JP2000340502A - 真空チャンバと共に使用する絶縁マウントおよびリソグラフ投影装置内での使用 - Google Patents
真空チャンバと共に使用する絶縁マウントおよびリソグラフ投影装置内での使用Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リソグラフィ投影装置の真空チャンバ内で、
例えば計測フレームの支持用に使用可能な改良絶縁マウ
ントを得ることにある。 【解決手段】 真空チャンバＶ内に配置する基準フレー
ム５０が、真空チャンバその他の部品の振動から絶縁さ
れるように、低剛性シールである空気式支承部２１，４
２を介して、真空チャンバ壁部１１の開口１１ａを貫通
する支持部材４１により支承されている。支持部材４１
と真空チャンバ壁部１１との間の隙間が低剛性シールに
よりシールされることで、６度の自由度での相対運動が
可能になっている。
例えば計測フレームの支持用に使用可能な改良絶縁マウ
ントを得ることにある。 【解決手段】 真空チャンバＶ内に配置する基準フレー
ム５０が、真空チャンバその他の部品の振動から絶縁さ
れるように、低剛性シールである空気式支承部２１，４
２を介して、真空チャンバ壁部１１の開口１１ａを貫通
する支持部材４１により支承されている。支持部材４１
と真空チャンバ壁部１１との間の隙間が低剛性シールに
よりシールされることで、６度の自由度での相対運動が
可能になっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空チャンバ内で
使用するための絶縁マウントに関するものである。より
詳しく言えば、本発明は、前記絶縁マウントをリソグラ
フィ投影装置に使用することに関するものであり、その
場合、前記リソグラフィ投影装置は、照射投影ビームを
供給する照射システムと、マスクを保持するマスクホー
ルダを備えた第１対象テーブルと、基板を保持する基板
ホールダを備えた第２対象テーブルと、基板のターゲッ
ト区画へマスクの被照射部分を結像させる投影システム
とを含む形式のものである。
使用するための絶縁マウントに関するものである。より
詳しく言えば、本発明は、前記絶縁マウントをリソグラ
フィ投影装置に使用することに関するものであり、その
場合、前記リソグラフィ投影装置は、照射投影ビームを
供給する照射システムと、マスクを保持するマスクホー
ルダを備えた第１対象テーブルと、基板を保持する基板
ホールダを備えた第２対象テーブルと、基板のターゲッ
ト区画へマスクの被照射部分を結像させる投影システム
とを含む形式のものである。
【０００２】
【従来の技術】簡単化するために、以下では投影システ
ムを「レンズ」と呼ぶが、この用語は、例えば屈折レン
ズ、反射レンズ、反射屈折システム、荷電粒子レンズを
含む種々の投影システムを包含するものと解釈された
い。照射システムも、照射投影ビームを方向づけ、付形
し、制御するための、それらの原理のいずれかに従って
動作する素子を含み、これらの素子も、以下では集合的
に、または個々に「レンズ」と呼ぶことにする。加え
て、第１と第２の対象テーブルは、それぞれ「マスクテ
ーブル」、「基板テーブル」と呼ぶ。更に、リソグラフ
ィ装置は、２つ以上のマスクテーブルおよび／または２
つ以上の基板テーブルを有する種類のものとする。この
ような「多段」装置では、付加的テーブルを並列使用す
るか、または準備段階を１つ以上の段階で行う一方、１
つ以上の別の段階を露出に使用することができる。２段
階リソグラフィ装置は、例えば国際特許出願WO98/28665
およびWO98/40791に記述されている。
ムを「レンズ」と呼ぶが、この用語は、例えば屈折レン
ズ、反射レンズ、反射屈折システム、荷電粒子レンズを
含む種々の投影システムを包含するものと解釈された
い。照射システムも、照射投影ビームを方向づけ、付形
し、制御するための、それらの原理のいずれかに従って
動作する素子を含み、これらの素子も、以下では集合的
に、または個々に「レンズ」と呼ぶことにする。加え
て、第１と第２の対象テーブルは、それぞれ「マスクテ
ーブル」、「基板テーブル」と呼ぶ。更に、リソグラフ
ィ装置は、２つ以上のマスクテーブルおよび／または２
つ以上の基板テーブルを有する種類のものとする。この
ような「多段」装置では、付加的テーブルを並列使用す
るか、または準備段階を１つ以上の段階で行う一方、１
つ以上の別の段階を露出に使用することができる。２段
階リソグラフィ装置は、例えば国際特許出願WO98/28665
およびWO98/40791に記述されている。
【０００３】リソグラフィ投影装置は、例えば集積回路
（ICs）の製造に使用できる。その場合、マスク（レテ
ィクル）は、集積回路の個別の層に対応する回路パター
ンを含み、このパターンを、フォトレジスト材料（レジ
スト）膜が被着された基板（シリコンウェーハ）上のタ
ーゲット区画（ダイ）に結像させることができる。概し
て、単一ウェーハは、隣接する複数ダイ全体のネットワ
ークを包含しており、これらのダイが、一度に１つ、レ
ティクルを介して連続的に照射される。リソグラフィ投
影装置の一型式では、各ダイに照射して、全レティクル
パターンが一度に各ダイに露光せしめられる。この種の
装置は、一般にウェーハステッパーと呼ばれている。別
の装置−一般にステップアンドスキャン装置と呼ばれる
−の場合、所定基準方向（「走査」方向）に投影ビーム
下でレティクルパターンが順次走査される一方、前記方
向と並列的または逆並列的にウェーハテーブルが同期走
査されることで、各ダイが照射される。一般に、投影シ
ステムは、倍率Ｍ（概して＜１）を有してるので、ウェ
ーハテーブルが走査される速度ｖは、レティクルテーブ
ルが走査される速度のＭ倍となる。ここで説明するリソ
グラフィ装置に関するこれ以上の情報は、国際特許出願
WO 97/33205から集めることができる。
（ICs）の製造に使用できる。その場合、マスク（レテ
ィクル）は、集積回路の個別の層に対応する回路パター
ンを含み、このパターンを、フォトレジスト材料（レジ
スト）膜が被着された基板（シリコンウェーハ）上のタ
ーゲット区画（ダイ）に結像させることができる。概し
て、単一ウェーハは、隣接する複数ダイ全体のネットワ
ークを包含しており、これらのダイが、一度に１つ、レ
ティクルを介して連続的に照射される。リソグラフィ投
影装置の一型式では、各ダイに照射して、全レティクル
パターンが一度に各ダイに露光せしめられる。この種の
装置は、一般にウェーハステッパーと呼ばれている。別
の装置−一般にステップアンドスキャン装置と呼ばれる
−の場合、所定基準方向（「走査」方向）に投影ビーム
下でレティクルパターンが順次走査される一方、前記方
向と並列的または逆並列的にウェーハテーブルが同期走
査されることで、各ダイが照射される。一般に、投影シ
ステムは、倍率Ｍ（概して＜１）を有してるので、ウェ
ーハテーブルが走査される速度ｖは、レティクルテーブ
ルが走査される速度のＭ倍となる。ここで説明するリソ
グラフィ装置に関するこれ以上の情報は、国際特許出願
WO 97/33205から集めることができる。
【０００４】リソグラフィ装置では、ウェーハ上に結像
できる造作(features)寸法は、投影照射の波長によって
制限される。集積度の高いデバイスを有し、したがって
高操作速度の集積回路を製造する場合には、小さい造作
を結像できるのが望ましい。最も広く用いられているリ
ソグラフィ投影装置は、水銀灯またはエキシマレーザが
発生させる紫外線を使用しているのに対し、より短い約
１３ｎｍの波長での照射が提案された。この照射は、極
端紫外（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な光源と
しては、レーザプラズマ光源、または電子蓄積リングか
らのシンクロトロン放射光が挙げられる。リソグラフィ
投影装置の概略の設計は、JB マーフィ他著『投影Ｘ線
リソグラフィ用のシンクロトロン放射源およびコンデン
サ』（JBMurphy et“Synchrotron radiation source an
d condennsers for projectionx-ray lithography"Appl
ied Optics誌、32巻24号6920〜6929頁、1993年）に記載
されている。
できる造作(features)寸法は、投影照射の波長によって
