JPH0414000A - 放射線装置 - Google Patents
放射線装置Info
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置等の製造に用いられるリソグラフィ技術、光
反応技術、分析技術や医療関係等における放射線装置に
関し、 広範囲の波長帯のＸ線放射光を低減衰で効率よく取出す
ことを目的とし、 電子蓄積リングよりの放射光か、真空のビームダクトの
反射ミラーで反射し、先端に設けられた光取出し窓から
取出されて試料に照射される放射線装置において、前記
光取出し窓を、薄膜の所定部材で形成し、該薄膜光取出
し窓と前記試料の中間に、固定翼と回転翼のそれぞれの
間隙からタービン透過光を取出して該試料に照射する多
段軸流タービンを設けるように構成する。
反応技術、分析技術や医療関係等における放射線装置に
関し、 広範囲の波長帯のＸ線放射光を低減衰で効率よく取出す
ことを目的とし、 電子蓄積リングよりの放射光か、真空のビームダクトの
反射ミラーで反射し、先端に設けられた光取出し窓から
取出されて試料に照射される放射線装置において、前記
光取出し窓を、薄膜の所定部材で形成し、該薄膜光取出
し窓と前記試料の中間に、固定翼と回転翼のそれぞれの
間隙からタービン透過光を取出して該試料に照射する多
段軸流タービンを設けるように構成する。
本発明は、半導体装置等の製造に用いられるリソグラフ
ィ技術、光反応技術、分析技術や医療関係等における放
射線装置に関する。
ィ技術、光反応技術、分析技術や医療関係等における放
射線装置に関する。
近年、半導体装置の高集積化、高密度化に伴い、リソグ
ラフィ工程で扱うパターンが微細化してきており、Ｘ線
露光によるパターン転写技術が注目されている。このう
ち、輝度、強度、平行度の高いシンクロトロンによるＸ
線露光技術では大気圧条件で効率よく光を取出すことが
要求されている。
ラフィ工程で扱うパターンが微細化してきており、Ｘ線
露光によるパターン転写技術が注目されている。このう
ち、輝度、強度、平行度の高いシンクロトロンによるＸ
線露光技術では大気圧条件で効率よく光を取出すことが
要求されている。
このため、放射線光取出し窓による光強度の減衰を抑え
る必要がある。
る必要がある。
第４図に、従来の放射線装置の構成図を示す。
第４図において、放射線装置５０は、電子蓄積リング５
１より出力する放射光５２がビームダクト５３を経由し
て試料５４に達する。
１より出力する放射光５２がビームダクト５３を経由し
て試料５４に達する。
ビームダクト５３では、放射光５２はゲートバルブ５４
を介して反射ミラー５５．５６で反射し、ゲートバルブ
５７を通る。ゲートバルブ５７を通った反射光は光取出
し窓５８よりヘリウムチャンバ５９内に入り、チャンバ
窓６０より試料５４に達する。ここで、６１．６２は真
空排気ダクトであり、６３．６４はヘリウムガスパイプ
である。
を介して反射ミラー５５．５６で反射し、ゲートバルブ
５７を通る。ゲートバルブ５７を通った反射光は光取出
し窓５８よりヘリウムチャンバ５９内に入り、チャンバ
窓６０より試料５４に達する。ここで、６１．６２は真
空排気ダクトであり、６３．６４はヘリウムガスパイプ
である。
このような放射線装置５０においては、光速に近い速度
で運動する電子蓄積リング５１の内部は、少なくとも１
０−” Ｔｏｒｒ位の高真空状態を保っていることが要
求され、放射光５２が達する試料５４は大気圧若しくは
低真空度雰囲気中である。
で運動する電子蓄積リング５１の内部は、少なくとも１
０−” Ｔｏｒｒ位の高真空状態を保っていることが要
求され、放射光５２が達する試料５４は大気圧若しくは
低真空度雰囲気中である。
したがって、その間を接続するビームダクト５３は単に
放射光５２を通すだけで無く、低真空側から高真空側へ
のガスの移動を抑制する作用を備えていることが要求さ
れる。従って、光取出し窓５８を、光透過率が高く、機
械的強度に優れたベリリウム（Ｂ ｅ）板を所定の厚み
で形成して、ビームダクト５３を封止している。
