JPH01150323A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
- Publication number
- JPH01150323A JPH01150323A JP62310244A JP31024487A JPH01150323A JP H01150323 A JPH01150323 A JP H01150323A JP 62310244 A JP62310244 A JP 62310244A JP 31024487 A JP31024487 A JP 31024487A JP H01150323 A JPH01150323 A JP H01150323A
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- JP
- Japan
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- ray
- pattern
- mask
- same
- exposure mask
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- Pending
Links
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000014785 Bergenia crassifolia Nutrition 0.000 description 1
- 240000004972 Bergenia crassifolia Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は０．５μｍ以下の超微細パターンを形成する際
用いられるＸ線露光方法に関する。
用いられるＸ線露光方法に関する。
〈従来技術〉
半導体集積回路や光集積回路等の集積回路を形成する際
、集積回路が高密度化、高集積化するにつれてよシ微剣
なパターンの形成が要求される。
、集積回路が高密度化、高集積化するにつれてよシ微剣
なパターンの形成が要求される。
現在、光学的手法を用いた微細パターン形成方法が主流
となっているが、０．５μｍ以下の超微細パターンを形
成するには前記光学的手法では困難であシ、波長が数Ａ
と短い軟Ｘ線を用いる手法が注目されている。
となっているが、０．５μｍ以下の超微細パターンを形
成するには前記光学的手法では困難であシ、波長が数Ａ
と短い軟Ｘ線を用いる手法が注目されている。
軟Ｘ線を用いるＸ線露光方法は第２図のように露光が実
施される。Ｘ線透過材１の一主面上に所望パターンのＸ
線吸収体２を形成してＸ線露光用マスクを構成し、一方
、基板３の一主面上にはＸ線感光材層４を形成する。前
記Ｘ線感光材層４とＸ線吸収体パターン２とを向き合わ
せ、Ｘ線透過材１の裏面に配置したＸ線源５によりＸ線
照射を行なう。照射されたＸ線はＸ線透過材１全面を透
過するが、該Ｘ線透過材１のＸ線吸収体パターン２被着
領域ではＸ線が吸収されるため、Ｘ線は選択的にＸ線感
光材層４に到達し、これを感光する。
施される。Ｘ線透過材１の一主面上に所望パターンのＸ
線吸収体２を形成してＸ線露光用マスクを構成し、一方
、基板３の一主面上にはＸ線感光材層４を形成する。前
記Ｘ線感光材層４とＸ線吸収体パターン２とを向き合わ
せ、Ｘ線透過材１の裏面に配置したＸ線源５によりＸ線
照射を行なう。照射されたＸ線はＸ線透過材１全面を透
過するが、該Ｘ線透過材１のＸ線吸収体パターン２被着
領域ではＸ線が吸収されるため、Ｘ線は選択的にＸ線感
光材層４に到達し、これを感光する。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記従来技術では、１枚のＸ線露光用マスクが用いられ
るため、パターン欠損等の欠陥の無い完な 壁＃Ｘ線露光用マスクを製作する必要がある。ところが
、０．５μｍ以下といったサブミクロンの寸法を有する
超微細パターンを無欠陥に作成するために、イオンビー
ムエツチング、リフトオフ等の種々の技術を用いてマス
クの欠陥を修正することが試みられているが、パターン
欠損を修正するための効果的な方法がいまだ確立されて
おらず、現在のところＸ線露光技術を実用に供するのは
困難であるという問題がある。
るため、パターン欠損等の欠陥の無い完な 壁＃Ｘ線露光用マスクを製作する必要がある。ところが
、０．５μｍ以下といったサブミクロンの寸法を有する
超微細パターンを無欠陥に作成するために、イオンビー
ムエツチング、リフトオフ等の種々の技術を用いてマス
クの欠陥を修正することが試みられているが、パターン
欠損を修正するための効果的な方法がいまだ確立されて
