JP2006165579A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デバイス製造方法は、パターン形成した放射線のビームを、光学系区画および光学系区画と基板区画の間の開放接続を提供する通路とに通して、基板上に投影することと、前記投影中に、基板区画および光学系区画より通路のイオン化フラッシュガスの圧力を高い状態で維持することと、基板から発散する粒子をイオン化フラッシュガスで遮断することと、遮断した粒子を搬送するフラッシュガスを、区画の少なくとも一方に結合した基板区画の気体出口に結合したポンプを使用して、基板区画から給送することと、ポンプの出口および/または回転子が、通路内のイオン化フラッシュガス由来のプラスに帯電したイオンを引きつけるように、通路の壁とポンプの出口および/または回転子との間に電位差を確立することを含む。
【選択図】図1
Description
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が1回で目標部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に基板テーブルWTがX方向および/あるいはY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で描像される目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期走査する一方、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの拡大(縮小)および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光で目標部分の(非走査方向における)幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の(走査方向における)高さを決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する間に、基板テーブルWTが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルWTを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
W 基板
WC 基板区画
WT 基板テーブル
PC 光学系区画
21 通路の壁
40 イオン化室
50 イオン化装置
52 ガス流回路
54 電磁界発生器
60,62 ポンプ
Claims (23)
- デバイス製造方法であって、
放射線のビームにパターンを与えること、
基板区画で基板を位置決めすること、
パターン形成した放射線のビームを、光学系区画および、光学系区画と基板区画の間の開放接続を提供する通路とに通して、基板上に投影すること、
前記投影中に、基板区画および光学系区画より通路のイオン化フラッシュガスの圧力を高い状態で維持すること、
基板から発散する粒子をイオン化フラッシュガスで遮断すること、
遮断した粒子を搬送するフラッシュガスを、前記区画の少なくとも一方に結合した基板区画の気体出口に結合したポンプを使用して、基板区画から給送すること、
ポンプの出口および/または回転子が、通路内のイオン化フラッシュガス由来のプラスに帯電したイオンを引きつけるように、通路の壁とポンプの出口および/または回転子との間に電位差を与えることを含む方法。 - さらに、光学系区画および/または基板区画の壁、および光学系区画および/または基板区画の任意のオブジェクトの電位を、ポンプの出口および/または回転子より高い電位レベルで維持することを含む、請求項1に記載のデバイス製造方法。
- さらに、基板区画と光学系区画の間の通路の壁にある入口から、通路へとフラッシュガスを供給することを含む、請求項1に記載のデバイス製造方法。
- さらに、フラッシュガスを入口に通して通路に供給する前に、フラッシュガスをイオン化することを含む、請求項3に記載のデバイス製造方法。
- フラッシュガスが、通路内で生成された交番電磁界を使用してイオン化される、請求項1に記載のデバイス製造方法。
- さらに、
基板区画内の基板テーブルに複数の基板を連続的に配置すること、
各基板が基板区画の基板テーブル上にそれぞれある場合に、基板をさらに処理するために基板にパターンを与えるように、パターン形成したビームを基板に投影すること、
前記さらなる処理に使用する基板が基板テーブル上にない期間中に、連続する前記基板への投影と投影との中間で、基板テーブル上の電気的に曝露した区域を、基板区画の壁の壁電位とは異なる表面電位になるまで電気的に帯電すること、
前記期間中に、前記帯電曝露区域を有する基板テーブルを、物質を引きつける位置へ、前記位置の近くの基板区画内の空間から移動すること、
次の基板を基板テーブルに配置する前に、引きつけた物質を基板テーブルから除去することを含む、請求項1に記載のデバイス製造方法。 - 基板とほぼ同じ直径を有する頂部表面がある少なくとも部分的に導電性のオブジェクトを、前記期間中に基板テーブルに配置し、オブジェクトの頂部表面の少なくとも一部を、前記表面電位となるまで帯電する、請求項6に記載のデバイス製造方法。
- 電気的曝露区域が表面電位である間に、基板テーブルを移動させる、請求項6に記載のデバイス製造方法。
- パターン形成した放射線のビームをパターニングデバイスから基板上に投影するように配置構成されたリソグラフィ投影装置であって、
第一気体出口がある基板区画と、
第二気体出口がある光学系区画と、
光学系区画と基板区画の間に気体と放射線の開放的連絡を提供する通路と、
イオン化フラッシュガスを基板区画および光学系区画より高い圧力で通路内に確立するように配置構成されたフラッシュガス供給源およびフラッシュガスイオン化装置と、
フラッシュガスを区画の少なくとも一方から給送するために気体出口の少なくとも1つに結合されたポンプと、
