CN101200050A - 磨头、磨削装置、磨削方法以及半导体器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可防止磨削时磨削工件边缘部产生振动的磨头、磨削装置、磨削方法以及半导体器件的制造方法。磨头(10)具有：可以规定的旋转轴(X1)为中心进行旋转的转盘(12)、和在转盘(12)的旋转面上环状排列的多个磨具(14)，多个磨具(14)排列成：在磨削磨削工件(100)时，前后排列的磨具(14－1及14－2)都与上述磨削工件(100)的边缘部接触。

Description

磨头、磨削装置、磨削方法以及半导体器件的制造方法

技术领域

本发明涉及磨头、磨削装置、磨削方法以及半导体器件的制造方法，特别涉及用于磨削形成有各种元件的半导体晶片的背面的磨头、磨削装置、磨削方法以及半导体器件的制造方法。

背景技术

近年来，伴随着电子设备的小型化及薄型化，也要求其上搭载的半导体芯片要更加小型化及薄型化。例如，在安装基板上安装的电容器等无源部件的尺寸如下这样逐渐缩小，即1005→0603→0402。为此，也希望与无源部件共同安装于安装基板的有源部件，与无源部件同样程度地小型化及薄型化。有源部件是指，具备例如晶体管等半导体元件的半导体器件。

将半导体器件薄型化的方法之一是磨削形成有各种半导体元件的半导体晶片的背面(例如参照以下所示的专利文献1)。用于这样的技术的一般磨削装置包括：具有多个微型孔的吸附台和沿外周排列了多个磨具的磨头。作为磨削对象的半导体晶片(以下称为磨削工件)以上下颠倒的状态放置于吸附台上。磨削时，通过从微孔排气而将磨削工件吸附于吸附台上，在该状态下使之触碰高速旋转的磨头的磨具来磨削作为磨削工件的半导体晶片的背面。

专利文献1：日本特开2002-301645号公报

但是，以往的磨削装置，排列在磨头外周的磨具之间，设置有用于排出磨削液(例如纯水)的空隙(狭缝)(参照专利文献1中的图7)。因此，磨削时，存在磨削工件的边缘部与高速旋转的磨头上的磨具接触的期间和不接触的期间。换而言之，磨削时，交替产生磨削工件的边缘部被磨具按压的期间和不被按压的期间。

在此，在用例如WCSP(Wafer-level Chip Size Package)技术制作的磨削工件的边缘，存在因未形成用于密封的树脂层而导致的台阶。该台阶一般高达100μm左右，研磨带(grind tape)等不能将其吸收。因此，在把利用WCSP技术制作的磨削工件放置于吸附台上时，在磨削工件的边缘部分，与吸附台之间形成有空隙。因而，在磨削时，处于磨削工件的边缘部未被固定的状态。

当像这样未被固定的边缘部间断地通过磨具时，在磨削工件边缘部将产生振动。因此，在例如由边缘部向中心(由外侧向内侧)对磨削工件进行磨削的情况下，将产生以下问题：磨削时在磨削工件边缘，产生无数的例如100μm左右的深度比较大的条纹状伤痕，或产生缺损。还有，在例如由中心向边缘部(由内侧向外侧)对磨削工件进行磨削时，该部分将因磨削工件边缘的振动而被磨削得较薄。其结果，因为磨削工件周边的刚性降低，因此将产生以下问题：在后工序中，磨削工件边缘部分发生缺损或破裂。

还有，对于以往的磨削装置，一般来讲，吸附台的吸附区域比磨削工件小。即，即使不存在因WCSP等而产生的台阶，磨削时磨削工件的边缘部也将处于未被固定的状态。因此，在将磨削工件磨削得比较薄的情况下，例如100μm以下等，半导体晶片本身的刚性降低，因此磨削工件边缘的振动变大。其结果和上述一样，在磨削工件边缘将形成无数的条纹状伤痕或缺损，或者磨削工件边缘被磨削得比中央部分薄。