制限される。集積度の高いデバイスを有し、したがって
高操作速度の集積回路を製造する場合には、小さい造作
を結像できるのが望ましい。最も広く用いられているリ
ソグラフィ投影装置は、水銀灯またはエキシマレーザが
発生させる紫外線を使用しているのに対し、より短い約
１３ｎｍの波長での照射が提案された。この照射は、極
端紫外（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な光源と
しては、レーザプラズマ光源、または電子蓄積リングか
らのシンクロトロン放射光が挙げられる。リソグラフィ
投影装置の概略の設計は、JB マーフィ他著『投影Ｘ線
リソグラフィ用のシンクロトロン放射源およびコンデン
サ』（JBMurphy et“Synchrotron radiation source an
d condennsers for projectionx-ray lithography"Appl
ied Optics誌、32巻24号6920〜6929頁、1993年）に記載
されている。
【０００５】このほかに提案された種類の照射形式に
は、電子ビームとイオンビームとがある。これらの種類
のビームは、光路にマスク、基板、光学素子を含み、高
真空内に保持を要する点が、ＥＵＶと共通している。こ
れは、ビームの吸収および／または散乱を防止するため
であり、それによって、この荷電粒子ビームには、通
常、約１０-6ミリバール未満の全圧が必要となる。ウェ
ーハは汚染されることがあり、ＥＵＶ放射用の光学素子
は、表面に炭素層が付着して損なわれることがある。こ
のため、炭化水素の部分圧力を、概して１０-8または１
０-9ミリバール未満に維持することが付加的に要求され
る。そのほか、ＥＵＶ放射を用いる装置の場合には、必
要真空全圧は僅かに１０-3または１０-4であり、これ
は、通常、低真空（rough vaccum）と考えられよう。
は、電子ビームとイオンビームとがある。これらの種類
のビームは、光路にマスク、基板、光学素子を含み、高
真空内に保持を要する点が、ＥＵＶと共通している。こ
れは、ビームの吸収および／または散乱を防止するため
であり、それによって、この荷電粒子ビームには、通
常、約１０-6ミリバール未満の全圧が必要となる。ウェ
ーハは汚染されることがあり、ＥＵＶ放射用の光学素子
は、表面に炭素層が付着して損なわれることがある。こ
のため、炭化水素の部分圧力を、概して１０-8または１
０-9ミリバール未満に維持することが付加的に要求され
る。そのほか、ＥＵＶ放射を用いる装置の場合には、必
要真空全圧は僅かに１０-3または１０-4であり、これ
は、通常、低真空（rough vaccum）と考えられよう。
【０００６】リソグラフィにおける電子ビームの使用に
関するこのほかの情報は、例えばUS5,079,122およびUS
5,260,151、更にはEP-A-965888から得ることができる。
このような高真空での作業は、真空内に配置せねばなら
ない構成部材に対して、また真空チャンバのシール、特
に外部から真空チャンバ内部の構成部材へ運動を与えね
ばならない装置部分の周囲のシールに対して、極めて厄
介な条件を課すことになる。真空チャンバ内の構成部材
の材料には、汚染やあらゆる気体放出、つまり材料自体
からの気体放出および材料表面に吸収された気体からの
気体放出が最少の、または皆無の材料を使用すべきであ
る。これらの制限条件は、少なくするか、または回避で
きるようにするのが極めて望ましい。
関するこのほかの情報は、例えばUS5,079,122およびUS
5,260,151、更にはEP-A-965888から得ることができる。
このような高真空での作業は、真空内に配置せねばなら
ない構成部材に対して、また真空チャンバのシール、特
に外部から真空チャンバ内部の構成部材へ運動を与えね
ばならない装置部分の周囲のシールに対して、極めて厄
介な条件を課すことになる。真空チャンバ内の構成部材
の材料には、汚染やあらゆる気体放出、つまり材料自体
からの気体放出および材料表面に吸収された気体からの
気体放出が最少の、または皆無の材料を使用すべきであ
る。これらの制限条件は、少なくするか、または回避で
きるようにするのが極めて望ましい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、リソ
グラフィ投影装置の真空チャンバ内で、例えば計測フレ
ームの支持用に使用可能な改良絶縁マウントを得ること
にある。
グラフィ投影装置の真空チャンバ内で、例えば計測フレ
ームの支持用に使用可能な改良絶縁マウントを得ること
にある。
【課題を解決するための手段】本発明によれば、前記そ
の他の目的は、次のようなリソグラフィ投影装置によっ
て解決された。すなわち照射の投影ビームを供給する照
射システムと、マスクを保持するマスクホールダを備え
た第１対象テーブルと、基板を保持する基板ールダを備
えた第２対象テーブルと、基板のターゲット部分へマス
クの被照射部分を結像させる投影システムとを含む形式
のリソグラフィ投影装置であって、前記第１と第２の対
象テーブルの少なくとも一方を取囲む壁部、それも少な
くとも１つの開口を有する壁部を有する真空チャンバ
と、前記真空チャンバ内に設けられた基準フレームと、
前記基準フレームに対する前記真空チャンバ内の対象の
位置を検出する位置検出装置と、前記基準フレームを前
記真空チャンバの外部から支持し、かつ前記基準フレー
ムを前記真空チャンバ壁部から絶縁するための、前記開
口を貫通する支持部材とを特徴とする、リソグラフ投影
装置である。
の他の目的は、次のようなリソグラフィ投影装置によっ
て解決された。すなわち照射の投影ビームを供給する照
射システムと、マスクを保持するマスクホールダを備え
た第１対象テーブルと、基板を保持する基板ールダを備
えた第２対象テーブルと、基板のターゲット部分へマス
クの被照射部分を結像させる投影システムとを含む形式
のリソグラフィ投影装置であって、前記第１と第２の対
象テーブルの少なくとも一方を取囲む壁部、それも少な
くとも１つの開口を有する壁部を有する真空チャンバ
と、前記真空チャンバ内に設けられた基準フレームと、
前記基準フレームに対する前記真空チャンバ内の対象の
位置を検出する位置検出装置と、前記基準フレームを前
記真空チャンバの外部から支持し、かつ前記基準フレー
ムを前記真空チャンバ壁部から絶縁するための、前記開
口を貫通する支持部材とを特徴とする、リソグラフ投影
装置である。
【０００８】従来のリソグラフィ装置は、クリーン・ル
ーム環境内で使用するように設計されており、したがっ
て、装置が処理するウェーハの可能な汚染源を減らすた
めに、通常、幾つかの処置が取られていた。しかし、ウ
ェーハ、マスク、転写の各段階の従来の設計は、極めて
複雑であり、センサおよび駆動装置用の多数の構成部品
を使用するものだった。それらの段階には、また多数の
信号用、制御用のケーブルその他の設備を備えることが
必要だった。本発明は、真空に適合するそのように多数
の構成部品を製造する困難かつ細かな仕事を回避する
か、またはそれらの構成部品に代えて、真空に適応する
相当部品を用いるものであるが、その場合、できるだけ
多くの構成部品および機能を、真空チャンバの外部に設
ける原則が採用されている。したがって、本発明によ
り、革新的なシール装置を有する適切な機械式フィード
スルーを用いることによって、種々の構成部品の多く、
または極めて多くを耐真空性にする必要がなくなる。同
じように、本発明では、特に、強力なポンプを備えた真
空装置の場合に不可避の振動を低減する困難な課題が、
振動に敏感な構成部品を真空チャンバ壁部から出来るだ
け絶縁することによって解決されている。
ーム環境内で使用するように設計されており、したがっ
て、装置が処理するウェーハの可能な汚染源を減らすた
めに、通常、幾つかの処置が取られていた。しかし、ウ
ェーハ、マスク、転写の各段階の従来の設計は、極めて
複雑であり、センサおよび駆動装置用の多数の構成部品
を使用するものだった。それらの段階には、また多数の
信号用、制御用のケーブルその他の設備を備えることが
必要だった。本発明は、真空に適合するそのように多数
の構成部品を製造する困難かつ細かな仕事を回避する
か、またはそれらの構成部品に代えて、真空に適応する
相当部品を用いるものであるが、その場合、できるだけ
多くの構成部品および機能を、真空チャンバの外部に設
ける原則が採用されている。したがって、本発明によ
