JP4841239B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明はリソグラフィ装置およびデバイスを製造する方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に形成する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンの生成に使用することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射線感光材料（レジスト）の層への描像を介する。一般的に、１枚の基板は、順次照射される近接目標部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部分に１回露光することによって各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の方向（「走査」方向）にパターンを投影ビームで走査し、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することにより、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板に刻印することによって、パターニングデバイスからのパターンを基板へと転写することも可能である。

欧州特許出願第ＥＰ−Ａ−０９５７４０２号によると、リソグラフィ装置には、気体相の汚染が、基板上の放射線感光材料の層にパターンを描像するために使用する光学要素（ミラーレンズおよび／または透過性レンズ）の劣化を引き起こすことがあるという問題がある。特にレジスト材料は、基板の照射中にレジストから蒸発する光の分子の発生源である。これは、パターンの転送に（Ｅ）ＵＶ放射線を使用する場合の特定の問題になり得るが、これより程度は低いが、これより長い照射波長を使用する場合も、同様の問題が生じることがある。

欧州特許第ＥＰ−Ａ−０９５７４０２号は、この問題の解決法を開示している。光学要素を含むリソグラフィ装置の光学系区画と、基板を含む基板区画の間に管を設ける。描像放射線がこの管を通る。気体の流れもこの管を通過して、汚染物質が光学系区画に到達する前に基板区画からこれを運び去る（流し去る）。通常、気体入口を管の一方側に設けて、ポンプを管の別の側に結合する。描像放射線に対して比較的透過性であるＡｒまたはＫｒのような気体を使用する。欧州特許第ＥＰ−Ａ−０９５７４０２号が指摘するように、これらの気体は、汚染物質に対して低い拡散係数を有する。つまり、汚染物質の大部分は光学系区画に到達することができず、その前に気体の流れによって運び去られてしまう。

それにもかかわらず、満足する量の汚染物質が運び去られることを保証するために、相当の気体流の強度が必要となることが判明している。それには強力な給送が必要となることがある。これは、ポンプからの振動が描像プロセスに影響するのを防止するために、多大な費用を必要とすることを意味する。強力な給送は、リソグラフィ装置の設計およびその補修を複雑にする。また、流れの強度が高いので、比較的高い圧力が必要であり、これは吸収の増加、２次放出、および光学要素への損傷のような欠陥を有する。

米国特許第６，６１４，５０５号は、パターンを基板に描像する放射線を生成するために使用する放射線ソースから発生する汚染物質の問題について記載している。例えばプラズマソースを使用することがある。米国特許第６，６１４，５０５号は、これらの汚染物質が放射線ソースからリソグラフィ装置の光学系区画へと流れる間に、それを除去する幾つかのアプローチについて記載している。米国特許第６，６１４，５０５号によると、これらの解決法を基板区画と光学系区画の間にも使用することができる。

米国特許第６，６１４，５０５号は、汚染物質が光学要素に到達する前に帯電ゲッタ電極を使用することを提案している。米国特許第６，６１４，５０５号は主に、放射線ソースから中性粒子としてとして揮発する汚染物質に関する。米国特許第６，６１４，５０５号は、ゲッタ電極に引きつけられることを保証するために粒子を帯電する方法を開示している。米国特許第６，６１４，５０５号は、幾つかの粒子帯電方法を開示する。第一の方法によると、放射線ソースが配置された区画と光学系区画とを接続する管に隣接して、電子ソースを設ける。電子ソースは電子を放出し、これが管内の汚染物質粒子をイオン化して、ゲッタ電極に引きつけられるようにする。第二の方法によると、管内に存在する希ガスにＲＦ電磁界を与えることによって、管内のプラズマ（イオンおよび自由電子を含む気体）を維持する。プラズマが汚染物質をイオン化し、これがその後に、この場合はゲッタ電極として働く管の帯電壁に引きつけられる。

汚染物質が光学系区画に到達する前に、十分な汚染物質を除去するために必要なフラッシュガスのガス流強度を低下させることが、本発明の一つの態様である。

汚染物質が光学系区画に到達する前に、汚染物質を除去する効率を向上させることが、本発明の他の態様である。

光学系区画へと流れる汚染物質の量を可能な限り減少させることが、本発明のさらに他の態様である。

実施形態において、デバイス製造方法が提供される。方法は、放射線のビームにパターンを形成すること、基板区画で基板を位置決めすること、パターン形成した放射線のビームを、光学系区画および光学系区画と基板区画の間の開放接続を提供する通路とに通して、基板上に投影することを含む。方法は、投影中に、基板区画および光学系区画より通路のイオン化フラッシュガスの圧力を高い状態で維持することと、基板から発散する粒子をイオン化フラッシュガスで遮断することと、遮断した粒子を搬送するフラッシュガスを、区画の少なくとも一方に結合した基板区画の気体出口に結合したポンプを使用して、基板区画から給送することとも含む。方法はさらに、ポンプの出口および／または回転子が、通路内のイオン化フラッシュガス由来のプラスに帯電したイオンを引きつけるように、通路の壁とポンプの出口および／または回転子との間に電位差を与えることを含む。

実施形態において、パターン形成した放射線のビームをパターニングデバイスから基板上に投影するように配置構成されたリソグラフィ投影装置が提供される。リソグラフィ投影装置は、第一気体出口がある基板区画、第二気体出口がある光学系区画、光学系区画と基板区画の間に気体と放射線の開放的連絡を提供する通路、および基板区画および光学系区画より通路内でイオン化フラッシュガスの高い圧力を与えるように配置構成されたフラッシュガス供給源およびフラッシュガスイオン化装置を含む。装置は、フラッシュガスを区画の少なくとも一方から給送するために気体出口の少なくとも１つに結合されたポンプ、および通路の壁とポンプの出口および／または回転子の少なくとも一方との間に電位差を与えるように配置構成された電気回路も含む。回路は、ポンプの少なくとも１つの出口および／または回転子が、通路内の電離フラッシュガスに由来するプラスに帯電したイオンを引きつけるような極性を有する。

