JPS62296516A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPS62296516A JPS62296516A JP61141044A JP14104486A JPS62296516A JP S62296516 A JPS62296516 A JP S62296516A JP 61141044 A JP61141044 A JP 61141044A JP 14104486 A JP14104486 A JP 14104486A JP S62296516 A JPS62296516 A JP S62296516A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明は、１μｍ以下の微細パターンの複写に威力を発
揮するＸ線リングラフィの分野における、特にシンクロ
トロン放射線源を用いたＸ線露光装置に関する。
揮するＸ線リングラフィの分野における、特にシンクロ
トロン放射線源を用いたＸ線露光装置に関する。
（従来の技術）
近年、サブミクロン幅パターンの高速転写技術として、
高強度Ｘ線源であるシンクロトロン放射源を用いたＸ線
露光技術が一段と脚光を浴びて、各所で精力的に研究、
開発が行われ始めた。シンクロトロン放射線源を用いた
Ｘ線露光技術は、例えば１９７６年に発行された刊行物
ジャーナル・オプ・アプライド・フイジイクス（ＪＯｌ
ｌｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｂｙｓｉｅｓ
） ４７巻１２号、５４５０〜５４５９頁に、あるいは
１９７９年に発行された刊行物アイトリプルイー・トラ
ンザクションズ・オン・エレクトロン・デバイクイズ（
ＩＥｇＥ’Ｉ’ＲＡＮ８ＡＣＴＩＯＮ８ ＯＮ Ｋ
ＬＥＣＴＲＯＮＤｇＶＩＣ１１！ｉ８ ）ｇＤ−２６巻
４号、６９３〜６９Ｂ頁に初期の頃の成果ｂ’−示され
ずいる。第２図（ａ）、（ｂ）に、従来より行われてい
るシンクロトロン放射線源を用いたＸ線露光装置の基本
的概念図を示す。第２図（１）において、電子蓄積リン
グｌにおけるシンクロトロン放射光源２から、シンクロ
トロン放射光（以後放射光と略記す）３が放射される。
高強度Ｘ線源であるシンクロトロン放射源を用いたＸ線
露光技術が一段と脚光を浴びて、各所で精力的に研究、
開発が行われ始めた。シンクロトロン放射線源を用いた
Ｘ線露光技術は、例えば１９７６年に発行された刊行物
ジャーナル・オプ・アプライド・フイジイクス（ＪＯｌ
ｌｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｂｙｓｉｅｓ
） ４７巻１２号、５４５０〜５４５９頁に、あるいは
１９７９年に発行された刊行物アイトリプルイー・トラ
ンザクションズ・オン・エレクトロン・デバイクイズ（
ＩＥｇＥ’Ｉ’ＲＡＮ８ＡＣＴＩＯＮ８ ＯＮ Ｋ
ＬＥＣＴＲＯＮＤｇＶＩＣ１１！ｉ８ ）ｇＤ−２６巻
４号、６９３〜６９Ｂ頁に初期の頃の成果ｂ’−示され
ずいる。第２図（ａ）、（ｂ）に、従来より行われてい
るシンクロトロン放射線源を用いたＸ線露光装置の基本
的概念図を示す。第２図（１）において、電子蓄積リン
グｌにおけるシンクロトロン放射光源２から、シンクロ
トロン放射光（以後放射光と略記す）３が放射される。
第２図（ｂ）において、ビームライン４と称される光学
系を通過した放射光３は、放射光取出し窓５を通して、
Ｘ線マスク６及びＸ線しジストＲを塗布した被加工物Ｗ
とから成るＸ線露光系に導かれる。なお、ビームライン
４は真空に保たれている。Ｘ線マスク６上に照射された
放射光３によって、Ｘ線マスク６上のパターンが、Ｘ線
しジスト玉上に転写される。
系を通過した放射光３は、放射光取出し窓５を通して、
Ｘ線マスク６及びＸ線しジストＲを塗布した被加工物Ｗ
とから成るＸ線露光系に導かれる。なお、ビームライン
４は真空に保たれている。Ｘ線マスク６上に照射された
放射光３によって、Ｘ線マスク６上のパターンが、Ｘ線
しジスト玉上に転写される。
（発明が解決しようとする問題点）
シンクロトロン放射光源を用いたＸ線露光技術は、実用
を１指した研究開発が途についたばかりであり、解決さ