发明内容

本发明就是鉴于上述问题而做出的，目的在于提供一种能防止磨削时磨削工件边缘部产生振动的磨头、磨削装置、磨削方法、以及半导体器件的制造方法。

为了达到这样的目的，本发明的磨头具有可以规定的旋转轴为中心进行旋转的转盘、和在转盘的旋转面上环状排列的多个磨具，多个磨具具有以下这样排列的结构：在磨削磨削工件时，前后排列的磨具都与磨削工件的边缘部接触。

另外，本发明的磨削装置具有磨头和吸附台，该磨头具有可以规定的旋转轴为中心进行旋转的转盘、和在转盘的旋转面上环状排列的多个磨具，该吸附台可吸附放置于其上的磨削工件，多个磨具具有以下这样排列的结构：在磨削磨削工件时，前后排列的磨具都与磨削工件的边缘部接触。

此外，本发明的磨削方法，包括：吸附放置于吸附台上的磨削工件的工序；使吸附台旋转的工序；和使磨头一边与磨削工件接触一边旋转，由此磨削磨削工件的工序，该磨头具有在转盘的旋转面上环状排列的多个磨具；多个磨具具有以下这样排列的结构：在磨削磨削工件时，前后排列的磨具都与磨削工件的边缘部接触。

另外，本发明的半导体器件的制造方法包括：将包括形成有半导体元件的半导体衬底的磨削工件放置于吸附台上的工序；一边使磨削工件吸附于吸附台，一边使吸附台旋转的工序；和使磨头一边与半导体晶片接触一边旋转，由此磨削半导体晶片的工序，该磨头具有在转盘的旋转面上环状排列的多个磨具；多个磨具具有以下这样排列的结构：在磨削半导体晶片时，前后排列的磨具都与半导体晶片的边缘部接触。

根据本发明，可实现能防止在磨削时磨削工件边缘部产生振动的磨头、磨削装置、磨削方法、以及半导体器件的制造方法。

附图说明

图1(a)为表示本发明的实施例1中使用的磨削工件及放置有该磨削工件的吸附台的概略结构的剖视图，(b)是(a)中的区域A的放大图。

图2是用于说明利用以往的技术由边缘部向中心部磨削磨削工件时，边缘部产生的振动的图。

图3(a)为表示本发明实施例1的磨削装置的概略结构的剖视图，(b)是表示(a)中的磨头和磨削工件的结构的俯视图。

图4(a)为图3(b)中的区域B的放大图，(b)为用于说明在本发明的实施例1的磨削工序中，磨具连续地通过磨削工件边缘部的状态的图。

图5为用于说明在本发明的实施例1中角度x或角度θ应满足的条件式的图。

图6(a)为表示在本发明的实施例1中，在磨削工件的变更例中使用的磨削工件及放置有该磨削工件的吸附台的概略结构的剖视图，(b)是(a)的俯视图。

图7为表示本发明实施例1的磨具的变形例的俯视图。

符号说明：1...磨削装置；10...磨头；12...转盘；14、14-1、14-2、14a、14b、14c...磨具；14o...磨具外端轨迹；15...狭缝；16...支柱；100、120...磨削工件；102...半导体晶片；104...树脂层；106...半球状电极；108...研磨带；110...吸附台；112...吸附区域；GP...间隙；X1、X2...旋转轴

具体实施方式

以下，参照附图对实施本发明的最佳实施方式进行详细说明。在以下的说明中，各图只不过将形状、大小、以及位置关系概略地表示到能够理解本发明内容的程度，因此，本发明不限于各图中举例表示的形状、大小、以及位置关系。还有，在各图中，为了明确结构，省略了剖面中的一部分剖面线。再有，在后述中所列举的数值，只不过是本发明的优选例，因此，本发明不限于所列举的数值。

[实施例1]

首先，利用附图详细说明本发明的实施例1。在以下的说明中，举例说明利用本实施例的磨削装置1磨削利用WCSP技术制作的磨削工件100的情况。但是，本发明并不限定于此，可进行各种变更，可用于将用通常的技术制作的磨削工件磨削到例如100μm以下的情况等。