放射光５２を通すだけで無く、低真空側から高真空側へ
のガスの移動を抑制する作用を備えていることが要求さ
れる。従って、光取出し窓５８を、光透過率が高く、機
械的強度に優れたベリリウム（Ｂ ｅ）板を所定の厚み
で形成して、ビームダクト５３を封止している。
すなわち、高真空下で発生させた放射光（Ｘ線源）５２
は、ヘリウムで隔壁を兼用した光取出し窓５８を透過し
て大気圧（又は低気圧）下に取り出され、試料５４に照
射される。このような状態で使用できるＸ線の波長帯は
１０Å以下である。
は、ヘリウムで隔壁を兼用した光取出し窓５８を透過し
て大気圧（又は低気圧）下に取り出され、試料５４に照
射される。このような状態で使用できるＸ線の波長帯は
１０Å以下である。
すなわち、光取出し窓５８からの透過光は、その波長帯
及び強度が該光取出し窓５８の厚みに影響を受ける。
及び強度が該光取出し窓５８の厚みに影響を受ける。
しかし、光取出し窓５８をヘリウム（Ｂ ｅ）で形成し
た場合、その厚さが２０〜５ｏ１．ｔｍが限界であり、
窓による光強度の減衰が大きく、また広面積の光領域が
得られない。特に、長波長帯領域のＸ線において、その
度合が大きいという問題がある。
た場合、その厚さが２０〜５ｏ１．ｔｍが限界であり、
窓による光強度の減衰が大きく、また広面積の光領域が
得られない。特に、長波長帯領域のＸ線において、その
度合が大きいという問題がある。
そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、広範
囲の波長帯のＸ線放射光を低減衰で効率よく取出す放射
線装置を提供することを目的とする。
囲の波長帯のＸ線放射光を低減衰で効率よく取出す放射
線装置を提供することを目的とする。
第１図に本発明の原理説明図を示す。第１図における放
射線装置１において、電子蓄積リング２よりの放射光３
がビームダクト４内の回動可能な２枚の反射ミラー５，
６で反射し、先端に設けられた所定部材の薄膜光取出し
窓７を透過して試料８に照射される。この場合、薄膜光
取出し窓７と試料８との中間に多段軸流タービン９が設
けられ、固定翼と回転翼のそれぞれの間隙からタービン
透過光ｌＯを取出して試料６に照射する。
射線装置１において、電子蓄積リング２よりの放射光３
がビームダクト４内の回動可能な２枚の反射ミラー５，
６で反射し、先端に設けられた所定部材の薄膜光取出し
窓７を透過して試料８に照射される。この場合、薄膜光
取出し窓７と試料８との中間に多段軸流タービン９が設
けられ、固定翼と回転翼のそれぞれの間隙からタービン
透過光ｌＯを取出して試料６に照射する。
また、試料８は試料室１１内に配置されており、薄膜光
取出し窓７と多段軸流タービン９との間よりヘリウムガ
スＨｅを送入する。
取出し窓７と多段軸流タービン９との間よりヘリウムガ
スＨｅを送入する。
さらに、反射ミラー５，６は、長波長の放射光を反射さ
せるための反射部材で形成され、回動可能に設けられる
。
せるための反射部材で形成され、回動可能に設けられる
。
〔作用〕
第１図に示すように、多段軸流タービン９により、真空
のビームダクト４内の圧力と該多段軸流タービン９の入
力側の圧力との差も小さくなり、光取出し窓を薄膜に形
成することが可能となると共に、その面積を大きくする
ことか可能となる。
のビームダクト４内の圧力と該多段軸流タービン９の入
力側の圧力との差も小さくなり、光取出し窓を薄膜に形
成することが可能となると共に、その面積を大きくする
ことか可能となる。
この場合、薄膜光取出し窓７を高圧力条件下に配置する
ことも可能となる。すなわち、広範囲な放射線の波長帯
が低減衰で効率よく得ることが可能である。
ことも可能となる。すなわち、広範囲な放射線の波長帯
が低減衰で効率よく得ることが可能である。
また、薄膜光取出し窓７と多段軸流タービン９との間よ
りヘリウムガスを送入している。これにより、薄膜光取
出し窓７の保護ガスとして腐食を防止すると共に、試料
室１１内の低減衰環境ガスとなることから少量供給か可
能となる。