通路の壁とポンプの出口および/または回転子の少なくとも一方との間に電位差を与えるように配置構成された電気回路とを有し、前記回路が、ポンプの少なくとも1つの出口および/または回転子が通路内の電離フラッシュガスに由来するプラスに帯電したイオンを引きつけるような極性を有するものであるリソグラフィ投影装置。 - 光学系区画および/または基板区画の壁、および光学系区画および/または基板区画の任意のオブジェクトが、その表面で導電性であり、電気回路に電気的に結合して、光学系区画の壁および/または基板区画の壁、およびオブジェクトの電位を、ポンプの出口および/または回転子の電位より高く維持するか、光学系区画の壁および基板区画の壁および/またはオブジェクトを、通路の壁、および通路の壁の間の電位差に維持されたポンプの出口および/または回転子から電気的に絶縁する、あるいはその両方である、請求項9に記載のリソグラフィ投影装置。
- さらに、基板区画と光学系区画の間で、通路の壁のフラッシュガス供給入口を有する、請求項9に記載のリソグラフィ投影装置。
- さらに、フラッシュガスを入口に供給する供給導管内でフラッシュガスをイオン化するイオン化室を有する、請求項11に記載のリソグラフィ投影装置。
- イオン化室が、入口と結合した分岐があるガス流回路、回路を通って流れるフラッシュガスをイオン化するためにガス流回路の一部と結合した電磁界発生器、および分岐の壁とガス流回路の壁の間に、イオン化したガスをガス流回路から分岐内に引きつける極性を有する電位差を与えるために、分岐の壁とガス流回路の壁の間に結合した第二電気回路を有する、請求項12に記載のリソグラフィ投影装置。
- デバイス製造方法であって、
放射線のビームにパターンを形成すること、
壁付きの基板区画内でビームを基板上に投影することとを含み、ビームは、壁付き光学系区画、および光学系区画と基板区画の間に開放的接続を提供する壁付き通路とを通して投影され、さらに、
通路の外側でフラッシュガスをイオン化すること、
イオン化したフラッシュガスを、基板区画と光学系区画の間の通路の壁にある入口から通路内に供給することを含むデバイス製造方法。 - デバイス製造方法であって、
放射線のビームにパターンを形成すること、
複数の基板およびパターニングデバイスを、ビームの路に連続的に配置することを含み、基板またはパターニングデバイスは、支持構造上に配置され、さらに、
さらに処理するために基板にパターンを与えるように、パターニングデバイスから基板上にビームを投影すること、
連続する基板へのビームの投影と投影の間で、前記さらに処理するために使用する基板またはパターニングデバイスが支持構造上にない期間中に、支持構造を含む区画の壁の壁電位とは異なる表面電位へと支持構造上の電気的に曝露した区域を帯電させること、
前記期間中に、前記帯電した電気的曝露区域を有する支持構造を、物質を引きつける位置へ、前記位置の近くの基板区画内の空間から移動すること、
次の基板またはパターニングデバイスを支持構造に配置する前に、引きつけた物質を支持構造から除去することを含むものであるデバイス製造方法。 - 基板とほぼ同じ直径を有する頂部表面を有する、部分的に導電性のオブジェクトを、前記期間中に基板ではなく支持構造上に配置し、オブジェクトの少なくとも頂部表面を、表面電位となるまで帯電する、請求項15に記載のデバイス製造方法。
- 電気的曝露区域が表面電位で帯電している間に、支持構造が移動する、請求項16に記載のデバイス製造方法。
- 導電性オブジェクトに面する支持構造に、1対のテーブル電極を設け、テーブル電極に電位差を与えて、基板またはパターニングデバイスを支持構造上に保持し、壁電位に対する共通モード電位を前記1対のテーブル電極に与え、電気的曝露機器を表面電位まで帯電する、請求項16に記載のデバイス製造方法。
- テーブル電極とオブジェクトをほぼ導電接触させずに、導電性オブジェクトに面する支持構造にテーブル電極を設けて、帯電電極をオブジェクトに導電接続し、帯電電極とテーブル電極と区画の壁の間に電位差を適用する、請求項16に記載のデバイス製造方法。
- パターニングデバイスから基板へとパターンを投影するように配置構成されたリソグラフィ装置装置であって、
パターンの投影中に基板またはパターニングデバイスを支持する支持構造を含み、前記支持構造は区画内にあり、さらに、
投影中に通常は基板またはパターニングデバイスによって占有されている領域内で支持構造上の電気的に曝露した区域に表面電位を与えるように配置構成された電位適用回路を含み、電位適用回路は、選択された期間中に、区画の壁の壁電位に対して相互に異なる表面電位を選択的に与えるように配置構成されるものであるリソグラフィ投影装置。 - さらに、支持構造内の1対の電極、電極間に電位差を適用するように配置構成された差圧電位適用回路、電極間に電位差を与えるように配置構成された差圧電位適用回路、および壁と電極対の間に接続され、電極の共通モード電位と壁の壁電位との間に電位差を与えるように配置構成された共通モード電位適用回路を有する、請求項20に記載のリソグラフィ投影装置。
- パターン形成した放射線のビームをパターニングデバイスから基板上に投影するように配置構成されたリソグラフィ投影装置であって、
気体出口がある壁付き基板区画と、
気体出口がある壁付き光学系区画と、
光学系区画と基板区画の間に気体および放射線の開放した連絡を提供する壁付き通路と、
イオン化したフラッシュガスを供給するために出力部があるフラッシュガスイオン化装置と、
光学系区画と基板区画間の通路の壁にあって、イオン化したフラッシュガスを通路内に供給するために出力部と結合されたフラッシュガス入口を有するものであるリソグラフィ投影装置。 - イオン化装置が、入口に結合された分岐があるガス流回路、回路を通って流れるフラッシュガスをイオン化するためにガス流回路の一部に結合された電磁界発生器、および分岐の壁とガス流回路の壁の間に、ガス流回路からイオン化したガスを引きつけてブランチに入れる極性の電位差を確立するために、分岐の壁とガス流回路の壁との間に結合された電気回路を有する、請求項22に記載のリソグラフィ投影装置。
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