JPH10275764A - Ｘ線露光用装置 - Google Patents
Ｘ線露光用装置Info
- Publication number
- JPH10275764A JPH10275764A JP9094978A JP9497897A JPH10275764A JP H10275764 A JPH10275764 A JP H10275764A JP 9094978 A JP9094978 A JP 9094978A JP 9497897 A JP9497897 A JP 9497897A JP H10275764 A JPH10275764 A JP H10275764A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- exposure
- rays
- protection plate
- substrate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線露光装置において、未露光時において該
装置の後方部への放射線の漏洩を皆無にする。 【解決手段】 Ｘ線マスク上に形成されたパターンをこ
れと対向して保持された基板に焼き付ける機能を有した
Ｘ線露光用装置において、露光用Ｘ線が通過する経路に
前記露光用Ｘ線を吸収する防護板を設ける。
装置の後方部への放射線の漏洩を皆無にする。 【解決手段】 Ｘ線マスク上に形成されたパターンをこ
れと対向して保持された基板に焼き付ける機能を有した
Ｘ線露光用装置において、露光用Ｘ線が通過する経路に
前記露光用Ｘ線を吸収する防護板を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクとウエハを
位置合せした後、マスクパタンをウエハ上に焼き付けて
半導体ＩＣやＬＳＩを製造するための露光装置に関する
ものである。
位置合せした後、マスクパタンをウエハ上に焼き付けて
半導体ＩＣやＬＳＩを製造するための露光装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣやＬＳＩの高集積化は主に回
路を構成するパターンの線幅を狭めることにより達成さ
れてきた。従来、半導体関連技術におけるパターンの焼
き付けには、一部の分野を除いて紫外線領域の光が用い
られてきた。近年の経緯を説明すると、まず超高圧水銀
灯が発するスペクトルの内のｇ線（波長３６５ｎｍ）が
露光用の光として用いられた。しかし、集積度の向上に
伴って基板上に焼き付けるべきパターンの線幅がｇ線の
波長より短くなるという状況になった。このため、さら
に波長の短い輝線であるｉ線が露光用の光として用いら
れてきた。露光に用いる光の短波長化はこの後も進み、
近年ではより波長の短い光源として波長２４８ｎｍのＫ
ｒＦエキシマレーザー、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシ
マレーザーの利用が検討されている。このうち前者のＫ
ｒＦエキシマレーザーを用いた露光装置は実用化の段階
に入っているが、後者のＡｒＦエキシマレーザーを用い
た露光装置の実用化は様々の困難に直面している。
路を構成するパターンの線幅を狭めることにより達成さ
れてきた。従来、半導体関連技術におけるパターンの焼
き付けには、一部の分野を除いて紫外線領域の光が用い
られてきた。近年の経緯を説明すると、まず超高圧水銀
灯が発するスペクトルの内のｇ線（波長３６５ｎｍ）が
露光用の光として用いられた。しかし、集積度の向上に
伴って基板上に焼き付けるべきパターンの線幅がｇ線の
波長より短くなるという状況になった。このため、さら
に波長の短い輝線であるｉ線が露光用の光として用いら
れてきた。露光に用いる光の短波長化はこの後も進み、
近年ではより波長の短い光源として波長２４８ｎｍのＫ
ｒＦエキシマレーザー、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシ
マレーザーの利用が検討されている。このうち前者のＫ
ｒＦエキシマレーザーを用いた露光装置は実用化の段階
に入っているが、後者のＡｒＦエキシマレーザーを用い
た露光装置の実用化は様々の困難に直面している。
【０００３】以上のように、紫外線領域の光を用いたパ
ターンの焼き付けはパターン線幅と露光用の光の波長と
の関係から原理的な困難に直面している。この困難性を
克服する１つの方法として波長１ｎｍ近傍の軟Ｘ線を用
いるＸ線露光技術が提唱されている。Ｘ線光源として
は、当初高エネルギーに加速した電子を固体に衝突させ
ることにより得られる特性Ｘ線を利用する電子励起型Ｘ
線源が、次いでピンチプラズマを利用するプラズマＸ線
源が検討された。現在では高い強度のＸ線が得られるシ
ンクロトロン加速器をＸ線光源として利用することが一
般的である。Ｘ線を利用したパターンの焼き付けには専
用の露光装置が必要であり、いわゆる「光」を用いた露
光装置とは基板の保持形態が大きく異なっている。すな
わち、Ｘ線露光装置では光源であるシンクロトロン加速
器からＸ線が地面と並行にＸ線露光装置に導かれるのに
対して、光露光装置では一般に地面に垂直に上から下に
向け「光」が導かれる。
ターンの焼き付けはパターン線幅と露光用の光の波長と
の関係から原理的な困難に直面している。この困難性を
