JPH0142134B2 - - Google Patents
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- JPH0142134B2 JPH0142134B2 JP18418480A JP18418480A JPH0142134B2 JP H0142134 B2 JPH0142134 B2 JP H0142134B2 JP 18418480 A JP18418480 A JP 18418480A JP 18418480 A JP18418480 A JP 18418480A JP H0142134 B2 JPH0142134 B2 JP H0142134B2
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- photoresist
- ray lithography
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- ray
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 42
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 claims 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 17
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- HDLKRBKBZRWMHV-UHFFFAOYSA-N copper hafnium Chemical compound [Cu].[Hf] HDLKRBKBZRWMHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 poly(butene-1 sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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-
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、エツクス線リトグラフ用マスクおよ
びその製造法に関する。
びその製造法に関する。
精密電子工業は、光学技術の能力を上廻る最小
の部分的構造の寸法を有するパターンをウエーハ
上に形成するため、エツクス線リトグラフ
（XRL）に変換しつつある。例えば、1μｍを下廻
る部分的構造を精密に再現することが所望され
る。本発明は、このようなミクロン以下の部分的
構造を有するエツクス線リトグラフマスクを製造
する方法に関する。
の部分的構造の寸法を有するパターンをウエーハ
上に形成するため、エツクス線リトグラフ
（XRL）に変換しつつある。例えば、1μｍを下廻
る部分的構造を精密に再現することが所望され
る。本発明は、このようなミクロン以下の部分的
構造を有するエツクス線リトグラフマスクを製造
する方法に関する。
マスク薄膜上に、約0.5μｍの最小の部分的構造
の寸法を有するエツクス線吸収パターンを配置す
ることが所望される。さらにこの吸収体の厚さ
は、これは金であつてもよいが、例えば最低５〜
１のエツクス線コントラストを得るのに十分でな
ければならない。このコントラストは、被覆せざ
る薄膜の透過度対吸収体の透過度の比である。こ
のことは、吸収体が金である場合、最小吸光体厚
さが約5000Åでなければならないことを表わす。
の寸法を有するエツクス線吸収パターンを配置す
ることが所望される。さらにこの吸収体の厚さ
は、これは金であつてもよいが、例えば最低５〜
１のエツクス線コントラストを得るのに十分でな
ければならない。このコントラストは、被覆せざ
る薄膜の透過度対吸収体の透過度の比である。こ
のことは、吸収体が金である場合、最小吸光体厚
さが約5000Åでなければならないことを表わす。
ミクロン以下の部分的構造を生じさせるため、
0.25μｍよりも小さい部分的構造を生じさせる可
能性を有する唯一の適用可能な技術が電子線リト
グラフである。大きい面積にわたり適合する実際
の露光を実施するため、ポリ（ブテン−１スルホ
ン）（PBS）のような感光レジストを使用する必
要がある。しかしながら、電子散乱が、このよう
なレジストの厚さを約2000〜3000Åに制限する。
電子線リトグラフの能力を、薄いレジスト層中の
微細な線を厚いレジスト層に製造するように変換
することが所望される。
0.25μｍよりも小さい部分的構造を生じさせる可
能性を有する唯一の適用可能な技術が電子線リト
グラフである。大きい面積にわたり適合する実際
の露光を実施するため、ポリ（ブテン−１スルホ
ン）（PBS）のような感光レジストを使用する必
要がある。しかしながら、電子散乱が、このよう
なレジストの厚さを約2000〜3000Åに制限する。
電子線リトグラフの能力を、薄いレジスト層中の
微細な線を厚いレジスト層に製造するように変換