れなければならない問題点は山積している。特に電子蓄
積リングｌ、ビームライン４等から構成されるＸ線露光
システムの構造に係わる課題が多数残されている。全体
のＸ線露光システム構成上における一つの重要な要素は
、放射光取出し窓である。露光技術の観点からみた放射
光取出し窓に対する要請としては、＋１１露光に必要な
波長域５〜２０にの軟Ｘ線を十分通す薄い膜厚の箔であ
ること、（２）放射光照射により発生する熱に耐性があ
ること、（３）取出し窓部に外部から加わる気体圧に耐
えること、（４）Ｘ線レジストが塗布された被加工物−
ヒへの露光域が十分大きくとれるように大口径であるこ
と等の厳しい条件がある。これらの条件を満たすものと
して、通常Ｂｅ箔窓が用いられる。厚さ３０〜１００μ
ｍ、直径数確のものが代表的である。また放射光取出用
Ｂｅ窓の外側は通常大気圧の空気雰囲気である。このと
きＢｅ窓において重大な問題点がある。一つはＢｅ窓の
酸素雰囲気中マの劣化である。これは、Ｂｅ窓を通して
放射光が大気側に出てきたとぎ、酸素ガスに接する表面
において化学反応が起こりＢ８窓にピンホールがあく現
象であると言われている。
を１指した研究開発が途についたばかりであり、解決さ
れなければならない問題点は山積している。特に電子蓄
積リングｌ、ビームライン４等から構成されるＸ線露光
システムの構造に係わる課題が多数残されている。全体
のＸ線露光システム構成上における一つの重要な要素は
、放射光取出し窓である。露光技術の観点からみた放射
光取出し窓に対する要請としては、＋１１露光に必要な
波長域５〜２０にの軟Ｘ線を十分通す薄い膜厚の箔であ
ること、（２）放射光照射により発生する熱に耐性があ
ること、（３）取出し窓部に外部から加わる気体圧に耐
えること、（４）Ｘ線レジストが塗布された被加工物−
ヒへの露光域が十分大きくとれるように大口径であるこ
と等の厳しい条件がある。これらの条件を満たすものと
して、通常Ｂｅ箔窓が用いられる。厚さ３０〜１００μ
ｍ、直径数確のものが代表的である。また放射光取出用
Ｂｅ窓の外側は通常大気圧の空気雰囲気である。このと
きＢｅ窓において重大な問題点がある。一つはＢｅ窓の
酸素雰囲気中マの劣化である。これは、Ｂｅ窓を通して
放射光が大気側に出てきたとぎ、酸素ガスに接する表面
において化学反応が起こりＢ８窓にピンホールがあく現
象であると言われている。
Ｂｅ窓にピンホールがあくとリークが起こり、真空系へ
のダメージが大きい。特にビームラインが元の電子蓄積
リングに同一真空でつながっているときは、このリーク
によって超高真空系である電子蓄積リングのダメージは
極めて大きく、元に回復させるのに相当の労力・時間（
暁出し）を要することになる。二つ目の問題点は、放射
光は、放射光によるＢｅ窓に対する熱的ダメージである
。
のダメージが大きい。特にビームラインが元の電子蓄積
リングに同一真空でつながっているときは、このリーク
によって超高真空系である電子蓄積リングのダメージは
極めて大きく、元に回復させるのに相当の労力・時間（
暁出し）を要することになる。二つ目の問題点は、放射
光は、放射光によるＢｅ窓に対する熱的ダメージである
。
放射光の場合、市販型の電子ビーム励起Ｘ線源に比べて
、強度が二指以上高く、熱的ダメージも大きい。熱によ
る影響としては、熱応力の発生による耐外気圧性の減少
、Ｂｅ箔表面の劣化等があり、いずれもＢ＠箔の劣化に
つながり、露光システムの長期安定性にとって非常に重
大な問題点である。
、強度が二指以上高く、熱的ダメージも大きい。熱によ
る影響としては、熱応力の発生による耐外気圧性の減少
、Ｂｅ箔表面の劣化等があり、いずれもＢ＠箔の劣化に
つながり、露光システムの長期安定性にとって非常に重
大な問題点である。
本発明の目的は、このような従来の問題点を除去せしめ
て、放射光取出し窓の長期信頼性に優れたＸ線露光装置
を提供することにある。
て、放射光取出し窓の長期信頼性に優れたＸ線露光装置
を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
シンクロトロン放射光源から放射されるシンクロトロン
放射光を、ビームラインを経由してそのビームラインの
先端に設置されたＸ線取出し窓から取出し、Ｘ線マスク