実施形態では、デバイス製造方法が提供される。方法は、放射線のビームにパターンを形成すること、壁付きの基板区画内でビームを基板上に投影することを含む。ビームは、壁付き光学系区画、および光学系区画と基板区画の間に開放的接続を提供する壁付き通路とを通して投影される。方法は、通路の外側でフラッシュガスをイオン化すること、イオン化したフラッシュガスを、基板区画と光学系区画の間の通路の壁にある入口から通路内に供給することを含む。

実施形態では、デバイス製造方法が提供される。方法は、放射線のビームにパターンを形成すること、複数の基板およびパターニングデバイスを、ビームの路に連続的に配置することを含む。基板またはパターニングデバイスは、支持構造上に配置される。方法は、さらに処理するために基板にパターンを与えるように、パターニングデバイスから基板上にビームを投影すること、連続する基板へのビームの投影と投影の間で、さらに処理するために使用する基板またはパターニングデバイスが支持構造上にない期間中に、支持構造を含む区画の壁の壁電位とは異なる表面電位へと支持構造に電気的に曝露した区域を帯電させることを含む。方法はさらに、その期間中に、電気的に露出した帯電区域がある支持構造を、自身に近い空間から物質を引きつける位置に位置決めすること、次の基板またはパターニングデバイスを支持構造に配置する前に、引きつけた物質を支持構造から除去することを含む。

実施形態では、パターニングデバイスから基板へとパターンを投影するように配置構成されたリソグラフィ装置装置が提供される。リソグラフィ投影装置は、パターンの投影中に基板またはパターニングデバイスを支持する支持構造を含む。支持構造は区画内にある。装置は、投影中に通常は基板またはパターニングデバイスによって占有されている領域内で支持構造上の電気的に曝露した区域の表面電位を与えるように配置構成された電位適用回路を含む。電位適用回路は、選択された期間中に、区画の壁の壁電位に対して相互に異なる表面電位を選択的に与えるように配置構成される。

実施形態では、パターン形成した放射線のビームをパターニングデバイスから基板上に投影するように配置構成されたリソグラフィ投影装置が提供される。リソグラフィ投影装置は、気体出口がある壁付き基板区画、気体出口がある壁付き光学系区画、光学系区画と基板区画の間に開放した気体および放射線の連絡を提供する壁付き通路、イオン化したフラッシュガスを供給するために出力部があるフラッシュガスイオン化装置、および光学系区画と基板区画間の通路の壁にあって、イオン化したフラッシュガスを通路内に供給するために出力部と結合されたフラッシュガス入口を含む。

次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照に、例示の方法においてのみ説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示すものとする。

図１は、本発明の１つの実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射線ビームＢ（例えばＵＶ放射線）を調整するように構成された照明システム（照明装置）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持し、かつ、特定のパラメータに従って正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一位置決め装置ＰＭに連結された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジスト塗布したウェハ）Ｗを支持し、かつ、特定のパラメータに従って正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決め装置ＰＷに連結された基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射線ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折性投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

照明システムは、放射線の誘導、成形、あるいは制御を行うために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または他のタイプの光学構成要素、またはその組み合わせなどの様々なタイプの光学構成要素を含むことができる。

支持構造は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を担持する。これは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気、または他の締め付け技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルでよく、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書において使用する「レチクル」または「マスク」なる用語は、より一般的な「パターニングデバイス」なる用途と同義と見なすことができる。

本明細書において使用する「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するように、放射線ビームの断面にパターンを与えるために使用し得るデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射線ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが移相形体またはいわゆるアシスト形体を含む場合、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応しないことがあることに留意されたい。一般的に、放射線ビームに与えられるパターンは、集積回路などの目標部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。

パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は小さなミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、異なる方向に入射の放射線ビームを反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射線ビームにパターンを与える。

本明細書において使用する「投影システム」なる用語は、例えば使用する露光放射線、または浸漬流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」なる用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」なる用語と同義と見なされる。

ここで示しているように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば反射性マスクを使用する）。

リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）あるいはそれ以上の基板テーブル（および／または２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」機械においては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。

リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するよう、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆うタイプでもよい。浸漬液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用してもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させるために使用可能である。本明細書で使用する「浸漬」なる用語は、基板などの構造を液体に浸さなければいけないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体を配置するというだけの意味である。

図１を参照すると、照明装置ＩＬは放射線ソースＳＯから放射線ビームを受け取る。ソースとリソグラフィ装置とは、例えばソースがエキシマレーザである場合に、別個の存在でよい。このような場合、ソースはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射線ビームは、例えば適切な集光ミラーおよび／またはビーム拡大器などを含むビーム送出システムＢＤの助けにより、ソースＳＯから照明装置ＩＬへと渡される。他の場合、例えばソースが水銀ランプの場合は、ソースが装置の一体部品でもよい。ソースＳＯおよび照明装置ＩＬは、必要に応じてビームとともに放射線システムと呼ぶことができる。

照明装置ＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節装置を含んでよい。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の外部および／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明装置ＩＬは、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯのような他の様々な構成要素を含む。照明装置は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有するように、放射線ビームの調整に使用することができる。

