JP2008142857A - 研削ヘッド、研削装置、研削方法、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】研削時に研削ワークエッジ部に振動が発生することを防止することが可能な研削ヘッド、研削装置、研削方法、及び、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研削ヘッド１０は、所定の回転軸Ｘ１を中心として回転可能な回転盤１２と、回転盤１２の回転面に環状に配列された複数の砥石１４とを備え、複数の砥石１４が、研削ワーク１００を研削する際に、前後に配列する砥石１４−１及び１４−２が共に研削ワーク１００のエッジ部に接触するように配列されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、研削ヘッド、研削装置、研削方法、及び、半導体装置の製造方法に関し、特に各種素子が形成された半導体ウエハ裏面を研削するための研削ヘッド、研削装置、研削方法、及び、半導体装置の製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化及び薄型化に伴い、これに搭載される半導体チップにも更なる小型化及び薄型化が要求されてきている。例えば実装基板に搭載されるコンデンサなどの受動部品は１００５→０６０３→０４０２とサイズが縮小されてきている。このため、受動部品と共に実装基板に搭載される能動部品も、受動部品と同程度に小型化及び薄型化されることが望まれている。なお、能動部品とは、例えばトランジスタなどの半導体素子を備えた半導体装置である。

半導体装置を薄型化する方法の一つに、各種半導体素子が形成された半導体ウエハ裏面を研削する方法が存在する（例えば以下に示す特許文献１参照）。このような技術に用いられる一般的な研削装置は、複数の微小な孔を備えた吸着テーブルと、外周に沿って複数の砥石が配列された研削ヘッドとを備える。研削対象の半導体ウエハ（以下、研削ワークという）は上下逆さまの状態で吸着テーブルに載置される。研削時には、微孔から排気することで研削ワークを吸着テーブルに吸着させ、この状態で高速回転する研削ヘッドの砥石を当てることで研削ワーク裏面の半導体ウエハを研削する。
特開２００２−３０１６４５号公報

しかしながら、従来の研削装置では、研削ヘッド外周に配列された砥石間に、研削液（例えば純水）を排出するためのすき間（スリット）が設けられている（特許文献１における図７参照）。このため、研削している際、研削ワークのエッジ部では高速回転する研削ヘッドにおける砥石が接触している期間と接触していない期間とが存在する。言い換えれば、研削時に、研削ワークエッジ部が砥石により押さえ付けられている期間と押さえ付けられていない期間とが交互に生じる。

ここで、例えばＷＣＳＰ（Wafer-Level Chip Size Package）技術を用い作成された研削ワークの周縁には、封止のための樹脂層が形成されていないことに起因する段差が存在する。この段差は、一般的に１００μｍ程度と、グラインドテープなどで吸収することが出来ない程度に大きい。このため、ＷＣＳＰ技術による研削ワークを吸着テーブルに載置すると、研削ワークエッジ部分に吸着テーブルとのすき間が形成されてしまう。従って、研削時には、研削ワークのエッジ部が固定されていない状態となる。

このように固定されていないエッジ部に間欠的に砥石が通過すると、研削ワークエッジ部に振動が発生してしまう。このため、例えば研削ワークをエッジ部から中心へ向けて（外側から内側へ向けて）研削する場合では、研削時に研削ワーク周縁に例えば１００μｍ程度の比較的大きな深さのスジ状の傷が無数に形成されたり、欠けが生じたりと言う問題が発生する。また、例えば研削ワークを中心からエッジ部へ向けて（内側から外側へ向けて）研削する場合では、研削ワーク周縁の振動により、この部分が薄く削られてしまう。この結果、研削ワーク周縁の剛性が低下するため、後の工程において研削ワーク周縁部分が欠けたり割れたりしてしまうという問題が発生する。

また、従来の研削装置では、一般的に吸着テーブルにおける吸着エリアが研削ワークよりも小さい。すなわち、ＷＣＳＰなどによる段差が存在しなくとも、研削時には、研削ワークのエッジ部が固定されていない状態となる。このため、例えば１００μｍ程度以下など、研削ワークを比較的薄く研削する場合では、半導体ウェハ自体の剛性が低下するため、研削ワーク周縁の振動が大きくなる。この結果、上述と同様に、研削ワーク周縁にスジ状の傷や欠けが無数に形成されたり、研削ワーク周縁が中央部分よりも薄く検索されてしまったりする。

