JPH0551169B2 - - Google Patents
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- JPH0551169B2 JPH0551169B2 JP62016727A JP1672787A JPH0551169B2 JP H0551169 B2 JPH0551169 B2 JP H0551169B2 JP 62016727 A JP62016727 A JP 62016727A JP 1672787 A JP1672787 A JP 1672787A JP H0551169 B2 JPH0551169 B2 JP H0551169B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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-
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電子線あるいはエツクス線露光によるパターン
の形成において、レジスト材料に、あらかじめ紫
外線を吸収する物質を混合しておき、該紫外線吸
収物質が混合された該レジストから成るレジスト
膜に対して、該電子線あるいはエツクス線に対す
る選択的露光の前もしくは後に、紫外線を全面に
一様に照射する。
の形成において、レジスト材料に、あらかじめ紫
外線を吸収する物質を混合しておき、該紫外線吸
収物質が混合された該レジストから成るレジスト
膜に対して、該電子線あるいはエツクス線に対す
る選択的露光の前もしくは後に、紫外線を全面に
一様に照射する。
本発明は、半導体装置の製造において用いられ
る微細パターンの形成方法に係り、とくに、電子
線あるいはエツクス線露光を用いるリソグラフイ
技術に関する。
る微細パターンの形成方法に係り、とくに、電子
線あるいはエツクス線露光を用いるリソグラフイ
技術に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造において、１ミクロンあるい
はそれ以下のサブミクロン領域のパターンの形成
のために、電子線あるいはエツクス線露光法が、
不可欠の技術となつている。
はそれ以下のサブミクロン領域のパターンの形成
のために、電子線あるいはエツクス線露光法が、
不可欠の技術となつている。
電子線露光法においては、シリコンウエフアー
等の基板の表面に形成された、1μｍ程度の厚さ
のレジスト膜に対して、通常、20〜30KeVの電
子線が照射される。該電子線は、レジスト膜を通
過後も、充分に大きなエネルギーを持つて基板に
衝突し、ここで後方散乱される。この後方散乱電
子によつても、レジスト膜は感光される。この散
乱は、等方的に行われる。したがつて、この後方
散乱電子により、パターンエツジ部を外れた位置
においても、レジスト膜が感光される。その結
果、パターンエツジの“ぼけ”、すなわち、パタ
ーンの解像度の低下が生じる。第１図ａおよびｂ
は、それぞれ、このような後方散乱電子による
“ぼけ”が生じた、ネガタイプレジスト膜および
ポジタイプレジスト膜の現像後の断面図である。
同図に示すように、これらレジスト膜１の開放表
面側では、パターン幅(W)は照射電子線幅にほぼ等
しいが、基板２の側では、これより広くなつてい
る。
等の基板の表面に形成された、1μｍ程度の厚さ
のレジスト膜に対して、通常、20〜30KeVの電
子線が照射される。該電子線は、レジスト膜を通
過後も、充分に大きなエネルギーを持つて基板に
衝突し、ここで後方散乱される。この後方散乱電
子によつても、レジスト膜は感光される。この散
乱は、等方的に行われる。したがつて、この後方
散乱電子により、パターンエツジ部を外れた位置
においても、レジスト膜が感光される。その結
果、パターンエツジの“ぼけ”、すなわち、パタ
ーンの解像度の低下が生じる。第１図ａおよびｂ
は、それぞれ、このような後方散乱電子による
“ぼけ”が生じた、ネガタイプレジスト膜および
ポジタイプレジスト膜の現像後の断面図である。
同図に示すように、これらレジスト膜１の開放表
面側では、パターン幅(W)は照射電子線幅にほぼ等
しいが、基板２の側では、これより広くなつてい
る。
一方、エツクス線露光法においては、レジスト
膜を透過したエツクス線により、基板から光電子
が放出され、該放出光電子によつて、レジスト膜
が感光される。この光電子放出も、等方的に行わ
れるので、電子線露光におけると同様に、第１図
ａおよびｂに示したようなパターンの解像度の低
下が生じる。この現象は、エネルギーの大きな
SOR（Synchrotron Orbitary Radiation）による
エツクス線（波長が１Åあるいはそれ以下）を用
いた場合に顕著に生じる。
膜を透過したエツクス線により、基板から光電子
が放出され、該放出光電子によつて、レジスト膜
が感光される。この光電子放出も、等方的に行わ