りヘリウムガスを送入している。これにより、薄膜光取
出し窓７の保護ガスとして腐食を防止すると共に、試料
室１１内の低減衰環境ガスとなることから少量供給か可
能となる。
さらに、光取出し窓７が薄膜であるために、長波長帯領
域の放射線を透過させることが可能となることから、２
枚の反射ミラー５，６は長波長の放射光を反射させる反
射部材で形成される。これにより、長波長帯領域の放射
線が薄膜光取出し窓７を透過し、広範囲のピーク波長が
得られる。
域の放射線を透過させることが可能となることから、２
枚の反射ミラー５，６は長波長の放射光を反射させる反
射部材で形成される。これにより、長波長帯領域の放射
線が薄膜光取出し窓７を透過し、広範囲のピーク波長が
得られる。
第２図に本発明の一実施例の構成図を示す。第２図にお
ける放射線装置１は、電子蓄積リング２より発生された
放射光３から低減衰の放射光（タービン透過光）１０を
大気圧下又は低気圧下に取出すものである。放射光３は
ビームダクト４内の２枚の反射ミラー５，６により反射
され、ビームダクト４の先端に設けられた例えばベリリ
ウム（Ｂｅ）で形成された薄膜光取出し窓７を透過する
。反射ミラー５，６の両側にはゲートバルブ１２．１３
が設けられ、高真空状態を維持又は遮断する。そして、
ゲートバルブ１３の両側に真空排気ダク１１４．１５か
形成されて、圧力状態が調節される。
ける放射線装置１は、電子蓄積リング２より発生された
放射光３から低減衰の放射光（タービン透過光）１０を
大気圧下又は低気圧下に取出すものである。放射光３は
ビームダクト４内の２枚の反射ミラー５，６により反射
され、ビームダクト４の先端に設けられた例えばベリリ
ウム（Ｂｅ）で形成された薄膜光取出し窓７を透過する
。反射ミラー５，６の両側にはゲートバルブ１２．１３
が設けられ、高真空状態を維持又は遮断する。そして、
ゲートバルブ１３の両側に真空排気ダク１１４．１５か
形成されて、圧力状態が調節される。
ここで、反射ミラー５，６は反射部材、例えば石英や５
ｊＣ（炭化シリコン）で形成され、必要に応じてＰｔ（
白金）、Ｂｅ等がコーティングされる。また、反射ミラ
ー５，６は回動可能に設けられ、これにより放射光の入
射角を１００ ｍ ｒａｄまで設定可能となり、所望の
長波長帯領域のＸ線を反射させることができる。
ｊＣ（炭化シリコン）で形成され、必要に応じてＰｔ（
白金）、Ｂｅ等がコーティングされる。また、反射ミラ
ー５，６は回動可能に設けられ、これにより放射光の入
射角を１００ ｍ ｒａｄまで設定可能となり、所望の
長波長帯領域のＸ線を反射させることができる。
次に、薄膜光取出し窓７を透過した放射光３はへリウム
チャンバ１６を通り、ゲートバルブ１７を介して多段軸
流タービン９を通過する。薄膜光取出し窓７と多段軸流
タービン９の中のへリウムチャンバ１６にはヘリウムガ
ス（Ｈｅ）が送入される。そして、ヘリウムチャンバ１
６とビームダクト４の端部にはリーク用バルブ１８を介
在させてバイパスパイプ１９が設けられる。ヘリウムガ
スは圧力１００〜５０Ｔｏｒｒ以下に調整されなからへ
リウムチャンバ１６に供給され、真空排気時にリーク用
バルブ１８により薄膜光取出し窓７にかかる圧力を小さ
くして破損を防止している。また、ヘリウムチャンバ１
６に供給されるヘリウムガスは、薄膜光取出し窓７の冷
却及び腐食を防止すると共に、後述する多段軸流タービ
ン９で引かれて試料室１１の低減衰環境ガスとして使用
される。
チャンバ１６を通り、ゲートバルブ１７を介して多段軸
流タービン９を通過する。薄膜光取出し窓７と多段軸流
タービン９の中のへリウムチャンバ１６にはヘリウムガ
ス（Ｈｅ）が送入される。そして、ヘリウムチャンバ１
６とビームダクト４の端部にはリーク用バルブ１８を介
在させてバイパスパイプ１９が設けられる。ヘリウムガ
スは圧力１００〜５０Ｔｏｒｒ以下に調整されなからへ
リウムチャンバ１６に供給され、真空排気時にリーク用
バルブ１８により薄膜光取出し窓７にかかる圧力を小さ
くして破損を防止している。また、ヘリウムチャンバ１