放射線ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。放射線ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量性センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えば放射線ビームＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に図示せず）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、放射線ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの運動は、第一位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。同様に、基板テーブルＷＴの運動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用の目標位置を占有するが、目標部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡに複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。

ここに表した装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が１回で目標部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に基板テーブルＷＴがＸ方向および／あるいはＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で描像される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期走査する一方、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光で目標部分の（非走査方向における）幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する間に、基板テーブルＷＴが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルＷＴを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。

上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも使用することができる。

フラッシュガスを、投影レンズＰＳと基板Ｗの間の接続部に供給して、基板から発散した汚染物質が投影レンズＰＳの光学要素に到達するのを防止する。イオン化したフラッシュガスは、（たとえ中性汚染物質粒子であっても）汚染物質を遮断するのに中性フラッシュガスよりも効果的であることが判明している。これは、分子および／または原子にも、例えば１０ナノメートル直径を超えるような比較的大きい粒子にも当てはまる。通常、イオンと（中性）原子との相互作用は、中性原子間の相互作用より１０倍強力である。その結果、小さいイオン化フラッシュガスの流れの強さで、はるかに大きい非イオン化フラッシュガスの流れの強さと同じ量の粒子を引っ張るのに十分であり、したがって同じ効果を達成するために必要な給送が少なくなる。

先行技術の教示とは対照的に、この方法は、汚染物質の帯電に頼らない。したがって、汚染物質の帯電を指向する措置は不必要であり、それによってフラッシュガスの効率的なイオン化に集中することが可能であり、したがって余分な量のフラッシュガスが必要ない。例えば、フラッシュガスは、フラッシュガスが汚染物質を遮断する領域に供給される前に、イオン化されることができる。この方法で、イオン化プロセスは、汚染物質（フラッシュガスをイオン化する場所には有意に存在しない）に影響せず、効率的なイオン化プロセスを使用することができる。別の例として、汚染物質を引きつけて、付着させるゲッタ電極の使用を回避することができ、（中性）汚染物質を含むイオン化ガスの効率的な給送が協調される。

帯電した汚染物質は、装置の様々な部分に付着する傾向を有し、ここからその後に予測不可能な時に出て、例えば処理した基板などに損傷を引き起こす。留まっている帯電汚染物質は、基板パターン形成作業を行なっていない時に除去することが好ましい。

図２は、基板Ｗと投影レンズＰＳの光学要素それぞれを収容する区画ＷＣとＰＣの間の分離部にあるリソグラフィ装置の部分の概略断面図を示す。これらの区画ＰＣ、ＷＣ間にある壁２０を、円錐形の通路の壁２１に取り付ける。通路の壁２１は、基板Ｗの露光中に投影ビームＢが投影レンズＰＳから基板Ｗへと通過する通路を形成する。通路の直径は、ビームを通すには十分なほど大きいが、それ以上は大きくないことが好ましい。通路の壁２１は、有孔区域２４を有し、これは円錐の軸線の周囲で全周に延在することが好ましい。供給室２２が、円錐の外側で通路の壁２１に取り付けられ、したがって供給室の内側が有孔区域２４の少なくとも一部と連絡する。供給室２２は、円錐の軸線の周囲で全周に延在することが好ましい。通路の壁２１の内側には電極２６を設け、これを高周波電圧源（図示せず）に電気的に接続する。

作動時に、パターン形成したビームＢで基板を照明すると、ビームＢは通路の壁２１で形成された円錐を通過する。少なくとも照明中に、フラッシュガスを供給室２２に供給する。フラッシュガスは、例えばアルゴンでよいが、他の気体を使用してもよい。フラッシュガスは、有孔区域２４の孔を通して円錐の内部空間に流入する。ポンプ（図示せず）は、気体を投影光学系区画ＰＣと基板区画ＷＣから給送する。その結果、フラッシュガスは、円錐の内部空間から投影光学系区画ＰＣおよび基板区画ＷＣへと流れる。ＲＦ電圧を電極２６に加えて、円錐の内部空間に周波数および振幅があるＲＦ電磁界を励起し、したがって円錐の内部空間でフラッシュガスをイオン化することができる。例えばアルゴンを使用した場合、典型的なＲＦ周波数は１３．５６Ｍｈｚまたは２７．１２Ｍｈｚである。

円錐の内部空間にあるイオン化したフラッシュガスは、基板Ｗから到達する粒子を効率的に遮断する。フラッシュガスイオンの衝突断面（基板Ｗから到達する粒子に対する有効目標面積）は、イオン化していないフラッシュガス分子のそれよりはるかに大きい。その結果、フラッシュガスが給送されて円錐から離れるにつれ、粒子がフラッシュガスとともに運び去られる。

図２ａは、個々の区画に結合されたポンプ６０、６２がある基板区画ＷＣおよび投影光学系区画ＰＣがあるリソグラフィ装置の部分を示す。ＤＣ電圧源６４は（点線を使用して）記号で図示される。ＤＣ電圧源６４は、通路の壁２１とポンプ６２に接続する極を有する。ポンプ６２は、電圧源に電気的に結合された導電性回転子を有することが好ましい。代替的または追加的に、導電性グリッドを回転子の前に配置することができる。導電性壁２０を区画ＷＣに設け、そこからポンプ６２が気体を給送する。１つの実施形態では、導電性壁２０を、通路の壁２１に電気的に接続し、ポンプ６２からまたはグリッドから電気的に絶縁する。この実施形態では、導電性壁２０および通路の壁２１は両方とも接地することが好ましい。