れるので、電子線露光におけると同様に、第１図
ａおよびｂに示したようなパターンの解像度の低
下が生じる。この現象は、エネルギーの大きな
SOR（Synchrotron Orbitary Radiation）による
エツクス線（波長が１Åあるいはそれ以下）を用
いた場合に顕著に生じる。
上記従来の問題点は、電子線もしくはエツクス
線に感度を有するレジストに紫外線を吸収する物
質を混合する第１工程と、該紫外線吸収物質が混
合された該レジストを基板に塗布してレジスト膜
を形成する第２工程と、該レジスト膜に対して、
該電子線もしくはエツクス線を、パターン形成に
用いられる通常の照射量以下で選択的に照射する
する第３工程と、該レジスト膜に対して、紫外線
を、それ単独でパターン形成が可能な最低照射量
より少ない照射量で全面に照射する第４工程と該
レジスト膜を現像して、該レジストがポジ型の場
合は該レジストの該電子線もしくはエツクス線の
照射量域を除去し、該レジストはネガ型の場合は
該レジストの該電子線もしくはエツクス線を照射
しない領域を除去する第５工程とを有するパター
ン形成方法、あるいは前記第４工程において、前
記紫外線を前記基板面に対して斜め方向から照射
するパターン形成方法によつて解決される。
線に感度を有するレジストに紫外線を吸収する物
質を混合する第１工程と、該紫外線吸収物質が混
合された該レジストを基板に塗布してレジスト膜
を形成する第２工程と、該レジスト膜に対して、
該電子線もしくはエツクス線を、パターン形成に
用いられる通常の照射量以下で選択的に照射する
する第３工程と、該レジスト膜に対して、紫外線
を、それ単独でパターン形成が可能な最低照射量
より少ない照射量で全面に照射する第４工程と該
レジスト膜を現像して、該レジストがポジ型の場
合は該レジストの該電子線もしくはエツクス線の
照射量域を除去し、該レジストはネガ型の場合は
該レジストの該電子線もしくはエツクス線を照射
しない領域を除去する第５工程とを有するパター
ン形成方法、あるいは前記第４工程において、前
記紫外線を前記基板面に対して斜め方向から照射
するパターン形成方法によつて解決される。
紫外線吸収物質を混合することにより、電子線
もしくはエツクス線露光用のレジストに、紫外線
に対する感光性を付与し、このレジストから成る
レジスト膜に対して、基板による後方散乱電子が
該レジスト膜を感光し得る限界値以下になるよう
に減量された照射量の電子線を、選択的に照射す
るとともに、それ単独でパターンの形成が可能な
最低照射量以下の紫外線を、全面に一様に照射す
る。露光されるパターンの範囲内では、該電子線
照射の効果と紫外線照射の効果とが重畳して、該
レジスト膜を感光する。一方、該紫外線は、その
ほとんどが、該レジスト膜の表面近くで吸収され
てしまうために、基板付近には達しない。したが
つて、パターンエツジの外側においては、該紫外
線照射の効果は、該後方散乱電子の効果に重畳し
て該レジスト膜を感光するに至らない。その結
果、パターンエツジにおける“ぼけ“の発生が回
避される。
もしくはエツクス線露光用のレジストに、紫外線
に対する感光性を付与し、このレジストから成る
レジスト膜に対して、基板による後方散乱電子が
該レジスト膜を感光し得る限界値以下になるよう
に減量された照射量の電子線を、選択的に照射す
るとともに、それ単独でパターンの形成が可能な
最低照射量以下の紫外線を、全面に一様に照射す
る。露光されるパターンの範囲内では、該電子線
照射の効果と紫外線照射の効果とが重畳して、該
レジスト膜を感光する。一方、該紫外線は、その
ほとんどが、該レジスト膜の表面近くで吸収され
てしまうために、基板付近には達しない。したが
つて、パターンエツジの外側においては、該紫外
線照射の効果は、該後方散乱電子の効果に重畳し
て該レジスト膜を感光するに至らない。その結
果、パターンエツジにおける“ぼけ“の発生が回
避される。
以下に本発明を図面を参照して説明する。
第２図ａおよびｂは、それぞれ、電子線照射量
と現像後の残存レジスト膜厚の関係および紫外線
照射時間と現像後の残存レジスト膜圧の関係とを
示す図である。同図から明らかなように、現像後
にレジスト膜が残るために必要な最低の電子線照
射量（Fth）および紫外線照射時間（Tth）が存
在する。通常の電子線露光では、Faで示す照射
量で所望のパターンの描画が行われる。同様に、
通常の紫外線露光においても、照射時間はTaで
示す値に設定される。
と現像後の残存レジスト膜厚の関係および紫外線
照射時間と現像後の残存レジスト膜圧の関係とを
示す図である。同図から明らかなように、現像後
にレジスト膜が残るために必要な最低の電子線照
射量（Fth）および紫外線照射時間（Tth）が存
在する。通常の電子線露光では、Faで示す照射
量で所望のパターンの描画が行われる。同様に、
通常の紫外線露光においても、照射時間はTaで
示す値に設定される。