することが所望される。
5000Åは0.5μｍであるので、このようなマスク
を製造する場合の他の難点が、巾対厚さの縦横比
約１：１を有するパターンを必要とすることであ
ると判明した。当業者に公知の種々の技術的理由
で、金をこのような寸法で、蒸着およびリフトオ
フにより付着させる公知技術のサイドエツチング
法は不十分である。
を製造する場合の他の難点が、巾対厚さの縦横比
約１：１を有するパターンを必要とすることであ
ると判明した。当業者に公知の種々の技術的理由
で、金をこのような寸法で、蒸着およびリフトオ
フにより付着させる公知技術のサイドエツチング
法は不十分である。
吸収パターンのこのように大きい縦横比により
表わされる他の難点は、マスクのパターンがウエ
ーハ上で点状エツクス線源により露光されるとい
う事実から生じる。点状エツクス線源と軸方向に
整列せざる、マスクのこれら部分が、有利に除去
されるべき不利な陰影部を形成する。
表わされる他の難点は、マスクのパターンがウエ
ーハ上で点状エツクス線源により露光されるとい
う事実から生じる。点状エツクス線源と軸方向に
整列せざる、マスクのこれら部分が、有利に除去
されるべき不利な陰影部を形成する。
従つて本発明の第１の目的は、最小の部分的構
造の寸法が1μｍを下廻るエツクス線リトグラフ
マスクを製造するための改善された方法を得るこ
とである。他の目的は、マスク上の吸収パターン
が、エツクス線源の極めてわずかに不利な陰影部
を生じるような方法を得ることある。本発明の他
の目的および利点は以下の記載から明白である。
造の寸法が1μｍを下廻るエツクス線リトグラフ
マスクを製造するための改善された方法を得るこ
とである。他の目的は、マスク上の吸収パターン
が、エツクス線源の極めてわずかに不利な陰影部
を生じるような方法を得ることある。本発明の他
の目的および利点は以下の記載から明白である。
本発明によるエツクス線リトグラフに使用する
マスクの製造法において、ホトレジストより成る
層がマスク薄膜に施こされ；金属の薄いフイルム
がこのホトレジストに施こされ；かつ、電子線ホ
トレジストより成るフイルムがこの金属フイルム
に施こされる。その後にこの電子線ホトレジスト
が電子線により露光され、選択された露光パター
ンをその中に形成する。その後に電子線ホトレジ
ストが、露光パターンを除去しかつ金属フイルム
を選択的に出現させるため現像され、その後に金
属フイルムが、その中に露光パターンを複製する
ためエツチングされる。その後に、残りの電子線
ホトレジストが除去され、かつ、ベースホトレジ
スト層が、複製されたパターンを経て放射源から
露光される。その後にこのベースホトレジスト
が、薄膜を選択的に出現させるため現像され、か
つこうして出現せる薄膜部分に、所望のエツクス
線吸収材料が配置される。
マスクの製造法において、ホトレジストより成る
層がマスク薄膜に施こされ；金属の薄いフイルム
がこのホトレジストに施こされ；かつ、電子線ホ
トレジストより成るフイルムがこの金属フイルム
に施こされる。その後にこの電子線ホトレジスト
が電子線により露光され、選択された露光パター
ンをその中に形成する。その後に電子線ホトレジ
ストが、露光パターンを除去しかつ金属フイルム
を選択的に出現させるため現像され、その後に金
属フイルムが、その中に露光パターンを複製する
ためエツチングされる。その後に、残りの電子線
ホトレジストが除去され、かつ、ベースホトレジ
スト層が、複製されたパターンを経て放射源から
露光される。その後にこのベースホトレジスト
が、薄膜を選択的に出現させるため現像され、か
つこうして出現せる薄膜部分に、所望のエツクス
線吸収材料が配置される。
以下に、本発明を図面実施例につき詳説する。
第１ａ図に、マスク薄膜１０を部分的に例示す
る。これがエツクス線リトグラフ用に使用される
場合、これは光学的に透明であることも要せず、
チタニウムのような金属であつてもよい。選択的
にこれが、ポリイミドより成るフイルムのような
プラスチツクフイルムであることができる。この
薄膜の厚さは、その材料、並びに他の要因に関連
する。この厚さは、例えばチタニウムで0.75μｍ
からポリイミドで15μｍの範囲にあればよい。そ
の直径は、約３インチ（約7.6cm）であればよい。
薄膜１０の表面に施されるのが、常用の紫外線ホ
トレジストまたは、近紫外線（波長3000Å以下）
に感光性である、ポリメチルメタクリレート
（PMMA）のようなホトレジストより成る層１２
である。PMMAは、常用のホトレジストよりも
長い露光時間を有する。しかしながらこれは、露
光および現像により大きい縦横比が得られる利点
を有する。適当なPMMAホトレジストを、エツ
シエム社（EssChem Inc.）により供給された、
分子量950000を有する粉末から製造した。これを
トリクロルエチレン中に、PMMA3.74重量％の
濃度になるまで溶解した。ホトレジスト層１２
を、回転塗布により、かつ約0.5〜3μｍの厚さを
有しうるように常法で施こした。このホトレジス