り、革新的なシール装置を有する適切な機械式フィード
スルーを用いることによって、種々の構成部品の多く、
または極めて多くを耐真空性にする必要がなくなる。同
じように、本発明では、特に、強力なポンプを備えた真
空装置の場合に不可避の振動を低減する困難な課題が、
振動に敏感な構成部品を真空チャンバ壁部から出来るだ
け絶縁することによって解決されている。
【０００９】基準フレームを、真空チャンバの外部から
支持し、かつ真空チャンバ壁部の振動から絶縁すること
によって、対象テーブルの位置決めおよび運動の精度
と、基準フレームに対して行われる位置測定の信頼性と
の、振動による低下が防止される。
支持し、かつ真空チャンバ壁部の振動から絶縁すること
によって、対象テーブルの位置決めおよび運動の精度
と、基準フレームに対して行われる位置測定の信頼性と
の、振動による低下が防止される。
【００１０】本発明の別の態様によれば、次のようなリ
ソグラフィ投影装置が得られる。すなわち、照射投影ビ
ームを供給する照射システムと、マスクを保持するマス
クホールダを備えた第１対象テーブルと、基板を保持す
る基板ホールダを備えた第２対象テーブルと、基板のタ
ーゲット部分へマスクの被照射部分を結像させる投影シ
ステムとを含むリソグラフィ投影装置であって、前記第
１と第２の対象テーブルの少なくとも一方を取囲む壁
部、それも少なくとも１つの開口を有する壁部を有する
真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置された第１
部分と、前記真空チャンバの外部に配置された第２部分
とを有するように、前記開口を貫通する基準フレーム
と、前記基準フレームの前記第１部分に取付けられた第
１構成部品、および前記基準フレームの前記第２部分に
取付けられた第２構成部品を有する感知装置と、前記真
空チャンバ壁部と前記基準フレームとの間をシールする
ための低剛性シールとを特徴とするリソグラフ投影装置
である。
ソグラフィ投影装置が得られる。すなわち、照射投影ビ
ームを供給する照射システムと、マスクを保持するマス
クホールダを備えた第１対象テーブルと、基板を保持す
る基板ホールダを備えた第２対象テーブルと、基板のタ
ーゲット部分へマスクの被照射部分を結像させる投影シ
ステムとを含むリソグラフィ投影装置であって、前記第
１と第２の対象テーブルの少なくとも一方を取囲む壁
部、それも少なくとも１つの開口を有する壁部を有する
真空チャンバと、前記真空チャンバ内に配置された第１
部分と、前記真空チャンバの外部に配置された第２部分
とを有するように、前記開口を貫通する基準フレーム
と、前記基準フレームの前記第１部分に取付けられた第
１構成部品、および前記基準フレームの前記第２部分に
取付けられた第２構成部品を有する感知装置と、前記真
空チャンバ壁部と前記基準フレームとの間をシールする
ための低剛性シールとを特徴とするリソグラフ投影装置
である。
【００１１】この構成により、基準フレームに取付けら
れた２つの構成部品、すなわち１つは真空チャンバの内
部に、１つは真空チャンバの外部に取付けられた構成部
品の相対位置が、真空チャンバ前後の差圧の変化に伴う
真空チャンバ壁部の変形とは無関係に、一定に維持でき
る。
れた２つの構成部品、すなわち１つは真空チャンバの内
部に、１つは真空チャンバの外部に取付けられた構成部
品の相対位置が、真空チャンバ前後の差圧の変化に伴う
真空チャンバ壁部の変形とは無関係に、一定に維持でき
る。
【００１２】本発明の別の態様によれば、真空チャンバ
壁部と、長手軸線を有し、かつ前記真空チャンバ壁部の
開口を貫通する細長のロッドとの間の間隙を密封する低
剛性シールが得られる。この低剛性シールには、環状カ
ラーが含まれ、該環状カラーが、前記細長のロッドの周
囲に回転可能に取付け可能であり、かつまた前記長手軸
線と同心的な第１シール面を有し、また第２と第３のシ
ール面を有する中間部材が含まれ、前記第２シール面
が、前記第１シール面と相補的かつ対向しており、更に
プレート部材が含まれ、該プレート部材が、前記細長の
ロッドが貫通する開口を画定し、かつ前記第３シール面
と相補的で対向する第４シール面を有しており、更に前
記プレート部材は、前記真空チャンバ壁部に取付け可能
である。
壁部と、長手軸線を有し、かつ前記真空チャンバ壁部の
開口を貫通する細長のロッドとの間の間隙を密封する低
剛性シールが得られる。この低剛性シールには、環状カ
ラーが含まれ、該環状カラーが、前記細長のロッドの周
囲に回転可能に取付け可能であり、かつまた前記長手軸
線と同心的な第１シール面を有し、また第２と第３のシ
ール面を有する中間部材が含まれ、前記第２シール面
が、前記第１シール面と相補的かつ対向しており、更に
プレート部材が含まれ、該プレート部材が、前記細長の
ロッドが貫通する開口を画定し、かつ前記第３シール面
と相補的で対向する第４シール面を有しており、更に前
記プレート部材は、前記真空チャンバ壁部に取付け可能
である。
【００１３】本発明の低剛性シールにより、真空チャン
バ内へ貫通するロッド周囲のシールが得られる一方、６
度の自由度で真空チャンバに対するロッドの運動が可能
になる。本発明の一好適実施例によれば、この低剛性シ
ールは、リソグラフィ装置の真空チャンバ内に備えられ
る基準フレームの支持部材周囲の密封に使用される。
バ内へ貫通するロッド周囲のシールが得られる一方、６
度の自由度で真空チャンバに対するロッドの運動が可能
になる。本発明の一好適実施例によれば、この低剛性シ
ールは、リソグラフィ装置の真空チャンバ内に備えられ
る基準フレームの支持部材周囲の密封に使用される。
【００１４】本発明の別の態様によれば、次の段階、す
なわちエネルギー感知材料層によって少なくとも部分的
に被覆された基板を得る段階と、１つのパターンを含む
マスクを得る段階と、マスクパターンの少なくとも一部
の画像を、エネルギー感知材料層のターゲット区画に投
影するために、照射投影ビームを使用する段階とを含む
デバイス製造方法であって、前記基板と前記マスクの少
なくとも一方が真空チャンバ内に配置されており、前記
一方のマスクまたは基板が前記真空チャンバ内に配置さ
れた基準フレームに対して位置決めされ、前記基準フレ
ームが、前記真空チャンバの外部から支持され、かつ前
記真空チャンバ壁部から絶縁されているデバイス製造方
法が得られる。
なわちエネルギー感知材料層によって少なくとも部分的
に被覆された基板を得る段階と、１つのパターンを含む
マスクを得る段階と、マスクパターンの少なくとも一部
の画像を、エネルギー感知材料層のターゲット区画に投
影するために、照射投影ビームを使用する段階とを含む
デバイス製造方法であって、前記基板と前記マスクの少
なくとも一方が真空チャンバ内に配置されており、前記
一方のマスクまたは基板が前記真空チャンバ内に配置さ
れた基準フレームに対して位置決めされ、前記基準フレ
ームが、前記真空チャンバの外部から支持され、かつ前
記真空チャンバ壁部から絶縁されているデバイス製造方
法が得られる。
【００１５】本発明によるリソグラフィ投影装置を用い
て製造する場合、マスクのパターンは、エネルギー感知
材料（レジスト）層によって少なくとも部分的に被覆さ
れた基板上に結像される。この結像段階の前に、基板
は、例えばプライミング、レジストの被覆、ソフト・ベ
ーク等の種々の処置を受ける。感光後、基板は、例えば
感光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、結像
された造作（features)の測定／検査等の別の処置を受
ける。これら一連の処置は、デバイス、例えば集積回路
の個別の層にパターン付けするための基礎となる。この
パターン付けされた層は、次に、エッチング、イオン打
込み（ドーピング）メタライゼーション、酸化、化学-
機械式研摩等の種々の処置を受けるが、すべてが、個々
の層を完成させるためのものである。数層が必要とされ
る場合は、すべての処置またはこれらの処置の変化形
が、それぞれ新しい層に対して反復される。場合によっ
ては、複数デバイスが基板（ウェーハ）上に配列され
る。これらのデバイスは、次いでダイシングまたはソー
イング等の技術により互いに分離され、個々のデバイス
が、例えばキャリアに取付けられ、ピンに結合される等
々。これらの処理についてのこのほかの情報は、例えば
ピータ・ヴァン・ザント著『マイクロチップの製造：半