图1(a)是表示本实施例中使用的磨削工件100及放置有该磨削工件100的吸附台110的概略结构的剖视图。还有，图1(b)是图1(a)中的区域A的放大图。在图1(a)及图1(b)中，磨削工件100以上下颠倒的状态(将该状态称为面朝下状态)放置于吸附台110上。

如图1(a)所示，用WCSP技术制作的磨削工件100形成有树脂层104，其覆盖半导体晶片(也称为半导体衬底)102上的形成有各种元件的区域(将其称为元件形成层)。其中，树脂层104并非形成在半导体晶片的整个面上。即，半导体晶片102的外周部分存在没有形成树脂层104的区域。因此，在磨削工件100的外周部分形成了台阶。还有，在树脂层104上形成有导体柱，该导体柱与在元件形成层的最上层形成的二次布线电连接。导体柱从树脂层104的上表面露出。从树脂层104的上表面露出的导体柱上形成有纤料球等半球状电极106。

具有以上那样的构造的磨削工件100的上表面(形成有树脂层104一侧的面)，粘贴了具有粘贴层的研磨带108等，该粘贴层能够吸收形成有半球状电极106的面(树脂层104的上表面)的凹凸。吸收该凹凸，是为了消除磨削工件100的被吸附台110吸附的搭载面的凹凸。但是，磨削工件100的外周部分处的由树脂层104导致的台阶一般比研磨带108等能吸收的凹凸的高低差大，因此，研磨带108等不能将其吸收。因而，在将粘贴了研磨带108的磨削工件100以面朝下状态放置于吸附台110上时，如图1(b)所示，在磨削工件100的外周部分，在其与吸附台110之间形成了空隙(间隙GP)。

在像这样存在间隙GP的状态下，换而言之，在磨削工件100的周边未被固定的状态下，在对磨削工件100由边缘部向中心进行磨削时，将交替产生磨削工件100的边缘部被磨具14按压的期间和未被按压的期间，因此，如图2所示，磨削工件100的边缘部将产生振动。因此，磨削时，将产生以下问题：在磨削工件100的外周部形成无数比较大的伤痕，或产生缺损。图2是用于说明利用以往的技术由边缘部向中心部对磨削工件进行磨削时，在边缘部产生的振动的图。

还有，在对磨削工件100由中心向边缘部进行磨削时也一样，将交替产生磨削工件100的边缘部被磨具14按压的期间和未被按压的期间。因此，磨削工件100的边缘部将产生振动，由此，磨削工件100的周边被磨削得较薄。其结果，将产生磨削工件100的周边的刚性降低的问题。

磨削时磨削工件100的周边的振动是，将磨削工件100的厚度磨削得越薄振动越大。因此，对于以往的技术，难以将利用WCSP技术制作的磨削工件100的半导体晶片的厚度磨削至300μm以下。

因此，在本实施例中，采用在磨削时，磨削工件100的边缘部总是与磨具14接触的结构。由此，能够减少在磨削工件100的边缘处产生的振动。磨削工件100的磨削方法，如上所述，主要存在以下2种方法：由外侧向内侧磨削的方法和由内侧向外侧磨削的方法。在本实施例中，举例说明由外侧向内侧磨削的情况。

图3(a)为表示本实施例的磨削装置1的概略结构的剖视图，图3(b)是表示图3(a)中的磨头10和磨削工件100的结构的俯视图。还有，图4(a)为图3(b)中的区域B的放大图。

首先，如图3(a)所示，本实施例的磨削装置1具有可旋转的磨头10和可旋转的吸附台110。磨削工件100放置于吸附台110上。

磨头10具有：成为旋转轴X1的支柱16、以旋转轴X1为中心进行旋转的转盘12、和在转盘12下侧的旋转面上环状排列的多个磨具14。多个磨具14排列成：在磨削磨削工件100时，前后排列的磨具(例如参照图4(a)中的磨具14-1、14-2)都与上述磨削工件100的边缘部接触。

吸附台110构成为可以旋转轴X2为中心进行旋转。还有，在吸附台110的吸附区域112形成有多个排气孔。磨削时从该排气口排气，由此可吸附放置在其上的磨削工件100。