ト層１２の露光面を、紫外線不透過性材料より成
る薄い層１４で被覆した。このような材料の例
は、蒸着またはスパツタリングにより約0.1μｍの
厚さに施こされることができる、アルミニウム、
クロムまたは銀のような金属を包含する。また
AZ1350ホトレジストが、紫外線不透過性材料と
してPMMA上に使用されることができる。最後
に、電子線ホトレジストより成る層１６が施こさ
れる。１つの適当な電子線ホトレジストが、0.5μ
ｍの解像度を有するPBSである。層１６の厚さ
は約0.3μｍであればよい。他の有用な電子線レジ
ストが、PMMA，GMCおよびAZ1350である。
もし0.5μｍよりも小さい像部分が必要とされるな
らば、PBSの代りに、PMMAのような高解像度
電子線レジストが使用されることができる。マス
クを形成するため、所望のパターンが、電子線ホ
トレジスト層１６の表面に、電子線リトグラフに
より確立せる方法で露光される。電子線ホトレジ
ストが現像されると、露光部分が、第１ｂ図に示
すように、金属層１４の露出部分１４ａまで除去
される。この露出せる金属が、湿式または乾式の
常法でエツチングすることにより、ホトレジスト
層１２の露出部分１２ａまで除去される。その後
に、電子線ホトレジスト層１６の残分が除去され
る。
る。これがエツクス線リトグラフ用に使用される
場合、これは光学的に透明であることも要せず、
チタニウムのような金属であつてもよい。選択的
にこれが、ポリイミドより成るフイルムのような
プラスチツクフイルムであることができる。この
薄膜の厚さは、その材料、並びに他の要因に関連
する。この厚さは、例えばチタニウムで0.75μｍ
からポリイミドで15μｍの範囲にあればよい。そ
の直径は、約３インチ（約7.6cm）であればよい。
薄膜１０の表面に施されるのが、常用の紫外線ホ
トレジストまたは、近紫外線（波長3000Å以下）
に感光性である、ポリメチルメタクリレート
（PMMA）のようなホトレジストより成る層１２
である。PMMAは、常用のホトレジストよりも
長い露光時間を有する。しかしながらこれは、露
光および現像により大きい縦横比が得られる利点
を有する。適当なPMMAホトレジストを、エツ
シエム社（EssChem Inc.）により供給された、
分子量950000を有する粉末から製造した。これを
トリクロルエチレン中に、PMMA3.74重量％の
濃度になるまで溶解した。ホトレジスト層１２
を、回転塗布により、かつ約0.5〜3μｍの厚さを
有しうるように常法で施こした。このホトレジス
ト層１２の露光面を、紫外線不透過性材料より成
る薄い層１４で被覆した。このような材料の例
は、蒸着またはスパツタリングにより約0.1μｍの
厚さに施こされることができる、アルミニウム、
クロムまたは銀のような金属を包含する。また
AZ1350ホトレジストが、紫外線不透過性材料と
してPMMA上に使用されることができる。最後
に、電子線ホトレジストより成る層１６が施こさ
れる。１つの適当な電子線ホトレジストが、0.5μ
ｍの解像度を有するPBSである。層１６の厚さ
は約0.3μｍであればよい。他の有用な電子線レジ
ストが、PMMA，GMCおよびAZ1350である。
もし0.5μｍよりも小さい像部分が必要とされるな
らば、PBSの代りに、PMMAのような高解像度
電子線レジストが使用されることができる。マス
クを形成するため、所望のパターンが、電子線ホ
トレジスト層１６の表面に、電子線リトグラフに
より確立せる方法で露光される。電子線ホトレジ
ストが現像されると、露光部分が、第１ｂ図に示
すように、金属層１４の露出部分１４ａまで除去
される。この露出せる金属が、湿式または乾式の
常法でエツチングすることにより、ホトレジスト
層１２の露出部分１２ａまで除去される。その後
に、電子線ホトレジスト層１６の残分が除去され
る。
ところで、こうしてさらにこの方法中で行なわ
れる工程の結果として、実際に、直接にベースを
なすホトレジスト層１２に残存する薄いステンシ
ルが形成されるべきであることが明白である。金
属ステンシル層１４中のエツチングパターンをマ
スクとして使用し、ホトレジスト層１２が、溶融
石英管を有する水銀灯のような点光源からの近紫
外線に露光される。ステンシルから約7.5cmの距
離におかれる適当な光源の１つが、0.5×1.5mmの
有効アーク寸法を有する200ワツト直流ランプで
ある。その後に現像すると、薄膜１０の、被覆さ
れていない部分１０ａが得られる。（この場合使
用せるような“紫外”なる用語は、一般に“軟”
エツクス線として公知のエツクス線スペクトル中
の波長のものを包含する）。同じ結果が、水銀灯
を点状エツクス線源に代えることにより得られる
ことができる。この場合、層１２はエツクス線ホ
トレジスト、例えばPMMAでなければならない。
さらに、カーボンk（44Å）のような長波長エツ
クス線源が、薄膜１４を使用し良コントラストを
得ることができるので有利である。その後に、エ
ツクス線吸収体、例えば金が、電気メツキまたは
無電解メツキにより施こされる。（他の適当な吸