一般に、電子線露光において、前記Fthの値
は、電子線エネルギー（Ｅ KeV）によつて、
ほとんど変わらない。したがつて、パターンエツ
ジの外の部分における後方散乱電子の量がFth以
下となるように電子線照射量を減少すれば、前記
のようなパターンエツジにおける“ぼけ”は生じ
なくなる。
は、電子線エネルギー（Ｅ KeV）によつて、
ほとんど変わらない。したがつて、パターンエツ
ジの外の部分における後方散乱電子の量がFth以
下となるように電子線照射量を減少すれば、前記
のようなパターンエツジにおける“ぼけ”は生じ
なくなる。
この場合、パターンの幅の範囲内における電子
線照射量は、当然上記Faより少なくなつている。
この所要照射量からの不足分が、紫外線照射によ
る露光で補われる。この時の紫外線照射量は、一
般に前記Tthに相当する量より小さい。したがつ
て、該紫外線照射は、該レジスト膜全面に一様に
行つても、該レジスト膜において、選択的な電子
線照射を受けていない、または、爾後も受ける予
定のない部分を感光することはない。
線照射量は、当然上記Faより少なくなつている。
この所要照射量からの不足分が、紫外線照射によ
る露光で補われる。この時の紫外線照射量は、一
般に前記Tthに相当する量より小さい。したがつ
て、該紫外線照射は、該レジスト膜全面に一様に
行つても、該レジスト膜において、選択的な電子
線照射を受けていない、または、爾後も受ける予
定のない部分を感光することはない。
エツクス線照射量についても、第２図ａにおけ
る電子線照射量をエツクス線照射量に置き換える
ことにより、同様に説明できる。
る電子線照射量をエツクス線照射量に置き換える
ことにより、同様に説明できる。
実施例 １
ネガ型電子線レジストとしてクロルメチル化ポ
リスチレン（CMS）を用い、これに紫外線吸収
物質としてＰ−アジドアセトフエノンを10重量パ
ーセント（Wt％）混合したものを、シリコン基
板上に1.2μｍの厚さに回転塗布したのち、80℃で
20分間乾燥した。得られたレジスト膜に対し、遠
紫外線（Deep UV）露光装置（キヤノン社製
PLA−500FA）を用い、500ワツトのXe−Hgラ
ンプにより、紫外線を全面に照射した。照射条件
は、Alミラーを用い、照射時間0.5〜１秒（第２
図ｂのTth以下の照射量に相当）であつた。この
のち、加速電圧20KeVの電子線を用いて、パタ
ーン（パターン１）を描画した。この時の電子線
照射量は、2x10-5coul／cm2であつた。
リスチレン（CMS）を用い、これに紫外線吸収
物質としてＰ−アジドアセトフエノンを10重量パ
ーセント（Wt％）混合したものを、シリコン基
板上に1.2μｍの厚さに回転塗布したのち、80℃で
20分間乾燥した。得られたレジスト膜に対し、遠
紫外線（Deep UV）露光装置（キヤノン社製
PLA−500FA）を用い、500ワツトのXe−Hgラ
ンプにより、紫外線を全面に照射した。照射条件
は、Alミラーを用い、照射時間0.5〜１秒（第２
図ｂのTth以下の照射量に相当）であつた。この
のち、加速電圧20KeVの電子線を用いて、パタ
ーン（パターン１）を描画した。この時の電子線
照射量は、2x10-5coul／cm2であつた。
比較試料として、紫外線吸収物質を添加してい
ないクロルメチル化ポリスチレンから成るレジス
ト膜に、同じ電子線を用いて、3x10-5coul／cm2の
照射量で描画したパターン（パターン２）およ
び、同じく、クロルメチル化ポリスチレンのみか
ら成るレジスト膜に、上記と同じ条件でDeep
UV照射を行つたのち、2x10-5coul／cm2の照射量
の電子線で描画したパターン（パターン３）を用
意した。
ないクロルメチル化ポリスチレンから成るレジス
ト膜に、同じ電子線を用いて、3x10-5coul／cm2の
照射量で描画したパターン（パターン２）およ
び、同じく、クロルメチル化ポリスチレンのみか
ら成るレジスト膜に、上記と同じ条件でDeep
UV照射を行つたのち、2x10-5coul／cm2の照射量
の電子線で描画したパターン（パターン３）を用
意した。
上記三種のパターンのうち、パターン２および
３では、所定パターン幅に対して約0.3μｍの増
加、すなわち、“ぼけ”が生じている。これに対
し、パターン１におけるパターン幅の増加は0.1μ
ｍ以下で、残存膜厚も正常であつた。また、パタ
ーン３では、残存膜厚が、パターン１および２の
1.0μｍ以上に比べ、著しく低下（約0.7μｍ）して
おり、断面形状が丸みを帯びており、照射量が不
足であることを示している。
３では、所定パターン幅に対して約0.3μｍの増
加、すなわち、“ぼけ”が生じている。これに対
し、パターン１におけるパターン幅の増加は0.1μ
ｍ以下で、残存膜厚も正常であつた。また、パタ
ーン３では、残存膜厚が、パターン１および２の
1.0μｍ以上に比べ、著しく低下（約0.7μｍ）して
おり、断面形状が丸みを帯びており、照射量が不