在使用了以上那样的本实施例的磨削装置1的磨削工序中，一边将磨削液(例如纯水)提供给磨削工件100的磨削面，一边使吸附台110沿一个方向(例如顺时针方向)以几百转/分钟的速度旋转，进而，使磨头10沿与吸附台110相反的方向(例如逆时针方向)以几千转/分钟的速度旋转。由此，从背面对磨削工件100的半导体晶片进行磨削。

在此，对磨具14进行具体的说明。本实施例的磨具14，如图3(b)所示，沿转盘12的下侧旋转面的外周环状排列。在本实施例中，例如环状排列了24个磨具14。但是，并不限定于此，不言而喻，可根据目的来进行各种变更，例如27个或54个等。

各磨具14是其磨削时与磨削工件100接触的面(下表面)为大致平行四边形的四棱柱。各磨具14之间存在狭缝15，该狭缝15的沿磨头10的旋转方向的宽度(以下简称为宽度)是一定的。狭缝15相对于通过旋转轴X1的直线，在旋转方向上倾斜了角度θ。但是，并不限定于此，即使狭缝15相对于通过旋转轴X1的直线不倾斜，或在与旋转方向相反的方向倾斜角度θ也可以。使狭缝15向旋转方向倾斜时，可容易地将磨削时产生的切屑或磨削液从磨削工件100的磨削面排出。

另外，在本实施例中，如图4(a)所示，前后的磨具14-1及14-2排列成都与磨削工件100的被磨削一侧的边缘部接触。换而言之，将角度θ、狭缝15的宽度(相邻的磨具14间的距离)以及磨具14的沿通过旋转轴X1的直线的长度(以下简称为宽度)设定成：前后的磨具14-1及14-2都与磨削工件100的被磨削一侧的边缘部接触。

通过如此构成，如图4(b)所示，磨具14与磨削工件100的被磨削一侧的边缘部连续地接触。由此，磨削工件100的边缘部被磨具14向吸附台侧连续地按压，因此可以抑制磨削工件100的边缘部的振动。其结果，可减少因磨削而在磨削工件100的背面生成的条纹状的深沟槽(以下称为磨痕)或缺损。

角度θ例如可为30°～60°左右。狭缝15的宽度例如可为1.0～2.5mm左右。磨具14的宽度例如可为4mm左右。但是，并不限于这些尺寸，可根据用途进行各种变更。本发明人通过特别在30°至60°的范围内决定角度θ，发现：可进一步减少因磨削而在磨削工件100的背面产生的条纹状伤痕或缺损。通过例如使角度θ为45°、狭缝15的宽度为1.5mm左右、磨具14的宽度为4mm左右，不仅可减少在磨削工件100的背面产生的磨痕或缺损的数量，还可将磨痕的深度降低5μm左右。

另外，对于各磨具14的长度，在将例如27个磨具14环状排列时，可为例如25mm左右，在将例如54个磨具14环状排列时，可为例如12.5mm左右。在本实施例中，以将24个磨具14环状排列为例，因此各磨具14的长度可为28.125mm左右。

即，角度θ最好像上述那样设定在30°至60°的范围内，但并不限于此，只要满足以下的式8或式9所表示的条件式即可。

从图5(a)至图5(c)为用于说明该条件式的图。在图5(a)至图5(c)中，“f”是磨具14的外侧端头描画的轨迹(以下称为磨具外端轨迹14o)与磨削工件100的边缘部接触的点，“Lg”是点f处的磨具外端轨迹14o的切线，“Lw”是点f处的磨削工件100的边缘部的切线，“c1”是连接点f和旋转轴X1的直线，“c2”是连接点f和旋转轴X2的直线，“R”是从旋转轴X1至磨具外端轨迹14o的距离(磨具外端轨迹14o的半径)，“r”是从旋转轴X2至磨削工件100的边缘部的距离(磨削工件100的半径)，“d”是磨具14的宽度，“p”是狭缝15的宽度，“a”是磨具14的前面的边或后面的边、通过旋转轴X1的直线(例如c1)和磨具内缘轨迹形成的三角形的磨具内侧轨迹侧的长度，“”是切线Lg与狭缝15的延长方向形成的角度(＝90°-θ)，“x”是切线Lg和切线Lw形成的角度，“y”是直线c1与切线Lw形成的角度(＝90°-x)。

