JPH08145901A - 透明金属薄膜基板の異物検査装置 - Google Patents
透明金属薄膜基板の異物検査装置Info
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- JPH08145901A JPH08145901A JP31112794A JP31112794A JPH08145901A JP H08145901 A JPH08145901 A JP H08145901A JP 31112794 A JP31112794 A JP 31112794A JP 31112794 A JP31112794 A JP 31112794A JP H08145901 A JPH08145901 A JP H08145901A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＴＯ（酸化インジゥム・錫）基板に付着し
た有機性異物を検出せず、蒸着した金属性異物のみを検
出し、かつ迅速に検査できる異物検査装置を提供する。 【構成】 ＩＴＯ基板１を載置する検査ステージ２と、
これに対するＸＹ移動機構３、ＩＴＯ膜を下側として検
査ステージ２に載置されたＩＴＯ基板１を、複数の領域
に区分し、各領域に対応して配設され、対応する領域に
線光帯を結像する投光系41と、その反射光を受光する受
光系42よりなり、投光系41の入射角と受光系42の受光角
とが同一に設定された複数組の検査光学系４、および各
受光系の出力信号に対する閾値が設定された信号処理回
路を有するデータ処理部５とにより構成される。
た有機性異物を検出せず、蒸着した金属性異物のみを検
出し、かつ迅速に検査できる異物検査装置を提供する。 【構成】 ＩＴＯ基板１を載置する検査ステージ２と、
これに対するＸＹ移動機構３、ＩＴＯ膜を下側として検
査ステージ２に載置されたＩＴＯ基板１を、複数の領域
に区分し、各領域に対応して配設され、対応する領域に
線光帯を結像する投光系41と、その反射光を受光する受
光系42よりなり、投光系41の入射角と受光系42の受光角
とが同一に設定された複数組の検査光学系４、および各
受光系の出力信号に対する閾値が設定された信号処理回
路を有するデータ処理部５とにより構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＴＯ（酸化インジ
ゥム・錫）基板に存在する異物に対する検査装置に関す
る。
ゥム・錫）基板に存在する異物に対する検査装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルには、ガラス基板の表面にＩ
ＴＯ（酸化インジゥム・錫）の薄膜を蒸着した透明電極
板が使用される。本稿ではこの透明電極板を便宜上、Ｉ
ＴＯ基板とよぶこととする。なお、ＩＴＯ基板のサイズ
には各種があるが、大型のものは、縦横の幅が３００ｍ
ｍ〜５００ｍｍある。
ＴＯ（酸化インジゥム・錫）の薄膜を蒸着した透明電極
板が使用される。本稿ではこの透明電極板を便宜上、Ｉ
ＴＯ基板とよぶこととする。なお、ＩＴＯ基板のサイズ
には各種があるが、大型のものは、縦横の幅が３００ｍ
ｍ〜５００ｍｍある。
【０００３】図７において、１はＩＴＯ基板、１a はガ
ラス基板、１b はＩＴＯ膜を示す。ＩＴＯ膜１b は極め
て薄い薄膜で、照明光を良好に透過しかつ導電性を有
し、これに異物が存在すると液晶パネルの画像品質が劣
化するので、異物の有無を検査する必要がある。図８に
よりＩＴＯ膜１b に存在する異物を説明する。図８にお
いてＫとＪは異物を示し、異物ＫはＩＴＯ膜１b をガラ
ス基板１a に蒸着するとき、ともに蒸着したＩＴＯの塊
や、その他の金属性のもの（一括して金属性異物とす
る）であり、異物Ｊは蒸着以後にＩＴＯ膜１b の表面に
付着した塵埃や手垢などの有機性のもの（一括して有機
性異物とする）である。
ラス基板、１b はＩＴＯ膜を示す。ＩＴＯ膜１b は極め
て薄い薄膜で、照明光を良好に透過しかつ導電性を有
し、これに異物が存在すると液晶パネルの画像品質が劣