導体加工の実地手引き』（“Microchip Fabrication: A
Practical Guide to Semiconductor Processing”1997
年、マグローヒル出版社刊、ISBN 0-07-067250-4）から得
ることができる。
て製造する場合、マスクのパターンは、エネルギー感知
材料（レジスト）層によって少なくとも部分的に被覆さ
れた基板上に結像される。この結像段階の前に、基板
は、例えばプライミング、レジストの被覆、ソフト・ベ
ーク等の種々の処置を受ける。感光後、基板は、例えば
感光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、結像
された造作（features)の測定／検査等の別の処置を受
ける。これら一連の処置は、デバイス、例えば集積回路
の個別の層にパターン付けするための基礎となる。この
パターン付けされた層は、次に、エッチング、イオン打
込み（ドーピング）メタライゼーション、酸化、化学-
機械式研摩等の種々の処置を受けるが、すべてが、個々
の層を完成させるためのものである。数層が必要とされ
る場合は、すべての処置またはこれらの処置の変化形
が、それぞれ新しい層に対して反復される。場合によっ
ては、複数デバイスが基板（ウェーハ）上に配列され
る。これらのデバイスは、次いでダイシングまたはソー
イング等の技術により互いに分離され、個々のデバイス
が、例えばキャリアに取付けられ、ピンに結合される等
々。これらの処理についてのこのほかの情報は、例えば
ピータ・ヴァン・ザント著『マイクロチップの製造：半
導体加工の実地手引き』（“Microchip Fabrication: A
Practical Guide to Semiconductor Processing”1997
年、マグローヒル出版社刊、ISBN 0-07-067250-4）から得
ることができる。
【００１６】本明細書では、本発明の装置を集積回路の
製造に使用する場合について説明しているが、前記装置
には、それ以外にも多くの場合に使用可能であることを
理解されたい。例えば、光集積回路システム、磁区記憶
(magnetic domain memories)用の誘導・検出パターン、
液晶ディスプレーパネル、薄膜磁気ヘッド等々の製造に
使用できる。これらの別の用途との関連では、本明細書
で使用した「レティクル」、「ウェーハ」、「ダイ」な
どの用語は、それぞれ「マスク」、「基板」、「ターゲ
ット区画」等のより一般的な用語に置き換えて考えるべ
きであることが、当業者には理解されよう。
製造に使用する場合について説明しているが、前記装置
には、それ以外にも多くの場合に使用可能であることを
理解されたい。例えば、光集積回路システム、磁区記憶
(magnetic domain memories)用の誘導・検出パターン、
液晶ディスプレーパネル、薄膜磁気ヘッド等々の製造に
使用できる。これらの別の用途との関連では、本明細書
で使用した「レティクル」、「ウェーハ」、「ダイ」な
どの用語は、それぞれ「マスク」、「基板」、「ターゲ
ット区画」等のより一般的な用語に置き換えて考えるべ
きであることが、当業者には理解されよう。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下で本発明の実施例を添付略示
図面につき説明する。各図面では、等しい部品には等し
い符号が付されている。 実施例１ 図１には、本発明によるリトグラフィ投影装置１が略示
されている。この装置には、照射投影ビームＰＢ（ＵＶ
またはＥＵＶ、電子、イオンのいずれか）を供給する照
射システムＬＡ，ＩＬと、マスクＭＴを保持するための
マスクホールダを備え、部品ＰＬに対しマスクを正確に
位置決めする第１位置決め装置ＰＭに接続された第１対
象テーブル（マスクテーブル）ＭＴと、基板Ｗ（例えば
レジストを被覆されたシリコンウェーハ）を保持するた
めの基板ホールダを備え、かつ部品ＰＬに対し基板を正
確に位置決めするための第２位置決め装置ＰＷに接続さ
れた第２対象テーブル（基板テーブル）ＷＴと、基板Ｗ
のターゲット区画Ｃ（ダイ）にマスクＭＡの被照射部分
を結像させる投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば
屈折または反射屈折システム、ミラー群、フィールド・
デフレクタ配列）とが含まれている。
図面につき説明する。各図面では、等しい部品には等し
い符号が付されている。 実施例１ 図１には、本発明によるリトグラフィ投影装置１が略示
されている。この装置には、照射投影ビームＰＢ（ＵＶ
またはＥＵＶ、電子、イオンのいずれか）を供給する照
射システムＬＡ，ＩＬと、マスクＭＴを保持するための
マスクホールダを備え、部品ＰＬに対しマスクを正確に
位置決めする第１位置決め装置ＰＭに接続された第１対
象テーブル（マスクテーブル）ＭＴと、基板Ｗ（例えば
レジストを被覆されたシリコンウェーハ）を保持するた
めの基板ホールダを備え、かつ部品ＰＬに対し基板を正
確に位置決めするための第２位置決め装置ＰＷに接続さ
れた第２対象テーブル（基板テーブル）ＷＴと、基板Ｗ
のターゲット区画Ｃ（ダイ）にマスクＭＡの被照射部分
を結像させる投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば
屈折または反射屈折システム、ミラー群、フィールド・
デフレクタ配列）とが含まれている。
【００１８】照射システムは、照射ビームを発する光源
ＬＡ（例えば、蓄積リングまたはシンクロトロン内の電
子ビーム経路の周囲に設けられたアンジュレータまたは
ウィグラー、プラズマ放射源、電子ビーム源、イオンビ
ーム源のいずれか）を含んでいる。このビームは、例え
ば合成ビームＰＢの付形および／または平行化目的、お
よび／またはビーム横断面にわたり一様の強度にする目
的の、照明システムＩＬ内に含まれる種々の光学素子に
沿って進行する。
ＬＡ（例えば、蓄積リングまたはシンクロトロン内の電
子ビーム経路の周囲に設けられたアンジュレータまたは
ウィグラー、プラズマ放射源、電子ビーム源、イオンビ
ーム源のいずれか）を含んでいる。このビームは、例え
ば合成ビームＰＢの付形および／または平行化目的、お
よび／またはビーム横断面にわたり一様の強度にする目
的の、照明システムＩＬ内に含まれる種々の光学素子に
沿って進行する。
【００１９】ビームＰＢは、続いて、マスクテーブルＭ
Ｔ上のマスクホールダ内に保持されているマスクＭＡに
入射する。ビームＰＢは、更にマスクＭＡによって選択
的に反射され（るか、伝達されるかし）て、ビームＰＢ
を基板Ｗのターゲット区域Ｃに収束させる「レンズ」Ｐ
Ｌを通過する。位置決め装置ＰＷと干渉変位測定装置
（interferometric displacement measuring means）Ｉ
Ｆとにより、基板テーブルＷＴを正確に移動させて、例
えば、異なる複数ターゲット区画Ｃを、ビームＰＢの経
路内に位置決めすることができる。同じように、位置決
め装置ＰＭと干渉変位測定装置ＩＦとは、例えば、マス
クライブラリからマスクＭＡを機械式に検索した後に、
または走査運動の間に、ビームＰＢの経路に対しマスク
ＭＡの位置を正確に定めるのに使用できる。概して、対
象テーブルＭＴ，ＷＴの運動は、長いストロークモジュ
ール（粗位置決め）と短いストロークモジュール（精密
位置決め）とによって達せられる。これらのモジュール
は、図１にははっきりとは示されていない。
Ｔ上のマスクホールダ内に保持されているマスクＭＡに
入射する。ビームＰＢは、更にマスクＭＡによって選択
的に反射され（るか、伝達されるかし）て、ビームＰＢ
を基板Ｗのターゲット区域Ｃに収束させる「レンズ」Ｐ
Ｌを通過する。位置決め装置ＰＷと干渉変位測定装置
（interferometric displacement measuring means）Ｉ
Ｆとにより、基板テーブルＷＴを正確に移動させて、例
えば、異なる複数ターゲット区画Ｃを、ビームＰＢの経
路内に位置決めすることができる。同じように、位置決
め装置ＰＭと干渉変位測定装置ＩＦとは、例えば、マス
クライブラリからマスクＭＡを機械式に検索した後に、
または走査運動の間に、ビームＰＢの経路に対しマスク
ＭＡの位置を正確に定めるのに使用できる。概して、対
象テーブルＭＴ，ＷＴの運動は、長いストロークモジュ