作動時には、ＤＣ電圧源６４がポンプ６２と通路の壁２１の間に電圧差を与える。ポンプ（その回転子、または回転子の前のグリッド）における電位を、通路の壁における電位に対して下げる。この方法で、通路の壁２１内にある空間からのイオン化ガスを区画から給送する効率が向上する。その理由は、通路の壁の間にあるこの空間からのイオンが、ポンプ入口からの電界に引きつけられるからであり、あるいは少なくともポンプ入口からの電界が他の領域からイオンを引きつけ、それによって通路に由来してこれらの領域に入るイオンの正味の流れが増加するからである。

ＤＣ電圧源６４は、一方のポンプ６２に接続された状態で図示されているが、代わりにＤＣ電圧源６４を他方のポンプ６０に、または両方のポンプ６０、６２に接続してよいことを理解しなければならない。両方のポンプ６０、６２を接続した場合は、追加的な給送効率を実現することができる。一方のポンプ６０、６２を接続すると、気体の大部分を、区画ＰＣ、ＷＣの一方にある１つのポンプ６０、６２に給送し、したがって他方の区画へ気体が給送されにくくすることが保障される。

イオン化したガスは通常、プラスに帯電したイオンおよび電子を含むが、後者は通常、壁に即座に吸収される。イオン化したガスはポンプ６２内で中性化され、そこから逆電流が電圧源６４を通って通路の壁へと流れ、そこで電子の大部分が吸収される。したがって、電圧源６４は、イオン化したガスの流れを含む電流ループを閉じる電流回路の一部である。通常、ポンプ６０、６２は、区画ＰＣ、ＷＣのすぐ隣に配置され、したがって回転子が区画ＰＣ、ＷＣの壁の面にほぼ隣接する。実施形態では、ポンプのハウジングが、区画ＰＣ、ＷＣの壁からの出口を形成する。あるいは、区画ＰＣ、ＷＣの壁とポンプ６０、６２のハウジングの間に、出口パイプを設けることができる。

実施形態では、通路の壁（ポンプまたはパイプのハウジングである場合）に対してマイナスの電位である回転子を有するポンプ６２の出口、および壁を回転子から電気的に絶縁し、出口は壁の電位である。別の実施形態では、通路の壁（ポンプまたはパイプのハウジングである場合）に対してマイナスの電位である回転子を有するポンプ６２の出口と壁の間の接続部を、区画の壁から電気的に絶縁する。この実施形態では、出口は通路の壁に対してマイナスの電位である。この方法で、出口が逆電流を提供する。この場合は、ポンプ６２の回転子が出口と同じ電位であることが好ましい。

さらなる実施形態では、壁２０は絶縁材料でよい。この場合、イオン化したフラッシュガスからの電荷が壁２０に蓄積することができ、したがってフラッシュガスと反発する電位になって、それによってイオン化したフラッシュガスが強制的に出口へと流れる。光学系区画および／または基板区画にある任意のオブジェクト（例えば反射鏡のレンズ、レンズ支持構造および／または冷却要素）は、通路の壁に電気的に結合して、これを回転子および／または出口（のうち通路の壁に対してマイナスの電位にある方）より高い電位にし、好ましくは通路の壁と同じ電位にするか、これらのオブジェクトがイオン化したガスを反発するか、少なくとも引きつけないように、さらにプラスの電位にする。

フラッシュガスを基板区画ＷＣから給送するポンプ６２の回転子および／または出口のみが、通路の壁に対してマイナスの電位である実施形態について説明してきたが、代替的に、両方の区画ＷＣ、ＰＣのポンプ６０、６２の回転子および／または出口を通路の壁に対してマイナスの電位に維持するように電気回路を配置構成できることを理解されたい。これは、フラッシュガスをさらに効果的に除去できるという利点を有する。これに対して、基板区画ＷＣからフラッシュガスを給送するポンプ６２の回転子および／または出口のみをマイナスの電位に維持することは、光学系区画に入る汚染物質を少なくできるという利点を有する。

電極２６は、円錐形にＡＣ電界を誘発するために、任意の適切な形状を与えることができる。例えば、電極は、円錐の中心軸の周囲にある個々のセクタに配置された一連の相互に絶縁した区間を含んでもよい。

図３は、電極２６をＲＦコイル３０（巻線を通る断面図によって概略的に示す）で置換してある代替実施形態を示す。この場合、ＲＦソース回路（図示せず）をコイル３０の端子に適用して、フラッシュガスをイオン化する電磁界を生成する。また、ＤＣ電流を設けて、コイル３０を通してＤＣ電流を提供し、帯電したフラッシュガス粒子が円錐の内部空間から流れる程度を低下させる磁界を発生させることが好ましい。イオン化したガス粒子の磁界閉じ込めが本質的に知られており、したがって当業者は適切な電磁界強度を選択することができる。さらなる実施形態では、別個のコイルを使用して、ＲＦ電磁界およびＤＣ閉じ込め磁界を生成することができる。あるいは、電極とコイルの組み合わせを使用して、ＲＦ電磁界およびＤＣ閉じ込め磁界をそれぞれ生成するか、電極とコイルの組み合わせを使用して、ＤＣ閉じ込め磁界とＲＦ電磁界をそれぞれ生成することができる。

図４は、別個のイオン化室４０を追加したさらなる実施形態を示し、そこからイオン化したガスを有孔区域２４へと供給する。この場合は、ガスをイオン化するために、円錐の内部空間に、またはその近傍に電極もコイルも必要ない。任意の既知のタイプのイオン化室を使用することができる。