克服する１つの方法として波長１ｎｍ近傍の軟Ｘ線を用
いるＸ線露光技術が提唱されている。Ｘ線光源として
は、当初高エネルギーに加速した電子を固体に衝突させ
ることにより得られる特性Ｘ線を利用する電子励起型Ｘ
線源が、次いでピンチプラズマを利用するプラズマＸ線
源が検討された。現在では高い強度のＸ線が得られるシ
ンクロトロン加速器をＸ線光源として利用することが一
般的である。Ｘ線を利用したパターンの焼き付けには専
用の露光装置が必要であり、いわゆる「光」を用いた露
光装置とは基板の保持形態が大きく異なっている。すな
わち、Ｘ線露光装置では光源であるシンクロトロン加速
器からＸ線が地面と並行にＸ線露光装置に導かれるのに
対して、光露光装置では一般に地面に垂直に上から下に
向け「光」が導かれる。
【０００４】ところで、作業環境の面から考えると、紫
外線を用いる光露光では問題にはならないが、Ｘ線露光
では放射線による被爆の問題がある。Ｘ線露光では、基
板が地面に対して垂直に保持され、さらに露光用のＸ線
も基板に垂直に入射する。このため、露光時には基板が
Ｘ線を遮断するが、露光時以外にＸ線が露光装置に導か
れている場合にはＸ線露光装置の後部に放射線としての
Ｘ線が到達することになり、ひいては被爆につながる。
外線を用いる光露光では問題にはならないが、Ｘ線露光
では放射線による被爆の問題がある。Ｘ線露光では、基
板が地面に対して垂直に保持され、さらに露光用のＸ線
も基板に垂直に入射する。このため、露光時には基板が
Ｘ線を遮断するが、露光時以外にＸ線が露光装置に導か
れている場合にはＸ線露光装置の後部に放射線としての
Ｘ線が到達することになり、ひいては被爆につながる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明のうち請求項１
の発明は、基板保持部より後ろの位置に露光用Ｘ線を吸
収する防護板を設けることにより、露光時以外にＸ線が
露光装置に導かれた場合にも、防護板により露光用Ｘ線
が吸収されるためＸ線が遮られることなくＸ線露光装置
後部へ到達することを防止することを目的としたもので
ある。また、請求項２の発明は上記防護板は平面上の防
護板で、斜め方向に通気部分を有し、かつ、Ｘ線進行方
向にはＸ線吸収材料を有する構造で、Ｘ線がＸ線露光装
置後部へ到達することを防止することを目的とした。
の発明は、基板保持部より後ろの位置に露光用Ｘ線を吸
収する防護板を設けることにより、露光時以外にＸ線が
露光装置に導かれた場合にも、防護板により露光用Ｘ線
が吸収されるためＸ線が遮られることなくＸ線露光装置
後部へ到達することを防止することを目的としたもので
ある。また、請求項２の発明は上記防護板は平面上の防
護板で、斜め方向に通気部分を有し、かつ、Ｘ線進行方
向にはＸ線吸収材料を有する構造で、Ｘ線がＸ線露光装
置後部へ到達することを防止することを目的とした。
【０００６】
【課題を解決するための手段】Ｘ線マスク上に形成され
たパターンをこれと対向して保持された基板に焼き付け
る機能を有したＸ線露光用装置において、露光用Ｘ線が
通過する経路に前期露光用Ｘ線を吸収する材料であり、
質量の大きい金属材料で構成された防護板を設けたこと
を特徴とするＸ線露光用装置であり、防護板は、平面状
の防護板、斜め方向に通気部分を有し、且つ、Ｘ線吸収
材料を有する構造であることを特徴とする。
たパターンをこれと対向して保持された基板に焼き付け
る機能を有したＸ線露光用装置において、露光用Ｘ線が
通過する経路に前期露光用Ｘ線を吸収する材料であり、
質量の大きい金属材料で構成された防護板を設けたこと
を特徴とするＸ線露光用装置であり、防護板は、平面状
の防護板、斜め方向に通気部分を有し、且つ、Ｘ線吸収
材料を有する構造であることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図１、図２を参照して本発
明の実施形態の一例を説明する。図１は、本発明に係わ
るＸ線露光装置の構成、即ち半導体ＩＣやＬＳＩを製造
するためのＸ線露光装置構成の概略を示すものである。
１のビームライよりＸ線入射される。第１図は基板が露
光位置にない場合を示している。基板５は露光位置にな
いため第１図のように基板ステージ４と共にＸ線と平行
に設置されている。このため、１のビームラインにより
導かれた露光用Ｘ線３はＸ線露光装置８の後部まで到達
するが、Ｘ線露光装置８の後部に設置された防護板７が
このＸ線を吸収あるいは遮断する。図１は基板が露光位
置にある場合を示している。この場合は、金属で構成さ
れた基板ステージ４により、通常はＸ線が後方に対して
遮断される。
明の実施形態の一例を説明する。図１は、本発明に係わ
るＸ線露光装置の構成、即ち半導体ＩＣやＬＳＩを製造
するためのＸ線露光装置構成の概略を示すものである。
１のビームライよりＸ線入射される。第１図は基板が露
光位置にない場合を示している。基板５は露光位置にな
いため第１図のように基板ステージ４と共にＸ線と平行
に設置されている。このため、１のビームラインにより
導かれた露光用Ｘ線３はＸ線露光装置８の後部まで到達
するが、Ｘ線露光装置８の後部に設置された防護板７が
このＸ線を吸収あるいは遮断する。図１は基板が露光位
置にある場合を示している。この場合は、金属で構成さ
れた基板ステージ４により、通常はＸ線が後方に対して
遮断される。
【０００８】図２は、防護板７のＸ線進行方向からみた
構成図であり、Ａ−Ａ’断面を示す。図２から、防護材
料板に斜め下方向にスリットを形成している。この構造
から、Ｘ線進行方向には防護材料があるため後方にＸ線
が透過することが無く、且つスリット部を通して空気が
流れる。空気が流れる構造により、Ｘ線露光装置無内で
の空気の「よどみ」を生じさせることを防ぐことができ
る。
構成図であり、Ａ−Ａ’断面を示す。図２から、防護材
料板に斜め下方向にスリットを形成している。この構造
から、Ｘ線進行方向には防護材料があるため後方にＸ線
が透過することが無く、且つスリット部を通して空気が
流れる。空気が流れる構造により、Ｘ線露光装置無内で
の空気の「よどみ」を生じさせることを防ぐことができ
る。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板が露光位置にない場合にも入射するＸ線がＸ線露光装
置後部あるいは露光装置外に透過することを防ぐことが
できる。また、防護板を中心に四角錐台状の穴を有する
構造としておくことにより、防護板で反射するＸ線を常
に防護板内部に向けることが可能となり、防護板のＸ線
吸収能を効果的に高めることができる。
板が露光位置にない場合にも入射するＸ線がＸ線露光装
置後部あるいは露光装置外に透過することを防ぐことが
できる。また、防護板を中心に四角錐台状の穴を有する
構造としておくことにより、防護板で反射するＸ線を常
に防護板内部に向けることが可能となり、防護板のＸ線
吸収能を効果的に高めることができる。
【図１】本発明に係わるＸ線露光装置である。
【図２】防護板のＸ線進行方向からみた構成図である。
１ ビームライン ２ Ｘ線露光用マスク ３ Ｘ−Ｙステージ ４ 基板ステージ ５ 基板 ６ 露光用Ｘ線 ７ 防護板 ８ Ｘ線露光装置 ９ 防護板桟部 １０ 防護板平板部 １１ 基板ステージ回転部 ７１ 防護材料 ７２ スリット部
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線マスク上に形成されたパターンをこ
れと対向して保持された基板に焼き付ける機能を有した
Ｘ線露光用装置において、露光用Ｘ線が通過する経路に
前記露光用Ｘ線を吸収する材料であり、重金属などの質
量の大きい金属材料で構成された防護板を設けたことを
特徴とするＸ線露光用装置。 - 【請求項２】 防護板は、平面状の防護板で、斜め方向
に通気部分を有し、且つ、Ｘ線進行方向にはＸ線吸収材
料を有する構造であることを特徴とする請求項１記載の
Ｘ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9094978A JPH10275764A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | Ｘ線露光用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9094978A JPH10275764A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | Ｘ線露光用装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275764A true JPH10275764A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=14125002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9094978A Pending JPH10275764A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | Ｘ線露光用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10275764A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7026192B2 (en) | 1998-10-21 | 2006-04-11 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Terminal land frame and method for manufacturing the same |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP9094978A patent/JPH10275764A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7026192B2 (en) | 1998-10-21 | 2006-04-11 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Terminal land frame and method for manufacturing the same |
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