JPH058854B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH058854B2 JPH058854B2 JP61154390A JP15439086A JPH058854B2 JP H058854 B2 JPH058854 B2 JP H058854B2 JP 61154390 A JP61154390 A JP 61154390A JP 15439086 A JP15439086 A JP 15439086A JP H058854 B2 JPH058854 B2 JP H058854B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- synchrotron radiation
- window
- ray
- radiation
- synchrotron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 56
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシンクロトロン放射線源を用いたＸ線
露光装置に関する。
露光装置に関する。
近年、サブミクロン幅パターンの高速転写技術
として、高強度Ｘ線源であるシンクロトロン放射
線源を用いたＸ線露光技術が一段と脚光を浴び
て、各所で精力的に研究、開発が行われ始めた。
シンクロトロン放射線源を用いたＸ線露光技術
は、例えば1976年に発行された刊行物ジヤーナ
ル・オブ・アプライド・フイジイクス（Journal
of Applied physics）47巻12号、5450〜5459頁
に、あるいは1979年に発行された刊行物アイトリ
プルイー・トランザクシヨンズ・オン・エレクト
ロン・デバイシイズ（IEEE TRANSACTIONS
ON ELECTRON DEVICES）ED−25巻４号、
693〜698頁に初期の項の成果が示されている。第
２図ａ，ｂに、従来より行われているシンクロト
ロン放射線源を用いたＸ線露光装置の基本的概念
図を示す。第２図ａにおいて、電子蓄積リング１
におけるシンクロトロン放射光源２から、シンク
ロトロン放射光（以後放射光と略す）３が放射さ
れる。第２図ｂにおいて、ビームライン４と称さ
れる真空に保たれた光学系を通過した放射光３は
放射光取出し窓５を通して、Ｘ線マスク６及びＸ
線レジストＲを塗布した被加工物ＷとからなるＸ
線露光系に導かれ、Ｘ線マスク６上に照射された
放射光３によつて、Ｘ線マスク６上のパターン
が、Ｘ線レジスト上に転写される。
として、高強度Ｘ線源であるシンクロトロン放射
線源を用いたＸ線露光技術が一段と脚光を浴び
て、各所で精力的に研究、開発が行われ始めた。
シンクロトロン放射線源を用いたＸ線露光技術
は、例えば1976年に発行された刊行物ジヤーナ
ル・オブ・アプライド・フイジイクス（Journal
of Applied physics）47巻12号、5450〜5459頁
に、あるいは1979年に発行された刊行物アイトリ
プルイー・トランザクシヨンズ・オン・エレクト
ロン・デバイシイズ（IEEE TRANSACTIONS
ON ELECTRON DEVICES）ED−25巻４号、
693〜698頁に初期の項の成果が示されている。第
２図ａ，ｂに、従来より行われているシンクロト
ロン放射線源を用いたＸ線露光装置の基本的概念
図を示す。第２図ａにおいて、電子蓄積リング１
におけるシンクロトロン放射光源２から、シンク
ロトロン放射光（以後放射光と略す）３が放射さ
れる。第２図ｂにおいて、ビームライン４と称さ
れる真空に保たれた光学系を通過した放射光３は
放射光取出し窓５を通して、Ｘ線マスク６及びＸ
線レジストＲを塗布した被加工物ＷとからなるＸ
線露光系に導かれ、Ｘ線マスク６上に照射された
放射光３によつて、Ｘ線マスク６上のパターン
が、Ｘ線レジスト上に転写される。
ところで、シンクロトロン放射光源を用いたＸ
線露光技術は、実用を目指した研究開発が途につ
いたばかりであり、解決されなければならない問
題点は山積している。特に電子蓄積リング１、ビ
ームライン４等から構成されるＸ線露光システム
の構造に係わる課題が多数残されている。特にビ
ームラインの構造において、真空破壊の防御対策
あるいはシンクロトロン熱吸収のため、放射光透
過窓を用いる必要がある。すなわちビームライン
の最下位に設置されている放射光取出し窓は、通
常、構成上大気圧を受けていることが多く、ま
た、一方では放射光を十分に透過させるといえ必
要があるため、放射光取出し窓としては厚さ数十
〜100μｍのBe箔が用いられることが多い。この
ため、Be窓は大気圧に対する耐性と、放射光に
よる熱に対する耐性とを同時に有する必要があ
る。これは熱の発生によつても、熱応力によつて
圧力（大気圧）に対する耐性が劣化するためであ
る。放射光は強度が強い反面、Be窓での熱の発
生も多く、Be窓に大気圧に対する耐性を劣化さ
