JPH0277112A - 電子ビーム露光法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、集積回路装置の製造における新しい電子ビー
ム露光法に関する。

［従来の技術］ 従来、ガラス基板上に光電子放射膜を図形状に形成した
マスクを形成し、該マスクに光照射する事により放射さ
れる電子を露光対象物に結像して照射するいわゆる光電
子露光法はあった。

［発明が解決しようとする課題１ しかし、上記従来技術による光電子露光法は、−括露光
方式であり、大面積に、微細な線を一様に露光する事は
困難であると云う課題があった。

本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、大面積に微
細な線を一様に露光する新しい電子ビーム露光法を提供
する事を目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決する為に本発明は、電子ビーム露光法に
関し、ガラス基板上等に光電子放射膜を図形状に形成し
たマスクを作成し、該マスクに光照射して放射される電
子を露光対象物に結像して照射すると共に、露光対象物
の結像面を逐次送りして、露光対象物面にいわゆるステ
ップ・アンド・リピート露光する手段を取る。

［実　施　例１ 以下、実施例により本発明を詳述する。

第１図は本発明の電子ビーム露光法を示す概念図である
。すなわち、石英あるいはメングラス膜等から成るマス
ク基板１には、図形状にＣｒｔｌｉやＷＩ！あるいはＡ
ｕ膜等から成る光（又はＸ線）遮断パターン２を形成し
、その表面にＣｓＩ等から成る光（又はＸ線）電子放射
膜３を形成し、実質的に光（又はＸ線）電子放射膜を図
形状に形成したことになり、該マスクの他の面から光（
又はＸ線）４を照射して前記光（又はＸ線）遮断パター
ン２から図形状に放射される電子ビームを磁界又は電解
による結像レンズ５の糸を通して、８１基扱６の表面に
形成されたレジスト７の面上に等倍又は縮小投影像を結
像すると共に、Ｓ１基板６を実質的に逐次送り８をして
、いわゆるステップ・アンド・リピート露光する。本装
置糸は真空内で構成される事となる。

［発明の効果Ｊ 本発明により、光（又はＸ線）電子露光法において大面
積に微細な線を一様に露光する事ができる効果がある。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例を示す電子ビーム露光法の概
念図である。 １・・・マスク基板 ２・・・光遮断パターン ３・・・光電子放射膜 ４・・・光 ５・・・結像レンズ ６・・・Ｓｉ基板 ７・・・レジスト ８・・・逐次送り 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ガラス基板上等に光電子放射膜を図形状に形成したマス
   クを作成し、該マスクに光照射する事により放射される
   電子を露光対象物に結像して照射すると共に、露光対象
   物の結像面を逐次送りして、露光対象物面にいわゆるス
   テップ・アンド・リピート露光する事を特徴とする電子
   ビーム露光法。