おらず、現在のところＸ線露光技術を実用に供するのは
困難であるという問題がある。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明は上述する問題点を解決するためになされたもの
で、Ｘ線透過材の一主面上にＸ線吸収体が所望パターン
に形成されたＸ線露光用マスクをＸ線感光材層を形成し
た基板とＸ線源との間に配置させるｘｍｉ光方決方法い
て、前記基板とＸ線源との間にほぼ同一パターンを有す
る複数枚のＸ線露光用マスクを同一Ｘ線行路に重ねて配
置してなるｘｍ；ｉ元方法を提供するものである。
で、Ｘ線透過材の一主面上にＸ線吸収体が所望パターン
に形成されたＸ線露光用マスクをＸ線感光材層を形成し
た基板とＸ線源との間に配置させるｘｍｉ光方決方法い
て、前記基板とＸ線源との間にほぼ同一パターンを有す
る複数枚のＸ線露光用マスクを同一Ｘ線行路に重ねて配
置してなるｘｍ；ｉ元方法を提供するものである。
〈作 用〉
上述の如く、Ｘ線露光工程において、ほぼ同一のパター
ンをもつ複数枚のｘｔｓｎ光用マスクを同一Ｘ線行路に
重ねて配置させることにより、個々のマスクが保有する
パターン欠損を他のマスクで補うことが可能になる。
ンをもつ複数枚のｘｔｓｎ光用マスクを同一Ｘ線行路に
重ねて配置させることにより、個々のマスクが保有する
パターン欠損を他のマスクで補うことが可能になる。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
第１図は本発明の一実施例を説明するための模式図であ
る。Ｘ線透過材１ａの一主面上に所望パターンのＸ線吸
収体２ａを形成して第１のＸ線露光用マスク６を構成さ
せ、同様にＸ線透過材１ｂめ一主面上に上記と同一パタ
ーンのＸ線吸収体２ｂを形成して第２のＸ線露光用マス
ク７を構成させる。また、基板３の一主面上にはＸ線感
光材層４が形成されている。前記Ｘ線感光材層４と上記
Ｘ線吸収体パターン２ａ及びＸ線吸収体パターン２ｂと
を向かいあわせ、同時にＸ線吸収体パターン２ａとＸ線
吸収体パターン２ｂとを同一Ｘ線行路に重ねて配置する
。Ｘ線透過材１ａ、ｌｂの裏面からＸ線源５によフＸ線
を照射する。
る。Ｘ線透過材１ａの一主面上に所望パターンのＸ線吸
収体２ａを形成して第１のＸ線露光用マスク６を構成さ
せ、同様にＸ線透過材１ｂめ一主面上に上記と同一パタ
ーンのＸ線吸収体２ｂを形成して第２のＸ線露光用マス
ク７を構成させる。また、基板３の一主面上にはＸ線感
光材層４が形成されている。前記Ｘ線感光材層４と上記
Ｘ線吸収体パターン２ａ及びＸ線吸収体パターン２ｂと
を向かいあわせ、同時にＸ線吸収体パターン２ａとＸ線
吸収体パターン２ｂとを同一Ｘ線行路に重ねて配置する
。Ｘ線透過材１ａ、ｌｂの裏面からＸ線源５によフＸ線
を照射する。
この時、第１のＸ線露光用マスク６のＸ線吸収体パター
ン２ａにはパターン欠損■が存在し、第２のｘｍａ光用
マスクのＸ線吸収体パターン２ｂにはパターン欠損＠、
のが存在する。しかし、Ｘ線露光用マスク作製工程にて
生じるパターン欠損はランダムに発生するため、同一パ
ターンデータに基づいた複数枚のＸ線露光用マスクの同
一箇所にパターン欠損が発生することは非常に稀である
。
ン２ａにはパターン欠損■が存在し、第２のｘｍａ光用
マスクのＸ線吸収体パターン２ｂにはパターン欠損＠、
のが存在する。しかし、Ｘ線露光用マスク作製工程にて
生じるパターン欠損はランダムに発生するため、同一パ
ターンデータに基づいた複数枚のＸ線露光用マスクの同
一箇所にパターン欠損が発生することは非常に稀である
。
したがって上記パターン欠損■とバダーン欠損＠。
のが同一箇所には存在せず、第１のＸ＠露光用マスク６
と第２のＸ線露光用マスク７とを同一Ｘ線行路上に重ね
て、例えば第２のＸ線露光用マスク７を基板３により近
い側に配置させると、第１のＸ線露光用マスク６のパタ
ーン欠損■によシ透過したＸ線は第２のＸ線露光用マス
ク７にて吸収されるため、第１のＸ線露光用マスク６、
及び第２のＸ線露光用マスク下に配置され、Ｘ線感光材
層４が形成された基板３に到達することはない。また、
第２のＸ線露光用マスク７のパターン欠損＠。
と第２のＸ線露光用マスク７とを同一Ｘ線行路上に重ね
て、例えば第２のＸ線露光用マスク７を基板３により近
い側に配置させると、第１のＸ線露光用マスク６のパタ
ーン欠損■によシ透過したＸ線は第２のＸ線露光用マス
ク７にて吸収されるため、第１のＸ線露光用マスク６、
及び第２のＸ線露光用マスク下に配置され、Ｘ線感光材
層４が形成された基板３に到達することはない。また、
第２のＸ線露光用マスク７のパターン欠損＠。
のけ、第２のＸ線露光用マスク７よりＸ線源５側に配置
された第１のＸ線露光用マスク６のＸ線吸収体パターン