化するので、異物の有無を検査する必要がある。図８に
よりＩＴＯ膜１b に存在する異物を説明する。図８にお
いてＫとＪは異物を示し、異物ＫはＩＴＯ膜１b をガラ
ス基板１a に蒸着するとき、ともに蒸着したＩＴＯの塊
や、その他の金属性のもの（一括して金属性異物とす
る）であり、異物Ｊは蒸着以後にＩＴＯ膜１b の表面に
付着した塵埃や手垢などの有機性のもの（一括して有機
性異物とする）である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】さて金属性異物Ｋの大
きさは無論さまざまであるが、一定の大きさ、例えば３
０μｍ以上のものがカラー画像の品質に有害とされる。
これに対して、非金属異物Ｊは洗浄により除去できるの
で検出は必要でなく、金属性異物Ｋのみを検出する検査
装置が要請されている。ここで金属性異物Ｋと有機性異
物Ｊの状態をみると、前者はガラス基板１a に密着して
いるので、密着面はほぼ平面をなす。これに対して、後
者は通常、凹凸のある形状であるため、ＩＴＯ膜１b の
表面に多点接触して付着し、また反射率が小さいものが
多い。このような状態であるため、両者に対して光束を
照射すると、それぞれの反射光には差異が生ずると考え
られる。この差異を調べるために、図８に示すように、
ＩＴＯ膜１b の裏面、すなわちガラス基板１a の側から
両異物Ｋ，Ｊを観察すると、金属性異物Ｋはかなり強い
反射光を反射してクッキリした映像が認められた。これ
に対して有機性異物Ｊは、うすぼんやりで明確には観察
できない。このような差異により両者は区別できる筈で
ある。一方、最近におけるＩＴＯ基板１の生産量の増加
に対応して、上記の検査装置としては、ＩＴＯ基板１を
迅速に検査できるものが必要とされている。この発明は
上記に対応してなされたもので、ＩＴＯ基板１を迅速に
検査し、これに付着した有機性異物Ｊは検出せず、金属
性異物Ｋのみを検出する異物検査装置を提供することを
目的とする。
きさは無論さまざまであるが、一定の大きさ、例えば３
０μｍ以上のものがカラー画像の品質に有害とされる。
これに対して、非金属異物Ｊは洗浄により除去できるの
で検出は必要でなく、金属性異物Ｋのみを検出する検査
装置が要請されている。ここで金属性異物Ｋと有機性異
物Ｊの状態をみると、前者はガラス基板１a に密着して
いるので、密着面はほぼ平面をなす。これに対して、後
者は通常、凹凸のある形状であるため、ＩＴＯ膜１b の
表面に多点接触して付着し、また反射率が小さいものが
多い。このような状態であるため、両者に対して光束を
照射すると、それぞれの反射光には差異が生ずると考え
られる。この差異を調べるために、図８に示すように、
ＩＴＯ膜１b の裏面、すなわちガラス基板１a の側から
両異物Ｋ，Ｊを観察すると、金属性異物Ｋはかなり強い
反射光を反射してクッキリした映像が認められた。これ
に対して有機性異物Ｊは、うすぼんやりで明確には観察
できない。このような差異により両者は区別できる筈で
ある。一方、最近におけるＩＴＯ基板１の生産量の増加
に対応して、上記の検査装置としては、ＩＴＯ基板１を
迅速に検査できるものが必要とされている。この発明は
上記に対応してなされたもので、ＩＴＯ基板１を迅速に
検査し、これに付着した有機性異物Ｊは検出せず、金属
性異物Ｋのみを検出する異物検査装置を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成した透明金属薄膜基板の異物検査装置であって、例
えば、ＩＴＯ基板を載置する検査ステージと、検査ステ
ージに対するＸＹ移動機構、該検査ステージの上部に設
けられ、線光源と集束レンズを有する投光系と、集光レ
ンズとＣＣＤラインセンサを有する受光系よりなり、投
光系の入射角と該受光系の受光角とが同一に設定された
複数組の検査光学系、および各ＣＣＤセンサの出力信号
に対する閾値が設定された信号処理回路とを具備する。
検査ステージにＩＴＯ膜を下側として載置されたＩＴＯ
基板を複数の領域に区分し、各領域に対して、線光源よ
り光束を投射して集束レンズにより可及的に長い線光帯