６に供給されるヘリウムガスは、薄膜光取出し窓７の冷
却及び腐食を防止すると共に、後述する多段軸流タービ
ン９で引かれて試料室１１の低減衰環境ガスとして使用
される。
これにより、高圧力条件下に試料１ｏを置くことができ
、環境ガスの供給量か少量でよい。
、環境ガスの供給量か少量でよい。
そして、薄膜光取出し窓７を透過した放射光は多段軸流
タービン９を通り、タービン透過光１０が試料室ＩＩ内
の試料８を照射する。ここで、多段軸流タービン９は、
第３図に示すように、固定翼９ａと回転翼９ｂて構成さ
れ、固定翼９ａには光透過孔が形成される。そして、こ
の光透過孔と回転翼９ｂの間隙が直線状に並んだときに
タービン透過光１０が得られる。そして、この多段軸流
タービン９の回転翼９ｂの回転等がタービン制御装置２
０により、負荷電流等によって制御される。
タービン９を通り、タービン透過光１０が試料室ＩＩ内
の試料８を照射する。ここで、多段軸流タービン９は、
第３図に示すように、固定翼９ａと回転翼９ｂて構成さ
れ、固定翼９ａには光透過孔が形成される。そして、こ
の光透過孔と回転翼９ｂの間隙が直線状に並んだときに
タービン透過光１０が得られる。そして、この多段軸流
タービン９の回転翼９ｂの回転等がタービン制御装置２
０により、負荷電流等によって制御される。
なお、試料室１１には、試料８をロード、アンロードす
る試料ローダ２１か設けられる。
る試料ローダ２１か設けられる。
このように、薄膜光取出し窓７に加わる圧力は非常に小
さくなり、大面積、超薄膜とすることかてきる。このこ
とは、試料８の照射に必要な波長の減衰を小さくするこ
とができることを意味する。
さくなり、大面積、超薄膜とすることかてきる。このこ
とは、試料８の照射に必要な波長の減衰を小さくするこ
とができることを意味する。
すなわち、短波長の放射光は平行ミラー５，６でカット
され、長波長の放射光は長波長はと当該薄膜光取出し窓
７によりカットされ、結局２０入までのピーク波長が得
られる。
され、長波長の放射光は長波長はと当該薄膜光取出し窓
７によりカットされ、結局２０入までのピーク波長が得
られる。
また、本発明によれば、大気圧下における光取出し強度
が高く、そのピーク波長を長くすることができる。例え
ば、第４図における従来の放射線装置５０では、１０人
までのピーク波長で、その強度も低いのに対し、本発明
では、２０人までのピーク波長が得られ、その強度も高
いものが得られる。
が高く、そのピーク波長を長くすることができる。例え
ば、第４図における従来の放射線装置５０では、１０人
までのピーク波長で、その強度も低いのに対し、本発明
では、２０人までのピーク波長が得られ、その強度も高
いものが得られる。
以上のように本発明によれば、光取出し窓と試料の中間
に多段軸流タービンを設けることにより、光取出し窓を
大面積の薄膜で形成することができ、これにより広範囲
な放射線の波長帯が低減衰で効率よく得ることができる
。また、多段軸流タービンの前段よりヘリウムガスを送
入することにより、薄膜光取出し窓の腐食を防止するこ
とかできると共に、小量の供給で試料室内の′低減衰環
境ガスとして使用することができる。さらに、反射ミラ
ーを長波長帯領域を反射させる反射材で形成することに
より、放射光の入射角を広範囲にすることかできる。
に多段軸流タービンを設けることにより、光取出し窓を
大面積の薄膜で形成することができ、これにより広範囲
な放射線の波長帯が低減衰で効率よく得ることができる
。また、多段軸流タービンの前段よりヘリウムガスを送
入することにより、薄膜光取出し窓の腐食を防止するこ
とかできると共に、小量の供給で試料室内の′低減衰環
境ガスとして使用することができる。さらに、反射ミラ
ーを長波長帯領域を反射させる反射材で形成することに
より、放射光の入射角を広範囲にすることかできる。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の一実施例の構成図、
第３図は本発明に使用される多段軸流タービンの概念図