足であることを示している。
このように、本発明によるパターンが最も解像
性がよく、形状も急峻であつた。
性がよく、形状も急峻であつた。
実施例 ２
紫外線吸収物質として、Ｐ−アジドベンゾイツ
ク酸を、クロルメチル化ポリスチレンに混合して
調製されたレジストから成るレジスト膜につい
て、実施例１と同一条件でパターンを描画した結
果、Ｐ−アジドアセトフエノンと同様の効果が認
められた。
ク酸を、クロルメチル化ポリスチレンに混合して
調製されたレジストから成るレジスト膜につい
て、実施例１と同一条件でパターンを描画した結
果、Ｐ−アジドアセトフエノンと同様の効果が認
められた。
実施例 ３
紫外線吸収物質として、３−スルフオニルアジ
ドベンゾイツク酸を、クロルメチル化ポリスチレ
ンに混合して調製されたレジストから成るレジス
ト膜について、実施例１と同一条件でパターンを
描画した結果、Ｐ−アジドアセトフエノンと同様
の効果が認められた。
ドベンゾイツク酸を、クロルメチル化ポリスチレ
ンに混合して調製されたレジストから成るレジス
ト膜について、実施例１と同一条件でパターンを
描画した結果、Ｐ−アジドアセトフエノンと同様
の効果が認められた。
実施例 ４
ネガ型電子線レジストとして、PDOP（ポリジ
アリルオルソフタレート）を用い、これに紫外線
吸収物質として、Ｐ−アジドアセトフエノンを混
合して調製されたレジスト膜について、実施例１
と同一条件でパターンを描画した結果、クロルメ
チル化ポリスチレンと同様の効果が認められた。
アリルオルソフタレート）を用い、これに紫外線
吸収物質として、Ｐ−アジドアセトフエノンを混
合して調製されたレジスト膜について、実施例１
と同一条件でパターンを描画した結果、クロルメ
チル化ポリスチレンと同様の効果が認められた。
実施例 ５
ポジ型電子線レジストとして、PMMA（ポリメ
チルメタクリレート）を用い、これに紫外線吸収
物質として、Ｐ−アジドアセトフエノンを混合し
て調製されたレジストから成るレジスト膜につい
て、実施例１と同一条件でパターンを描画した結
果、クロルメチル化ポリスチレンと同様の効果が
認められた。
チルメタクリレート）を用い、これに紫外線吸収
物質として、Ｐ−アジドアセトフエノンを混合し
て調製されたレジストから成るレジスト膜につい
て、実施例１と同一条件でパターンを描画した結
果、クロルメチル化ポリスチレンと同様の効果が
認められた。
実施例 ６
実施例１において、シリコン基板を、該紫外線
の入射方向に対して30°〜70°傾けて紫外線照射を
行つたところ、パターン１におけるパターン幅の
増加がさらに減少するのが認められた。なお、シ
リコン基板を傾ける効果は、紫外線吸収物質を混
合していないレジスト膜から成るパターン２およ
び３においても認められる。
の入射方向に対して30°〜70°傾けて紫外線照射を
行つたところ、パターン１におけるパターン幅の
増加がさらに減少するのが認められた。なお、シ
リコン基板を傾ける効果は、紫外線吸収物質を混
合していないレジスト膜から成るパターン２およ
び３においても認められる。
実施例 ７
実施例１において、電子線の代わりに、エツク
ス線を用いるパターン転写によりパターンを描画
した。この時のエツクス線は、電子線励起型エツ
クス線源（加速電圧20KeV）から発生されたAl
−Kα線で、照射量は500mJ／cm2であつた。また、
被転写パターン用のマスクは、ポリイミド上に形
成された厚さ1.0μｍの金薄膜から作製した。紫外
線の露光条件は実施例１と同様とした。
ス線を用いるパターン転写によりパターンを描画
した。この時のエツクス線は、電子線励起型エツ
クス線源（加速電圧20KeV）から発生されたAl
−Kα線で、照射量は500mJ／cm2であつた。また、
被転写パターン用のマスクは、ポリイミド上に形
成された厚さ1.0μｍの金薄膜から作製した。紫外
線の露光条件は実施例１と同様とした。
実施例 ８
実施例１における紫外線照射で、フイルターを
用いて、280nｍ以上の紫外線を除去すると、パ
ターン１におけるパターン幅の増加が減少するの
が認められた。
用いて、280nｍ以上の紫外線を除去すると、パ
ターン１におけるパターン幅の増加が減少するの
が認められた。
なお、上記実施例において用いられたレジスト
材料、すなわち、CMS、PDOPあるいはPMMA
は、いずれも、30μｍ以下のDeep UVに対して
感光性を示すので、200〜300nｍの範囲に大きな
吸収係数を持つ前記アジド類が、紫外線吸収物質
として効果があつた。365nｍあるいは436nｍ付
近の紫外線に対して吸収特製を有する電子線レジ
ストあるいはエツクス線レジスト（例えば、東京
応化製OMR−83、OFPR等）の場合には、この
波長域の紫外線を全面照射すれば、全く同じ効果
が得られることが確認されている。また、上記実
施例においては、紫外線を全面照射したのちに電
子線あるいはエツクス線でパターンニングを行つ