をそれぞれ結像する。ＸＹ移動機構によりＩＴＯ基板を
Ｘ方向とＹ方向に順次に移動して、各線光帯により各領
域を同時に走査し、ＩＴＯ基板の正反射光と、ガラス基
板に蒸着した金属性異物の正反射光、およびＩＴＯ膜の
表面に付着した有機性異物の散乱光とを、各集光レンズ
によりＣＣＤラインセンサに結像し、それぞれに対する
出力信号を信号処理回路に設定された閾値に比較して、
ＩＴＯ基板の正反射光と有機性異物の散乱光とを除去
し、金属性異物のみを検出するものである。
達成した透明金属薄膜基板の異物検査装置であって、例
えば、ＩＴＯ基板を載置する検査ステージと、検査ステ
ージに対するＸＹ移動機構、該検査ステージの上部に設
けられ、線光源と集束レンズを有する投光系と、集光レ
ンズとＣＣＤラインセンサを有する受光系よりなり、投
光系の入射角と該受光系の受光角とが同一に設定された
複数組の検査光学系、および各ＣＣＤセンサの出力信号
に対する閾値が設定された信号処理回路とを具備する。
検査ステージにＩＴＯ膜を下側として載置されたＩＴＯ
基板を複数の領域に区分し、各領域に対して、線光源よ
り光束を投射して集束レンズにより可及的に長い線光帯
をそれぞれ結像する。ＸＹ移動機構によりＩＴＯ基板を
Ｘ方向とＹ方向に順次に移動して、各線光帯により各領
域を同時に走査し、ＩＴＯ基板の正反射光と、ガラス基
板に蒸着した金属性異物の正反射光、およびＩＴＯ膜の
表面に付着した有機性異物の散乱光とを、各集光レンズ
によりＣＣＤラインセンサに結像し、それぞれに対する
出力信号を信号処理回路に設定された閾値に比較して、
ＩＴＯ基板の正反射光と有機性異物の散乱光とを除去
し、金属性異物のみを検出するものである。
【０００６】
【作用】上記の異物検査装置においては、透明金属薄膜
として、例えば、ＩＴＯ膜を下側として検査ステージに
載置されたＩＴＯ基板は、複数の領域に区分され、各領
域に対する複数組の検査光学系は、投光系の入射角と受
光系の受光角が同一に設定される。各投光系の線光源よ
り投射された光束は、集束レンズにより長さが可及的に
長い線光帯が各領域にそれぞれ結像され、ＸＹ移動機構
によりＩＴＯ基板はＸ方向とＹ方向に順次に移動して、
各領域が同時に走査される。このように、ＩＴＯ基板は
複数の領域に区分され、それぞれは可及的に長い線光帯
により同時に走査されるので、ＩＴＯ基板の検査は短時
間で終了する。次に各受光系では、集光レンズにより、
ＩＴＯ基板と金属性異物の正反射光と有機性異物の散乱
光とが、ＣＣＤリニアセンサにそれぞれ結像される。前
記したように、金属性異物の正反射光はかなり強く、Ｉ
ＴＯ基板の正反射光と有機性異物の散乱光はともに弱い
ので、信号処理回路にこれらの出力信号を識別する閾値
を設定して、ＩＴＯ基板の正反射光と有機性異物の散乱
光はともに除去され、金属性異物のみが検出される。
として、例えば、ＩＴＯ膜を下側として検査ステージに
載置されたＩＴＯ基板は、複数の領域に区分され、各領
域に対する複数組の検査光学系は、投光系の入射角と受
光系の受光角が同一に設定される。各投光系の線光源よ
り投射された光束は、集束レンズにより長さが可及的に
長い線光帯が各領域にそれぞれ結像され、ＸＹ移動機構
によりＩＴＯ基板はＸ方向とＹ方向に順次に移動して、
各領域が同時に走査される。このように、ＩＴＯ基板は
複数の領域に区分され、それぞれは可及的に長い線光帯
により同時に走査されるので、ＩＴＯ基板の検査は短時
間で終了する。次に各受光系では、集光レンズにより、
ＩＴＯ基板と金属性異物の正反射光と有機性異物の散乱
光とが、ＣＣＤリニアセンサにそれぞれ結像される。前
記したように、金属性異物の正反射光はかなり強く、Ｉ
ＴＯ基板の正反射光と有機性異物の散乱光はともに弱い
ので、信号処理回路にこれらの出力信号を識別する閾値
を設定して、ＩＴＯ基板の正反射光と有機性異物の散乱
光はともに除去され、金属性異物のみが検出される。
【０００７】
【実施例】図１〜図６は、この発明の一実施例を示し、
図１は異物検査装置１０の構成を示す外観斜視図、図２