、 第４図は従来の放射線装置の構成図である。 図において、 １は放射線装置、 ２は電子蓄積リング、 ３は放射光、 ４はビームダクト、 ５．６は反射ミラー ７は薄膜光取出し窓、 ８は試料、 ９は多段軸流タービン、 １０はタービン透過光、 １１は試料室 を示す。
、 第４図は従来の放射線装置の構成図である。 図において、 １は放射線装置、 ２は電子蓄積リング、 ３は放射光、 ４はビームダクト、 ５．６は反射ミラー ７は薄膜光取出し窓、 ８は試料、 ９は多段軸流タービン、 １０はタービン透過光、 １１は試料室 を示す。
Claims (3)
- （１）電子蓄積リング（２）よりの放射光（３）が、真
空のビームダクト（４）内の２枚の反射ミラー（５、６
）で反射し、先端に設けられた光取出し窓から取出され
て試料（８）に照射される放射線装置において、 前記光取出し窓を、薄膜の所定部材で形成し、該薄膜光
取出し窓（７）と前記試料（８）の中間に、固定翼と回
転翼のそれぞれの間隙からタービン透過光（１０）を取
出して該試料（８）に照射する多段軸流タービン（９）
を設けることを特徴とする放射線装置。 - （２）前記試料（８）を試料室（１１）内に配置すると
共に、 前記薄膜光取出し窓（７）と前記多段軸流タービン（９
）との間よりヘリウムガス（Ｈｅ）を送入することを特
徴とする請求項（１）記載の放射線装置。 - （３）前記反射ミラー（５、６）は、長波長の放射光を
反射させる反射部材で形成されると共に、回動可能に設
けられることを特徴とする請求項（１）及び（２）記載
の放射線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117230A JPH0414000A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 放射線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117230A JPH0414000A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 放射線装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414000A true JPH0414000A (ja) | 1992-01-17 |
Family
ID=14706610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2117230A Pending JPH0414000A (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 放射線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0414000A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117648A (en) * | 1996-09-12 | 2000-09-12 | Nippon Zoki Pharmaceutical Co., Ltd. | Method for the activation of blood coagulation factor XII |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP2117230A patent/JPH0414000A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117648A (en) * | 1996-09-12 | 2000-09-12 | Nippon Zoki Pharmaceutical Co., Ltd. | Method for the activation of blood coagulation factor XII |
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