そこで本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、研削時に研削ワークエッジ部に振動が発生することを防止することが可能な研削ヘッド、研削装置、研削方法、及び、半導体装置の製造方法を提供する。

かかる目的を達成するために、本発明による研削ヘッドは、所定の回転軸を中心として回転可能な回転盤と、回転盤の回転面に環状に配列された複数の砥石とを備え、複数の砥石が、研削ワークを研削する際に、前後に配列する砥石が共に研削ワークのエッジ部に接触するように配列された構成を有する。

また、本発明による研削装置は、所定の回転軸を中心として回転可能な回転盤と、回転盤の回転面に環状に配列された複数の砥石とを有する研削ヘッドと、載置された研削ワークを吸着することが可能な吸着テーブルとを備え、複数の砥石が、研削ワークを研削する際に、前後に配列する砥石が共に研削ワークのエッジ部に接触するように配列された構成を有する。

また、本発明による研削方法は、吸着テーブル上に載置された研削ワークを吸着させる工程と、吸着テーブルを回転させる工程と、回転盤の回転面に環状に配列された複数の砥石を有する研削ヘッドを研削ワークに接触させつつ回転させることで、研削ワークを研削する工程とを備え、複数の砥石が、研削ワークを研削する際に、前後に配列する砥石が共に研削ワークのエッジ部に接触するように配列されている構成を有する。

また、本発明による半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成された半導体基板を含む研削ワークを吸着テーブル上に載置する工程と、研削ワークを吸着テーブルに吸着させつつ吸着テーブルを回転させる工程と、回転盤の回転面に環状に配列された複数の砥石を有する研削ヘッドを半導体ウエハに接触させつつ回転させることで、半導体ウエハを研削する工程とを備え、複数の砥石が、半導体ウエハを研削する際に、前後に配列する砥石が共に半導体ウエハのエッジ部に接触するように配列されている構成を有する。

本発明によれば、研削時に研削ワークエッジ部に振動が発生することを防止することが可能な研削ヘッド、研削装置、研削方法、及び、半導体装置の製造方法を実現することが出来る。

以下、本発明を実施するための最良の形態を図面と共に詳細に説明する。なお、以下の説明において、各図は本発明の内容を理解でき得る程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、本発明は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。また、各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。さらに、後述において例示する数値は、本発明の好適な例に過ぎず、従って、本発明は例示された数値に限定されるものではない。

まず、本発明による実施例１について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明では、ＷＣＳＰ技術を用いて作成した研削ワーク１００を本実施例による研削装置１を用いて研削する場合を例に挙げて説明する。ただし、本発明はこれに限定されず、通常の技術で作成した研削ワークを例えば１００μｍ程度以下に研削する場合など、種々変更することが可能である。

図１（ａ）は、本実施例で使用する研削ワーク１００及びこれが載置された吸着テーブル１１０の概略構成を示す断面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）における領域Ａの拡大図である。なお、図１（ａ）及び図１（ｂ）では、研削ワーク１００が上下逆さまの状態（この状態をフェイスダウン状態という）で吸着テーブル１１０上に載置されている。

図１（ａ）に示すように、ＷＣＳＰ技術を用いて作成した研削ワーク１００は、半導体ウエハ（半導体基板とも言う）１０２における各種素子が形成された領域（これを素子形成層という）を覆うように樹脂層１０４が形成されている。ただし、樹脂層１０４は半導体ウエハ１０２全面には形成されていない。すなわち、半導体ウエハ１０２の外周部分には樹脂層１０４が形成されていない領域が存在する。このため、研削ワーク１００の外周部分には段差が形成される。また、樹脂層１０４には、素子形成層の最上層に形成された再配線と電気的に接続する導体ポストが形成されている。導体ポストは樹脂層１０４上面に露出している。樹脂層１０４上面に露出した導体ポストには、はんだボールなどの半球状電極１０６が形成されている。