ール（粗位置決め）と短いストロークモジュール（精密
位置決め）とによって達せられる。これらのモジュール
は、図１にははっきりとは示されていない。
【００２０】図示の装置は、２つの異なるモードで使用
できる：すなわち、ステップモードでは、マスクテーブ
ルＭＴが、実質的に固定維持され、全マスク画像が、一
度に（すなわち単一「フラッシュ」で）ターゲット区画
Ｃに投影される。次いで、基板テーブルＷＴがＸ方向お
よび／またはＹ方向に変位せしめられることで、異なる
ターゲット区画ＣがビームＰＢにより照射される。走査
モードでも、実質的に等しいシナリオが適用されるが、
異なる点は、所定ターゲット区画Ｃが、単一「フラッシ
ュ」では露光されない点である。その代わり、マスクテ
ーブルＭＴが、速度ｖで所定方向（いわゆる「走査方
向」、例えばＸ方向）に可動であることで、投影ビーム
ＰＢは、マスク画像全体にわたり走査せしめられる。こ
れに伴って、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで等方
向または反対方向へ同時に移動せしめられる。この場
合、ＭはレンズＰＬの倍率である（通常、Ｍ＝１／４ま
たは１／５）。このようにして、比較的大きなターゲッ
ト区画Ｃが露光され、解像度に関して妥協する必要がな
い。
できる：すなわち、ステップモードでは、マスクテーブ
ルＭＴが、実質的に固定維持され、全マスク画像が、一
度に（すなわち単一「フラッシュ」で）ターゲット区画
Ｃに投影される。次いで、基板テーブルＷＴがＸ方向お
よび／またはＹ方向に変位せしめられることで、異なる
ターゲット区画ＣがビームＰＢにより照射される。走査
モードでも、実質的に等しいシナリオが適用されるが、
異なる点は、所定ターゲット区画Ｃが、単一「フラッシ
ュ」では露光されない点である。その代わり、マスクテ
ーブルＭＴが、速度ｖで所定方向（いわゆる「走査方
向」、例えばＸ方向）に可動であることで、投影ビーム
ＰＢは、マスク画像全体にわたり走査せしめられる。こ
れに伴って、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで等方
向または反対方向へ同時に移動せしめられる。この場
合、ＭはレンズＰＬの倍率である（通常、Ｍ＝１／４ま
たは１／５）。このようにして、比較的大きなターゲッ
ト区画Ｃが露光され、解像度に関して妥協する必要がな
い。
【００２１】第１実施例では、ウェーハテーブルＷＴ、
マスクテーブルＭＴ、投影レンズＰＬ等の部品がすべ
て、図２に略示した計測フレーム（基準フレーム）５０
に対して位置決めされている。図２に示すように、計測
フレーム５０は、支持部材４１（１個だけ示す）に取付
けられており、空気式マウント５１によって基礎プレー
トＢＰから絶縁されている。空気式マウント５１は、従
来形式のもので、外部の出来事により生じ得る基礎プレ
ートの振動の、計測フレーム５０への伝達防止に役立っ
ている。これによって、装置内の位置測定精度が改善さ
れる。
マスクテーブルＭＴ、投影レンズＰＬ等の部品がすべ
て、図２に略示した計測フレーム（基準フレーム）５０
に対して位置決めされている。図２に示すように、計測
フレーム５０は、支持部材４１（１個だけ示す）に取付
けられており、空気式マウント５１によって基礎プレー
トＢＰから絶縁されている。空気式マウント５１は、従
来形式のもので、外部の出来事により生じ得る基礎プレ
ートの振動の、計測フレーム５０への伝達防止に役立っ
ている。これによって、装置内の位置測定精度が改善さ
れる。
【００２２】更に計測フレーム５０の安定性を改善する
ために、支持部材４１は、真空チャンバ壁部１１の開口
１１ａを貫通配置されている。真空チャンバ壁部１１に
生じる隙間は、狭くかつ長くして真空チャンバ内への漏
れを低減できるようにするか、または低（理想的にはゼ
ロ）剛性シールで密封するのが好ましい。このようにす
ることによって、真空チャンバ壁部１１の振動の計測フ
レームへの伝達が防止され、計測フレームの位置測定精
度の低下が防止される。おそらく、真空ポンプと真空ポ
ンプに接続を要する他の騒音発生部品とにより、真空チ
ャンバ壁部の振動は高レベルとなる。低剛性シールは、
特に旋回運動に対するシールにはベローズを使用でき、
単独でも、別形式のシールと組合わせて用いてもよい。
ために、支持部材４１は、真空チャンバ壁部１１の開口
１１ａを貫通配置されている。真空チャンバ壁部１１に
生じる隙間は、狭くかつ長くして真空チャンバ内への漏
れを低減できるようにするか、または低（理想的にはゼ
ロ）剛性シールで密封するのが好ましい。このようにす
ることによって、真空チャンバ壁部１１の振動の計測フ
レームへの伝達が防止され、計測フレームの位置測定精
度の低下が防止される。おそらく、真空ポンプと真空ポ
ンプに接続を要する他の騒音発生部品とにより、真空チ
ャンバ壁部の振動は高レベルとなる。低剛性シールは、
特に旋回運動に対するシールにはベローズを使用でき、
単独でも、別形式のシールと組合わせて用いてもよい。
【００２３】実施例２ 本発明の第２実施例による絶縁支持部４０が図３に示さ
れている。第２実施例が第１実施例と異なる点は、支持
部材４１と真空チャンバ壁部１１との間に設けられたシ
ールの細部のみである。したがって、共通部分の説明
は、簡略にするため省略する。計測フレーム５０は、真
空チャンバ壁部１１内に形成された開口１１ａを貫通す
る支持部材４１（１個だけ示す）上に取付けられてい
る。第２実施例の場合、開口１１ａは、１個の３部分シ
ール４２によって密封されている。このシールにより、
支持部材４１は、６度の自由度で真空チャンバ壁部１１
に対して可動となる。３部分シール４２は、環状カラー
４３と、シート４４と、プレート４５とから成ってい
る。環状カラー４３は、支持部材４１の周囲に配置さ
れ、凸状の半球形上面４３ａを有している。半球形上面
４３ａは、シート４４の相補的な凹状の半球形面４４ａ
に係合している。シート４４の平らな上面４４ｂはプレ
ート４５に当接されている。
れている。第２実施例が第１実施例と異なる点は、支持
部材４１と真空チャンバ壁部１１との間に設けられたシ
ールの細部のみである。したがって、共通部分の説明
は、簡略にするため省略する。計測フレーム５０は、真
空チャンバ壁部１１内に形成された開口１１ａを貫通す
る支持部材４１（１個だけ示す）上に取付けられてい
る。第２実施例の場合、開口１１ａは、１個の３部分シ
ール４２によって密封されている。このシールにより、
支持部材４１は、６度の自由度で真空チャンバ壁部１１
に対して可動となる。３部分シール４２は、環状カラー
４３と、シート４４と、プレート４５とから成ってい
る。環状カラー４３は、支持部材４１の周囲に配置さ
れ、凸状の半球形上面４３ａを有している。半球形上面
４３ａは、シート４４の相補的な凹状の半球形面４４ａ
に係合している。シート４４の平らな上面４４ｂはプレ
ート４５に当接されている。
【００２４】３部分シールのインターフェースには、３
つの差動気体（空気）式支承部２１ａ，２１ｂ，２１ｃ
が設けられている。すなわち、支持部材４１の周囲の環
状カラー４３内のそれと、シート４４の凹状半球形面４
４ａを取囲むそれと、平らな上面４４ｂを取囲むそれと
である。これらの空気式支承部２１ａ，ｂ，ｃについて
は、以下で図４と関連して更に説明するが、ヨーロッパ
特許出願第99201193.2号『真空チャンバ内に使用するガ
ス支承部材およびリソグラフィ装置への適用』および類
似の名称の共存出願（出願人参照番号：P-0133.010）に
も記載がある。またこれらの出願は、ここに引用するこ
とにより本明細書に取入れられるものとする。支承部２
１ａにより、支持部材４１は、シールに対し長手方向に
変位可能であり、かつまたその軸線を中心として回転可
能であり、更にＺ軸と平行の移動およびψz回転の自由
を与えられる。支承部２１ｂにより、半球形カラー４３
は、３軸を中心として回転可能となり、ψxおよびψy回
転の自由と、更にψz回転の自由とが与えられる。支承部
２１ｃにより、シート４４は、プレート４５に対し側方
へ移動可能になり、支持部材４１に対しＸおよびＹ方向
への変位とψz回転との自由が与えられる。
つの差動気体（空気）式支承部２１ａ，２１ｂ，２１ｃ
が設けられている。すなわち、支持部材４１の周囲の環
状カラー４３内のそれと、シート４４の凹状半球形面４
４ａを取囲むそれと、平らな上面４４ｂを取囲むそれと