収体は、エルビウム、銅ハフニウム、タングステ
ンタンタリウムおよび白金を包含する）。残存す
るホトレジストを除去すると、エツクス線吸収体
１８の裏面に所望のパターンが配置される。
れる工程の結果として、実際に、直接にベースを
なすホトレジスト層１２に残存する薄いステンシ
ルが形成されるべきであることが明白である。金
属ステンシル層１４中のエツチングパターンをマ
スクとして使用し、ホトレジスト層１２が、溶融
石英管を有する水銀灯のような点光源からの近紫
外線に露光される。ステンシルから約7.5cmの距
離におかれる適当な光源の１つが、0.5×1.5mmの
有効アーク寸法を有する200ワツト直流ランプで
ある。その後に現像すると、薄膜１０の、被覆さ
れていない部分１０ａが得られる。（この場合使
用せるような“紫外”なる用語は、一般に“軟”
エツクス線として公知のエツクス線スペクトル中
の波長のものを包含する）。同じ結果が、水銀灯
を点状エツクス線源に代えることにより得られる
ことができる。この場合、層１２はエツクス線ホ
トレジスト、例えばPMMAでなければならない。
さらに、カーボンk（44Å）のような長波長エツ
クス線源が、薄膜１４を使用し良コントラストを
得ることができるので有利である。その後に、エ
ツクス線吸収体、例えば金が、電気メツキまたは
無電解メツキにより施こされる。（他の適当な吸
収体は、エルビウム、銅ハフニウム、タングステ
ンタンタリウムおよび白金を包含する）。残存す
るホトレジストを除去すると、エツクス線吸収体
１８の裏面に所望のパターンが配置される。
第１図に示したように、吸収体１８の壁面は垂
直であるように見える。このことは、点状紫外線
源が、図示せるパターンの特徴部分と実際に整列
したという事実から得られる。しかしながら、本
発明の実際から誘導される重要な特徴は、この吸
収体の壁面が真に垂直ではなく点状光源へ向け傾
斜していることである。
直であるように見える。このことは、点状紫外線
源が、図示せるパターンの特徴部分と実際に整列
したという事実から得られる。しかしながら、本
発明の実際から誘導される重要な特徴は、この吸
収体の壁面が真に垂直ではなく点状光源へ向け傾
斜していることである。
このことは、本発明の方法を、薄膜１０の中心
から移動せる範囲に関連させて示す第２ａ図およ
び第２ｂ図に表わされている。第２ａ図から明白
なように、点状紫外線源からの紫外線Ｒが、ステ
ンシル１４を通過しかつ、不垂直配列でホトレジ
スト１２を露光する。その後にこの配列が、第２
図に示したようにエツクス線吸収体１８に複製さ
れる。このことは、エツクス線がまた点状放射源
から放射するので、エツクス線リトグラフに使用
されるべきマスクを製造する場合に極めて重要な
利点である。このことの原理が第３図および第４
図に表わされている。
から移動せる範囲に関連させて示す第２ａ図およ
び第２ｂ図に表わされている。第２ａ図から明白
なように、点状紫外線源からの紫外線Ｒが、ステ
ンシル１４を通過しかつ、不垂直配列でホトレジ
スト１２を露光する。その後にこの配列が、第２
図に示したようにエツクス線吸収体１８に複製さ
れる。このことは、エツクス線がまた点状放射源
から放射するので、エツクス線リトグラフに使用
されるべきマスクを製造する場合に極めて重要な
利点である。このことの原理が第３図および第４
図に表わされている。
第３図は、その上に垂直な側壁を有するエツク
ス線吸収体２２より成り、点状放射源２４から照
射されるパターンを有する常用の薄膜２０を表わ
す。この図面から明白なように、陰影部ｘの最大
量が、マスク半径ｒ、吸収体厚さｔ、および放射
源とマスクとの距離Ｄに関連する。１つの代表的
なエツクス線リトグラフ装置の場合、Ｄが15cm、
およびｒが約3.5cmである。吸収体の厚さが、金
で最低の5000Åである場合、最大陰影部長さｘが
約1250Åである。本発明が直面する線巾0.5μｍ
で、これはこの線巾の1/4を表わす。この難点は、
もし吸収体が、点状放射源の方向に傾斜する側壁
を有するならば除去される。このことが第４図に
表わされている、その場合マスクが本発明によ
り、製造の際に点状紫外線源を使用して製造さ
れ、その結果吸収体１８が傾斜壁を有する。その
後にエツクス線源２４がマスクから紫外線源と同
じ距離に配置された場合、実際に陰影部が除去さ
れる。所定の角度分散を生じる実際の距離Ｄが、
もし中間光学系が点状放射源および出来上つたマ
スク間に配置されたならば異なつてもよいことに
留意すべきである。
ス線吸収体２２より成り、点状放射源２４から照
射されるパターンを有する常用の薄膜２０を表わ
す。この図面から明白なように、陰影部ｘの最大
量が、マスク半径ｒ、吸収体厚さｔ、および放射
源とマスクとの距離Ｄに関連する。１つの代表的
なエツクス線リトグラフ装置の場合、Ｄが15cm、
およびｒが約3.5cmである。吸収体の厚さが、金
で最低の5000Åである場合、最大陰影部長さｘが
約1250Åである。本発明が直面する線巾0.5μｍ
で、これはこの線巾の1/4を表わす。この難点は、
もし吸収体が、点状放射源の方向に傾斜する側壁
を有するならば除去される。このことが第４図に
表わされている、その場合マスクが本発明によ
り、製造の際に点状紫外線源を使用して製造さ
れ、その結果吸収体１８が傾斜壁を有する。その
後にエツクス線源２４がマスクから紫外線源と同
じ距離に配置された場合、実際に陰影部が除去さ
れる。所定の角度分散を生じる実際の距離Ｄが、
もし中間光学系が点状放射源および出来上つたマ
スク間に配置されたならば異なつてもよいことに
留意すべきである。
前述に指摘せるように、エツクス線吸収体を配
置する１つの方法が電気メツキである。マスク薄
膜１０が金属性である場合、これは難点がない。
しかしながら、もしこの薄膜が非金属、従つて不
導電性であるならば、ホトレジスト層を施こす前
に導電層を施こす必要がある。例えばこれは、約
200Å厚の蒸着クロムまたは金ベースであればよ
い。
置する１つの方法が電気メツキである。マスク薄
膜１０が金属性である場合、これは難点がない。
しかしながら、もしこの薄膜が非金属、従つて不
導電性であるならば、ホトレジスト層を施こす前
に導電層を施こす必要がある。例えばこれは、約
200Å厚の蒸着クロムまたは金ベースであればよ
い。
前述の本発明の実施例は、本発明を詳説するも
のであつて、これを制限するものではなく、また
本発明の精神および範囲を逸脱せずに種々の変法
が可能であることは当業者に明白である。
のであつて、これを制限するものではなく、また
本発明の精神および範囲を逸脱せずに種々の変法
が可能であることは当業者に明白である。
第１図ａ〜ｅは、本発明による方法の１実施例
につき工程を連続的に略示するそれぞれ拡大断面
図、第２図ａおよびｂは、本発明による無陰影マ
スクの工程を略示するそれぞれ拡大断面図、第３
図は、大きい縦横比のマスクによるエツクス線陰
影の難点を略示する拡大断面図、および第４図
は、本発明により第３図の難点が解決されたマス
クを略示する拡大断面である。 １０……マスク薄膜、１２……ホトレジスト
層、１３……紫外線不透過層、１６……電子線ホ
トレジスト層、１８……エツクス線吸収体、２０
……常用のマスク薄膜、２２……エツクス線吸収
体、２４……点状放射源。
につき工程を連続的に略示するそれぞれ拡大断面
図、第２図ａおよびｂは、本発明による無陰影マ
スクの工程を略示するそれぞれ拡大断面図、第３
図は、大きい縦横比のマスクによるエツクス線陰
影の難点を略示する拡大断面図、および第４図
は、本発明により第３図の難点が解決されたマス
クを略示する拡大断面である。 １０……マスク薄膜、１２……ホトレジスト
層、１３……紫外線不透過層、１６……電子線ホ
トレジスト層、１８……エツクス線吸収体、２０
……常用のマスク薄膜、２２……エツクス線吸収
体、２４……点状放射源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 前選択された波長範囲の電磁スペクトルに実
質的に透明であるベース薄膜、前記の前選択され
た範囲内の最低１部分の放射を吸収することがで
きる、前記薄膜に付着せる材料より成り、前記吸
収材料が、前記薄膜上に突出せるパターンを制限
し、前記パターンが、前記薄膜から外方へ延びか
つ、前記薄膜から距離をおいた実質的な共通点へ
向け傾斜せる側壁を含有することを特徴とするエ
ツクス線リトグラフ用マスク。 ２ 前記波長範囲がエツクス線領域であることを
特徴とする、特許請求の範囲第１項記載のエツク
ス線リトグラフ用マスク。 ３ 前記吸収材料が金であることを特徴とする、
特許請求の範囲第２項記載のエツクス線リトグラ
フ用マスク。 ４ 吸収材料および、距離をおいた共通点が、薄
膜の同じ側面にあることを特徴とする、特許請求
の範囲第１項記載のエツクス線リトグラフ用マス
ク。 ５ 前選択された波長範囲の電磁スペクトルに実
質的に透明であるベース薄膜、前記の前選択され
た範囲内の最低１部分の放射を吸収することがで
きる、前記薄膜に付着せる材料より成り、前記吸
収材料が、前記薄膜上に突出せるパターンを制限
し、前記パターンが、前記薄膜から外方へ延びか
つ、前記薄膜から距離をおいた実質的な共通点へ
向け傾斜せる側壁を含有するマスクを製造するに
当り： エツクス線に対し実質的に透明な材料より成る
マスク薄膜を備え； 前記薄膜にUVホトレジストより成る層を施こ
し； 前記ホトレジストにUV不透過性材料より成る
薄いフイルムを施こし； 前記UV不透過性フイルムに電子線ホトレジス
トより成るフイルムを施こし； 前記電子線ホトレジストより成るフイルムを電
子線に露光してその中に選択された露光パターン
を形成し； 前記電子線ホトレジストを現像して前記露光パ
ターンを除去しかつ前記UV不透過性フイルムを
選択的に露呈させ； 露呈せる位置の前記UV不透過性フイルムを除
去してその中に前記露光パターンを複製し； 前記UVホトレジストを、前記薄膜から、出来
上がつたマスクとエツクス線源との所要距離と実
質的に等しい距離にある点状放射源から前記複製