以上のような構成を有する研削ワーク１００の上面（樹脂層１０４が形成された側の面）には、半球状電極１０６が形成された面（樹脂層１０４上面）の凹凸を吸収できる粘着層を備えたグラインドテープ１０８などが貼り付けられる。この凹凸の吸収は、研削ワーク１００における吸着テーブル１１０への搭載面の凹凸を無くすために実施される。ただし、研削ワーク１００外周部分における樹脂層１０４に起因した段差はグラインドテープ１０８などで吸収できる凹凸の高低差と比較して一般的に大きい。このため、グラインドテープ１０８などでは吸収することができない。したがって、グラインドテープ１０８が貼り付けられた研削ワーク１００をフェイスダウン状態で吸着テーブル１１０に載置すると、図１（ｂ）に示すように、研削ワーク１００外周部分に吸着テーブル１１０とのすき間（ギャップＧＰ）が形成されてしまう。

このようにギャップＧＰが存在する状態では、言い換えれば、研削ワーク１００周縁が固定されていない状態では、研削ワーク１００をエッジ部から中心へ向けて研削する際に、研削ワーク１００エッジ部が砥石１４により押さえ付けられている期間と押さえ付けられていない期間とが交互に生じるため、図２に示すように、研削ワーク１００エッジ部に振動が発生する。このため、研削時に、研削ワーク１００外周部に比較的大きな傷が無数に形成されたり、欠けが生じたりという問題が発生する。なお、図２は、従来技術を用いてエッジ部から中心部に向けて研削ワーク１００を研削する際にエッジ部に生じる振動を説明するための図である。

また、研削ワーク１００を中心からエッジ部へ向けて研削する場合でも、同様に、研削ワーク１００エッジ部が砥石１４により押さえ付けられている期間と押さえ付けられていない期間とが交互に生じる。このため、研削ワーク１００エッジ部に振動が発生し、これにより、研削ワーク１００周縁が薄く削られてしまう。この結果、研削ワーク１００周縁の剛性が低下してしまうと言う問題が発生する。

研削時の研削ワーク１００周縁の振動は、研削ワーク１００の厚さを薄くすればするほど大きくなる。このため、従来技術では、ＷＣＳＰ技術を用いて作成した研削ワーク１００における半導体ウエハの厚さを３００μｍ程度以下に研削することは困難であった。

そこで本実施例では、研削時に常に研削ワーク１００エッジ部に砥石１４が接触する構成とする。これにより、研削ワーク１００エッジ部に生じる振動を低減することが可能となる。なお、研削ワーク１００の研削方法には、上述したように、主として、外側から内側へ研削する方法と、内側から外側へ研削する方法との２通りが存在する。本実施例では、外側から内側へ研削する場合を例に挙げて説明する。

図３（ａ）は本実施例による研削装置１の概略構成を示す断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）における研削ヘッド１０と研削ワーク１００との構成を示す上視図である。また、図４（ａ）は図３（ｂ）における領域Ｂの拡大図である。

まず、図３（ａ）に示すように、本実施例による研削装置１は、回転可能な研削ヘッド１０と回転可能な吸着テーブル１１０とを備える。研削ワーク１００は、吸着テーブル１１０上に載置される。

研削ヘッド１０は、回転軸Ｘ１となる支柱１６と、回転軸Ｘ１を中心として回転する回転盤１２と、回転盤１２の下側の回転面に環状に配列された複数の砥石１４とを備える。複数の砥石１４は、研削ワーク１００を研削する際に、前後に配列する砥石（例えば図４（ａ）における砥石１４−１、１４−２参照）が共に研削ワーク１００のエッジ部に接触するように配列されている。

吸着テーブル１１０は、回転軸Ｘ２を中心として回転可能に構成されている。また、吸着テーブル１１０には吸着エリア１１２に複数の排気孔が形成されている。研削時にこの排気口から排気することで、これの上に載置された研削ワーク１００を吸着することができる。

以上のような本実施例による研削装置１を用いた研削工程では、研削液（例えば純水）を研削ワーク１００の研削面に供給しつつ、吸着テーブル１１０を一方の方向（例えば時計回り）に数１００回転／分の速さで回転させ、さらに、研削ヘッド１０を吸着テーブル１１０と逆の方向（例えば反時計回り）に数１０００回転／分の速さで回転させる。これにより、研削ワーク１００における半導体ウエハが裏面から研削される。

ここで、砥石１４についてより具体的に説明する。本実施例による砥石１４は、図３（ｂ）に示すように、回転盤１２の下側回転面に外周に沿って環状に配列されている。本実施例では、例として２４個の砥石１４が環状に配列されている。ただし、これに限定されず、例えば２７個や５４個など、目的に応じて種々変更可能であることは言うまでもない。