図５は、イオン化室４０の例を示す。イオン化室４０は、間にＲＦ電圧差が与えられた１対の電極、またはＲＦコイルなどの従来通りのイオン化装置５０を含む。フラッシュガスが、イオン化室の入口からイオン化装置５０を介して出口５１へと流れ、したがってフラッシュガスからの分子がイオン化される。ガス流の回路５２が、出口５１からイオン化装置５０への戻しを提供する。電極５４、５６を出口、および出口に面する内面に設ける。通常、出口パイプは導電性であり、したがって全体で電極として機能する。

作動中に、出口付近の電極５４（および好ましくはイオン化室４０の外壁全体）は、接地する。接地部に対するプラスの電圧を、出口に面する内面上の電極５６に加える。したがって、イオン化室４０の内部から出口パイプへと通る電界線を有する電界が生成される。イオン化装置５０は、ガスをイオン化するために活性である。通常、プラスに帯電したイオンおよび電子が生成される。電子は、接地した壁に吸収される。ガスは、イオン化装置５０から出口へと進み、ガス流回路５２に沿ってイオン化装置５０へと戻る。出口内に延在する電界のために、出口を通って出るガス中のプラスに帯電したイオンの方が、出口を通って出る中性ガス粒子の部分より大きくなる。中性ガス粒子は、イオン化装置５０に戻る。したがって、イオン化の歩留まりの向上が実現される。

電流感知回路を、イオン化装置５０に含めるか、通路内でイオン化を実行する場合は通路の壁に取り付けて、全ての導電路を通ってイオン化空間の周囲へと流れる正味電流を測定することが好ましい。この正味電流は、この空間からの正味イオン電流に等しい。このような電流感知回路の出力信号によって、イオン電流に影響する装置の他の様々な電位を制御することができる。

本発明を特定の実施形態に関して説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に制限されないことを理解されたい。例えば、異なる区画の間に円錐形の通路が図示されているが、例えば円筒形など、他の形状を通路に使用してよいことが理解される。使用する場合、基板付近で投影ビームＢが収束する形状にほぼ一致する円錐形を使用することが好ましく、したがってビームＢが通過しない通路の空間の部分がほぼ最小なるが、ビームＢが通路の壁２１または通路内の電極またはコイル構造に衝突しないように、十分な空間が使用される。これは、必要なガス流を減少できるという利点を有する。通路の特定のサイズは、ビームＢのサイズに適応させることができる。さらに、区画の壁がその厚さ全体にわたって導電性である実施形態を説明してきたが、代替的に、例えば基板区画および／または光学系区画に面する壁の表面の導電性コーティングなど、厚さの一部のみが導電性の場合でもよいことを理解されたい。

さらに、（Ｅ）ＵＶビームを用い、そして反射性光学要素を備えるリソグラフィ装置について、本発明を説明してきたが、本発明は、屈折性光学要素を備える装置または他の波長を用いた場合での汚染物質除去にも適用してよいことが理解される。しかし、高いビーム強度を（Ｅ）ＵＶ波長における汚染からの保護と組み合わせるのは困難であるので、本発明を（Ｅ）ＵＶ機器に使用することに特定の利点がある。

さらに、フラッシュガスを通路内に導入するために、通路壁２１の円全体に沿って孔を使用することを説明してきたが、通路壁２１の比較的大きい開口、または円錐の軸を囲む全周に沿って配置構成されていない開口など、他の手段を通してガスを供給できることを理解されたい。さらなる実施形態では、ガスは区画ＰＣ、ＷＣの一方から通路に供給することも可能である。しかし、ガスが通路を通って流れて、区画ＰＣ、ＷＣのいずれにも到達する場所から、通路に直接供給することは、最少のガス流で最大量のガスを通路内に提供できるという利点を有する。

イオン化したフラッシュガスの使用のような措置は、光学系区画への汚染物質の流れを減少させる働きをするが、汚染物質の問題を完全には防止しない。例えば、多少の汚染物質が最初は基板区画ＷＣ内に留まり、その後に光学系区画ＰＣに到達するか、その後に処理される基板に影響を及ぼすことがある。したがって、基板区画ＷＣ内に留まる汚染物質のレベルを低下する措置を執ることが好ましい。１つの措置は、通常の処理中に基板を配置する基板テーブルＷＴの位置で、その基板テーブルＷＴの電気的に曝露した区域を一時的に帯電させることを含む。次に、帯電した曝露区域を使用して、汚染物質粒子を捕捉する。通常、汚染物質の大部分を形成するプラスに帯電した粒子を引きつけるために、マイナスの電荷を使用する。

第一の実施形態では、このために連続する基板の処理の中断中に、導電性オブジェクトを基板テーブルＷＴに配置し、帯電させて、汚染物質を引きつける。

図６は基板テーブルの一部分８０の側面図を示す。この一部分８０には、電極８２ａ、８２ｂの対が設けられ、導電性オブジェクト８４がテーブルの頂部に配置され、該導電性オブジェクト８４は絶縁層８６（絶縁層８６は厚さを誇張して図示されている）によって電極対８２ａ、８２ｂから分離されている。オブジェクト８４に接触した状態の帯電電極８８が図示されている。図７は、幾つかの位置に電極８２ａ、８２ｂの対を含む基板テーブルの一部分８０の上面図を示す。