を通してＸ線レジストが塗布された被加工物に照射する
構造を有するＸ線露光装置において、前記放射光取出し
窓と前記Ｘ線マスクとの間の前記放射光の伝播路が管体
で囲んであり、前記放射光取出し窓と前記Ｘ線マスクと
で囲まれた密閉構造のチャンバが形成してあり、前記チ
ャンバ内の雰囲気がヘリウム又は窒素ガスで満たされる
ことを特徴とするＸ線露光装置。
放射光を、ビームラインを経由してそのビームラインの
先端に設置されたＸ線取出し窓から取出し、Ｘ線マスク
を通してＸ線レジストが塗布された被加工物に照射する
構造を有するＸ線露光装置において、前記放射光取出し
窓と前記Ｘ線マスクとの間の前記放射光の伝播路が管体
で囲んであり、前記放射光取出し窓と前記Ｘ線マスクと
で囲まれた密閉構造のチャンバが形成してあり、前記チ
ャンバ内の雰囲気がヘリウム又は窒素ガスで満たされる
ことを特徴とするＸ線露光装置。
（実施例）
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。第１図は本発明の一実施例におけるビームライン
露光系を示す断面図である。本実施例は、シンクロトロ
ン放射光源２から放射された放射光３がビームライン４
内を通して放射光取出し窓の領域に導かれる点では、第
２図（ａ）。
する。第１図は本発明の一実施例におけるビームライン
露光系を示す断面図である。本実施例は、シンクロトロ
ン放射光源２から放射された放射光３がビームライン４
内を通して放射光取出し窓の領域に導かれる点では、第
２図（ａ）。
（ｂ）に示した従来構造と同じである。本実施例では第
１図に示すように、放射光取出し窓５とＸ線マスク６と
の間隙ビームライン４の外筒が延長されており、放射光
取出し窓５とＸ線マスク６とその延長外筒とで囲んで密
閉構造のチャンバ７が形成しである。さらＫこのチャン
バ７内の雰囲気をヘリウム又は窒素ガスで満たす。この
ような雰囲気にする一つの手段として、例えばガス導入
口８からヘリウム又は窒素ガスを導入し、ガス出口９か
ら導出するようなガスフローの方式が第１図において示
しである。放射光取出し窓５としては通常Ｂｅ箔が用い
られる。以上のような構成をとれば、放射光取出し窓５
の放射光取出し側の表面はヘリウム又は窒素ガスと接触
してあり、酸素ガスに触れていないので、前述のような
放射光が大気中に出てきたときのＢｅと酸素ガスとの化
学反応によるＢｅ窓のピンホールは生じない。またヘリ
ウム又は窒素ガスとＢｅ窓５との表面接触によってＢｅ
窓部の発生熱がこれらのガスに伝達されるから、前述の
熱応力及び表面ダメージ等によるＢ８窓５の劣化は生じ
ない。特に第１図のようにガスフロ一方式を採用すると
、より一層の冷却効果がある。なお窒素ガスを用いる場
合、放射光の吸収がやや大きいが、との吸収は放射光取
出し窓５とＸ線マスク６との距離を可能な限り短かぐす
ることにより実用上支障がない程度におさえられる。
１図に示すように、放射光取出し窓５とＸ線マスク６と
の間隙ビームライン４の外筒が延長されており、放射光
取出し窓５とＸ線マスク６とその延長外筒とで囲んで密
閉構造のチャンバ７が形成しである。さらＫこのチャン
バ７内の雰囲気をヘリウム又は窒素ガスで満たす。この
ような雰囲気にする一つの手段として、例えばガス導入
口８からヘリウム又は窒素ガスを導入し、ガス出口９か
ら導出するようなガスフローの方式が第１図において示
しである。放射光取出し窓５としては通常Ｂｅ箔が用い
られる。以上のような構成をとれば、放射光取出し窓５
の放射光取出し側の表面はヘリウム又は窒素ガスと接触
してあり、酸素ガスに触れていないので、前述のような
放射光が大気中に出てきたときのＢｅと酸素ガスとの化
学反応によるＢｅ窓のピンホールは生じない。またヘリ
ウム又は窒素ガスとＢｅ窓５との表面接触によってＢｅ
窓部の発生熱がこれらのガスに伝達されるから、前述の
熱応力及び表面ダメージ等によるＢ８窓５の劣化は生じ
ない。特に第１図のようにガスフロ一方式を採用すると
、より一層の冷却効果がある。なお窒素ガスを用いる場
合、放射光の吸収がやや大きいが、との吸収は放射光取
出し窓５とＸ線マスク６との距離を可能な限り短かぐす