たが、これと逆に、先に電子線あるいはエツクス
線によるパターンニングを行つたのちに、紫外線
の全面照射を行つても、同様の効果が得られるこ
とが確認されている。
材料、すなわち、CMS、PDOPあるいはPMMA
は、いずれも、30μｍ以下のDeep UVに対して
感光性を示すので、200〜300nｍの範囲に大きな
吸収係数を持つ前記アジド類が、紫外線吸収物質
として効果があつた。365nｍあるいは436nｍ付
近の紫外線に対して吸収特製を有する電子線レジ
ストあるいはエツクス線レジスト（例えば、東京
応化製OMR−83、OFPR等）の場合には、この
波長域の紫外線を全面照射すれば、全く同じ効果
が得られることが確認されている。また、上記実
施例においては、紫外線を全面照射したのちに電
子線あるいはエツクス線でパターンニングを行つ
たが、これと逆に、先に電子線あるいはエツクス
線によるパターンニングを行つたのちに、紫外線
の全面照射を行つても、同様の効果が得られるこ
とが確認されている。
電子線もしくはエツクス線感光性のレジスト膜
に紫外線吸収物質を混合し、該レジスト膜に、パ
ターン形成に用いられる通常の照射量以下の電子
線もしくはエツクス線の選択的な照射と、それ単
独でパターン形成が可能な最低照射量より少ない
量の紫外線の一様な照射とを重畳して与えること
により、後方散乱電子もしくは光電子放出が減少
され、その結果、通常の照射量の電子線もしくは
エツスク線の照射で生じるパターンエツジにおけ
る“ぼけ”が低減し、高解像度のパターンが形成
可能となる。
に紫外線吸収物質を混合し、該レジスト膜に、パ
ターン形成に用いられる通常の照射量以下の電子
線もしくはエツクス線の選択的な照射と、それ単
独でパターン形成が可能な最低照射量より少ない
量の紫外線の一様な照射とを重畳して与えること
により、後方散乱電子もしくは光電子放出が減少
され、その結果、通常の照射量の電子線もしくは
エツスク線の照射で生じるパターンエツジにおけ
る“ぼけ”が低減し、高解像度のパターンが形成
可能となる。
第１図ａおよびｂは、それぞれ、後方散乱電子
による“ぼけ”が生じた、ネガタイプレジスト膜
およびポジタイプレジスト膜の現像後の断面図、
第２図ａおよびｂは、それぞれ、電子線照射量と
現像後の残存レジスト膜厚の関係および紫外線照
射時間と現像後の残存レジスト膜厚の関係とを示
す図である。
による“ぼけ”が生じた、ネガタイプレジスト膜
およびポジタイプレジスト膜の現像後の断面図、
第２図ａおよびｂは、それぞれ、電子線照射量と
現像後の残存レジスト膜厚の関係および紫外線照
射時間と現像後の残存レジスト膜厚の関係とを示
す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子線もしくはエツクス線に感度を有するレ
ジストに紫外線を吸収する物質を混合する第１工
程と、 該紫外線吸収物質が混合された該レジスタを基
板に塗布してレジスト膜を形成する第２工程と、 該レジスト膜に対して、該電子線もしくはエツ
クス線を、パターン形成に用いられる通常の照射
量以下で選択的に照射する第３工程と、 該レジスト膜に対して、紫外線を、それ単独で
パターン形成が可能な最低照射量より少ない照射
量で全面に照射する第４工程と、 該レジスト膜を現像して、該レジストがポジ型
の場合は該レジストの該電子線もしくはエツクス
線の照射量域を除去し、該レジストがネガ型の場
合は該レジストの該電子線もしくはエツクス線を
照射しない領域を除去する第５工程と を有することを特徴とするパターン形成方法。 ２ 前記第４工程において、前記紫外線を前記基
板面に対して斜め方向から照射することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方
法。 ３ 前記紫外線を吸収する物質がＰ−アジドアセ
トフエノン、あるいはＰ−アジドベンゾイツク
酸、あるいは３−スルフオニルアジドベンゾイツ
ク酸であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62016727A JPS63185022A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | パタ−ン形成方法 |
| KR1019870015597A KR910007315B1 (ko) | 1987-01-27 | 1987-12-31 | 레지스트 미세패턴 형성방법 |
| DE3853305T DE3853305T2 (de) | 1987-01-27 | 1988-01-18 | Verfahren zur Herstellung von feinsten Strukturen in Lacken durch Elektronen- oder Röntgenstrahllithographie. |