还有，“x1”是切线Lw通过先经过的磨具(以下，根据需要简称为前磨具)14-1的前方外端和后经过的磨具(以下，根据需要简称为后磨具)14-2的后方内端时设定的直线c1与切线Lw形成的角度，“y1”是此时切线Lg与切线Lw形成的角度。另一方面，“x2”是切线Lw通过前磨具14-1的前方内端和后方磨具14-2的后方外端时设定的直线c1与切线Lw形成的角度，“y2”是此时切线Lg与切线Lw形成的角度。

首先，根据图5(a)及图5(b)可知，距离a及长度l1可用以下的式1表示。

[算式1]

a＝d×tanθ

l1＝a-p＝d×tanx1  ···(式1)

因此，在将长度l1用宽度d和角度x1表示时，成为以下的式2。

[算式2]

l1＝a-p＝d×tanθ-p＝d×tanx1  ···(式2)

根据式2，角度x1可用以下的式3表示。

[算式3]

$x1={\tan }^{-1}\left(\frac{d\×\tan \mathrm{\θ}-p}{d}\right)\·\·\·$ (式3)

另外，根据图5(a)及图5(c)可知，距离a及长度l2可用以下的式4表示。

[算式4]

a＝d×tanθ  ···(式4)

l2＝a+p＝d×tanx2

因此，在将长度l2用宽度d和角度x2表示时，成为以下的式5。

[算式5]

l2＝a+p＝d×tanθ+p＝d×tanx2  ···(式5)

根据式5，角度x2可用以下的式6表示。

[算式6]

$x2={\tan }^{-1}\left(\frac{d\×\tan \mathrm{\θ}+p}{d}\right)\·\·\·$ (式6)

从图5(a)至图5(c)以及式3和式6可知，角度x在以下的式7的范围内时，将产生前后的磨具14-1及14-2都与磨削工件100的被磨削一侧的边缘部不接触的期间。

[算式7]

${\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan \mathrm{\&theta;}-p}{d}\right)<x<{\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan \mathrm{\&theta;}+p}{d}\right)\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;$ (式7)

因此，在本实施例中，需要将角度θ、磨具14的宽度d以及狭缝15的宽度p设定为：角度x满足以下的式8。

[算式8]

$x\&le;{\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan \mathrm{\&theta;}-p}{d}\right),{\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan \mathrm{\&theta;}+p}{d}\right)\&le;x\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;$ (式8)

换而言之，在本实施例中，需要将角度x、磨具14的宽度d以及狭缝15的宽度p设定为：角度θ满足以下的式9。由式8能推导出。

[算式9]

$\mathrm{\&theta;}\&le;{\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan x+p}{d}\right),{\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan x-p}{d}\right)\&le;\mathrm{\&theta;}\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;$ (式9)

通过利用以上那样的本实施例的磨削方法，可容易地将利用WCSP技术制作的磨削工件100的半导体晶片磨削至300μm以下。

另外，在本实施例的半导体器件的制造方法中，在通过进行以上那样的本实施例的磨削工序，对磨削工件100的半导体晶片进行了磨削后，剥下研磨带108。接着，在将切割带粘贴于磨削工件100后，将其用切割刀等切割成一个个的半导体器件。由此，制造出单片化了的半导体器件。

通过使用以上那样的本实施例的半导体器件的制造方法，可制造形成为封装体后的以下半导体器件，该半导体器件的厚度与利用以往技术制作的形成为封装体后的半导体器件的厚度(例如封装体厚1mm)相比，非常薄。在本实施例中，可制造封装体厚为例如0.3mm左右的形成为封装体后的半导体器件。

另外，以上举例说明了将利用WCSP技术制作的磨削工件100磨削得较薄的情况，但是，本发明如上所述，并不限定于此。即，也可以适用于用通常技术制作的磨削工件120，换而言之，也适用于边缘部无台阶的磨削工件120。