先行技術では、通常の処理中に電極８２ａ、８２ｂの対を使用して、基板を基板テーブルに引きつけることが知られている。先行技術では、２つの電極８２ａ、８２ｂにそれぞれ反対の電位を加える。例えば、各対の第一電極８２ａにプラスの電位を、各対の第二電極８２ｂに、等しい値であるが反対の値のマイナスの電位を加える。この方法で、電極８２ａ、８２ｂ間に電界を生成することができる。この電界は、基板の局所的な電気的分極を引き起こし、プラスの電荷がマイナスの電位の電極８２ｂに集まり、マイナスの電荷がプラスの電位の電極８２ａに集まり。したがって、基板と電極８２ａ、８２ｂの対の間に引力を実現することができる。集まった電荷は、電極８２ａ、８２ｂ間の区域の外側にある電界を打ち消す。

作動時には、本発明の１つの態様によると、通常の処理の中断中、例えば様々な形態の保守を実行する日常の中断中に、導電性オブジェクト８４を基板テーブルに載せる。このオブジェクト８４は通常、普通の基板とほぼ同じ直径を有し、したがって基板テーブルの頂部の大半を覆う。正味電荷をオブジェクト内に誘発する。

１つの実施形態では、少なくとも最初はオブジェクト８４と電気的に接触した帯電電極８８を配置し、帯電電極８８と少なくとも１対の電極８２ａ、８２ｂの共通モード電位との間に電位差を加えることによって、正味電荷を誘発する。通常、対の両方の電極８２ａ、８２ｂに同じ電位を加える。オブジェクト８４に加える電位は、基板区画ＷＣの壁に加える接地電位とは異なることが好ましい。その結果、オブジェクト８４に正味電荷が生じる。この正味電荷は、帯電電極８８を通してオブジェクト８４に引き込まれる。その後、帯電電極８８とオブジェクト８４との電気的接触が中断しても、電荷が、導電性オブジェクト８４の電位を、基板区画の壁の電位とは異なる値に維持する。電位差の結果、オブジェクト８４から壁への電界が生じる。この電界は、帯電した汚染物質粒子を基板区画ＷＣから、および場合によっては光学系区画ＰＣからもオブジェクト８４へと引っ張る。

帯電した状態の間に、基板テーブルＷＴは基板区画ＷＣ内で移動し、様々な位置から汚染物質粒子を引きつける。移動する前に、帯電電極８８とオブジェクト８４との接触を解除して、機械的問題を回避することが好ましい。基板テーブルＷＴは少なくとも、通常の作業中に基板テーブルＷＴ上の基板がパターン形成したビームＢによって照明される位置へと移動することが好ましい。しかし、基板テーブルＷＴは、通常の作業中に基板テーブルが通常は移動しない他の位置へも移動することが好ましい。これは、汚染物質粒子が引きつけられる可能性を向上させる。

オブジェクト８４を使用して粒子を引きつけた後、このオブジェクト８４は、基板区画ＷＣを汚染するという重大な危険を冒さずに、引きつけた汚染物質粒子をオブジェクト８４から除去できる位置へと移動することが好ましい。オブジェクト８４は、例えば通常は基板の取り出しおよび／または追加に使用するアクセス口などを通して、基板区画ＷＣから取り出すことができる。オブジェクト８４は、例えばオブジェクトと接地との間の電気的接続を与えることによって、基板区画ＷＣから取り出してある場合のみ放電することが好ましい。

特定の帯電方法について説明してきたが、他の帯電方法も使用してよいことを理解されたい。例えば、放射線のビームで基板を照明すると、光電効果のせいで電荷が蓄積することが分かっている。この電荷は、基板が光電効果と一致する特定の電位を生じるまで蓄積する。通常の基板処理中に、これは望ましくない効果と見なされ、したがってこの電荷を除去するために、通常は措置を執る。クリーニングのためにプラスの電荷が必要である場合、この電位は、好ましくは（基板から集積回路を獲得するためではなく）クリーニングのために使用する基板を基板テーブル上に設けてある間に、基本的に制約されずに、ほぼ最大値まで増大することができる。この実施形態では、集積回路を得るための通常の基板の処理中に、このような電位の増大を防止する措置を執る。この場合、帯電速度、および到達できる基板区画ＷＣの壁に対する電位は、光電効果によって決定されることが分かる。この速度は極めて高いが、電位は接地に対して約８０〜９０ボルトに制限される。オブジェクト８４の他の帯電方法を使用することによって、より高い速度および／または高い電位に到達することができる。

別の例として、基板区画ＷＣの壁の（接地）電位に対して共通モードの電位を、１対の電極８２ａ、８２ｂに加えることができる。

図８は、差動電圧源９６ａ、９６ｂおよび共通モード電圧源９２を含む、電極８２ａ、８２ｂに電位を加える回路の例を示す。差動電圧源９６ａ、９６ｂはそれぞれ、個々の電極８２ａ、８２ｂを共通ノード９４に結合する。共通モード電圧源９２は、共通ノード９４を接地９０に結合する。通常の作業では、パターンの投影中に共通モード電圧源９２がほぼゼロの電圧を提供し、差動電圧源９６ａ、９６ｂが相互の反対の極性で等しいサイズの電圧を電極８２ａ、８２ｂに提供する。クリーニング中に、共通モード電圧源９２は非ゼロ電圧を発生し、差動電圧源はゼロ電圧を発生して、したがって同じ電圧が電極８２ａ、８２ｂに提供される。