| EP88100606A EP0276717B1 (en) | 1987-01-27 | 1988-01-18 | Method of forming a fine resist pattern in electron beam or x-ray lithography |
| US07/666,567 US5104772A (en) | 1987-01-27 | 1991-03-08 | Method of forming fine resist pattern in electron beam or x-ray lithography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62016727A JPS63185022A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185022A JPS63185022A (ja) | 1988-07-30 |
| JPH0551169B2 true JPH0551169B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11924295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62016727A Granted JPS63185022A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5104772A (ja) |
| EP (1) | EP0276717B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63185022A (ja) |
| KR (1) | KR910007315B1 (ja) |
| DE (1) | DE3853305T2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4024275A1 (de) * | 1990-07-31 | 1992-02-06 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen mit bereichsweise unterschiedlicher strukturhoehe |
| US5393634A (en) * | 1993-05-27 | 1995-02-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Continuous phase and amplitude holographic elements |
| US5789140A (en) * | 1996-04-25 | 1998-08-04 | Fujitsu Limited | Method of forming a pattern or via structure utilizing supplemental electron beam exposure and development to remove image residue |
| JPH11162844A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-06-18 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| US6528934B1 (en) | 2000-05-30 | 2003-03-04 | Chunghwa Picture Tubes Ltd. | Beam forming region for electron gun |
| WO2003071587A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-28 | University Of Delaware | Process for making photonic crystal circuits using an electron beam and ultraviolet lithography combination |
| DE102007010035A1 (de) | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Voith Patent Gmbh | Verfahren zur Aufbereitung von Altpapier |
| FR3048292B1 (fr) * | 2016-02-25 | 2018-03-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de lithographie electronique avec ecrantage electrostatique |
Citations (5)