せる。これに対する対策として、ビームラインの
途中に放射光透過窓を設けるのが有効である。こ
の放射光透過窓によつて放射光の熱を吸収するこ
とができる。しかしながら、放射光透過窓を設け
ると放射光強度を弱めてしまうので、十分に薄く
する必要がある。そのため、放射光透過窓は圧力
に対して十分な耐性を有していないことが多い。
ビームラインは真空系で構成されており、真空排
気操作時の排気操作によつて放射光透過窓を破損
させてしまうという事故が生じることも多い。こ
のような事故は、放射光を用いたＸ線露光装置を
長期的に安定に使用するという観点からは、致命
的なダメージを与える。このような理由から放射
光を利用したＸ線露光装置を実用化するために
は、放射光透過窓を破壊しないで運用できる対策
を講じることが必要不可欠である。
線露光技術は、実用を目指した研究開発が途につ
いたばかりであり、解決されなければならない問
題点は山積している。特に電子蓄積リング１、ビ
ームライン４等から構成されるＸ線露光システム
の構造に係わる課題が多数残されている。特にビ
ームラインの構造において、真空破壊の防御対策
あるいはシンクロトロン熱吸収のため、放射光透
過窓を用いる必要がある。すなわちビームライン
の最下位に設置されている放射光取出し窓は、通
常、構成上大気圧を受けていることが多く、ま
た、一方では放射光を十分に透過させるといえ必
要があるため、放射光取出し窓としては厚さ数十
〜100μｍのBe箔が用いられることが多い。この
ため、Be窓は大気圧に対する耐性と、放射光に
よる熱に対する耐性とを同時に有する必要があ
る。これは熱の発生によつても、熱応力によつて
圧力（大気圧）に対する耐性が劣化するためであ
る。放射光は強度が強い反面、Be窓での熱の発
生も多く、Be窓に大気圧に対する耐性を劣化さ
せる。これに対する対策として、ビームラインの
途中に放射光透過窓を設けるのが有効である。こ
の放射光透過窓によつて放射光の熱を吸収するこ
とができる。しかしながら、放射光透過窓を設け
ると放射光強度を弱めてしまうので、十分に薄く
する必要がある。そのため、放射光透過窓は圧力
に対して十分な耐性を有していないことが多い。
ビームラインは真空系で構成されており、真空排
気操作時の排気操作によつて放射光透過窓を破損
させてしまうという事故が生じることも多い。こ
のような事故は、放射光を用いたＸ線露光装置を
長期的に安定に使用するという観点からは、致命
的なダメージを与える。このような理由から放射
光を利用したＸ線露光装置を実用化するために
は、放射光透過窓を破壊しないで運用できる対策
を講じることが必要不可欠である。
本発明の目的は上記従来の問題点を除去し、放
射光透過窓の破壊及び劣化を防ぎ長期信頼性を有
するＸ線露光装置を提供することにある。
射光透過窓の破壊及び劣化を防ぎ長期信頼性を有
するＸ線露光装置を提供することにある。
本発明は上流のシンクロトロン放射光源から放
射されるシンクロトロン放射光を、ビームライン
を経由してビームラインの先端に設置された放射
光取出し窓から取出し、最下流のＸ線マスク及び
Ｘ線レジストが塗布された被加工物に照射するＸ
線露光装置において、前記ビームラインの一部に
放射光透過窓を有し、該放射光透過窓の上流側及
び下流側に各々真空排気する排気部を設けたこと
を特徴とするＸ線露光装置である。
射されるシンクロトロン放射光を、ビームライン
を経由してビームラインの先端に設置された放射
光取出し窓から取出し、最下流のＸ線マスク及び
Ｘ線レジストが塗布された被加工物に照射するＸ
線露光装置において、前記ビームラインの一部に
放射光透過窓を有し、該放射光透過窓の上流側及
び下流側に各々真空排気する排気部を設けたこと
を特徴とするＸ線露光装置である。
以下本発明の実施例について、図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第１図に本発明の一実施例を示す。第１図にお
いて、放射光３は第２図ａに示すシンクロトロン
放射光源２より放射され、これがビームライン４
に導入される。ビームライン４に導入された放射
光３は、まず振動ミラー７を通り、ゲートバルブ
８が開のとき、より下流の放射光透過窓９を通
り、放射光取出し窓５を通つて大気中に取出され
る。大気中に取出された放射光３が、Ｘ線マスク
６を通してＸ線レジストＲを塗布した被加工物Ｗ
に照射される。放射光取出し窓５は大気中に耐え
る構造を有しているが、放射光３により熱を吸収
するために、その前方に放射光透過窓９が設けら
れている。放射光透過窓９は、熱吸収が主目的で
あるため大気圧の耐性は不要である。そのためか
なり薄くして放射光の必要波長の強度の劣化は防
ぐことができる。放射光透過窓９の材料として
は、Be箔、Si膜、SiN膜、SiC膜等がある。とこ
ろで、放射光透過窓９は圧力に対する耐性がない
ため、取扱いには厳重に注意をする必要がある。
特に、真空排気時の放射光透過窓への加圧が事故
につながることが多い。そこで本発明では、放射
光透過窓９をはさんでその前後にバイパス構造の
真空排気部１０を設けたものである。真空排気の
際には、放射光透過窓９の両側、すなわちすぐ上
流及び下流を同時に廃棄することによつて、放射
光透過窓９に加わる圧力を極めて軽減することが
できる。このようなバイパス構造を有する真空排
気部１０による真空排気は、装置の立上げのとき
において特に有効である。すなわち、装置の立上
げ前には、放射光透過窓９の上流側、下流側はと
もに大気圧であり、放射光透過窓９に加わる圧力
は零の状態である。真空排気部１０を通じての真
空排気によつて放射光透過窓９の上流側及び下流
側の両側から真空引きを行うため、放射光透過窓
９に対して圧力が加わることはない。
いて、放射光３は第２図ａに示すシンクロトロン
放射光源２より放射され、これがビームライン４
に導入される。ビームライン４に導入された放射
光３は、まず振動ミラー７を通り、ゲートバルブ
８が開のとき、より下流の放射光透過窓９を通
り、放射光取出し窓５を通つて大気中に取出され
る。大気中に取出された放射光３が、Ｘ線マスク
６を通してＸ線レジストＲを塗布した被加工物Ｗ
に照射される。放射光取出し窓５は大気中に耐え
る構造を有しているが、放射光３により熱を吸収
するために、その前方に放射光透過窓９が設けら
れている。放射光透過窓９は、熱吸収が主目的で
あるため大気圧の耐性は不要である。そのためか
なり薄くして放射光の必要波長の強度の劣化は防
ぐことができる。放射光透過窓９の材料として
は、Be箔、Si膜、SiN膜、SiC膜等がある。とこ
ろで、放射光透過窓９は圧力に対する耐性がない
ため、取扱いには厳重に注意をする必要がある。
特に、真空排気時の放射光透過窓への加圧が事故
につながることが多い。そこで本発明では、放射
光透過窓９をはさんでその前後にバイパス構造の
真空排気部１０を設けたものである。真空排気の
際には、放射光透過窓９の両側、すなわちすぐ上
流及び下流を同時に廃棄することによつて、放射
光透過窓９に加わる圧力を極めて軽減することが
できる。このようなバイパス構造を有する真空排
気部１０による真空排気は、装置の立上げのとき
において特に有効である。すなわち、装置の立上
げ前には、放射光透過窓９の上流側、下流側はと
もに大気圧であり、放射光透過窓９に加わる圧力
は零の状態である。真空排気部１０を通じての真
空排気によつて放射光透過窓９の上流側及び下流
側の両側から真空引きを行うため、放射光透過窓
９に対して圧力が加わることはない。
放射光透過窓９とパイバス構造を有する真空排
気中１０とから構造される機構部の設置場所につ
いては、第１図の放射光取出し窓５のすぐ上流に
限定する必要はない。例えば、第１図の振動ミラ
ー７の上流に置くとこも有効である。この場合に
は、放射光照射によるミラーからの放出ガスが振
動ミラーより上流に流入することを防ぐことがで
きるメリツトも兼ねることができる。
気中１０とから構造される機構部の設置場所につ
いては、第１図の放射光取出し窓５のすぐ上流に
限定する必要はない。例えば、第１図の振動ミラ
ー７の上流に置くとこも有効である。この場合に
は、放射光照射によるミラーからの放出ガスが振
動ミラーより上流に流入することを防ぐことがで
きるメリツトも兼ねることができる。
以上説明したように本発明によれば、シンクロ
トロン放射光を通過させて露光部に薄くビームラ
インの信頼性を向上し、シンクロトロン放射光を
用いたＸ線露光装置の実用化に大きく寄与できる
効果を有する。
トロン放射光を通過させて露光部に薄くビームラ
インの信頼性を向上し、シンクロトロン放射光を
用いたＸ線露光装置の実用化に大きく寄与できる
効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す放射光透過窓
及びバイパス構造を有する真空排気部の構造図、
第２図ａはシンクロトロン放射線源の要部斜視
図、ｂは従来のビームライン露光系の断面図であ
る。 ３……放射光、４……ビームライン、５……放
射光取出し窓、６……Ｘ線マスク、７……振動ミ
ラー、８……ゲートバルブ、９……放射光透過
窓、１０……真空排気部、Ｒ……Ｘ線レジスト、
Ｗ……被加工物。
及びバイパス構造を有する真空排気部の構造図、
第２図ａはシンクロトロン放射線源の要部斜視
図、ｂは従来のビームライン露光系の断面図であ
る。 ３……放射光、４……ビームライン、５……放
射光取出し窓、６……Ｘ線マスク、７……振動ミ
ラー、８……ゲートバルブ、９……放射光透過
窓、１０……真空排気部、Ｒ……Ｘ線レジスト、
Ｗ……被加工物。
Claims (1)
- １ 上流のシンクロトロン放射光源から放射され
るシンクロトロン放射光を、ビームラインを経由
してビームラインの先端に設置された放射光取出
し窓から取出し、最下流のＸ線マスク及びＸ線レ
ジストが塗布された被加工物に照射するＸ線露光
装置において、前記ビームラインの一部に放射光