この場合、導電性オブジェクト８４は容量性分圧器の中央電極として作用し、等しいが反対の電荷が、電極８２ａ、８２ｂに面するオブジェクト８４の表面、および基板区画ＷＣの壁それぞれに誘導される。その結果、オブジェクト８４の電位は、電極８２ａ、８２ｂの共通モード電位の変化にほぼ従う。というのは、電極８２ａ、８２ｂからオブジェクト８４までの距離が小さいので、電極８２ａ、８２ｂからオブジェクト８４へのキャパシタンスが、オブジェクト８４から基板区画ＷＣへのキャパシタンスより非常に大きいからである。電極対８２ａ、８２ｂの共通モード電位は、オブジェクト８４が、基板区画ＷＣの壁の電位に対する必要な電位差を有するほど変化することが好ましい。通常の使用時には、基板テーブルＷＴ上に集積回路を得るための基板がある場合、電極８２ａ、８２ｂの共通モード電圧は、壁の電位と等しいレベル、または基板が基板区画ＷＣの壁の電位と等しい電位になるようなレベルに維持されることが好ましい。汚染物質の収集中に、この典型的状態からの偏差が生成されることがある。

帯電を実現する別の例として、絶縁層８６を通る漏れ電流を使用して、電極８２ａ、８２ｂの一方からオブジェクト８４に帯電することができる。この場合、オブジェクト８４は、正味電荷がオブジェクト８４へと漏れることができるほど十分な継続時間にわたって、基板テーブルＷＴ上に維持することが好ましい。通常、反対の電極８２ａ、８２ｂから等しい電流が漏れる場合は正味電荷が蓄積しないが、非対称を生成することによって、正味電荷の蓄積を実現することができる。例えば、整流効果を有し、一方の極性の漏れ電流が反対極性の電流より多い、オブジェクト８４のオブジェクト材料、絶縁層８６および電極８２ａ、８２ｂの組み合わせを使用することができる。別の例として、個々の電極で、絶縁層８６を通して異なる電界強度が生成されるように、相互に異なるサイズの電極８２ａ、８２ｂを帯電中に使用することができる。基板テーブルの専用帯電電極（図示せず）を設けて、このような非対称を生成し、オブジェクト８４の帯電に使用することができる。

フラッシュガスを一時的に除去した場合に生じる問題を軽減するために、基板テーブルＷＴの帯電表面を使用する通常の処理を中断中に汚染物質粒子を捕捉する方法を、イオン化したフラッシュガスを使用する方法と組み合わせることが好ましいが、フラッシュガスを使用するか否か、またはこのフラッシュガスをイオン化するか否かに関係なく、他の状況でも基板テーブルＷＴ上の帯電表面を用いることができる。

特に電荷を引きつけるために完全導電性のオブジェクト８４を使用することについて説明してきたが、他の解決法も可能であることを理解されたい。通常の作業時間内にオブジェクト８４上全面に電荷が分布できるように、導電性は十分に高いだけでよい。例えば、正常の生産中に使用する同じタイプの半導体ウェハのように、半導体基板を使用してもよいが、これは、集積回路を生産するために、通常の半導体基板が実行されるようなさらなる処理ステップを実行されない。別の実施形態では、基板テーブルの頂部部分８０を高い電位まで帯電する場合は、導電性オブジェクト８４を全て省略することさえできる。しかし、これは、新しい基板を配置する前に絶縁層８６の頂部を好ましくはクリーニングしなければならないという欠点を有する。さらなる実施形態では、クリーニング中に、絶縁層８６の頂部に一時的な絶縁汚染物質捕捉層を配置してもよい。この一時的な捕捉層は、汚染物質粒子を捕捉するために基板室内で基板テーブルが移動したら、除去することができる。

「曝露区域」という用語は、電界線が、テーブルの支持表面に対してほぼ直角に開始する壁に向かって外側へと進む元となる基板テーブル８０上の任意のオブジェクトの部分、または基板テーブル８０の部分を指すことを理解されたい。したがって、曝露区域は、電気的意味でテーブル８０の頂部にある。この意味で、「曝露区域」という用語は、物理的に頂部の表面を含むが、電気的曝露区域と基板区画の空間との間に電気的絶縁層の存在を排除しない。

さらに、帯電区域が基板テーブル８０の頂部表面（通常はオブジェクト８４の表面）全体に延在し、同じ極性の電荷（好ましくはマイナスの電荷）で帯電することが好ましいが、他の実施形態では、例えば表面の一部のみに延在する区域を帯電してもよいことを理解されたい。オブジェクト８４は、表面の一部でしか導電性でないからである。例えば、表面の曝露区域として、導電性グリッドを使用してよい。同じ極性の電荷で帯電した表面の部分が、表面の両端までほぼ延在することが好ましい。これは、捕捉される汚染物質の量を増加させる。別の実施形態では、曝露区域の別の部分を、反対極性の電荷で帯電することができる。これは、曝露区域から離れた電界が、極性が一つだけの正味電荷を使用した場合よりも下がるという欠点を有するが、互いに反対に帯電した２つの部分が、十分に離れている（例えば頂部表面上に２つの半円形区画を形成する）と、いかなる場合も、何らかの有用な電界強度が生成される。

レチクルＭＡの周囲のクリーニングにも、同様の技術を適用することができる。この場合、レチクルテーブルＭＴの頂部の曝露区域を帯電し、好ましくは移動させる。しかし、通常は基板テーブルの帯電した曝露表面をさらに頻繁に使用することが望ましい。通常は、レチクルの近傍より基板Ｗの方からより多くの汚染物質が生じるからである。

本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途の状況においては、本文にて使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）または計測または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。

以上では光学リソグラフィの状況における本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに制限されないことが分かる。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの構造が、基板上に生成されるパターンを決定する。パターニングデバイスの構造を、基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射線、熱、圧力またはその組み合わせを適用して、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。

本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）および超紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。

「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学構成要素を含む様々なタイプの光学構成要素のいずれか、またはその組み合わせを指す。

以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を記述する機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または自身内にこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。

