JP2007189093A - 半導体ウエーハ - Google Patents
半導体ウエーハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007189093A JP2007189093A JP2006006413A JP2006006413A JP2007189093A JP 2007189093 A JP2007189093 A JP 2007189093A JP 2006006413 A JP2006006413 A JP 2006006413A JP 2006006413 A JP2006006413 A JP 2006006413A JP 2007189093 A JP2007189093 A JP 2007189093A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- outer peripheral
- mark
- region
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 57
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 71
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】デバイス領域4の周囲に外周余剰領域5を有する半導体ウエーハにおいて、外周端部の面取り部7の領域内に、結晶方位を示すマーク8として、表面に直交する楕円状の平坦面を形成する。マーク8の径方向内側への切欠き量を極端に小さくし外周余剰領域5の幅を低減するとともにデバイス領域4を拡大させ、1枚当たりのデバイス(半導体チップ)の生産量を増加させる。
【選択図】図2
Description
図1は、単結晶シリコン等からなる本実施形態の半導体ウエーハ(以下、ウエーハと略称)1を示している。円盤状で結晶方位性を有するこのウエーハ1の厚さは、例えば600μm程度である。ウエーハ1の表面には、格子状の分割予定ライン2によって矩形状の半導体チップ(デバイス)3が区画されている。これら半導体チップ3の表面には、電子回路が形成されている。複数の半導体チップ3が形成された領域は、ウエーハ1と同心の概ね円形状のデバイス領域4であり、このデバイス領域4の周囲に環状の外周余剰領域5が存在している。
3…半導体チップ(デバイス)
4…デバイス領域
5…外周余剰領域
7…面取り部(外周端部)
8…マーク
9…肉厚部
Claims (6)
- 複数のデバイスが表面に形成されたデバイス領域の周囲に外周余剰領域を有する半導体ウエーハであって、
前記外周余剰領域の外周端部に、該半導体ウエーハの結晶方位を示すマークとして、該半導体ウエーハの面方向に直交する平坦面が形成されていることを特徴とする半導体ウエーハ。 - 前記外周端部は、該半導体ウエーハの表面側から裏面側にわたって断面円弧状に面取りされた面取り部とされ、前記マークは該面取り部の領域内に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハ。
- 前記マークが楕円状の平坦面で構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウエーハ。
- 前記マークの外形縁が面取りされていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体ウエーハ。
- 前記マークは、前記外周端部の最外周縁から径方向内側に0.3mmの範囲内に形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体ウエーハ。
- 前記外周余剰領域の裏面側がリブ状に突出しており、これによって該外周余剰領域が前記デバイス領域よりも肉厚であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体ウエーハ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006006413A JP2007189093A (ja) | 2006-01-13 | 2006-01-13 | 半導体ウエーハ |
US11/650,502 US10056246B2 (en) | 2006-01-13 | 2007-01-08 | Semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006006413A JP2007189093A (ja) | 2006-01-13 | 2006-01-13 | 半導体ウエーハ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012151034A Division JP2012212930A (ja) | 2012-07-05 | 2012-07-05 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007189093A true JP2007189093A (ja) | 2007-07-26 |
Family
ID=38263341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006006413A Pending JP2007189093A (ja) | 2006-01-13 | 2006-01-13 | 半導体ウエーハ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10056246B2 (ja) |
JP (1) | JP2007189093A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329391A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの結晶方位指示マーク検出機構 |
WO2008136423A1 (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Shibaura Mechatronics Corporation | 半導体ウェーハ処理装置、基準角度位置検出方法及び半導体ウェーハ |
JP2009064801A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ |
JP2012129284A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハ生産方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009096698A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Toshiba Corp | ウェーハ及びその製造方法 |
WO2015113142A1 (en) | 2014-01-30 | 2015-08-06 | Draingarde Inc. | Watershed protection device and system |
CN106233468B (zh) * | 2014-04-30 | 2019-11-29 | 1366科技公司 | 用于制造带有比其他区相对更厚的局部受控区的薄半导体晶片的方法和装置以及这种晶片 |
USD768843S1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-10-11 | Draingarde Inc. | Catch basin cover |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0653100A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Sony Corp | 半導体ウエハ及びその結晶方位検出方法 |
JPH10247613A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Hitachi Ltd | 識別パターン付き基板および識別パターン読取方法並びに装置 |
JP2005123425A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Toshiba Corp | 半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0624199B2 (ja) * | 1982-07-30 | 1994-03-30 | 株式会社日立製作所 | ウエハの加工方法 |
JPH0276226A (ja) | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウエーハ |
JPH08222798A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
JPH0970740A (ja) | 1995-09-05 | 1997-03-18 | Toshiba Corp | 半導体基板の製造方法 |
US6268641B1 (en) * | 1998-03-30 | 2001-07-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer having identification indication and method of manufacturing the same |
JP4109371B2 (ja) * | 1999-01-28 | 2008-07-02 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェハ |
US6420792B1 (en) * | 1999-09-24 | 2002-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge marking |
JP4615664B2 (ja) | 2000-03-17 | 2011-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体ウェーハ |
JP4071476B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2008-04-02 | 株式会社東芝 | 半導体ウェーハ及び半導体ウェーハの製造方法 |
JP4185704B2 (ja) | 2002-05-15 | 2008-11-26 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
US7098487B2 (en) * | 2002-12-27 | 2006-08-29 | General Electric Company | Gallium nitride crystal and method of making same |
JP2004281551A (ja) | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Toshiba Corp | 半導体基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、半導体パッケージ |
JP3534115B1 (ja) * | 2003-04-02 | 2004-06-07 | 住友電気工業株式会社 | エッジ研磨した窒化物半導体基板とエッジ研磨したGaN自立基板及び窒化物半導体基板のエッジ加工方法 |
-
2006
- 2006-01-13 JP JP2006006413A patent/JP2007189093A/ja active Pending
-
2007
- 2007-01-08 US US11/650,502 patent/US10056246B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0653100A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Sony Corp | 半導体ウエハ及びその結晶方位検出方法 |
JPH10247613A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Hitachi Ltd | 識別パターン付き基板および識別パターン読取方法並びに装置 |
JP2005123425A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Toshiba Corp | 半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329391A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの結晶方位指示マーク検出機構 |
WO2008136423A1 (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Shibaura Mechatronics Corporation | 半導体ウェーハ処理装置、基準角度位置検出方法及び半導体ウェーハ |
JP5093858B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-12-12 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 半導体ウェーハ処理装置及び基準角度位置検出方法 |
JP2009064801A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ |
JP2012129284A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハ生産方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070166146A1 (en) | 2007-07-19 |
US10056246B2 (en) | 2018-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007329391A (ja) | 半導体ウェーハの結晶方位指示マーク検出機構 | |
JP2007189093A (ja) | 半導体ウエーハ | |
US8790995B2 (en) | Processing method and processing device of semiconductor wafer, and semiconductor wafer | |
TWI644354B (zh) | Wafer processing method | |
JP6230422B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR102277934B1 (ko) | 반도체 디바이스 칩의 제조 방법 | |
TW200935575A (en) | Wafer | |
JP2007096115A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20150117607A (ko) | 웨이퍼 가공 방법 | |
KR20120116444A (ko) | 접합 웨이퍼의 제조 방법 | |
TWI263556B (en) | Backside polishing method of semiconductor wafer | |
JP2008142857A (ja) | 研削ヘッド、研削装置、研削方法、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP5313014B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5881504B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2018069348A (ja) | チャックテーブルの整形方法 | |
JP2008091779A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008108837A (ja) | 半導体ウエハの研削装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2009224496A (ja) | ウェーハエッジ研削方法、ウェーハエッジ研削ユニット及びウェーハ裏面研削装置 | |
JP6120597B2 (ja) | 加工方法 | |
JP2012212930A (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
JP2020031106A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
JP6563766B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP5318537B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2008177287A (ja) | 化合物半導体ウェハ | |
JP7430446B2 (ja) | ウェーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120510 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120611 |