各砥石１４は、研削時に研削ワーク１００と接触する面（下面）が略平行四辺形の四角柱である。各砥石１４間には、研削ヘッド１０の回転方向に沿った幅（以下、単に幅という）が一定のスリット１５が介在する。スリット１５は、回転軸Ｘ１を通る直線に対して回転方向に角度θ傾いている。ただし、これに限定されず、スリット１５が回転軸Ｘ１を通る直線に対して傾いていなくとも、回転方向とは反対方向に角度θ傾いていてもよい。なお、スリット１５を回転方向に傾けた場合、研削時に発生する削りかすや研削液を研削ワーク１００における研削面から容易に排出することが可能となる。

また、本実施例では、図４（ａ）に示すように、前後する砥石１４−１及び１４−２が共に研削ワーク１００における研削される側のエッジ部に接触するように配列されている。言い換えれば、前後する砥石１４−１及び１４−２が共に研削ワーク１００における研削される側のエッジ部に接触するように、角度θ、スリット１５の幅（隣接する砥石１４間の距離）、及び、砥石１４の回転軸Ｘ１を通る直線に沿った長さ（以下、単に幅という）が設定されている。

このように構成することで、図４（ｂ）に示すように、研削ワーク１００における研削される側のエッジ部に継続的に砥石１４が接触する。これにより、研削ワーク１００のエッジ部が砥石１４で吸着テーブル側へ継続的に押さえ付けられるため、研削ワーク１００エッジ部の振動を抑制することが可能となる。この結果、研削により研削ワーク１００裏面に生成される深いスジ状の溝（以下、研削痕という）や欠けを低減することが出来る。

角度θは例えば３０°〜６０°程度とすることができる。スリット１５の幅は例えば１．０〜２．５ｍｍ程度とすることができる。砥石１４の幅は例えば４ｍｍ程度とすることができる。ただし、これらの寸法に限定されず、用途に応じて種々変更可能である。本発明者は、角度θを特に３０°から６０°の範囲内で決定することで、研削によって研削ワーク１００裏面に生じるスジ状の傷や欠けをより低減することが出来たことを発見した。例えば角度θを４５°とし、スリット１５の幅を１．５ｍｍ程度とし、砥石１４の幅を４ｍｍ程度とすることで、研削ワーク１００裏面に生成した研削痕や欠けの数を低減出来ただけでなく、研削痕の深さを５μｍ程度まで低減することが出来た。

また、各砥石１４の長さは、例えば２７個の砥石１４を環状に配列する場合、例えば２５ｍｍ程度とすることができ、例えば５４個の砥石１４を環状に配列する場合、例えば１２．５ｍｍ程度とすることができる。本実施例では、例として２４個の砥石１４を環状に配列されているため、各砥石１４の長さは２８．１２５ｍｍ程度とすることができる。

なお、角度θは、上述したように３０°から６０°の範囲で設定することが好ましいが、これに限定されず、以下に式８又は式９で示す条件式を満足すれば良い。

図５（ａ）から図５（ｃ）は、この条件式を説明するための図である。図５（ａ）から図５（ｃ）において、「ｆ」は砥石１４の外側の端が描く軌跡（以下、砥石外端軌跡１４ｏという）と研削ワーク１００のエッジ部とが接触する点であり、「Ｌｇ」は点ｆにおける砥石外端軌跡１４ｏの接線であり、「Ｌｗ」は点ｆにおける研削ワーク１００エッジ部の接線であり、「ｃ１」は点ｆと回転軸Ｘ１とを結ぶ直線であり、「ｃ２」は点ｆと回転軸Ｘ２とを結ぶ直線であり、「Ｒ」は回転軸Ｘ１から砥石外端軌跡１４ｏまでの距離（砥石外端軌跡１４ｏの半径）であり、「ｒ」は回転軸Ｘ２から研削ワーク１００エッジ部までの距離（研削ワーク１００の半径）であり、「ｄ」は砥石１４の幅であり、「ｐ」はスリット１５の幅であり、「ａ」は砥石１４の前方辺又は後方辺と回転軸Ｘ１とを通る直線（例えばｃ１）と砥石内縁軌跡とが形成する三角形の砥石内縁軌跡側の長さであり、「ｌ１」は直線ｃ１と接線Ｌｗと砥石内縁軌跡とが形成する三角形の砥石内縁軌跡側の長さであり、「φ」は接線Ｌｇとスリット１５の延在方向とが成す角の角度（＝９０°−θ）であり、「ｘ」は接線Ｌｇと接線Ｌｗとが成す角の角度であり、「ｙ」は直線ｃ１と接線Ｌｗとが成す角の角度（＝９０°−ｘ）である。

また、「ｘ１」は接線Ｌｗが先に走る砥石（以下、必要に応じて単に先砥石という）１４−１の前方外端と後に走る砥石（以下、必要に応じて単に後砥石という）１４−２の後方内端とを通るように設定した際の直線ｃ１と接線Ｌｗとが成す角の角度であり、「ｙ１」はこの際に接線Ｌｇと接線Ｌｗとが成す角の角度である。一方、「ｘ２」は接線Ｌｗが先砥石１４−１の前方内端と後砥石１４−２の後方外端とを通るように設定した際の直線ｃ１と接線Ｌｗとが成す角の角度であり、「ｙ２」はこの際に接線Ｌｇと接線Ｌｗとが成す角の角度である。

まず、図５（ａ）及び図５（ｂ）から明らかなように、距離ａ及び長さｌ１は以下の式１で表すことが出来る。

したがって、長さｌ１を幅ｄと角度ｘ１とで表すと、以下の式２のようになる。

この式２から、角度ｘ１は以下の式３で表すことが出来る。

また、図５（ａ）及び図５（ｃ）から明らかなように、距離ａ及び長さｌ２は以下の式４で表すことが出来る。

したがって、長さｌ２を幅ｄと角度ｘ２とで表すと、以下の式５のようになる。

この式５から、角度ｘ２は以下の式６で表すことが出来る。

図５（ａ）から図５（ｃ）並びに式３及び式６から明らかなように、角度ｘが以下の式７の範囲内にある場合、前後する砥石１４−１及び１４−２が共に研削ワーク１００における研削される側のエッジ部に接触しない期間が生じる。

このため、本実施例では、角度ｘが以下の式８を満足するように、角度θ、砥石１４の幅ｄ及びスリット１５の幅ｐを設定する必要がある。

言い換えれば、本実施例では、角度θが以下の式９を満足するように、角度ｘ、砥石１４の幅ｄ及びスリット１５の幅ｐを設定する必要があることが、式８から導き出せる。

以上のような本実施例による研削方法を用いることで、ＷＣＳＰ技術を用いて作成した研削ワーク１００における半導体ウエハを３００μｍ程度以下に研削することが容易に可能となる。

また、本実施例による半導体装置の製造方法では、以上のような本実施例による研削工程を行うことで研削ワーク１００における半導体ウエハを研削した後、グラインドテープ１０８は剥がす。次に、研削ワーク１００にダイシングテープを貼り付けた後、これをダイシングブレードなどを用いて個々の半導体装置にダイシングする。これにより、個片化された半導体装置が製造される。

以上のような本実施例による半導体装置の製造方法を用いることで、従来技術によるパッケージ化された半導体装置の厚さ（例えばパッケージ厚１ｍｍ）と比較して、非常に薄いパッケージ化された半導体装置を製造することが可能となる。本実施例では、パッケージ厚が例えば０．３ｍｍ程度のパッケージ化された半導体装置を製造することも可能である。

また、以上では、ＷＣＳＰ技術を用いて作成した研削ワーク１００を薄く研削する場合を例に挙げて説明したが、本発明は、上述したように、これに限定されるものではない。すなわち、通常の技術で作成した研削ワーク１２０、言い換えれば、エッジ部に段差の無い研削ワーク１２０にも適用することが出来る。

このような研削ワーク１２０を薄く研削する場合でも、上述と同様に、研削ワーク１２０周縁に振動が発生する。これを図６（ａ）及び図６（ｂ）を用いて説明する。

図６（ａ）は、本説明で使用する研削ワーク１２０及びこれが載置された吸着テーブル１１０の概略構成を示す断面図である。また、図６（ｂ）は図６（ａ）の上視図である。

一般的に、吸着テーブル１１０における吸着エリア１１２は研削ワーク１２０よりも小さい。このため、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、研削ワーク１２０周縁は吸着テーブル１１０に固定されていない状態となる。このような状態で、研削ワーク１２０エッジ部上を間欠的に砥石が通過すると、上述と同様に、この吸着されていない部分（研削ワーク１２０周縁）に振動が発生する。このため、従来技術では、通常の技術を用いて作成した研削ワーク１２０でも、これにおける半導体ウエハの厚さを１００μｍ程度以下に研削することは困難であった。

これに対し、上述した本実施例による研削方法を用いて研削ワーク１２０における半導体ウエハを研削することで、研削時に常に研削ワーク１２０エッジ部に砥石１４が接触する。これにより、研削ワーク１２０エッジ部に生じる振動を低減することが可能となる。この結果、研削ワーク１２０における半導体ウエハを１００μｍ程度以下に研削することが容易に可能となる。

さらに、本実施例では、砥石１４が平行四辺形である場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図７（ａ）から図７（ｃ）に示す砥石１４ａ、１４ｂ、１４ｃのように、その上面形状を種々変形することが可能である。なお、図７（ａ）から図７（ｃ）は、本実施例による砥石１４の変形例を示す上視図である。また、図７（ａ）から図７（ｃ）では、説明の都合上、砥石１４ａ〜１４ｃを直線的に配列しているが、実際には、例えば図３（ｂ）に示すように、回転盤１２の外周に沿って環状に配列されている。

また、上記実施例１は本発明を実施するための例にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではなく、これらの実施例を種々変形することは本発明の範囲内であり、更に本発明の範囲内において、他の様々な実施例が可能であることは上記記載から自明である。

（ａ）は本発明の実施例１で使用する研削ワーク及びこれが載置された吸着テーブルの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）における領域Ａの拡大図である。 従来技術を用いてエッジ部から中心部に向けて研削ワークを研削する際にエッジ部に生じる振動を説明するための図である。 （ａ）は本発明の実施例１による研削装置の概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）における研削ヘッドと研削ワークとの構成を示す上視図である。 （ａ）は図３（ｂ）における領域Ｂの拡大図であり、（ｂ）は本発明の実施例１による研削工程において研削ワークエッジ部を砥石が継続的に通過する様子を説明するための図である。 本発明の実施例１における角度ｘ又は角度θが満足すべき条件式を説明するための図である。 （ａ）は本発明の実施例１における研削ワークの変更例で使用する研削ワーク及びこれが載置された吸着テーブルの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の上視図である。 本発明の実施例１による砥石の変形例を示す上視図である。

符号の説明

１ 研削装置
１０ 研削ヘッド
１２ 回転盤
１４、１４−１、１４−２、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ 砥石
１４ｏ 砥石外端軌跡
１５ スリット
１６ 支柱
１００、１２０ 研削ワーク
１０２ 半導体ウエハ
１０４ 樹脂層
１０６ 半球状電極
１０８ グラインドテープ
１１０ 吸着テーブル
１１２ 吸着エリア
ＧＰ ギャップ
Ｘ１、Ｘ２ 回転軸

Claims (17)

1. 所定の回転軸を中心として回転可能な回転盤と、
   前記回転盤の回転面に環状に配列された複数の砥石とを備え、
   前記複数の砥石は、研削ワークを研削する際に、前後に配列する砥石が共に前記研削ワークのエッジ部に接触するように配列されていることを特徴とする研削ヘッド。
2. 前記前後に配列する砥石間のスリットは、１．０ｍｍ以上２．５ｍｍ以下の幅を有することを特徴とする請求項１記載の研削ヘッド。
3. 前記前後に配列する砥石間のスリットは、前記回転軸を通る直線に対して前記回転盤の回転方向に３０°以上６０°以下傾いている直線状のスリットであることを特徴とする請求項１または２記載の研削ヘッド。
4. 前記前後に配列する砥石間のスリットは、前記回転軸を通る直線に対して以下の式を満足する傾きθを有する直線状のスリットであることを特徴とする請求項１または２記載の砥石ヘッド。
   

   

   ｘ：前記回転盤の回転時に前記砥石の外縁が描く軌跡と前記研削ワーク外縁との交点を通る前記軌跡の接線と前記交点を通る前記研削ワーク外縁の接線とがなす角度
   ｄ：前記砥石の幅
   ｐ：前記スリットの幅
5. 所定の回転軸を中心として回転可能な回転盤と、当該回転盤の回転面に環状に配列された複数の砥石とを有する研削ヘッドと、
   載置された研削ワークを吸着することが可能な吸着テーブルとを備え、
   前記複数の砥石は、前記研削ワークを研削する際に、前後に配列する砥石が共に前記研削ワークのエッジ部に接触するように配列されていることを特徴とする研削装置。
6. 吸着テーブル上に載置された研削ワークを吸着させる工程と、
   前記吸着テーブルを回転させる工程と、
   回転盤の回転面に環状に配列された複数の砥石を有する研削ヘッドを前記研削ワークに接触させつつ回転させることで、前記研削ワークを研削する工程とを備え、
   前記複数の砥石は、前記研削ワークを研削する際に、前後に配列する砥石が共に前記研削ワークのエッジ部に接触するように配列されていることを特徴とする研削方法。
7. 前記前後に配列する砥石間のスリットは、１．０ｍｍ以上２．５ｍｍ以下の幅を有することを特徴とする請求項６記載の研削方法。
8. 前記前後に配列する砥石間のスリットは、前記回転軸を通る直線に対して前記回転盤の回転方向に３０°以上６０°以下傾いている直線状のスリットであることを特徴とする請求項６または７記載の研削方法。
9. 前記前後に配列する砥石間のスリットは、前記回転軸を通る直線に対して以下の式を満足する傾きθを有する直線状のスリットであることを特徴とする請求項６または７記載の研削方法。
   

   

   ｘ：前記回転盤の回転時に前記砥石の外縁が描く軌跡と前記研削ワーク外縁との交点を通る前記軌跡の接線と前記交点を通る前記研削ワーク外縁の接線とがなす角度
   ｄ：前記砥石の幅
   ｐ：前記スリットの幅
10. 前記研削ワークは、一方の面に形成された素子形成層を含む半導体基板と、前記半導体基板の前記素子形成層上に形成された樹脂層と、前記樹脂層から突出する球状電極とを有し、
    研削後の前記研削ワークにおける前記半導体基板の厚さは、３００μｍ以下であることを特徴とする請求項６から９の何れか１項に記載の研削方法。
11. 前記研削ワークは、一方の面に形成された素子形成層を含む半導体基板を有し、
    研削後の前記研削ワークにおける前記半導体基板の厚さは、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項６から９の何れか１項に記載の研削方法。
12. 半導体素子が形成された半導体基板を含む研削ワークを吸着テーブル上に載置する工程と、
    前記研削ワークを前記吸着テーブルに吸着させつつ前記吸着テーブルを回転させる工程と、
    回転盤の回転面に環状に配列された複数の砥石を有する研削ヘッドを前記半導体ウエハに接触させつつ回転させることで、前記半導体ウエハを研削する工程とを備え、
    前記複数の砥石は、前記半導体ウエハを研削する際に、前後に配列する砥石が共に前記半導体ウエハのエッジ部に接触するように配列されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 前記前後に配列する砥石間のスリットは、１．０ｍｍ以上２．５ｍｍ以下の幅を有することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記前後に配列する砥石間のスリットは、前記回転軸を通る直線に対して前記回転盤の回転方向に３０°以上６０°以下傾いている直線状のスリットであることを特徴とする請求項１２または１３記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記前後に配列する砥石間のスリットは、前記回転軸を通る直線に対して以下の式を満足する傾きθを有する直線状のスリットであることを特徴とする請求項１２または１３記載の半導体装置の製造方法。
    

    

    ｘ：前記回転盤の回転時に前記砥石の外縁が描く軌跡と前記研削ワーク外縁との交点を通る前記軌跡の接線と前記交点を通る前記研削ワーク外縁の接線とがなす角度
    ｄ：前記砥石の幅
    ｐ：前記スリットの幅
16. 前記研削ワークは、一方の面に形成された素子形成層を含む半導体基板と、前記半導体基板の前記素子形成層上に形成された樹脂層と、前記樹脂層から突出する球状電極とを有し、
    研削後の前記研削ワークにおける前記半導体基板の厚さは、３００μｍ以下であることを特徴とする請求項１２から１５の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
17. 前記研削ワークは、一方の面に形成された素子形成層を含む半導体基板を有し、
    研削後の前記研削ワークにおける前記半導体基板の厚さは、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１２から１５の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。

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