透過窓を有し、該放射光透過窓の上流側及び下流
側に各々真空排気する排気部を設けたことを特徴
とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154390A JPS639930A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154390A JPS639930A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639930A JPS639930A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH058854B2 true JPH058854B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=15583089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154390A Granted JPS639930A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639930A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2959579B2 (ja) * | 1990-06-19 | 1999-10-06 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61154390A patent/JPS639930A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639930A (ja) | 1988-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0174877A2 (en) | X-ray application system | |
| TW533336B (en) | Lithographic device | |
| US20110249243A1 (en) | Optical element for a lithographic apparatus, lithographic apparatus comprising such optical element and method for making the optical element | |
| EP0358443A3 (en) | Mask cassette loading device | |
| JPH058854B2 (ja) | ||
| US20040165171A1 (en) | Arrangement for debris reduction in a radiation source based on a plasma | |
| JP3118933B2 (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH0429179B2 (ja) | ||
| JPS62296516A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPS6055624A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPS62291028A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP3176216B2 (ja) | Ｘ線取り出し窓 | |
| Turcu et al. | Calibration of an excimer laser-plasma source for X-ray lithography | |
| JPS62296515A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH0426206B2 (ja) | ||
| JPH01107200A (ja) | シンクロトロン放射光ビームライン | |
| EP0127861A2 (en) | X-ray lithography | |
| JP3357579B2 (ja) | ブロッカ装置 | |
| JPH0630337B2 (ja) | Ｘ線リソグラフイ方法 | |
| JPS62219521A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH10275764A (ja) | Ｘ線露光用装置 | |
| JPH0414000A (ja) | 放射線装置 | |
| JPS5913336A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH0296320A (ja) | Ｘ線転写方法 | |
| JPH0749400A (ja) | シンクロトロン放射光利用装置 |