上記の説明は例示的であり、制限的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示したものである。 基板および光学系を収容する区画の間にある境界でリソグラフィ装置の断面図を示したものであり、境界は、フラッシュガスをイオン化するのに適切な電極を含む。 基板区画および投影光学系区画を、個々の区画に結合したポンプとともに示したものである。 フラッシュガスをイオン化するためにＲＦコイルによって発生した電磁界を使用する、図１に示した実施形態の代替装置を示したものである。 フラッシュガスをイオン化するためにイオン化室を使用する、本発明の実施形態を示したものである。 イオン化室の実施形態を示したものである。 電極の対を設けた基板テーブルの側面図を示したものである。 図６の基板テーブルの一部の上面図を示したものである。 電極の対に電位差を与える電気回路の実施形態を示したものである。

符号の説明

Ｂ 放射線のビーム
Ｗ 基板
ＷＣ 基板区画
ＷＴ 基板テーブル
ＰＣ 光学系区画
２１ 通路の壁
４０ イオン化室
５０ イオン化装置
５２ ガス流回路
５４ 電磁界発生器
６０，６２ ポンプ

Claims (4)

1. デバイス製造方法であって、
   放射線のビームにパターンを与えること、
   基板区画で基板を位置決めすること、
   パターン形成した放射線のビームを、光学系区画および、光学系区画と基板区画の間の開放接続を提供する通路とに通して、基板上に投影すること、
   通路の外側でフラッシュガスをイオン化すること、
   基板区画と光学系区画の間の通路の壁にある入口から通路内にイオン化したフラッシュガスを供給すること、
   前記投影中に、基板区画および光学系区画より通路のイオン化フラッシュガスの圧力を高い状態で維持すること、
   基板から発散する粒子をイオン化フラッシュガスで遮断すること、
   遮断した粒子を搬送するイオン化フラッシュガスを、基板区画の気体出口に結合したポンプを使用して、基板区画を通して前記気体出口まで給送すること、
   ポンプの出口および／または回転子が、通路内のイオン化フラッシュガス由来のプラスに帯電したイオンを引きつけるように、通路の壁とポンプの出口および／または回転子との間に電位差を与えることを含み、
   光学系区画および／または基板区画の壁の電位を、ポンプの出口および／または回転子より高い電位レベルで維持し、
   前記通路が、前記光学系区画より前記基板区画へ向かって縮径された円錐形をなし、
   前記通路の内壁に設けられ、ＲＦ電磁界及びＤＣ閉じ込め磁界を生成する、電極及びコイルをさらに有し、
   フラッシュガスが、通路内で生成された前記磁界を使用してイオン化される
   ことを特徴とする、デバイス製造方法。
2. さらに、基板区画内の基板テーブルに複数の基板を連続的に配置すること、及び、各基板が基板区画の基板テーブル上にそれぞれある場合に、基板をさらに処理するために基板にパターンを与えるように、パターン形成したビームを基板に投影することを含み、
   連続する前記基板の処理の中断中において、
   前記基板テーブル上に導電性のオブジェクトを配置することと、
   前記導電性のオブジェクトを、前記基板区画の壁の壁電位とは異なる電位に帯電することと、
   前記帯電された導電性のオブジェクトを有する前記基板テーブルを、前記基板区画内で移動させて汚染物質を引きつけることと、
   前記引きつけた汚染物質を基板テーブルから除去することとを含む、請求項１に記載のデバイス製造方法。
3. パターン形成した放射線のビームをパターニングデバイスから基板上に投影するように配置構成されたリソグラフィ投影装置であって、
   第一気体出口がある基板区画と、
   第二気体出口がある光学系区画と、
   光学系区画と基板区画の間に気体と放射線の開放的連絡を提供する通路と、
   フラッシュガスを供給するフラッシュガス供給源と、
   通路の外側に配置され、フラッシュガスをイオン化するイオン化室と、
   光学系区画と基板区画間の通路の壁にあって、イオン化したフラッシュガスを通路内に供給するためのイオン化フラッシュガス供給入口と、
   イオン化フラッシュガスを前記基板区画を通して給送するために前記第一気体出口に結合されたポンプと、
   通路の壁とポンプの出口および／または回転子の少なくとも一方との間に電位差を与えるように配置構成された電気回路とを有し、
   前記回路が、ポンプの少なくとも１つの出口および／または回転子が通路内の電離フラッシュガスに由来するプラスに帯電したイオンを引きつけるような極性を有するものであり、
   光学系区画および／または基板区画の壁が、その表面で導電性であり、電気回路に電気的に結合して、光学系区画の壁および／または基板区画の壁を、ポンプの出口および／または回転子の電位より高く維持し、光学系区画の壁および基板区画の壁を、通路の壁、および通路の壁の間の電位差に維持されたポンプの出口および／または回転子から電気的に絶縁し、
   前記通路が、前記光学系区画より前記基板区画へ向かって縮径された円錐形をなし、
   前記通路の内壁に設けられ、ＲＦ電磁界及びＤＣ閉じ込め磁界を生成する、電極及びコイルをさらに有し、
   フラッシュガスが、通路内で生成された前記磁界を使用してイオン化される
   ことを特徴とする、リソグラフィ投影装置。
4. イオン化室が、入口と結合した分岐があるガス流回路、回路を通って流れるフラッシュガスをイオン化するためにガス流回路の一部と結合した電磁界発生器、および分岐の壁とガス流回路の壁の間に、イオン化したガスをガス流回路から分岐内に引きつける極性を有する電位差を与えるために、分岐の壁とガス流回路の壁の間に結合した第二電気回路を有する、請求項３に記載のリソグラフィ投影装置。

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