ることにより実用上支障がない程度におさえられる。
以−ヒ述べたように、本実施例では、放射光取出Ｗ・・
・被加工物。
・被加工物。
し窓５にピンホールがあいたり、その窓５が劣化したり
することがないから、放射光取出し窓５が長期にたって
安定に使用できる。
することがないから、放射光取出し窓５が長期にたって
安定に使用できる。
（発明の効果）
以上説明したように零発明け、シンクロトロン放射光を
通過させて露光部に導くビームラインの信頼性を向上し
、ひいてはシンクロトロン放射光を用いたＸ線露光装置
の実用化に大きく寄与できる。
通過させて露光部に導くビームラインの信頼性を向上し
、ひいてはシンクロトロン放射光を用いたＸ線露光装置
の実用化に大きく寄与できる。
第１図は本発明の一実施例におけるビームライン露光系
の構造を示す断面図であり、第２図（１）はタンクロト
ロン放射線源の要部を示す概念図、第２図（ｂ）は従来
のビームライン露光系を示す断面図である。 １・・・電子蓄積リング、２・・・シンクロトロン放射
光源、３・・・放射光、４・・・ビームライン、訃・・
放射光取出し窓、６・・・Ｘ線マスク、７・・・チャン
バ、８・・・ガス入口、９・・・ガス出口、Ｒ・・・Ｘ
線レジスト、代理人 弁理士 本 庄 伸 介 ８１Ｊ″スλＯ 第１図 第２図（ａ） 第２図（ｂ）
の構造を示す断面図であり、第２図（１）はタンクロト
ロン放射線源の要部を示す概念図、第２図（ｂ）は従来
のビームライン露光系を示す断面図である。 １・・・電子蓄積リング、２・・・シンクロトロン放射
光源、３・・・放射光、４・・・ビームライン、訃・・
放射光取出し窓、６・・・Ｘ線マスク、７・・・チャン
バ、８・・・ガス入口、９・・・ガス出口、Ｒ・・・Ｘ
線レジスト、代理人 弁理士 本 庄 伸 介 ８１Ｊ″スλＯ 第１図 第２図（ａ） 第２図（ｂ）
Claims (1)
- シンクロトロン放射光源から放射されるシンクロトロン
放射光を、ビームラインを経由してそのビームラインの
先端に設置されたＸ線取出し窓から取出し、Ｘ線マスク
を通してＸ線レジストが塗布された被加工物に照射する
構造を有するＸ線露光装置において、前記放射光取出し
窓と前記Ｘ線マスクとの間の前記放射光の伝播路が筐体
で囲んであり、前記放射光取出し窓と前記Ｘ線マスクと
で囲まれた密閉構造のチャンバが形成してあり、前記チ
ャンバ内の雰囲気がヘリウム又は窒素ガスで満たされる
ことを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61141044A JPS62296516A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61141044A JPS62296516A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62296516A true JPS62296516A (ja) | 1987-12-23 |
Family
ID=15282942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61141044A Pending JPS62296516A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62296516A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6490528A (en) * | 1987-10-01 | 1989-04-07 | Solex Kk | X-ray aligner |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP61141044A patent/JPS62296516A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6490528A (en) * | 1987-10-01 | 1989-04-07 | Solex Kk | X-ray aligner |
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