを読み取る識別パターン読取方法で
   あって、 前記基板を透過可能な光が前記基板の第２主面側から前
   記識別パターンに照射され、この照射光の前記各小パタ
   ーン部の隙間および周辺を透過した透過光が前記基板の
   第１主面側で検出されて、前記識別パターンが読み取ら
   れることを特徴とする識別パターン読取方法。
9. 【請求項９】 請求項１に記載の識別パターン付き基板
   の前記識別パターンを読み取る識別パターン読取装置で
   あって、 前記基板を透過可能な光が前記基板の第２主面側から前
   記識別パターンに照射され、この光の照射による前記各
   小パターン部における散乱光が検出されて、前記識別パ
   ターンが読み取られることを特徴とする識別パターン読
   取装置。
10. 【請求項１０】 請求項１に記載の識別パターン付き基
    板の前記識別パターンを読み取る識別パターン読取装置
    であって、 前記基板を透過可能な光が前記基板の第２主面側から前
    記識別パターンに照射され、この照射光の前記各小パタ
    ーン部の隙間および周辺を透過した透過光が前記基板の
    第１主面側で検出されて、前記識別パターンが読み取ら
    れることを特徴とする識別パターン読取装置。