は検査ステージ２の垂直断面図、図３は各検査光学系４
の構成を示す平面と側面図、図４はデータ処理部５の概
略のブロック構成図、図５はＩＴＯ基板１の各領域の走
査方法の説明図、図６はＩＴＯ基板１の正反射光と異物
の正反射光または散乱光の強弱の説明図である。
図１は異物検査装置１０の構成を示す外観斜視図、図２
は検査ステージ２の垂直断面図、図３は各検査光学系４
の構成を示す平面と側面図、図４はデータ処理部５の概
略のブロック構成図、図５はＩＴＯ基板１の各領域の走
査方法の説明図、図６はＩＴＯ基板１の正反射光と異物
の正反射光または散乱光の強弱の説明図である。
【０００８】図１において、異物検査装置１０は、被検
査のＩＴＯ基板１を載置する検査ステージ２と、これに
対するＸＹ移動機構３、検査ステージ２の上部に設けら
れ、それぞれ投光系41と受光系42よりなる２組の検査光
学系４-1，４-2、および各受光系42に接続されたデータ
処理部５により構成される。検査ステージ２に載置され
たＩＴＯ基板１は、Ｘ方向の中心線Ｃを境界として２つ
の領域１-1，１-2に区分され、これらに検査光学系４-
1, ４-2が対応する。なお検査光学系４の組数は任意の
複数でよく、その場合は、ＩＴＯ基板１を複数組の各査
光学系４に対応した複数の領域に区分する。図２におい
て、検査ステージ２には、ＩＴＯ基板１はＩＴＯ膜１b
を下側として、段差２a により位置決めして載置する。
なお、検査ステージ２の内部の側面２b と底面２c など
は、迷光を生じないように無反射塗装する。図３におい
て、投光系41は、複数個の発光ダイオード（ＬＥＤ）を
Ｙ方向に配列した線光源411 と、スリットＳL を有する
スリット板412 、および各ＬＥＤよりの光束ＬT を集束
する集束レンズ413 よりなり、光束ＬT は入射角θT で
投射され、ＩＴＯ基板１の表面に、スリットＳL に対応
した、Ｙ方向の長さｄY、Ｘ方向の幅ｄX の線光帯ＬB が
結像される。各ＬＥＤは感度を良好するために高輝度の
ものを使用する。また走査時間の短縮のために、線光帯
ＬB の長さｄY はできるだけ長く、例えば１２０ｍｍと
し、これに対応する個数のＬＥＤを配列する。幅ｄX は
広いほど強度が小さくてＳ／Ｎが悪いので、検出すべき
金属性異物Ｋの大きさに見合った、例えば３０μｍ程度
とする。次に受光系42は、集光レンズ421 とＣＣＤリニ
アセンサ422 よりなり、受光角θR を入射角θT と等し
くし、ＣＣＤリニアセンサ422 は線光帯ＬB の長さｄY
に対応する有効長のものを使用する。また、集光レンズ
421 は散乱光を除去し、正反射光のみを集光する狭い集
光角のものを使用する。もし集光角が必要以上に広いと
きは適当な位置にスリットを挿入すればよい。図４にお
いて、データ処理部５は、各ＣＣＤリニアセンサ422 に
接続された信号処理回路51と、マイクロプロセッサ（Ｍ
ＰＵ）52、メモリ（ＭＥＭ）53、および出力器54よりな
り、ＭＰＵ52には、ＸＹ移動機構３に対する移動制御回
路３aが接続される。
査のＩＴＯ基板１を載置する検査ステージ２と、これに
対するＸＹ移動機構３、検査ステージ２の上部に設けら
れ、それぞれ投光系41と受光系42よりなる２組の検査光
学系４-1，４-2、および各受光系42に接続されたデータ
処理部５により構成される。検査ステージ２に載置され
たＩＴＯ基板１は、Ｘ方向の中心線Ｃを境界として２つ
の領域１-1，１-2に区分され、これらに検査光学系４-
1, ４-2が対応する。なお検査光学系４の組数は任意の
複数でよく、その場合は、ＩＴＯ基板１を複数組の各査
光学系４に対応した複数の領域に区分する。図２におい
て、検査ステージ２には、ＩＴＯ基板１はＩＴＯ膜１b
を下側として、段差２a により位置決めして載置する。
なお、検査ステージ２の内部の側面２b と底面２c など
は、迷光を生じないように無反射塗装する。図３におい
て、投光系41は、複数個の発光ダイオード（ＬＥＤ）を
Ｙ方向に配列した線光源411 と、スリットＳL を有する
スリット板412 、および各ＬＥＤよりの光束ＬT を集束
する集束レンズ413 よりなり、光束ＬT は入射角θT で
投射され、ＩＴＯ基板１の表面に、スリットＳL に対応
した、Ｙ方向の長さｄY、Ｘ方向の幅ｄX の線光帯ＬB が
結像される。各ＬＥＤは感度を良好するために高輝度の
ものを使用する。また走査時間の短縮のために、線光帯
ＬB の長さｄY はできるだけ長く、例えば１２０ｍｍと
し、これに対応する個数のＬＥＤを配列する。幅ｄX は
広いほど強度が小さくてＳ／Ｎが悪いので、検出すべき
金属性異物Ｋの大きさに見合った、例えば３０μｍ程度
とする。次に受光系42は、集光レンズ421 とＣＣＤリニ
アセンサ422 よりなり、受光角θR を入射角θT と等し
くし、ＣＣＤリニアセンサ422 は線光帯ＬB の長さｄY
に対応する有効長のものを使用する。また、集光レンズ
421 は散乱光を除去し、正反射光のみを集光する狭い集
光角のものを使用する。もし集光角が必要以上に広いと
きは適当な位置にスリットを挿入すればよい。図４にお
いて、データ処理部５は、各ＣＣＤリニアセンサ422 に
接続された信号処理回路51と、マイクロプロセッサ（Ｍ
ＰＵ）52、メモリ（ＭＥＭ）53、および出力器54よりな
り、ＭＰＵ52には、ＸＹ移動機構３に対する移動制御回
路３aが接続される。
【０００９】以下、上記の各図と図５および図６によ
り、異物検査装置１０の動作を説明する。上記により、
ＩＴＯ膜１b を下側として検査ステージ２に載置された
ＩＴＯ基板１に対して、両検測光学系４-1，４-2の線光
源411 より光束ＬT をそれぞれ投射して、集束レンズ41
3 により各領域１-1、１-2に線光帯ＬB を結像する。つ
いでＭＰＵ52より検査指令を移動制御回路３a に与える
と、これに制御されたＸＹ移動機構３が、検査ステージ
２をＸ方向とＹ方向に順次に移動して、両線光帯ＬB は
各領域１-1，１-2の表面を、図５の矢印Ｓ1,Ｓ2 ……に
示すように順次に往復走査する。ＩＴＯ基板１のＹ方向
の長さＷY が、例えば４８０ｍｍの場合は、１２０ｍｍ
長の線光帯ＬB により、各領域１-1, １-2の全面はそれ
ぞれの２往復で走査され、１往復を１分とすると２分で
ＩＴＯ基板１の走査が終了する。この走査により、ＩＴ
Ｏ基板１はつねに正反射光を、また図５に例示した金属
性異物Ｋは正反射光を、有機性異物Ｊは散乱光を、それ
ぞれの位置で反射または散乱する。この詳細を図６によ
り説明する。図６において、結像された線光帯ＬB は、
ガラス基板１a の上面と下面およびＩＴＯ膜１b の表面
（図示下側）で、正反射光ＬG,ＬG', ＬI をつねに反射
するが、これらの強度は線光帯ＬB の数％以下で、かな
らずしも強くない。また有機性異物Ｊは、前記した凹凸
により無指向性で強度の弱い散乱光ＬJ を散乱する。こ
れに対して金属性異物Ｋは、前記したようにガラス基板
１に密着して平面をなし、かつ大きさ（厚さ）に比例し
て透明度が低下するので、かなり強い強度の正反射光Ｌ
K を反射する。上記の各正反射光ＬG,ＬG', ＬI,ＬK
は、それぞれのほぼ全部が集光レンズ421 に入射する。
これに対して、散乱光ＬJ は無指向性のために一部のみ
が入射し、これらはＣＣＤリニアセンサ422 に結像さ
れ、それぞれの出力信号が信号処理回路51に入力する。
信号処理回路51には、強くない正反射光ＬG,ＬG', ＬI
と、一部のみが入射して強度がさらに低下した散乱光Ｌ
J との出力信号を、それぞれ除去する閾値を設定するこ
とにより、強い正反射光ＬK の金属性異物Ｋのみが検出
される。この検出信号には、移動制御回路３a より与え
られる金属性異物Ｋの検出時点のＸＹ座標値が付加され
てＭＥＭ53に記憶され、走査が終了すると、ＭＰＵ52に
より異物データが編集されて出力器54に表示される。
り、異物検査装置１０の動作を説明する。上記により、
ＩＴＯ膜１b を下側として検査ステージ２に載置された
ＩＴＯ基板１に対して、両検測光学系４-1，４-2の線光
源411 より光束ＬT をそれぞれ投射して、集束レンズ41
3 により各領域１-1、１-2に線光帯ＬB を結像する。つ
いでＭＰＵ52より検査指令を移動制御回路３a に与える
と、これに制御されたＸＹ移動機構３が、検査ステージ
２をＸ方向とＹ方向に順次に移動して、両線光帯ＬB は
各領域１-1，１-2の表面を、図５の矢印Ｓ1,Ｓ2 ……に
示すように順次に往復走査する。ＩＴＯ基板１のＹ方向
の長さＷY が、例えば４８０ｍｍの場合は、１２０ｍｍ
長の線光帯ＬB により、各領域１-1, １-2の全面はそれ
ぞれの２往復で走査され、１往復を１分とすると２分で
ＩＴＯ基板１の走査が終了する。この走査により、ＩＴ
Ｏ基板１はつねに正反射光を、また図５に例示した金属
性異物Ｋは正反射光を、有機性異物Ｊは散乱光を、それ
ぞれの位置で反射または散乱する。この詳細を図６によ
り説明する。図６において、結像された線光帯ＬB は、
ガラス基板１a の上面と下面およびＩＴＯ膜１b の表面
（図示下側）で、正反射光ＬG,ＬG', ＬI をつねに反射
するが、これらの強度は線光帯ＬB の数％以下で、かな
らずしも強くない。また有機性異物Ｊは、前記した凹凸
により無指向性で強度の弱い散乱光ＬJ を散乱する。こ
れに対して金属性異物Ｋは、前記したようにガラス基板
１に密着して平面をなし、かつ大きさ（厚さ）に比例し
て透明度が低下するので、かなり強い強度の正反射光Ｌ
K を反射する。上記の各正反射光ＬG,ＬG', ＬI,ＬK
は、それぞれのほぼ全部が集光レンズ421 に入射する。
これに対して、散乱光ＬJ は無指向性のために一部のみ
が入射し、これらはＣＣＤリニアセンサ422 に結像さ
れ、それぞれの出力信号が信号処理回路51に入力する。
信号処理回路51には、強くない正反射光ＬG,ＬG', ＬI
と、一部のみが入射して強度がさらに低下した散乱光Ｌ
J との出力信号を、それぞれ除去する閾値を設定するこ
とにより、強い正反射光ＬK の金属性異物Ｋのみが検出
される。この検出信号には、移動制御回路３a より与え
られる金属性異物Ｋの検出時点のＸＹ座標値が付加され
てＭＥＭ53に記憶され、走査が終了すると、ＭＰＵ52に
より異物データが編集されて出力器54に表示される。
【００１０】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による異
物検査装置においては、金属性異物の正反射光に比較し
て、ＩＴＯ基板の正反射光と有機性異物の散乱光が、い
ずれも弱いこと着目し、検査光学系の受光系の受光角を
投光系の正反射方向に設定して、受光系のＣＣＤリニア
センサにこれらを結像し、それぞれの出力信号を信号処
理回路に設定された閾値により識別して金属性異物のみ
を検出し、また、線光帯の長さを可及的に長くするとと
もに、複数組の検査光学系を設けて区分領域を同時に走
査することにより、ＩＴＯ基板を短時間で検査できるも
ので、ＩＴＯ基板の異物検査に寄与する効果には大きい
ものがある。
物検査装置においては、金属性異物の正反射光に比較し
て、ＩＴＯ基板の正反射光と有機性異物の散乱光が、い
ずれも弱いこと着目し、検査光学系の受光系の受光角を
投光系の正反射方向に設定して、受光系のＣＣＤリニア
センサにこれらを結像し、それぞれの出力信号を信号処
理回路に設定された閾値により識別して金属性異物のみ
を検出し、また、線光帯の長さを可及的に長くするとと
もに、複数組の検査光学系を設けて区分領域を同時に走
査することにより、ＩＴＯ基板を短時間で検査できるも
ので、ＩＴＯ基板の異物検査に寄与する効果には大きい
ものがある。
【図１】図１は、この発明の一実施例における異物検査
装置の構成を示す外観斜視図である。
装置の構成を示す外観斜視図である。
【図２】図２は、検査ステージの垂直断面図である。
【図３】図３は、各検査光学系の構成を示す平面と側面
図である。
図である。
【図４】図４は、データ処理部の概略のブロック構成図
である。
である。
【図５】図５は、ＩＴＯ基板の各領域の走査方法の説明
図である。
図である。
【図６】図６は、ＩＴＯ基板の正反射光と異物の正反射
光または散乱光の強弱の説明である。
光または散乱光の強弱の説明である。
【図７】図７は、ＩＴＯ基板の構成図である。
【図８】図８は、ＩＴＯ基板に存在する異物の説明図で
ある。
ある。
１…ＩＴＯ基板、１a …ガラス基板、１b …ＩＴＯ膜、
２…検査ステージ、２a …段差、２b …側面、２c …底
面、３…ＸＹ移動機構、３a …移動制御回路、４…検査
光学系、41…投光系、411 …線光源、412 …スリット
板、413 …集束レンズ、42…受光系、421 …集光レン
ズ、422 …ＣＣＤリニアセンサ、５…データ処理部、51
…信号処理回路。52…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、
53…メモリ（ＭＥＭ）、54…出力器、１０…この発明の
異物検査装置、Ｋ…金属性異物、Ｊ…有機性異物、ＬT
…光束、ＬB …線光帯、ｄY …線光帯の長さ、ｄX …線
光帯の幅、Ｃ…中心線、θT …入射角、θR …受光角、
Ｓ1,Ｓ2 …走査方向を示す矢印。
２…検査ステージ、２a …段差、２b …側面、２c …底
面、３…ＸＹ移動機構、３a …移動制御回路、４…検査
光学系、41…投光系、411 …線光源、412 …スリット
板、413 …集束レンズ、42…受光系、421 …集光レン
ズ、422 …ＣＣＤリニアセンサ、５…データ処理部、51
…信号処理回路。52…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、
53…メモリ（ＭＥＭ）、54…出力器、１０…この発明の
異物検査装置、Ｋ…金属性異物、Ｊ…有機性異物、ＬT
…光束、ＬB …線光帯、ｄY …線光帯の長さ、ｄX …線
光帯の幅、Ｃ…中心線、θT …入射角、θR …受光角、
Ｓ1,Ｓ2 …走査方向を示す矢印。
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板の表面に透明金属薄膜膜が蒸着
された透明金属薄膜基板を検査対象とし、該透明金属薄
膜基板を載置する検査ステージと、該検査ステージに対
するＸＹ移動機構、該検査ステージの上部に設けられ、
線光源と集束レンズを有する投光系と、集光レンズとＣ
ＣＤラインセンサを有する受光系よりなり、該投光系の
入射角と該受光系の受光角とが同一に設定された複数組
の検査光学系、および該各ＣＣＤセンサの出力信号に対
する閾値が設定された信号処理回路とを具備し、前記検
査ステージに透明金属薄膜膜を下側として載置された前
記透明金属薄膜基板を複数の領域に区分し、該各領域に
対して、前記線光源より適当な入射角で光束を投射して
前記集束レンズにより可及的に長い線光帯をそれぞれ結
像し、前記ＸＹ移動機構により該透明金属薄膜基板をＸ
方向とＹ方向に順次に移動して、該各線光帯により前記
各領域を同時に走査し、該透明金属薄膜基板の正反射光
と、前記ガラス基板に蒸着した金属性異物の正反射光、
および該透明金属薄膜膜の表面に付着した有機性異物の
散乱光とを、前記各集光レンズによりＣＣＤラインセン
サに結像し、それぞれに対する出力信号を前記信号処理
回路に設定された閾値に比較して、該透明金属薄膜基板
の正反射光と有機性異物の散乱光とを除去し、該金属性
異物のみを検出することを特徴とする、透明金属薄膜基
板の異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31112794A JPH08145901A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 透明金属薄膜基板の異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31112794A JPH08145901A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 透明金属薄膜基板の異物検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08145901A true