である。これらの空気式支承部２１ａ，ｂ，ｃについて
は、以下で図４と関連して更に説明するが、ヨーロッパ
特許出願第99201193.2号『真空チャンバ内に使用するガ
ス支承部材およびリソグラフィ装置への適用』および類
似の名称の共存出願（出願人参照番号：P-0133.010）に
も記載がある。またこれらの出願は、ここに引用するこ
とにより本明細書に取入れられるものとする。支承部２
１ａにより、支持部材４１は、シールに対し長手方向に
変位可能であり、かつまたその軸線を中心として回転可
能であり、更にＺ軸と平行の移動およびψz回転の自由
を与えられる。支承部２１ｂにより、半球形カラー４３
は、３軸を中心として回転可能となり、ψxおよびψy回
転の自由と、更にψz回転の自由とが与えられる。支承部
２１ｃにより、シート４４は、プレート４５に対し側方
へ移動可能になり、支持部材４１に対しＸおよびＹ方向
への変位とψz回転との自由が与えられる。
【００２５】支承部２１ａ，ｂ，ｃのそれぞれは、本発
明による差動空気式支承部であり、空気供給部２１１と
排出部２１３とを含んでいる。清浄な気体、つまり空気
が、供給導管４７を介して空気供給部２１１へ供給さ
れ、排出部２１３は、真空導管４６を介して真空ポンプ
（図示せず）に接続されている。カラー４３内に設けら
れた支承部２１ａの排出部２１３の場合、真空導管４６
ａは、直接に真空ポンプに通じてはいず、シート４４内
の支承部２１ｂの排出部と連通している。プレート４５
は、ボルト４５ａと、例えば従来形式のＯリング４５ｂ
とによって真空チャンバ壁部１１に対し密封されてい
る。使用中、大気と真空チャンバＶとの圧力差により、
密封性が補助され保たれるが、例えば保守の場合に、真
空が解除された場合のために、付加的な締付け手段を設
けておくことができる。
明による差動空気式支承部であり、空気供給部２１１と
排出部２１３とを含んでいる。清浄な気体、つまり空気
が、供給導管４７を介して空気供給部２１１へ供給さ
れ、排出部２１３は、真空導管４６を介して真空ポンプ
（図示せず）に接続されている。カラー４３内に設けら
れた支承部２１ａの排出部２１３の場合、真空導管４６
ａは、直接に真空ポンプに通じてはいず、シート４４内
の支承部２１ｂの排出部と連通している。プレート４５
は、ボルト４５ａと、例えば従来形式のＯリング４５ｂ
とによって真空チャンバ壁部１１に対し密封されてい
る。使用中、大気と真空チャンバＶとの圧力差により、
密封性が補助され保たれるが、例えば保守の場合に、真
空が解除された場合のために、付加的な締付け手段を設
けておくことができる。
【００２６】前述のように、３個の空気式支承部は、そ
れらの間で支持部材４１に６度の自由度を与えることが
できる。各度の場合に許される運動範囲は、Ｚ軸方向お
よびψz回転の場合を除き、支持部材の直径ｄと、プレ
ート４５の開口直径Ｄとに依存する。真空チャンバ壁部
の振動から支持部材４１を絶縁することを目指すこの実
施例の場合、必要とされる運動範囲は比較的わずかに過
ぎないが、予想振動の最大振幅を吸収するには十分であ
る。
れらの間で支持部材４１に６度の自由度を与えることが
できる。各度の場合に許される運動範囲は、Ｚ軸方向お
よびψz回転の場合を除き、支持部材の直径ｄと、プレ
ート４５の開口直径Ｄとに依存する。真空チャンバ壁部
の振動から支持部材４１を絶縁することを目指すこの実
施例の場合、必要とされる運動範囲は比較的わずかに過
ぎないが、予想振動の最大振幅を吸収するには十分であ
る。
【００２７】プレート４５に対するシート４４の運動を
可能にするための、シート４４内の支承部２１ｃは、図
４に全体が示されている。図４は、差動空気式支承部２
１ｃの横断面図で、シート４４とプレート４５との一部
も示されている。支承部２１ｃは、シート４４を５μｍ
の定常隙間ｇだけプレート４５から離して保持してい
る。用途によって、隙間は、５μｍ〜１０μｍの範囲が
適当となろう。清浄空気（または他の気体、例えば
Ｎ2）は、数気圧の圧力で空気供給部２１１を介して連
続的に供給され、高圧区域２１４を発生させる。供給さ
れた空気は、妨げられずに外部（図では左方）へ流れ、
また真空チャンバＶ（図では右方）へも流れるが、ここ
に入ることは、言うまでもなく望ましくない。大気圧中
へ逃げる経路は溝２１２によって与えられている。更に
空気支承部を形成する空気が真空チャンバＶ内へ許容度
を超えて漏出するのを防止するため、空気は、真空導管
２１３を介してポンプで吸出される。所望とあれば、逃
げ経路２１２からもポンプで吸出できる。こうすること
により、真空チャンバＶへの残留漏れｌは許容レベル以
内に維持される。
可能にするための、シート４４内の支承部２１ｃは、図
４に全体が示されている。図４は、差動空気式支承部２
１ｃの横断面図で、シート４４とプレート４５との一部
も示されている。支承部２１ｃは、シート４４を５μｍ
の定常隙間ｇだけプレート４５から離して保持してい
る。用途によって、隙間は、５μｍ〜１０μｍの範囲が
適当となろう。清浄空気（または他の気体、例えば
Ｎ2）は、数気圧の圧力で空気供給部２１１を介して連
続的に供給され、高圧区域２１４を発生させる。供給さ
れた空気は、妨げられずに外部（図では左方）へ流れ、
また真空チャンバＶ（図では右方）へも流れるが、ここ
に入ることは、言うまでもなく望ましくない。大気圧中
へ逃げる経路は溝２１２によって与えられている。更に
空気支承部を形成する空気が真空チャンバＶ内へ許容度
を超えて漏出するのを防止するため、空気は、真空導管
２１３を介してポンプで吸出される。所望とあれば、逃
げ経路２１２からもポンプで吸出できる。こうすること
により、真空チャンバＶへの残留漏れｌは許容レベル以
内に維持される。
【００２８】この実施例の場合、空気供給部２１１、真
空導管２１３、更に逃げ経路２１２の各下部が、シール
の全周にわたって延在する細長の溝として構成されてい
る。空気供給管２１１ａと真空パイプ２１３ａとは、溝
に沿って間隔をおいて設けられている。前述の空気支承
部の場合、空気供給部２１１と真空チャンバＶとの間に
は単一の真空溝が設けられている。変化形の場合には、
２つ以上の真空溝が、より高い真空レベルに引かれてい
る真空チャンバＶの、より近くに設けられる。支承部２
１ａと２１ｂとは、いずれも湾曲面に設けられており
（支承部２１ａは円筒面に、支承部２１ｂは球面に）、
類似してもいる。
空導管２１３、更に逃げ経路２１２の各下部が、シール
の全周にわたって延在する細長の溝として構成されてい
る。空気供給管２１１ａと真空パイプ２１３ａとは、溝
に沿って間隔をおいて設けられている。前述の空気支承
部の場合、空気供給部２１１と真空チャンバＶとの間に
は単一の真空溝が設けられている。変化形の場合には、
２つ以上の真空溝が、より高い真空レベルに引かれてい
る真空チャンバＶの、より近くに設けられる。支承部２
１ａと２１ｂとは、いずれも湾曲面に設けられており
（支承部２１ａは円筒面に、支承部２１ｂは球面に）、
類似してもいる。
【００２９】リソグラフィ投影装置の場合、２つの構成
部品、例えば光感知システムのビーム放射部品と検知部
品とを取付ける際、極めて精密にそれらの相対位置を固
定するよう望まれることが多い。その場合、前記２つの
構成部品を、基準フレーム、それもインバール等の極め
て安定的な材料で造られ、装置の他の構成部品、特に、
振動を発生させるような構成部品から絶縁された基準フ
レームに取付けることが多い。しかし、真空チャンバを
有するリソグラフィ投影装置では、前記構成部品の一方
は真空チャンバ内に配置せねばならないのに対し、他方
の構成部品は真空に適合できない場合、基準フレームの
使用には問題が生じる。構成部品を２つとも真空チャン
バ壁部に取付けるということはできない。なぜなら真空
チャンバ前後の圧力差が変化する際、真空チャンバ壁部
が変形するからである。この変形は、通例、最大数１０
ミクロンの値であるが、この値は、リソグラフィ投影装
置内の多くのシステムには過大である。
部品、例えば光感知システムのビーム放射部品と検知部
品とを取付ける際、極めて精密にそれらの相対位置を固
定するよう望まれることが多い。その場合、前記２つの
構成部品を、基準フレーム、それもインバール等の極め
て安定的な材料で造られ、装置の他の構成部品、特に、
振動を発生させるような構成部品から絶縁された基準フ