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| JPS58200534A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-22 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6378523A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS612326A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-08 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS61141133A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | Nec Corp | 微細パタ−ン形成法 |
| DE3571161D1 (en) * | 1985-03-22 | 1989-07-27 | Ibm Deutschland | Lift-off mask production process and use of the mask |
| JPS62160981A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 石油タンカ−の改造法 |
| CA1285418C (en) * | 1985-07-18 | 1991-07-02 | Robert A. Owens | Pre-exposure method for increased sensitivity in high contrast resist development |
| JPS6221151A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPH0715891B2 (ja) * | 1989-08-14 | 1995-02-22 | 大同ほくさん株式会社 | ウエハ上に多結晶シリコン膜を形成する方法 |
-
1987
- 1987-01-27 JP JP62016727A patent/JPS63185022A/ja active Granted
- 1987-12-31 KR KR1019870015597A patent/KR910007315B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-01-18 DE DE3853305T patent/DE3853305T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-01-18 EP EP88100606A patent/EP0276717B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-08 US US07/666,567 patent/US5104772A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56140345A (en) * | 1980-04-02 | 1981-11-02 | Hitachi Ltd | Formation of pattern |
| JPS56164531A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-17 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor |
| JPS5877230A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS58200534A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-22 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6378523A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0276717A2 (en) | 1988-08-03 |
| EP0276717B1 (en) | 1995-03-15 |
| EP0276717A3 (en) | 1990-11-14 |
| US5104772A (en) | 1992-04-14 |
| KR880009292A (ko) | 1988-09-14 |
| JPS63185022A (ja) | 1988-07-30 |
| KR910007315B1 (ko) | 1991-09-24 |
| DE3853305T2 (de) | 1995-08-03 |
| DE3853305D1 (de) | 1995-04-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |