JPS6173329A - 露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、露光技術、特に、露光前におけるアライメン
ト技術に関し、例えば、半導体装置の製造において、回
路パターンを転写する時に使用して存効なものに関する
。

〔背景技術〕

半導体装置の製造において、マスクのバク−／をウェハ
に転写する際、複数種類のパターンを同一のウェハに重
ね合わせ露光して行くために、マスクとウェハとをファ
インアライメントする場合、ウェハにターゲットパター
ンを形成しておき、このターゲットパターンを光学的手
法により検出し、この検出結果に基づいてウェハとマス
クとの相対位置を調整することにより、両者のファイン
アライメントを行うことが、考えられる。

しかし、かかるアライメント技術においては、ターゲッ
トパターンの表面にもレジストが塗布されているため、
アライメント精度が低下してしまうという問題点がある
ことが本発明者によって明らかにされた。

なお、露光装置におけるアライメント技術を述べである
例としては、株式会社工業調査会発行「電子材料１９８
２年１１月号別匝」昭和５６年１１月１０日発行　Ｐ１
０３〜Ｐ１０９、力（ある。

〔発明の目的］ 本発明の目的は、高いアライメント精度を得ることがで
きる露光技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、高エネルギ線を照射してレジストを気化させ
て除去することにより、ターゲットパターンを露出させ
、光学的手法によるアライメントがレジストに妨害され
ずに実行されるようにしたものである。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である露光装置を示す概略斜
視図、第２図はその拡大部分断面図である。

本実施例は縮小投影露光装置の場合を示しており、この
露光装置は、水湿ランプ等からなる露光光源１と、コン
デンサレンズ２と、パターンを描画されているレチクル
（拡大マスク）３と、縮小レンズ４と、縮小投影露光を
受ける露光対象物としてのウェハ６をプリアライメント
して保持し、かつ、ステンビイング移動させ得るＸＹテ
ーブル５と、ＸＹテーブル５の上方において露光の障害
とならないように設備されている局所レジスト除去装置
Ｚ１０とを備えている。

ウェハ６における各ペレットにはターゲットパターン７
が形成されており、ホトエツチングされるべき被膜８の
表面にレジスト９が被着されている。

局所レジスト除去装置１０は、ターゲットパターン７の
部分に塗布されているレジスト９の表面を包囲するダク
ト１１を一対備えており、両ダクト１１はモータ１３等
の適当な駆動手段により昇降されるホルダ１２に所定の
間隔をおいて略垂直に保持されている。

ダクト１１の上端には、真空ポンプ等からなる吸引装置
１４が電磁弁等からなる制御系１５を介して接続されて
おり、吸引装置１４はダクト１１内を吸引するようにな
っている。

ダクト１１の上端開口は、高エネルギ線としてのエキシ
マレーザ１６を投射するレーザ光源１７に臨むように配
設されており、ダクトｌｌの途中には反射鏡１８がレー
ザ１６を所定の箇所に照射し得るように介設されている
。

次に作用を説明する。

ＸＹテーブル５上にウェハ６がプリアライメントされて
保持されたら、モータ１３によりホルダ１２が下降され
、ダク）１１の下端面がレジスト９の表面に近接される
。このにより、ダクト１１はターゲットパターン７上に
塗布されている部分のレジスト９を包囲することになる
。続いて、吸引装置１４が制御系１５により制御されて
ダクト１１の内部を吸引し始める。

次に、レーザ光４１１１７からエキシマレーザ１６が投
射される。エキシマレーザ１６はダクト１１に包囲され
ているレジスト９に反射鏡１８により照射するように＄
１！　ｍされる。エキシマレーザ１６が照射されると、
レジスト９は気化して焼失するため、レーザ１６が照射
された部分であるターゲットパターン７は露出すること
になる。

レジスト９の焼失時に発生する気化ガス１９は、ダクト
１１の内部が吸引装置１４によって吸引されているため
、発生と同時にダク）１１の内部を上昇して行くことに
なる。したがって、レジスト９の気化ガスやスカム等の
残渣によってウェハ６の表面が汚染されることはない。

このようにして、ターゲットパターン７に対応する部分
のレジスト９が除去されると、局所レノスト除去装置？
２１０が上昇される。

その後、露出されたターゲットパターン７にアライメン
ト光線が照射され、ターゲットパターン７からの反射光
を検出することにより°、光学的なファインアライメン
トが実施される。

ところで、アライメント光線として、近紫外線（Ｇ線）
を使用すると、吸光レジストが使用されている場合、レ
ジストがＧ線を透過させないため、レジストに被覆され
たターゲットパターンは全（検出されないことになる。

また、吸光レジストでないレジストを使用した場合であ
っても、レジストの厚さむらによって光の干渉が生ずる
ため、検出精度が低下してしまう。

しかし、本実施例においては、前述したように、ターゲ
ットパターン７が露出されているため、アライメント光
線はターゲットパターン７に直接照射されることになる
。このため、吸光レジストが使用されている場合であっ
ても、アライメント光線としてＧ線を使用することがで
きる。また、ターゲットパターン７にアライメント光線
が直接照射されるため、当然、レジストの厚さむらによ
る光の干渉も発生することはなく、検出精度の低下は回
避されることになる。

光学的なファインアライメントが露出しているターゲッ
トパターンを利用して実施され、ウェハ６とレチプル３
との位置合わせが高精度に確保された後、露光光源ｌに
よりウェハ６にレチプル３のパターン３が縮小投影露光
される。

〔効果〕

ｆｉｌ　　高エネルギ線をターゲットパターン上のレジ
ストに照射して焼失させることにより、クーゲットパタ
ーンを露出させることができるため、光Ｔ釣手法により
ファインアライメントを実施した際において、クーゲッ
トパターンから反射して来る信号のレベルが大きくなり
、アライメント精度を高めることができる。

（２）　　高エネルギ線の照射による気化ガスを吸引す
ることにより、気化ガスが被露光面に残留するのを防止
することができるため、被露光面が汚染されるのを防止
することができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

°　例えば、局所レジスト除去装置を露光系に直接組み
込んで設備するに限らず、露光系と別の箇所に間接的に
設備してもよい。

また、レジスト除去直後にファインアライメントを実施
するに限らず、レジストの除去後、ウェハを移動させて
もよく、要は、レジスト除去後、露出されたクーゲット
パターンを利用してアライメント作業を実施すればよい
。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である縮小投影露光装置に
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではな（、コンタクトアライナ、ｌ：１プロジエクン
ヨンアライナ等の光方式の露光は勿論、電子ビーム、イ
オンビーム、Ｘ線を用いた露光の分野にも適用すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である露光装置を示す概略斜
視図、 第２図はその拡大部分断面図である。 ■・・・露光光源、２・・・コンデンサレンズ、３・・
・レチクル（拡大マスク）、４・・・縮小レンズ、５・
・・ＸＹテーブル、６・・・ウェハ、７・・・ターゲッ
トパターン、８・　・・被膜、９・・・レジスト、ｌＯ
・・・局所レジスト除去装置、１１・・・ダクト、１２
・・・ホルダ、１３・・・モータ、１４・・・吸引装置
、！５・・・詞２Ｂ系、１６・・・エキシマレーザ、Ｉ
７・・・レーザ光源、１８・・・反射鏡、１９　・・気
化ガス。 第　　　１　　図 第　　　２　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、高エネルギ線をターゲットパターン部分に照射して
   、ターゲットパターン部分の表面に塗布されているレジ
   ストを気化させて除去する局所レジスト除去装置を備え
   ている露光装置。 ２、高エネルギ線として、エキシマレーザが使用されて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光
   装置。 ３、局所レジスト除去装置が、レジストの気化ガスを吸
   引するように構成されていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の露光装置。