レームに取付けることが多い。しかし、真空チャンバを
有するリソグラフィ投影装置では、前記構成部品の一方
は真空チャンバ内に配置せねばならないのに対し、他方
の構成部品は真空に適合できない場合、基準フレームの
使用には問題が生じる。構成部品を２つとも真空チャン
バ壁部に取付けるということはできない。なぜなら真空
チャンバ前後の圧力差が変化する際、真空チャンバ壁部
が変形するからである。この変形は、通例、最大数１０
ミクロンの値であるが、この値は、リソグラフィ投影装
置内の多くのシステムには過大である。
【００３０】この問題は、本発明の第３実施例によるリ
ソグラフィ投影装置で解決された。その関連構成部品が
図５に略示されている。第１構成部品６１、例えば位置
検出システムの検出器は、真空チャンバＶ内の第１基準
フレーム７１に取付けられている。この第１基準フレー
ムは、極めて安定的な材料、例えばインバールで造ら
れ、かつ真空チャンバ壁部を含む装置の、振動を発生ま
たは伝達する構成部品から絶縁されている。第２構成部
品６２、例えば位置検出システムのビーム発生部品が、
真空チャンバＶの外部に配置されている。（真空チャン
バの外部の構成部品が発するビームは、窓（図示せず）
を介して容易に真空チャンバ内へ入射可能であることに
注意)。第２基準フレーム７２も、同様に極めて安定的
な材料、例えばインバールで造られ、同じように、真空
チャンバ壁部を含む、振動を発生または伝達する構成部
品から絶縁されている。２つの基準フレーム７１，７２
は、互いに結合され、絶縁マウント４０を介して物理的
な相対位置が固定されている。これらのマウントは、機
能および構造が、本発明の第１と第２の実施例で説明し
たものと同じである。
ソグラフィ投影装置で解決された。その関連構成部品が
図５に略示されている。第１構成部品６１、例えば位置
検出システムの検出器は、真空チャンバＶ内の第１基準
フレーム７１に取付けられている。この第１基準フレー
ムは、極めて安定的な材料、例えばインバールで造ら
れ、かつ真空チャンバ壁部を含む装置の、振動を発生ま
たは伝達する構成部品から絶縁されている。第２構成部
品６２、例えば位置検出システムのビーム発生部品が、
真空チャンバＶの外部に配置されている。（真空チャン
バの外部の構成部品が発するビームは、窓（図示せず）
を介して容易に真空チャンバ内へ入射可能であることに
注意)。第２基準フレーム７２も、同様に極めて安定的
な材料、例えばインバールで造られ、同じように、真空
チャンバ壁部を含む、振動を発生または伝達する構成部
品から絶縁されている。２つの基準フレーム７１，７２
は、互いに結合され、絶縁マウント４０を介して物理的
な相対位置が固定されている。これらのマウントは、機
能および構造が、本発明の第１と第２の実施例で説明し
たものと同じである。
【００３１】第１と第２の基準フレームは、真空チャン
バＶの壁部が変形して、図５に実線で示した通常位置か
ら、破線で示した変形位置Ｖ'に変化しても影響を受け
ないことが容易に分かるだろう。以上、本発明を好適実
施例について説明したが、本発明は、既述の説明に制限
されないことを了解されたい。特に、本発明は、以上で
はリソグラフィ装置に関連して説明したが、該装置のマ
スク製造段階にも、また真空チャンバ内に基準フレーム
を配置せねばならないどのような装置にも、同様に適用
可能である。本発明は、また例えば、リソグラフィ装置
へのウェーハの搬送、または該装置内での露光用ウェー
ハの準備に使用される搬送または準備装置にも使用でき
る。
バＶの壁部が変形して、図５に実線で示した通常位置か
ら、破線で示した変形位置Ｖ'に変化しても影響を受け
ないことが容易に分かるだろう。以上、本発明を好適実
施例について説明したが、本発明は、既述の説明に制限
されないことを了解されたい。特に、本発明は、以上で
はリソグラフィ装置に関連して説明したが、該装置のマ
スク製造段階にも、また真空チャンバ内に基準フレーム
を配置せねばならないどのような装置にも、同様に適用
可能である。本発明は、また例えば、リソグラフィ装置
へのウェーハの搬送、または該装置内での露光用ウェー
ハの準備に使用される搬送または準備装置にも使用でき
る。
【図１】本発明の第１実施例によるリソグラフィ投影装
置の図。
置の図。
【図２】本発明の第１実施例の絶縁マウントの部分横断
面図。
面図。
【図３】本発明の第２実施例による絶縁マウントの横断
面図。
面図。
【図４】本発明の第２実施例に使用された差動空気支承
部の横断面図。
部の横断面図。
【図５】本発明の第３実施例による真空チャンバの図。
ＬＡ，ＩＬ 照射システム ＰＬ レンズ ＩＦ 干渉変位測測定器 ＰＢ ビーム Ｗ 基板 ＭＡ マスク ＢＰ 基礎プレート Ｃ ターゲット区域 ＭＴ マスクテーブル ＰＭ 位置決め装置 ＷＴ 基板テーブル Ｖ 真空チャンバ Ｖ' 変形した真空チャンバ １ リソグラフィ投影装置 １１ 真空チャンバ壁部 ２１ 空気支承部 ４０ 絶縁マウント ４１ 支持部材、ロッド ４２ ３部分シール ４３ 環状カラー ４４ シート ４５ プレート ４７ 供給導管 ５０ 基準フレーム ５１ 空気式マウント ６１ 検出器 ６２ ビーム発生装置 ７１，７２ 基準フレーム ２１１ 空気供給部 ２１１ａ 空気供給管 ２１２ 逃がし経路 ２１３ 真空導管 ２１３ａ 真空パイプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 テオドルス ウベルトウス ヨゼフス ビ ショップス オランダ国 エイントホーフェン、ヴィレ ムシュトラート 97 (72)発明者 ヤコブ、フイユフインケル オランダ国 エイントホーフェン、ノール ト ブラバントラーン 146 (72)発明者 マリヌス ヨゼフス ヤコブス ドーナ オランダ国 フェルトホーフェン、ロッホ ト 13 (72)発明者 マルク テオ モイヴェゼ オランダ国 ゲルトロップ、ベリンクシュ トラート 39 (72)発明者 ロナルト マールテン シュナイダー オランダ国 ゲルトロップ、ヴァレヴァイ ンラーン 80 (72)発明者 ミヘル アレクザンダー モルス オランダ国 エイントホーフェン、カルデ ィナール ファン ロッスムラーン 43 (72)発明者 ウーゴ マティユー フィッサー オランダ国 ウトレヒト、ランゲ ラウヴ ェルシュトラート 52ビス
Claims (17)
- 【請求項１】 リソグラフ投影装置であって、 照射の投影ビーム（ＰＢ）を供給する照射システム（Ｌ
Ａ，ＩＬ）と、 マスク（ＭＡ）を保持するためのマスクホールダを備え
た第１対象テーブル（ＭＴ）と、 基板（Ｗ）を保持するための基板ホールダを備えた第２
対象テーブル（ＷＴ）と、 基板（Ｗ）のターゲット区画（Ｃ）へマスク（ＭＡ）の
被照射部分を結像させるための投影システム（ＰＬ）と
を含む形式のものにおいて、 前記第１と第２の対象テーブル（ＭＴ，ＷＴ）の少なく
とも一方を取囲む壁部（１１）、それも少なくとも１つ
の開口（１１ａ）を有する壁部を有する真空チャンバ
（Ｖ）と、 前記真空チャンバ（Ｖ）内に設けられた基準フレーム
（５０）と、 前記基準フレーム（５０）に対する前記真空チャンバ内
の対象の位置を検出するための位置検出装置と、 前記基準フレーム（５０）を前記真空チャンバ（Ｖ）の
外部から支持し、かつ前記基準フレームを前記真空チャ
ンバ壁部（１１）から絶縁するため、前記開口を貫通す
る支持部材（４１）とを特徴とする、リソグラフ投影装
置。 - 【請求項２】 更に、前記支持部材（４１）と前記真空
チャンバ壁部（１１）との間に低剛性シール（４２）を
含む、請求項１に記載された投影装置。 - 【請求項３】 前記支持部材（４１）が長手軸線を有す
る細長のロッドを含み、前記低剛性シール（４２）に、 環状カラー（４３）が含まれ、該環状カラーが、前記細
長のロッド周囲を回転可能に配置され、かつ前記長手軸
線と同心的な第１シール面（４３ａ）を有しており、ま
た第２と第３のシール面を有する中間部材（４４）が含
まれ、前記第２シール面（４４ａ）が、前記第１シール
面と相補的かつ対向的であり、更にプレート部材（４
５）が含まれ、該プレート部材が、前記細長ロッドの貫
通する開口（１１ａ）を画定し、かつ前記第３シール面
（４４ｂ）と相補的かつ対向的な第４シール面を有して
いる、請求項２に記載された投影装置。 - 【請求項４】 前記第１と第２のシール面（４３ａ，４
４ａ）がほぼ球面状であり、前記第３（４４ｂ）と第４