パターンを経て露光し； 露光せる位置の前記UVホトレジストを現像し
て、現像後に残存するUVホトレジストが、前記
点状放射源に実質的に整列する傾斜側壁を制限す
る露光パターン中の前記薄膜を選択的に露呈さ
せ；かつ 前記薄膜の露呈部にエツクス線吸収性材料を配
置することを特徴とするエツクス線リトグラフ用
マスクの製造法。 ６ 前記UV不透過性材料が金属であることを特
徴とする、特許請求の範囲第５項記載のエツクス
線リトグラフ用マスクの製造法。 ７ 前記金属がエツチングにより除去されること
を特徴とする、特許請求の範囲第６項記載のエツ
クス線リトグラフ用マスクの製造法。 ８ 前記金属がクロムであることを特徴とする、
特許請求の範囲第６項記載のエツクス線リトグラ
フ用マスクの製造法。 ９ 前記金属がアルミニウムであることを特徴と
する、特許請求の範囲第６項記載のエツクス線リ
トグラフ用マスクの製造法。 １０ 前記金属が銀であることを特徴とする、特
許請求の範囲第６項記載のエツクス線リトグラフ
用マスクの製造法。 １１ 前記UV不透過性材料がAZ1350ホトレジ
ストであることを特徴とする、特許請求の範囲第
６項記載のエツクス線リトグラフ用マスクの製造
法。 １２ 前記UVホトレジスト層が0.5〜3μｍの近似
範囲内の厚さを有することを特徴とする、特許請
求の範囲第５項記載のエツクス線リトグラフ用マ
スクの製造法。 １３ 前記UVホトレジストがポリメチルメタク
リレートであることを特徴とする、特許請求の範
囲第５項記載のエツクス線リトグラフ用マスクの
製造法。 １４ 前記電子線ホトレジストがポリ（ブテン−
１スルホン）であることを特徴とする、特許請求
の範囲第５項記載のエツクス線リトグラフ用マス
クの製造法。 １５ 前記の配置されたエツクス線吸収材料が、
前記UVホトレジストの傾斜側壁に隣接する側壁
を制限することを特徴とする、特許請求の範囲第
５項記載のエツクス線リトグラフ用マスクの製造
法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/107,749 US4329410A (en) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | Production of X-ray lithograph masks |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5694351A JPS5694351A (en) | 1981-07-30 |
| JPH0142134B2 true JPH0142134B2 (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=22318258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18418480A Granted JPS5694351A (en) | 1979-12-26 | 1980-12-26 | Mask for xxray lithograph and production thereof |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4329410A (ja) |
| JP (1) | JPS5694351A (ja) |
| DE (1) | DE3045964A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4463074A (en) * | 1980-10-14 | 1984-07-31 | Eastman Kodak Company | Elements containing ordered wall arrays |
| JPS6057217B2 (ja) * | 1980-11-18 | 1985-12-13 | セイコーエプソン株式会社 | Ｘ線露光用マスク |
| DE3119682A1 (de) * | 1981-05-18 | 1982-12-02 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | "verfahren zur herstellung einer maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels strahlungslithographie" |
| US4664996A (en) * | 1983-06-24 | 1987-05-12 | Rca Corporation | Method for etching a flat apertured mask for use in a cathode-ray tube |
| US4656107A (en) * | 1983-06-24 | 1987-04-07 | Rca Corporation | Photographic printing plate for use in a vacuum printing frame |
| US4588676A (en) * | 1983-06-24 | 1986-05-13 | Rca Corporation | Photoexposing a photoresist-coated sheet in a vacuum printing frame |
| DE3604917A1 (de) * | 1986-02-17 | 1987-08-27 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Verfahren zur herstellung eines integrierten verbandes in reihe geschalteter duennschicht-solarzellen |
| US5178975A (en) * | 1991-01-25 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | High resolution X-ray mask having high aspect ratio absorber patterns |
| US5307394A (en) * | 1993-01-27 | 1994-04-26 | Oleg Sokolov | Device for producing X-ray images on objects composed of photo or X-ray sensitive materials |
| US6528934B1 (en) | 2000-05-30 | 2003-03-04 | Chunghwa Picture Tubes Ltd. | Beam forming region for electron gun |
| US6987836B2 (en) * | 2001-02-01 | 2006-01-17 | Creatv Microtech, Inc. | Anti-scatter grids and collimator designs, and their motion, fabrication and assembly |
| US7922923B2 (en) | 2001-02-01 | 2011-04-12 | Creatv Microtech, Inc. | Anti-scatter grid and collimator designs, and their motion, fabrication and assembly |
| KR100542464B1 (ko) * | 2003-11-20 | 2006-01-11 | 학교법인 한양학원 | 원자력간 현미경 리소그래피 기술을 이용한 극자외선 노광공정용 반사형 다층 박막 미러의 제조방법 |
| SG124407A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Method of generating a photolithography patterningdevice, computer program, patterning device, meth od of determining the position of a target image on or proximate a substrate, measurement device, and lithographic apparatus |
| EP1855127A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-14 | Rolic AG | Optically effective surface relief microstructures and method of making them |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50113171A (ja) * | 1974-02-13 | 1975-09-05 | ||
| JPS52119172A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Fujitsu Ltd | Forming method of fine pattern |
| JPS5492061A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-20 | Fujitsu Ltd | Micropattern forming method |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2702243A (en) * | 1950-06-17 | 1955-02-15 | Azoplate Corp | Light-sensitive photographic element and process of producing printing plates |
| US3313626A (en) * | 1962-08-01 | 1967-04-11 | Russeli H Whitney | Process of making a lithographic printing plate |
| US3317320A (en) * | 1964-01-02 | 1967-05-02 | Bendix Corp | Duo resist process |
| US3423205A (en) * | 1964-10-30 | 1969-01-21 | Bunker Ramo | Method of making thin-film circuits |
| US3743842A (en) * | 1972-01-14 | 1973-07-03 | Massachusetts Inst Technology | Soft x-ray lithographic apparatus and process |
| BG17215A1 (ja) * | 1972-07-17 | 1973-07-25 | ||
| US3971860A (en) * | 1973-05-07 | 1976-07-27 | International Business Machines Corporation | Method for making device for high resolution electron beam fabrication |
| US4035522A (en) * | 1974-07-19 | 1977-07-12 | International Business Machines Corporation | X-ray lithography mask |
| US4022927A (en) * | 1975-06-30 | 1977-05-10 | International Business Machines Corporation | Methods for forming thick self-supporting masks |
| US4018938A (en) * | 1975-06-30 | 1977-04-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of high aspect ratio masks |
| US4123272A (en) * | 1977-05-17 | 1978-10-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Double-negative positive-working photohardenable elements |
| US4211834A (en) * | 1977-12-30 | 1980-07-08 | International Business Machines Corporation | Method of using a o-quinone diazide sensitized phenol-formaldehyde resist as a deep ultraviolet light exposure mask |
| US4260670A (en) * | 1979-07-12 | 1981-04-07 | Western Electric Company, Inc. | X-ray mask |
-
1979
- 1979-12-26 US US06/107,749 patent/US4329410A/en not_active Expired - Lifetime
-
1980
- 1980-12-05 DE DE19803045964 patent/DE3045964A1/de active Granted
- 1980-12-26 JP JP18418480A patent/JPS5694351A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50113171A (ja) * | 1974-02-13 | 1975-09-05 | ||
| JPS52119172A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Fujitsu Ltd | Forming method of fine pattern |
| JPS5492061A (en) * | 1977-12-29 | 1979-07-20 | Fujitsu Ltd | Micropattern forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3045964C2 (ja) | 1990-05-03 |
| US4329410A (en) | 1982-05-11 |
| JPS5694351A (en) | 1981-07-30 |
| DE3045964A1 (de) | 1981-09-03 |
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