JPH08145901A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=18013463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31112794A Pending JPH08145901A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 透明金属薄膜基板の異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08145901A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003040711A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Olympus Corporation | Dispositif de controle de substrat |
| KR100844830B1 (ko) * | 2006-03-24 | 2008-07-08 | 에버테크노 주식회사 | Ｌｃｄ패널 검사장치 및 방법 |
| WO2009093341A1 (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Toppan Printing Co., Ltd. | 検査方法及び検査装置 |
| WO2013139061A1 (zh) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 基板的检测方法及装置 |
| JP2018159634A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 日本電気株式会社 | 汚れ検知装置、端末装置、及び汚れ検知方法 |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP31112794A patent/JPH08145901A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003040711A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Olympus Corporation | Dispositif de controle de substrat |
| CN100368794C (zh) * | 2001-11-05 | 2008-02-13 | 奥林巴斯株式会社 | 基板检查装置 |
| KR100844830B1 (ko) * | 2006-03-24 | 2008-07-08 | 에버테크노 주식회사 | Ｌｃｄ패널 검사장치 및 방법 |
| WO2009093341A1 (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Toppan Printing Co., Ltd. | 検査方法及び検査装置 |
| US7852982B2 (en) | 2008-01-21 | 2010-12-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Test method |
| US8358735B2 (en) | 2008-01-21 | 2013-01-22 | Toppan Printing Co., Ltd. | Test method and test device |
| WO2013139061A1 (zh) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 基板的检测方法及装置 |
| JP2018159634A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 日本電気株式会社 | 汚れ検知装置、端末装置、及び汚れ検知方法 |
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