２ａによシ予めＸ線が吸収されて、Ｘ線が照射されない
ため、パターン欠損＠、θによりＸ線が透過して感光材
層４を感光さぜることはない。
された第１のＸ線露光用マスク６のＸ線吸収体パターン
２ａによシ予めＸ線が吸収されて、Ｘ線が照射されない
ため、パターン欠損＠、θによりＸ線が透過して感光材
層４を感光さぜることはない。
〈発明の効果〉
本発明により、Ｘ線露光用マスクを複数枚用いて互いの
パターン欠損を補うことが可能になるため、超微細パタ
ーンの転写を正確に行なうことが可能となる。したがっ
て本発明は半導体集積回路、或いは光集積回路等の集積
回路の高集積化、高密度化に寄与するものである。
パターン欠損を補うことが可能になるため、超微細パタ
ーンの転写を正確に行なうことが可能となる。したがっ
て本発明は半導体集積回路、或いは光集積回路等の集積
回路の高集積化、高密度化に寄与するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図、第２図は従来
例を示す模式図である。 ｌａ、ｌｂ、Ｘ線透過材 ２ａ、２ｂ、Ｘ線吸収体
３．基板 ４． Ｘ線感光材層５、 Ｘ線源 ６
．第１のＸ線露光用マスク７、第２のＸ線露光用マスク
例を示す模式図である。 ｌａ、ｌｂ、Ｘ線透過材 ２ａ、２ｂ、Ｘ線吸収体
３．基板 ４． Ｘ線感光材層５、 Ｘ線源 ６
．第１のＸ線露光用マスク７、第２のＸ線露光用マスク
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線透過材の一主面上にＸ線吸収体が所望パターン
に形成されたＸ線露光用マスクを、Ｘ線感光材層を形成
した基板とＸ線源との間に配置させるＸ線露光方法にお
いて、 前記基板とＸ線源との間に、ほぼ同一パターンを有する
複数枚のＸ線露光用マスクを同一Ｘ線行路に重ねて配置
してなることを特徴とするＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62310244A JPH01150323A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62310244A JPH01150323A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01150323A true JPH01150323A (ja) | 1989-06-13 |
Family
ID=18002912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62310244A Pending JPH01150323A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01150323A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0997780A1 (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| EP0997781A1 (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP62310244A patent/JPH01150323A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0997780A1 (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| EP0997781A1 (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| JP2000133586A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Canon Inc | 露光方法 |
| US6324250B1 (en) | 1998-10-27 | 2001-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| US6327332B1 (en) | 1998-10-27 | 2001-12-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
| US6647087B2 (en) | 1998-10-27 | 2003-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
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