将这样的磨削工件120磨削得较薄时，也与上述一样，将在磨削工件120的周边产生振动。用图6(a)及图6(b)对其进行说明。

图6(a)是表示本发明使用的磨削工件120及放置了该磨削工件120的吸附台110的概略结构的剖视图，还有，图6(b)是图6(a)的俯视图。

一般来讲，吸附台110的吸附区域112比磨削工件120小。因此，如图6(a)及图6(b)所示，磨削工件120的周边为未被固定于吸附台110上的状态。磨具在这样的状态下，间断地在磨削工件120的边缘部上通过时，与上述一样，该未被吸附的部分(磨削工件120的周边)将产生振动。因此，对于以往的技术而言，即使用通常的技术制作的磨削工件120，也难以将半导体晶片的厚度磨削至100μm以下。

对此，通过使用上述的本实施例的磨削方法来对磨削工件120的半导体晶片进行磨削，磨削时磨具14可总是接触磨削工件120的边缘部。由此，可减少磨削工件120的边缘部产生的振动。其结果，能够容易地将磨削工件120的半导体晶片磨削至100μm以下。

此外，在本实施例中，举例说明了磨具14是平行四边形的情况，但本发明不限于此，如例如图7(a)至图7(c)表示的磨具14a、14b、14c所示，可将其上表面的形状进行种种变形。图7(a)至图7(c)是表示本实施例的磨具14的变形例的俯视图。另外，为了说明上的方便，在图7(a)至图7(c)中，将磨具14a～14c排列成直线，但实际上，如例如图3(b)所示，沿转盘12的外周环状排列。

还有，上述实施例1只不过是用于实施本发明的例子，本发明并不限定于此，对这些实施例进行的种种变形也在本发明的范围内，此外，根据上述的记载，在本发明的范围内，可以有其他各种各样的实施例，这是不言而喻的。

Claims (17)

1.一种磨头，其特征在于，具有：可以规定的旋转轴为中心进行旋转的转盘、和在上述转盘的旋转面上环状排列的多个磨具，

上述多个磨具排列成：在磨削磨削工件时，前后排列的磨具都与上述磨削工件的边缘部接触。

2.根据权利要求1所述的磨头，其特征在于，上述前后排列的磨具间的狭缝，具有1.0mm以上2.5mm以下的宽度。

3.根据权利要求1或2所述的磨头，其特征在于，上述前后排列的磨具间的狭缝是直线状的狭缝，该直线状的狭缝相对于通过上述旋转轴的直线，在上述转盘的旋转方向倾斜30°以上60°以下。

4.根据权利要求1或2所述的磨头，其特征在于，上述前后排列的磨具间的狭缝是直线状的狭缝，该直线状的狭缝相对于通过上述旋转轴的直线，具有满足以下式子的倾斜角度θ，

[算式1]

$\mathrm{\&theta;}\&le;{\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan x+p}{d}\right),{\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan x-p}{d}\right)\&le;\mathrm{\&theta;}$

其中，x是以下两条切线所形成的角度，一条切线是通过上述转盘旋转时上述磨具的外缘描画的轨迹与上述磨削工件的外缘的交点的上述轨迹的切线，另一条切线是通过上述交点的上述磨削工件的外缘的切线，d是上述磨具的宽度，p是上述狭缝的宽度。

5.一种磨削装置，其特征在于，具有磨头和吸附台，该磨头具有可以规定的旋转轴为中心进行旋转的转盘、和在该转盘的旋转面上环状排列的多个磨具，该吸附台可吸附放置于其上的磨削工件，

上述多个磨具排列成：在磨削上述磨削工件时，前后排列的磨具都与上述磨削工件的边缘部接触。

6.一种磨削方法，其特征在于，包括：

吸附放置于吸附台上的磨削工件的工序，

使上述吸附台旋转的工序，以及

使磨头一边与上述磨削工件接触一边旋转，由此磨削上述磨削工件的工序，该磨头具有在转盘的旋转面上环状排列的多个磨具，

上述多个磨具排列成：在磨削上述磨削工件时，前后排列的磨具都与上述磨削工件的边缘部接触。

7.根据权利要求6所述的磨削方法，其特征在于，上述前后排列的磨具间的狭缝，具有1.0mm以上2.5mm以下的宽度。

8.根据权利要求6或7所述的磨削方法，其特征在于，上述前后排列的磨具间的狭缝是直线状的狭缝，该直线状的狭缝相对于通过上述旋转轴的直线，在上述转盘的旋转方向倾斜30°以上60°以下。

9.根据权利要求6或7所述的磨削方法，其特征在于，上述前后排列的磨具间的狭缝是直线状的狭缝，该直线状的狭缝相对于通过上述旋转轴的直线，具有满足以下式子的倾斜角度θ，

[算式2]

$\mathrm{\&theta;}\&le;{\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan x+p}{d}\right),{\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan x-p}{d}\right)\&le;\mathrm{\&theta;}$

其中，x是以下两条切线所形成的角度，一条切线是通过上述转盘旋转时上述磨具的外缘描画的轨迹与上述磨削工件的外缘的交点的上述轨迹的切线，另一条切线是通过上述交点的上述磨削工件的外缘的切线，d是上述磨具的宽度，p是上述狭缝的宽度。

10.根据权利要求6至9中任意一项所述的磨削方法，其特征在于，上述磨削工件具有：包括在一个面上形成的元件形成层的半导体衬底、在上述半导体衬底的上述元件形成层上形成的树脂层、和从上述树脂层突出的球状电极，

磨削后的上述磨削工件的上述半导体衬底的厚度为300μm以下。

11.根据权利要求6至9中任意一项所述的磨削方法，其特征在于，上述磨削工件具有半导体衬底，该半导体衬底包括在一个面上形成的元件形成层，

磨削后的上述磨削工件的上述半导体衬底的厚度为100μm以下。

12.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

将包括形成有半导体元件的半导体衬底的磨削工件放置于吸附台上的工序，

一边使上述磨削工件吸附于上述吸附台，一边使上述吸附台旋转的工序，以及

使磨头一边与上述半导体晶片接触一边旋转，由此磨削上述半导体晶片的工序，该磨头具有在转盘的旋转面上环状排列的多个磨具，

上述多个磨具排列成：在磨削上述半导体晶片时，前后排列的磨具都与上述半导体晶片的边缘部接触。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述前后排列的磨具间的狭缝，具有1.0mm以上2.5mm以下的宽度。

14.根据权利要求12或13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述前后排列的磨具间的狭缝是直线状的狭缝，该直线状的狭缝相对于通过上述旋转轴的直线，在上述转盘的旋转方向倾斜30°以上60°以下。

15.根据权利要求12或13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述前后排列的磨具间的狭缝是直线状的狭缝，该直线状的狭缝相对于通过上述旋转轴的直线，具有满足以下式子的倾斜角度θ，

[算式3]

$\mathrm{\&theta;}\&le;{\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan x+p}{d}\right),{\tan }^{-1}\left(\frac{d\&times;\tan x-p}{d}\right)\&le;\mathrm{\&theta;}$

其中，x是以下两条切线所形成的角度，一条切线是通过上述转盘旋转时上述磨具的外缘描画的轨迹与上述磨削工件的外缘的交点的上述轨迹的切线，另一条切线是通过上述交点的上述磨削工件的外缘的切线，d是上述磨具的宽度，p是上述狭缝的宽度。

16.根据权利要求12至15中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述磨削工件具有：包括在一个面上形成的元件形成层的半导体衬底、在上述半导体衬底的上述元件形成层上形成的树脂层、和从上述树脂层突出的球状电极，

磨削后的上述磨削工件的上述半导体衬底的厚度为300μm以下。

17.根据权利要求12至15中任意一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述磨削工件具有半导体衬底，该半导体衬底包括在一个面上形成的元件形成层，

磨削后的上述磨削工件的上述半导体衬底的厚度为100μm以下。

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