のシール面が、ほぼ平らで、前記長手軸線に対して好ま
しくは直角である、請求項３に記載された投影装置。 - 【請求項５】 前記環状カラー（４３）が、更に前記細
長のロッド（４１）の外表面と相補的かつ対向的な第５
シール面を含む、請求項３または請求項４に記載された
投影装置。 - 【請求項６】 前記第５シール面がほぼ円筒形である、
請求項５に記載された投影装置。 - 【請求項７】 更に、対向的な面の複数対の少なくとも
１対の間に設けられた支承部を含んでいる、請求項３か
ら請求項６までのいずれか１項に記載された投影装置。 - 【請求項８】 前記支承部が、対向面間の隙間を維持す
るため、圧縮気体供給用の気体式支承部（２１１）と、
前記気体式支承部および前記隙間に供給された気体の排
出用の、前記真空チャンバ（Ｖ）との間に設けられた排
出部（２１２，２１３）とを含む、請求項７に記載され
た投影装置。 - 【請求項９】 リソグラフ投影装置であって、 照射投影ビームＰＢを供給する照射システムＬＡ，ＩＬ
と、 マスクＭＡを保持するマスクホールダを備えた第１対象
テーブルＭＴと、 基板Ｗを保持する基板ホールダを備えた第２対象テーブ
ルＷＴと、 基板のターゲット区画ＣへマスクＭＡの被照射部分を結
像させるための投影システムＰＬとを含む形式のものに
おいて、 前記第１と第２の対象テーブル（ＭＴ，ＷＴ）の少なく
とも一方を取囲む壁部（１１）、それも少なくとも１つ
の開口（１１ａ）を有する壁部を有する真空チャンバ
（Ｖ）と、 前記真空チャンバ内に位置する第１部分（７１）と、前
記真空チャンバの外部に位置する第２部分（７２）とを
有するように、前記開口を貫通して延在する基準フレー
ムと、 前記基準フレームの前記第１部分（７１）に取付けられ
た第１構成部品（６１）および前記基準フレームの前記
第２部分（７２）に取付けられた第２構成部品（６２）
を有する感知装置と、 前記真空チャンバ壁部（１１ａ）と前記基準フレームと
の間をシールするための低剛性シール（４０）とを特徴
とする、リソグラフ投影装置。 - 【請求項１０】 真空装置であって、 壁部、それも少なくとも１つの開口を有する壁部を有す
る真空チャンバと、 前記真空チャンバ内に配置された基準フレームと、 前記基準フレームに対する前記真空チャンバ内の対象の
位置を検出するための位置検出装置とを含む形式のもの
において、 前記基準フレーム（５０）を前記真空チャンバ（Ｖ）の
外部から支持し、かつ前記基準フレームを前記真空チャ
ンバ壁部（１１ａ）から絶縁するため、前記開口を貫通
している支持部材（４１）とを特徴とする、真空装置。 - 【請求項１１】 真空チャンバ壁部（１１ａ）と、長手
軸線を有し前記真空チャンバ壁部の開口（１１ａ）を貫
通している細長のロッドとの間をシールするための低剛
性シール（４２）において、該シールには、 環状カラー（４３）が含まれ、前記環状カラーが、前記
細長のロッド（４１）の周囲に回転可能に取付けられ、
かつ前記長手軸線と同心的な第１シール面（４３ａ）を
有しており、また第２と第３のシール面（４４ａ，４４
ｂ）を有する中間部材（４４）が含まれ、前記第２シー
ル面（４４ａ）が、前記第１シール面（４３ａ）と相補
的かつ対向しており、更にプレート部材（４５）が含ま
れ、該プレート部材が、前記細長のロッド（４１）の貫
通する開口（１１ａ）を画定し、かつ前記第３シール面
（４４ｂ）と相補的で対向する第４シール面を有してお
り、また前記プレート部材が前記真空チャンバ（Ｖ）に
取付け可能である、低剛性シール。 - 【請求項１２】前記第１と第２のシール面（４３ａ，４
４ａ）が、ほぼ球面状であり、前記第３（４４ｂ）と第
４のシール面がほぼ平らで、好ましくは前記長手軸線に
対し直角である、請求項１１に記載された低剛性シー
ル。 - 【請求項１３】 前記環状カラー（４３）が、更に前記
細長ロッド（４１）の外表面と相補的で、かつ対向する
第５シール面を含む、請求項１１または請求項１２に記
載された低剛性シール。 - 【請求項１４】 前記第５シール面がほぼ円筒形であ
る、請求項１３に記載された低剛性シール。 - 【請求項１５】 更に、対向する面（４３ａ，４４
ａ...）の複数対の少なくとも１対の間に設けられた支
承部（２１）が含まれている、請求項１１から請求項１
４までのいずれか１項に記載された低剛性シール。 - 【請求項１６】 前記支承部（２１）が、対向面間の隙
間（ｇ）を維持するために、圧縮気体を供給する気体支
承部（２１１）と、前記気体支承部と前記真空チャンバ
（Ｖ）との間に前記隙間（ｇ）へ供給されるガスを排出
する排出部（２１２，２１３）とを含んでいる、請求項
１５に記載された低剛性シール。 - 【請求項１７】 デバイスを製造する方法であって、エ
ネルギー感知材料層によって少なくとも部分的に被覆さ
れた基板（Ｗ）を得る段階と、 １つのパターンを含むマスク（ＭＡ）を得る段階と、 マスクパターンの少なくとも一部の画像を、エネルギー
感知材料層のターゲット区画（Ｃ）に投影するために、
照射投影ビーム（ＰＢ）を使用する段階とを含む形式の
ものにおいて、 前記基板（Ｗ）と前記マスク（ＭＡ）のうちの少なくと
も一方が真空チャンバ（Ｖ）内に配置されており、 前記一方のマスク（ＭＡ）または基板（Ｗ）が前記真空
チャンバ（Ｖ）内に配置された基準フレーム（５０）に
対して位置決めされ、前記基準フレームが、前記真空チ
ャンバの外部から支持され、かつ前記真空チャンバ壁部
（１１）から絶縁されている、デバイスを製造する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP99201194.0 | 1999-04-19 | ||
| EP99201194 | 1999-04-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340502A true JP2000340502A (ja) | 2000-12-08 |
| JP3727222B2 JP3727222B2 (ja) | 2005-12-14 |
Family
ID=8240109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000114658A Expired - Fee Related JP3727222B2 (ja) | 1999-04-19 | 2000-04-17 | 真空チャンバと共に使用する絶縁マウントおよびリソグラフ投影装置内での使用 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3727222B2 (ja) |
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| TW (1) | TW559688B (ja) |
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| JP2012015506A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Asml Netherlands Bv | アクチュエータ |
| JP2014086524A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Canon Inc | 処理装置、それを用いた物品の製造方法 |
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1999
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-
2000
- 2000-04-17 JP JP2000114658A patent/JP3727222B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-17 KR KR10-2000-0020103A patent/KR100524265B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-04-17 US US09/551,323 patent/US6774374B1/en not_active Expired - Lifetime
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